CN112098791A - 在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法 - Google Patents

Abstract

本发明适用于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，该在片校准模型包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。本实施例提供的在片校准模型，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。

Description

在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法

技术领域

本发明属于晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，尤其涉及一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法。

背景技术

“在片S参数测试系统”广泛应用于微电子行业。在使用前，需要用在片校准件对在片S参数测试系统进行矢量校准，校准的准确与否依赖于在片校准件定义的准确程度。不同类型的校准件(例如开路校准件、短路校准件、负载校准件以及直通校准件)测量模型中的集总参数的值不同，集总参数一般包括偏置线的延时、特征阻抗、串联电阻、电感、电容和直流电阻。如何获得测量模型中各集总参数的准确量值是定义校准件的关键。然而，目前传统商用在片校准组件的测量模型在低频段以下得到了广泛应用，但随着在片测试频率的升高，采用传统的测量模型对在片测试系统进行校准，校准和测试准确度降低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种在片校准件模型及在片校准件模型中参数确定的方法，旨在解决现有技术中采用传统的测量模型对在片测试系统进行校准，校准和测试准确度降低的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种在片校准件模型，包括：

表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；

所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。

作为本申请另一实施例，所述原校准件模型为原负载校准件模型，所述原负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻；

所述在片校准件模型为负载校准件模型时，所述负载校准件模型包括表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；

所述表征负载校准件串扰的电阻的一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端以及所述负载校准件电感的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端，以构成所述负载校准件模型单端口的另一端；

或者，所述表征负载校准件串扰的电容的一端连接所述负载校准件电感的一端，以负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端和所述表征负载校准件串扰的电阻的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为所述负载校准件模型单端口的另一端。

作为本申请另一实施例，所述原校准件模型为原开路校准件模型，所述原开路校准件模型包括开路校准件电容；

所述在片校准件模型为开路校准件模型时，所述开路校准件模型包括表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；

所述表征开路校准件串扰的电阻的一端作为开路校准件模型单端口的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述开路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端连接后作为开路校准件模型单端口的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端作为所述开路校准件模型单端口的另一端。

作为本申请另一实施例，所述原校准件模型为原短路校准件模型，所述原短路校准件模型包括短路校准件电感；

所述在片校准件模型为短路校准件模型时，所述短路校准件模型包括表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容；

所述表征短路校准件串扰的电阻的一端作为短路校准件模型单端口的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述短路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端连接后作为短路校准件模型单端口的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端作为所述短路校准件模型单端口的另一端。

本发明实施例的第二方面提供了一种在片校准件模型中参数确定的方法，基于上述任一实施例提供的在片校准件模型，所述在片校准件模型中参数确定的方法包括：

基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；

根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；

根据不同校准件对应的所述在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；

根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。

作为本申请另一实施例，所述根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳，包括：

根据

计算不同校准件的导纳；

其中，S₁₁表示不同校准件的单端口的S参数，Y表示不同校准件的导纳，Z_open表示开路校准件的阻抗，Z₀表示系统特征阻抗。

作为本申请另一实施例，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：

当所述校准件为负载校准件时，在片校准模型为负载校准件模型时，负载校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_load表示负载校准件的导纳，R_l表示负载校准件直流电阻，j表示虚数，ω表示角频率，L_load表示在预设频率下测量得到负载校准件电感，R_s表示表征负载校准件串扰的电阻，C_s表示表征负载校准件串扰的电容，Y₁表示R_l和L_load的串联导纳，Y₂表示C_s的串联导纳。

作为本申请另一实施例，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：

当所述校准件为开路校准件时，在片校准模型为开路校准件模型时，开路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_open表示开路校准件的导纳，C_open表示在预设频率下测量得到开路校准件电容，R_s'表示表征开路校准件串扰的电阻，C_s'表示表征开路校准件串扰的电容，Y₁'表示C_open的导纳，Y₂'表示C_s'的串联导纳。

作为本申请另一实施例，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：

当所述校准件为短路校准件时，在片校准模型为短路校准件模型时，短路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_short表示短路校准件的导纳，L_short表示在预设频率下测量得到短路校准件电感，R_s”表示表征短路校准件串扰的电阻，C_s”表示表征短路校准件串扰的电容，Y₁”表示L_short的导纳，Y₂”表示C_s”的串联导纳。

作为本申请另一实施例，所述根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数，包括：

将所述不同校准件的导纳代入对应的导纳公式中进行计算，得到表征不同在片校准件串扰的电容和表征不同在片校准件串扰的电阻的导纳对应的阻抗；

确定所述阻抗的实部为表征不同在片校准件串扰的电阻；确定所述阻抗的虚部为表征不同在片校准件串扰的电容。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供的在片校准件模型，对开路标准件、短路标准件、负载标准件的单端口增加串扰元件建立新的测量模型，从而提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。然后基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的在片校准件模型的示意图；

图2(1)是本发明实施例提供的原负载校准件模型的示意图；

图2(2)是本发明实施例提供的基于太赫兹频段的负载校准件模型的示意图；

图3(1)是本发明实施例提供原开路校准件模型的示意图；

图3(2)是本发明实施例提供的基于太赫兹频段的开路校准件模型的示意图；

图4(1)是本发明实施例提供的原短路校准件模型的示意图；

图4(2)是本发明实施例提供的基于太赫兹频段的短路校准件模型的示意图；

图5是本发明实施例提供的在片校准件模型中参数确定的方法的实现流程示意图；

图6是本发明实施例提供的在片校准件模型中参数确定的装置的示例图；

图7是本发明实施例提供的终端设备的示意图。

具体实施方式

以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。

为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

图1为本发明实施例提供的一种在片校准件模型的示意图，详述如下。

在片校准件模型，可以包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；在图1中，表征在片校准件串扰的电阻用R表示，表征在片校准件串扰的电容用C表示。

所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。

图1中虚线表示的表征在片校准件串扰的电阻为R的可选连接关系，即其可以在R的位置，也可以在虚线电阻表示的位置。

由于在太赫兹频段，探针之间的耦合出现了新的误差项，传统的开路校准件、短路校准件和负载校准件不能有效表征串扰误差，太赫兹频段在片S参数测试准确度不高，因此在传统在片校准件模型基础上，对开路标准件、短路标准件、负载标准件的单端口增加串扰元件建立新的测量模型，从而提高太赫兹频段在片S参数测试准确度。

可选的，如图2(1)所示原负载校准件模型，图2(2)为基于太赫兹频段的负载校准件模型；其中，原负载校准件模型中包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻，负载校准件电感的一端为原负载校准件模型单端口的一端，负载校准件电感的另一端和负载校准件直流电阻的一端连接，负载校准件直流电阻的另一端为原负载校准件模型单端口的另一端。

可选的，所述在片校准件模型为负载校准件模型时，所述负载校准件模型包括表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；如图2(2)所示，所述表征负载校准件串扰的电阻的一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端以及所述负载校准件电感的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端，以构成所述负载校准件模型单端口的另一端；

或者，所述表征负载校准件串扰的电容的一端连接所述负载校准件电感的一端，以负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端和所述表征负载校准件串扰的电阻的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为所述负载校准件模型单端口的另一端。

可选的，如图3(1)所示原开路校准件模型，图3(2)为基于太赫兹频段的开路校准件模型；其中，原开路校准件模型中包括开路校准件电容，开路校准件电容的两端分别为原开路校准件模型单端口的两端。

可选的，所述在片校准件模型为开路校准件模型时，所述开路校准件模型包括表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；如图3(2)所示，所述表征开路校准件串扰的电阻的一端作为开路校准件模型单端口的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述开路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端连接后作为开路校准件模型单端口的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端作为所述开路校准件模型单端口的另一端。

可选的，如图4(1)所示原短路校准件模型，图4(2)为基于太赫兹频段的短路校准件模型；其中，原短路校准件模型中包括短路校准件电感，短路校准件电感的两端分别为原短路校准件模型单端口的两端。

可选的，所述在片校准件模型为短路校准件模型时，所述短路校准件模型包括表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容；如图4(2)所示，所述表征短路校准件串扰的电阻的一端作为短路校准件模型单端口的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述短路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端连接后作为短路校准件模型单端口的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端作为所述短路校准件模型单端口的另一端。

下面根据上述任一实施例提供的在片校准件模型，计算在片校准件模型中参数，如图5所示为在片校准件模型中参数确定的方法，详述如下。

步骤501，基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数。

可选的，根据图2(2)、图3(2)以及图4(2)所示的不同校准件的等效电路，在太赫兹频段用校准准确度最高的多线TRL校准方法对测量系统进行校准，测量得到负载校准件的S参数。

步骤502，根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳。

可选的，根据

计算不同校准件的导纳；

其中，S₁₁表示不同校准件的单端口的S参数，Y表示不同校准件的导纳，Z_open表示开路校准件的阻抗，Z₀表示系统特征阻抗，一般其值为50Ω。

步骤503，根据不同校准件对应的所述在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式。

可选的，本步骤可以根据不同的校准件对应的等效电路，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式。

可选的，如图2(2)所示，当所述校准件为负载校准件时，在片校准模型为负载校准件模型时，负载校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_load表示负载校准件的导纳，R_l表示负载校准件直流电阻，j表示虚数，ω表示角频率，L_load表示在预设频率下测量得到负载校准件电感，其中，预设频率可以指40GHz以下的频率，R_s表示表征负载校准件串扰的电阻，C_s表示表征负载校准件串扰的电容，Y₁表示R_l和L_load的串联导纳，Y₂表示C_s的串联导纳。

可选的，根据图2(1)可以得到L_load。根据

计算，可得

其中，ω＝2πf，

表示图2(1)中的端面的负载反射系数，Z_load表示负载校准件的输入阻抗，R表示负载校准件的直流电阻。

可选的，如图3(2)所示，当所述校准件为开路校准件时，在片校准模型为开路校准件模型时，开路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_open表示开路校准件的导纳，C_open表示在预设频率下测量得到开路校准件电容，其中，预设频率可以指40GHz以下的频率，R_s'表示表征开路校准件串扰的电阻，C_s'表示表征开路校准件串扰的电容，Y₁'表示C_open的导纳，Y₂'表示C_s'的串联导纳。

可选的，根据图3(1)可以计算得到C_open。根据

计算，从而可以得到

其中，

表示图3(1)中参端面的开路反射系数，Z_open表示图3(1)中开路校准件的输入阻抗。

可选的，如图4(2)所示，当所述校准件为短路校准件时，在片校准模型为短路校准件模型时，短路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_short表示短路校准件的导纳，L_short表示在预设频率下测量得到短路校准件电感，其中，预设频率可以指40GHz以下的频率，R_s”表示表征短路校准件串扰的电阻，C_s”表示表征短路校准件串扰的电容，Y₁”表示L_short的导纳，Y₂”表示C_s”的串联导纳。

可选的，根据图4(1)可以计算得到L_load。根据

计算，可得

其中，ω＝2πf，

表示图4(1)中参端面的短路反射系数，Z_short表示图4(1)中短路校准件的输入阻抗。

步骤504，根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。

可选的，本步骤可以包括将所述不同校准件的导纳代入对应的导纳公式中进行计算，得到表征不同在片校准件串扰的电容和表征不同在片校准件串扰的电阻的导纳对应的阻抗；确定所述阻抗的实部为表征不同在片校准件串扰的电阻；确定所述阻抗的虚部为表征不同在片校准件串扰的电容。也就是说，负载校准件模型中表征不同校准件串扰的参数包括表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容。

例如，当校准件为负载校准件时，计算的负载校准件的导纳可以为

将其代入负载校准件模型对应的导纳公式进行计算，得到一个导纳对应的阻抗，此阻抗为复数，复数的实部为R_s，复数的虚部为C_s。

同理，可以得出表征开路校准件串扰的电容和表征开路校准件串扰的电阻的串联导纳对应的阻抗，以及表征短路校准件串扰的电容和表征短路校准件串扰的电阻的串联导纳对应的阻抗，并进一步得到表征开路校准件串扰的电容和表征开路校准件串扰的电阻，以及表征短路校准件串扰的电容和表征短路校准件串扰的电阻。

需要说明的是，上述实施例中计算负载校准件模型、开路校准件模型以及短路校准件模型任一模型得到的表征校准件串扰的电容和电阻也可以应用于其它的模型，例如，计算负载校准件模型得到的表征校准件串扰的电容和电阻，也可以应用于开路校准件模型以及短路校准件模型；计算开路校准件模型得到的表征校准件串扰的电容和电阻，也可以应用于负载校准件模型以及短路校准件模型；计算短路校准件模型得到的表征校准件串扰的电容和电阻，也可以应用于负载校准件模型以及开路校准件模型。在进行校准件的校准时，可以采用一种校准模型得到对应的表征校准件串扰的电容和电阻，然后可以运用于其它校准件模型，而不必再计算其它校准模型对应的表征校准件串扰的电容和电阻，从而可以节省校准时间，提高在片校准件模型的通用性。

上述在片校准件模型中参数确定的方法，通过基于不同在片校准件模型，在太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。

应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

对应于上文实施例所述的在片校准件模型中参数确定的方法，图6示出了本发明实施例提供的在片校准件模型中参数确定的装置的示例图，基于上述任一实施例提供的在片校准件模型，如图6所示，该装置可以包括：测量模块601以及计算模块602。

测量模块601，用于基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；

计算模块602，用于根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；

所述计算模块602，还用于根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；

所述计算模块602，还用于根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。

可选的，所述原校准件模型为原负载校准件模型，所述原负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻；

所述在片校准件模型为负载校准件模型时，所述负载校准件模型包括表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；

所述表征负载校准件串扰的电阻的一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端以及所述负载校准件电感的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端，以构成所述负载校准件模型单端口的另一端；

或者，所述表征负载校准件串扰的电容的一端连接所述负载校准件电感的一端，以负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端和所述表征负载校准件串扰的电阻的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为所述负载校准件模型单端口的另一端。

可选的，所述原校准件模型为原开路校准件模型，所述原开路校准件模型包括开路校准件电容；

所述在片校准件模型为开路校准件模型时，所述开路校准件模型包括表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；

所述表征开路校准件串扰的电阻的一端作为开路校准件模型单端口的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述开路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端连接后作为开路校准件模型单端口的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端作为所述开路校准件模型单端口的另一端。

可选的，所述原校准件模型为原短路校准件模型，所述原短路校准件模型包括短路校准件电感；

所述在片校准件模型为短路校准件模型时，所述短路校准件模型包括表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容；

所述表征短路校准件串扰的电阻的一端作为短路校准件模型单端口的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述短路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端连接后作为短路校准件模型单端口的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端作为所述短路校准件模型单端口的另一端。

可选的，所述计算模块603根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳时，可以用于：

根据

计算不同校准件的导纳；

其中，S₁₁表示不同校准件的单端口的S参数，Y表示不同校准件的导纳，Z_open表示开路校准件的阻抗，Z₀表示系统特征阻抗。

可选的，所述计算模块603根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式时，可以用于：

当所述校准件为负载校准件时，在片校准模型为负载校准件模型时，负载校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_load表示负载校准件的导纳，R_l表示负载校准件直流电阻，j表示虚数，ω表示角频率，L_load表示在预设频率下测量得到负载校准件电感，R_s表示表征负载校准件串扰的电阻，C_s表示表征负载校准件串扰的电容，Y₁表示R_l和L_load的串联导纳，Y₂表示C_s的串联导纳。

可选的，所述计算模块602根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式时，可以用于：

当所述校准件为开路校准件时，在片校准模型为开路校准件模型时，开路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_open表示开路校准件的导纳，C_open表示在预设频率下测量得到开路校准件电容，R_s'表示表征开路校准件串扰的电阻，C_s'表示表征开路校准件串扰的电容，Y₁'表示C_open的导纳，Y₂'表示C_s'的串联导纳。

可选的，所述计算模块602根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式时，可以用于：

当所述校准件为短路校准件时，在片校准模型为短路校准件模型时，短路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_short表示短路校准件的导纳，L_short表示在预设频率下测量得到短路校准件电感，R_s”表示表征短路校准件串扰的电阻，C_s”表示表征短路校准件串扰的电容，Y₁”表示L_short的导纳，Y₂”表示C_s”的串联导纳。

可选的，所述计算模块602根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数时，可以用于：

将所述不同校准件的导纳代入对应的导纳公式中进行计算，得到表征不同在片校准件串扰的电容和表征不同在片校准件串扰的电阻的导纳对应的阻抗；

确定所述阻抗的实部为表征不同在片校准件串扰的电阻；确定所述阻抗的虚部为表征不同在片校准件串扰的电容。

上述在片校准件模型中参数确定的装置，通过基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量模块测量得到不同校准件的S参数；根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；根据不同校准件对应的在片校准件模型，计算模块确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算模块计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。本实施例提供的不同在片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路模型不完善带来的校准及测量误差，可以提高太赫兹频段在片S参数测试准确度；另外给出了不同在片校准件模型中参数的计算方法。

图7是本发明一实施例提供的终端设备的示意图。如图7所示，该实施例的终端设备700包括：处理器701、存储器702以及存储在所述存储器702中并可在所述处理器701上运行的计算机程序703，例如在片校准件模型中参数确定的程序。所述处理器701执行所述计算机程序703时实现上述在片校准件模型中参数确定的方法实施例中的步骤，例如图5所示的步骤501至504，所述处理器701执行所述计算机程序703时实现上述各装置实施例中各模块的功能，例如图6所示模块601至602的功能。

示例性的，所述计算机程序703可以被分割成一个或多个程序模块，所述一个或者多个程序模块被存储在所述存储器702中，并由所述处理器701执行，以完成本发明。所述一个或多个程序模块可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序703在所述在片校准件模型中参数确定的装置或者终端设备700中的执行过程。例如，所述计算机程序703可以被分割成测量模块601以及计算模块602，各模块具体功能如图6所示，在此不再一一赘述。

所述终端设备700可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。所述终端设备可包括，但不仅限于，处理器701、存储器702。本领域技术人员可以理解，图7仅仅是终端设备700的示例，并不构成对终端设备700的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述终端设备还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。

所称处理器701可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

所述存储器702可以是所述终端设备700的内部存储单元，例如终端设备700的硬盘或内存。所述存储器702也可以是所述终端设备700的外部存储设备，例如所述终端设备700上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(SecureDigital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，所述存储器702还可以既包括所述终端设备700的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器702用于存储所述计算机程序以及所述终端设备700所需的其他程序和数据。所述存储器702还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本申请的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

在本发明所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/终端设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种在片校准件模型，其特征在于，包括：表征在片校准件串扰的电阻和表征在片校准件串扰的电容；

所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路串联，所述表征在片校准件串扰的电容的一端连接在所述表征在片校准件串扰的电阻与原校准件模型中的元件构成的电路的一端之间，所述表征在片校准件串扰的电容的另一端连接在原校准件模型中的元件构成的电路的另一端。

2.如权利要求1所述的在片校准件模型，其特征在于，所述原校准件模型为原负载校准件模型，所述原负载校准件模型包括负载校准件电感、负载校准件直流电阻；

所述在片校准件模型为负载校准件模型时，所述负载校准件模型包括表征负载校准件串扰的电阻和表征负载校准件串扰的电容；

所述表征负载校准件串扰的电阻的一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的一端以及所述负载校准件电感的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端，以构成所述负载校准件模型单端口的另一端；

或者，所述表征负载校准件串扰的电容的一端连接所述负载校准件电感的一端，以负载校准件模型单端口的一端，所述负载校准件电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的另一端，所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载校准件串扰的电容的另一端和所述表征负载校准件串扰的电阻的一端，所述表征负载校准件串扰的电阻的另一端作为所述负载校准件模型单端口的另一端。

3.如权利要求1所述的在片校准件模型，其特征在于，所述原校准件模型为原开路校准件模型，所述原开路校准件模型包括开路校准件电容；

所述在片校准件模型为开路校准件模型时，所述开路校准件模型包括表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校准件串扰的电容；

所述表征开路校准件串扰的电阻的一端作为开路校准件模型单端口的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述开路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述开路校准件电容的一端和所述表征开路校准件串扰的电容的一端连接后作为开路校准件模型单端口的一端，所述开路校准件电容的另一端和所述表征开路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征开路校准件串扰的电阻的一端，所述表征开路校准件串扰的电阻的另一端作为所述开路校准件模型单端口的另一端。

4.如权利要求1所述的在片校准件模型，其特征在于，所述原校准件模型为原短路校准件模型，所述原短路校准件模型包括短路校准件电感；

所述在片校准件模型为短路校准件模型时，所述短路校准件模型包括表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校准件串扰的电容；

所述表征短路校准件串扰的电阻的一端作为短路校准件模型单端口的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端分别连接所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后作为所述短路校准件模型单端口的另一端；

或者，所述短路校准件电感的一端和所述表征短路校准件串扰的电容的一端连接后作为短路校准件模型单端口的一端，所述短路校准件电感的另一端和所述表征短路校准件串扰的电容的另一端连接后连接所述表征短路校准件串扰的电阻的一端，所述表征短路校准件串扰的电阻的另一端作为所述短路校准件模型单端口的另一端。

5.一种在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，基于上述权利要求1-4中任一项所述的在片校准件模型，所述在片校准件模型中参数确定的方法包括：

基于太赫兹频段，采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准，测量得到不同校准件的S参数；

根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳；

根据不同校准件对应的所述在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式；

根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数。

6.如权利要求5所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据所述不同校准件的S参数，计算不同校准件的导纳，包括：

根据

计算不同校准件的导纳；

其中，S₁₁表示不同校准件的单端口的S参数，Y表示不同校准件的导纳，Z_open表示开路校准件的阻抗，Z₀表示系统特征阻抗。

7.如权利要求5或6所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：

当所述校准件为负载校准件时，在片校准模型为负载校准件模型时，负载校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_load表示负载校准件的导纳，R_l表示负载校准件直流电阻，j表示虚数，ω表示角频率，L_load表示在预设频率下测量得到负载校准件电感，R_s表示表征负载校准件串扰的电阻，C_s表示表征负载校准件串扰的电容，Y₁表示R_l和L_load的串联导纳，Y₂表示C_s的串联导纳。

8.如权利要求5或6所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：

当所述校准件为开路校准件时，在片校准模型为开路校准件模型时，开路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_open表示开路校准件的导纳，C_open表示在预设频率下测量得到开路校准件电容，R_s'表示表征开路校准件串扰的电阻，C_s'表示表征开路校准件串扰的电容，Y₁'表示C_open的导纳，Y₂'表示C_s'的串联导纳。

9.如权利要求5或6所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据不同校准件对应的在片校准件模型，确定不同在片校准件模型对应的导纳公式，包括：

当所述校准件为短路校准件时，在片校准模型为短路校准件模型时，短路校准件模型对应的导纳公式为：

其中，Y_short表示短路校准件的导纳，L_short表示在预设频率下测量得到短路校准件电感，R_s”表示表征短路校准件串扰的电阻，C_s”表示表征短路校准件串扰的电容，Y₁”表示L_short的导纳，Y₂”表示C_s”的串联导纳。

10.如权利要求5所述的在片校准件模型中参数确定的方法，其特征在于，所述根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式，计算不同在片校准件模型中表征不同校准件串扰的参数，包括：

将所述不同校准件的导纳代入对应的导纳公式中进行计算，得到表征不同在片校准件串扰的电容和表征不同在片校准件串扰的电阻的导纳对应的阻抗；

确定所述阻抗的实部为表征不同在片校准件串扰的电阻；确定所述阻抗的虚部为表征不同在片校准件串扰的电容。

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