CN112086584A - 一种复合光学膜及其制备方法 - Google Patents

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CN112086584A CN202010960927.5A CN202010960927A CN112086584A CN 112086584 A CN112086584 A CN 112086584A CN 202010960927 A CN202010960927 A CN 202010960927A CN 112086584 A CN112086584 A CN 112086584A
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Abstract

本申请实施例提供一种复合光学膜的制备方法。该方法包括:S1.提供一衬底;S2.配置光提取层前驱体溶液,所述光提取层前驱体溶液中包括双亲性嵌段共聚物、金属离子和第一溶剂,所述第一溶剂为非极性溶剂;S3.在衬底上形成光提取层前驱体溶液薄膜层;S4.在衬底上形成光提取层前驱体溶液薄膜层。本申请实施例的方法,通过利用双亲性嵌段共聚物、第一溶剂和第二溶剂彼此之间的互溶关系,创造性地将第二溶剂的液滴作为模板,在薄膜固化的过程中双亲性嵌段共聚物自组装形成大面积长程有序多孔网状图案化结构,并且在固化过程中还伴随着荧光量子点的原位生成,一步法制备了具有荧光量子点的多孔光提取层。

Description

一种复合光学膜及其制备方法
技术领域
本申请涉及一种复合光学膜的制备方法,还涉及一种用于光学器件的复合光学膜。
背景技术
近年来,有机发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置成为国内外非常热门的新型平板显示装置产品,这是因为OLED显示装置具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、薄厚度、可制作大尺寸与可弯曲以及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。
有机发光显示装置按照彩色化方式分类可以分为RGB-OLED、W-OLED+彩色滤光片(Color Filter)、B-OLED+色转换层三种方式。其中,RGB-OLED方式运用红、绿、蓝三种发光材料分别制作有机发光层来形成RGB像素,该方式具有发光效率佳的特性,不需要加彩色滤光片或色彩变化层的薄膜。但是RGB-OLED三色法制程采用屏蔽(shadow mask)蒸镀法,高精细像素对制程精度要求高,制造成本大幅增加;并且大部分的有机发光材料都是宽谱发射,因而复合出来的颜色纯度不高。W-OLED则是以白光发光材料制作有机发光层,中间加了一层彩色滤光片,由于滤光过程会将对应颜色子像素以外的其他光线滤除,因此发光效率远不如RGB-OLED方式。B-OLED+色转换层方式以蓝光发光材料制作有机发光层,发光时中间隔上一层色转换层的薄膜,色转换层的薄膜吸收蓝光发光材料发出的蓝光后分别发出红、绿光,由于下转换存在能量损耗,因此器件发光效率也不如RGB-OLED方式。
前面的叙述在于提供一般的背景信息,并不一定构成现有技术。
发明内容
本申请实施例提供一种复合光学膜的制备方法,用以提供一种具备色转换性能的复合光学膜。
一方面,本发明的提供一种复合光学膜的制备方法,所述方法包括:
步骤S1. 提供一衬底;
步骤S2. 配置光提取层前驱体溶液,所述光提取层前驱体溶液中包括双亲性嵌段共聚物、金属离子和第一溶剂,所述第一溶剂为非极性溶剂;
步骤S3. 在衬底上形成光提取层前驱体溶液薄膜层;
步骤S4. 在密闭空间内形成第二溶剂气雾,所述第二溶剂气雾包括第二溶剂和非金属离子,所述第二溶剂为极性溶剂;将所述衬底转移至所述密闭空间内,加热所述密闭空间使所述第一溶剂和第二溶剂挥发,自组装固化形成光提取层,所述光提取层具有呈阵列排布的长程有序多孔网状图案化结构;所述自组装固化形成光提取层的过程,所述第二溶剂内的非金属离子与所述光提取层前驱体溶液内的金属离子原位反应形成量子点。
优选的,所述步骤S1中,所述衬底直接作为复合光学膜的光耦合层,或者所述衬底的靠近所述光提取层的一侧设置有光耦合层。
优选的,所述光耦合层的可见光透过率为30%-100%,折射率为1.5-2.0。
优选的,所述步骤S2中,所述金属离子为II族元素或IV族元素所形成的离子,其中,所述II族元素是IIb族元素中的Zn、Cd或Hg,所述IV族元素是IVa族元素中的Pb或Sn。
优选的,所述步骤S2中,所述双亲性嵌段共聚物具有与所述金属离子配位的基团。
优选的,所述步骤S4中,所述非金属离子包括由VI族元素构成的离子,所述VI族元素是VIa族元素中的S、Se或Te。
优选的,所述步骤S4中,所述第二溶剂气雾内的粒径均匀的小液滴吸附于所述光提取层前驱体溶液薄膜层的薄膜表面;所述自组装固化形成光提取层的过程,所述双亲性嵌段共聚物以液滴作为模板而形成所述呈阵列排布的长程有序多孔网状图案化结构。
优选的,所述步骤S4中,所述加热所述密闭空间的加热温度低于所述第一溶剂和所述第二溶剂的沸点。
优选的,所述步骤S4中,所述光提取层的可见光透过率为20%-80%,折射率为1.3-1.8。
另一方面,本申请还提供一种复合光学膜,所述复合光学膜由根据前述的复合光学膜的制备方法制备。
有益效果:本申请实施例提供的复合光学膜的制备方法,通过利用双亲性嵌段共聚物、第一溶剂和第二溶剂彼此之间的互溶关系,创造性地将第二溶剂的液滴作为模板,在薄膜固化的过程中双亲性嵌段共聚物自组装形成大面积长程有序多孔网状图案化结构,并且在固化过程中还伴随着荧光量子点的原位生成,一步法制备了具有荧光量子点的多孔光提取层。同时通过在光提取层和光学器件之间设置一光耦合层,光耦合层的光透射率和折射率介于光学器件中的光学功能膜和光提取层的光透射率和折射率之间,能够显著减少光学器件中的光学功能膜和光提取层界面之间的光线全反射,进一步增强了复合光学膜的出光效率。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1为本申请第一实施例涉及的一种复合光学膜的制备方法的流程图;
图2为本申请第二实施例涉及的有机发光显示面板的截面示意图。
通过上述附图,已示出本申请明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素,此外,本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义,也可能具有不同含义,其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
应当理解,尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本文范围的情况下,第一信息也可以被称为第二信息,类似地,第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境,如在此所使用的词语"如果"可以被解释成为"在……时"或"当……时"或"响应于确定"。再者,如同在本文中所使用的,单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解,术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组,但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的,或意味着任一个或任何组合。因此,“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个:A;B;C;A和B;A和C;B和C;A、B和C”。
应该理解的是,虽然本申请实施例中的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,其可以以其他的顺序执行。而且,图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,其执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
需要说明的是,在本文中,采用了诸如S1、S2等步骤代号,其目的是为了更清楚简要地表述相应内容,不构成顺序上的实质性限制,本领域技术人员在具体实施时,可能会先执行S2后执行S1等,但这些均应在本申请的保护范围之内。
下面以具体地实施例对本申请实施例的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合,对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图,对本申请实施例的实施例进行描述。
本申请实施例一提供一种光学膜的制备方法,所述光学膜为复合光学膜,包括光耦合层和光提取层,所述光提取层为多孔网状光提取层,所述多孔网状光提取层内包含量子点用作光转换材料,所述量子点分布于所述多孔网状光提取层的网络结构边缘,所述孔为贯穿孔或弧形凹陷。如图1所示,该制备方法包括:
S1. 提供一衬底;
示例性地,所述衬底可用作复合光学膜的光耦合层。然而,该衬底也可仅用作复合光学膜的成膜基板,在该成膜基板的靠近所述光提取层的一侧额外设置一光耦合层。
所述光耦合层的可见光透过率为30%-100%,折射率为1.5-2.0,光耦合层厚度为100纳米~10微米。
光耦合层为透明层体,其制备材料可为聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇脂、环氧树脂、聚碳酸酯、尼龙、丙烯睛一苯乙烯共聚物、透明聚丙烯、透明ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)、丁二烯-苯乙烯共聚物聚氯、乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜树脂或者聚乙烯亚胺中的至少一种。
其中,光耦合层的制备工艺为本领域公知常识,在此不再赘述,可将预先溶解好的透明聚合物通过溶液加工方式在牺牲层上成膜,再通过加热或者紫外光照将薄膜固化形成薄膜,然后再剥离牺牲层后得到光耦合层。此外,也可不剥离该牺牲层,此时该牺牲层直接作为该步骤S1中的衬底。
S2. 配置光提取层前驱体溶液;
示例性地,所述光提取层前驱体溶液中包括双亲性嵌段共聚物、金属离子和第一溶剂。
优选的,所述双亲性嵌段共聚物可溶于所述第一溶剂。具体来说,所述两亲性嵌段共聚物为含有聚丙烯酸、聚氧化乙烯、聚乙烯基吡啶、聚乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基咪唑嵌段的嵌段共聚物,所述两亲性嵌段共聚物优选为聚苯乙烯-b-聚丙烯酸、聚苯乙烯-b-聚氧化乙烯和聚乙烯基吡啶-b-聚氧化乙烯中的一种或多种。
优选的,所述金属离子用作生成量子点的第一前驱体,具体来说,所述金属离子可为II族元素或IV族元素所形成的离子,其中,II族元素是IIb族元素Zn、Cd、Hg,IV族元素是IVa族元素Pb、Sn。
优选的,所述第一溶剂可为非极性溶剂,同时所述第一溶剂具备易挥发性。具体来说,所述第一溶剂为甲苯、苯、氯仿、二氯甲烷中的一种或多种。此外,优选的,所述第一溶剂不与前述光耦合层的材料互溶。
作为一优选的实施例,所述双亲性嵌段共聚物具有与所述金属离子配位的基团,如喹啉、吖啶、菲啶、噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、苯并咪唑、苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉等。在金属离子形成量子点时,由于双亲性嵌段共聚物与金属离子配位,能够更好地稳定量子点,有利于提高量子点的寿命。然而,申请人发现,当双亲性嵌段共聚物不具有配位基团时,在后期的反应时仍然能够形成量子点。因此,上述配位条件并不是必须的。
优选的,所述前驱体溶液中,所述双亲性嵌段共聚物的浓度为10~40质量%,所述金属离子的浓度为0.5~10质量%。
S3. 在衬底上形成光提取层前驱体溶液薄膜层;
示例性地,光提取层前驱体溶液薄膜层的形成可以采用现有技术中任意的溶液成膜方法。具体来说,所述溶液成膜方法包括旋涂、滴注、喷墨打印、流延成膜、及喷嘴打印中的一种或多种。
S4. 自组装固化形成光提取层;
示例性地,自组装固化过程在一密闭空间内进行,将前述衬底转移至该密闭空间内后,在该密闭空间内形成第二溶剂气雾,所述第二溶剂气雾包括第二溶剂和非金属离子。
优选的,所述第二溶剂可为极性溶剂,同时第二溶剂适于通过喷雾等方式在密闭空间内形成气雾,气雾中包含粒径均匀的液滴,液滴粒径为100纳米~5微米。具体来说,所述第二溶剂可为水、丙酮、乙醇、氯仿、乙醚、乙酸、丙酮、乙腈、异丙醇、甲醇中的一种或多种。所述第二溶剂不与所述第一溶剂互溶,但所述双亲性前段共聚物可溶于所述第二溶剂。
优选的,所述非金属离子用作生成量子点的第二前驱体,并且所述非金属离子溶于所述第二溶剂,也即在密闭空间内形成的第二溶剂气雾中同时具有所述非金属离子。具体来说,所述非金属离子包括由VI族元素构成的离子,所述VI族元素是VIa族S、Se、Te。
优选的,所述自组装过程为:当将衬底转移到所述密闭空间内后,在密闭空间内形成包含有所述非金属离子的第二溶剂气雾,气雾内的粒径均匀的小液滴吸附于所述光提取层前驱体溶液薄膜层的薄膜表面,形成一层均匀的液滴层,同时由于第一溶剂和第二溶剂不互溶,液滴层仍由多个独立存在的液滴形状分布于薄膜表面,而并不会形成连续的第二溶剂薄膜。也就是说,最终第二溶剂液滴以阵列形式形成大面积的长程有序的图案化排列结构。同时第一溶剂中的双亲性嵌段共聚物中的极性嵌段进入液滴内部,而非极性嵌段包裹在液滴周围,提供了有效稳定作用,防止液滴之间发生汇集而破坏阵列模板的规整性。
加热密闭空间,加热温度优选为20℃~80℃,并且所述加热温度优选低于第一溶剂和第二溶剂的沸点,使得第一溶剂和第二溶剂能以缓慢的速度挥发,并且申请人发现当加热温度过高会导致溶剂急速挥发,因此不能实现自组装效果或者自组装得到的薄膜多孔形貌不均一。随着溶剂的挥发,前驱体溶液的粘度逐渐上升,所述双亲性嵌段共聚物以液滴作为模板而初步固定形成多孔结构表面;最终待第一溶剂和第二溶剂依次挥发之后,液滴的形貌就留在了固化所成薄膜的表面,形成呈阵列排布的长程有序多孔网状图案化结构。
同时,伴随着自组装过程,第二溶剂内的非金属离子与前驱体溶液内的金属离子反应形成量子点,并且量子点只形成于多孔网状结构的边缘处。并且,当第一溶剂内的双亲性嵌段共聚物具有与金属离子配位的基团时,对反应生成的量子点具有稳定作用,从而能够生成量子效率更高的荧光量子点。具体来说,所述量子点可以为CdS、ZnS、PbS、CdSe、ZnSe、PbSe、CdTe、ZnTe、PbTe、CdTeS、ZnTeS中的一种或多种。
优选的,所述光提取层的可见光透过率为20%-80%,折射率为1.3-1.8,并且光提取层的折射率小于光耦合层的折射率,光提取层的厚度为100纳米~10微米,光提取层的孔径优选为200纳米~5微米。
由此可见,作为本申请第一实施例涉及的光学膜的制备方法,通过利用双亲性嵌段共聚物、第一溶剂和第二溶剂彼此之间的互溶关系,创造性地将第二溶剂的液滴作为模板,在薄膜固化的过程中双亲性嵌段共聚物自组装形成大面积长程有序多孔网状图案化结构,网状图案化结构有利于将光线耦合出光。并且在固化过程中还伴随着荧光量子点的原位生成,一步法制备了具有荧光量子点的多孔光提取层,量子点具备光致发光性能,可将入射光线转换为颜色不同的光线。
因此,上述光提取层与光耦合层构成本发明中的复合光学膜,其适于用作光学器件的色转换层,光学器件发出的色光转被复合光学膜中的量子点吸收并发出量子点对应的色光;同时由于光提取层具有多孔结构,其能够显著提高复合光学膜的出光效率;进一步地,光提取层由于具备大量的多孔网状结构,因而其本身的光透过率和折射率都低于光学器件中的光学功能膜的光透射率和折射率,因此本发明还创造性地在光提取层和光学器件之间设置一光耦合层,光耦合层的光透射率和折射率介于光学器件中的光学功能膜和光提取层的光透射率和折射率之间,能够显著减少光学器件中的光学功能膜和光提取层界面之间的光线全反射,进一步增强了光学器件的出光效率。
优选的,本申请的复合光学膜还具有一离型层,其设置于所述光耦合层的远离所述光提取层的一侧,其能够对复合光学膜起到保护作用。在使用复合光学膜时,将离型层剥离后直接贴敷于光学器件的出光侧即可。因此,本申请中的复合光学膜的制备工艺与光学器件的制备工艺彼此独立,避免了复合光学膜的制备工艺中的溶剂对光学器件的影响,同时剥离离型层后可直接贴敷,使用方便,有利于降低制备工艺成本。
特别的,本申请涉及的复合光学膜及其制备方法还适用于光学器件,示例性地,其适用于有机发光显示面板,特别地,该复合光学膜可用作有机发光显示面板的色转换层。以下将通过图2涉及的本发明的第二实施例对该内容予以说明。
图2为本发明第二实施例提供的一种有机发光显示面板的截面示意图,其中,该有机发光显示面板包括复合光学膜100和蓝色背光源200,其中蓝色背光源200可以由发蓝光的有机发光层形成。进一步地,复合光学膜100可由本发明第一实施例涉及的制备方法所制备,并且所述复合光学膜100的光耦合层设置于所述光提取层和所述蓝色背光源200之间。
复合光学膜100包括对应红色子像素R的红色量子点光学膜、对应绿色子像素G的绿色量子点光学膜和对应蓝色子像素B的蓝色光学膜。其中,红色量子点光学膜、绿色量子点光学膜和蓝色光学膜可分别由前述实施例涉及的光学膜制备方法制备得到,该三色光学膜都具有相同的多孔结构,区别仅在于光学膜内包含的量子点不同,红色量子点光学膜中包含可发出红光的量子点,绿色量子点光学膜中包含可发出绿光的量子点,蓝色光学膜中可不包含量子点、或包含可发出蓝光的量子点。具体来说,在步骤S4中,通过与像素图案对应的掩模来对所述衬底进行图案化遮蔽,在自组装固化过程中,通过控制固化时间来使得量子点原位生长时间各不相同,从而使与不同像素对应的复合光学膜处的量子点的粒径各不相同,进而发出不同颜色的色光。示例性地,对应红色子像素R的红色量子点光学膜的自组装固化时间为20分钟~120分钟,对应绿色子像素G的绿色量子点光学膜的自组装固化时间为10分钟~100分钟,对应蓝色子像素B的蓝色光学膜的自组装固化时间为5分钟~90分钟,此外,通过控制蓝色光学膜的自组装固化过程中第二溶剂中含有或不含有非金属离子,即可控制蓝色光学膜中包含量子点、或不包含可发出蓝光的量子点。
示例性的,如图2所示,蓝色发光层两侧设有阳极201和阴极202,在该有机发光显示面板用于显示时,阳极201和阴极202接收电压信号,在阳极201和阴极202之间的压差的作用下,有机发光层发出蓝光,蓝光射向复合光学膜100后,经红色子像素R所包括的红色量子点光学膜出射,红色量子点光学膜将蓝光转换为红光,使红色子像素R发出红光。经绿色子像素G所包括的绿色量子点光学膜出射,绿色量子点光学膜将蓝光转换为绿光,使绿色子像素G发出绿光。对于蓝色子像素B对应的蓝色光学膜,作为一种实施例,其可为不包含量子点的多孔结构的光学膜,蓝色背光源发出的蓝光在蓝色子像素的位置以蓝色光出射即可,使蓝色子像素B发出蓝光;作为另一实施例,蓝色子像素B对应的光学膜处可设置包含蓝色量子点的蓝色量子点光学膜,蓝光经蓝色子像素B所包括的蓝色量子点光学膜出射,蓝色量子点光学膜将蓝光转换为发射波长不同的另一种蓝光,使蓝色子像素B发出蓝光以实现该有机发光显示面板的彩色显示。
示例性地,为提高子像素分辨率,该实施例中的红色量子点光学膜、绿色量子点光学膜以及蓝色光学膜彼此之间可采用黑矩阵彼此隔离。此外,该实施例中的红色量子点光学膜、绿色量子点光学膜以及蓝色光学膜的远离蓝色背光源200的一侧还设置有玻璃基板。由于量子点具有量子尺寸效应,因此红色量子点光学膜、绿色量子点光学膜以及蓝色光学膜中的量子点可为同一种材料,区别仅在于各颜色的量子点的粒径不同,具体来说,红色量子点具有8纳米~20纳米的粒径,绿色量子点具有5纳米~15纳米的粒径,蓝色量子点具有2纳米~10纳米的粒径,并且红色量子点的粒径大于绿色量子点的粒径,绿色量子点的粒径大于蓝色量子点的粒径。在制备过程光学膜的过程中,通过控制自组装固化工艺的时长即可控制量子点的生长粒径,具体来说,红色量子点光学膜的自组装固化工艺时长为0.5小时~2小时,绿色量子点光学膜的自组装固化工艺时长为0.2~1.5小时,蓝色量子点光学膜的自组装固化工艺时长为5分钟~40分钟,并且红色量子点光学膜的自组装固化工艺时长大于绿色量子点光学膜的自组装固化工艺时长,绿色量子点光学膜的自组装固化工艺时长大于蓝色量子点光学膜的自组装固化工艺时长。
示例性地,为提高有机发光显示面板的色纯度,该实施例中的红色量子点光学膜、绿色量子点光学膜以及蓝色光学膜优选具有5纳米~50纳米的半峰宽度(full width athalf maxima,简称FWHM),由此复合出的色光的色纯度显著高于由有机发光材料复合出的色光的色纯度,更有利于提高显示面板的显示质量。
示例性的,如图2所示,该有机发光显示面板还包括像素电路400,像素电路400包括薄膜晶体管T和存储电容Cst。阳极201通过过孔连接于对应的薄膜晶体管T的漏极。需要说明的是,图2中仅示意了像素电路中的存储电容Cst和与阳极201直接连接的一个薄膜晶体管T,像素电路中的其他薄膜晶体管的层结构可以与该薄膜晶体管的结构相同。
示例性的,如图2所示,该有机发光显示面板还包括位于复合光学膜100和蓝色背光源200之间的支撑柱500。
示例性的,阳极201和阴极202之间具有有机层,有机层除包括前述发出蓝光的有机发光层外,其特定配置不受限制,并且可以是各种已知配置。例如,有机层可以具有:空穴传输层、有机发光层和电子传输层的分层结构;空穴传输层和也用作电子传输层的发光层的分层结构;空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的分层结构等。此外,在这些分层结构等是“串联单元”的情况下,有机层可以具有两级串联结构,其中第一串联单元、连接层和第二串联单元被层叠。或者,有机层可以具有三个或更多级的串联结构,其中三个或更多级串联单元被层叠。
例如,有机层通过有机材料的真空蒸发形成。然而,本实施例不限于这样的示例,并且有机层可以通过各种已知方法形成。可用作形成有机层的方法的方法示例包括:诸如真空蒸发方法的物理气相沉积方法(PVD方法);诸如丝网印刷方法的印刷方法和喷墨印刷方法;激光转移方法,其通过将激光发射到激光吸收层和有机层的层状结构来分离形成在转移基板上的激光吸收层上的有机层,而转移有机层;多种涂覆方法等。
由于有机发光显示面板是顶部发射型,所以阳极201包括能够反射来自有机层的光的材料。例如,阳极201包括铝和钕的合金(Al-Nd合金)。此外,阳极201的膜厚例如约为0.1微米~1微米。然而,本实施例不限于这样的示例,并且阳极201可以包括用作通用有机EL显示装置中用作阳极的光反射侧电极的材料的各种已知材料。此外,阳极201的膜厚度不限于上述示例,并且阳极201可以在有机EL显示装置中通常采用的膜厚度的范围内适当地形成。
例如,阳极201可以包括具有高功函数的金属,诸如铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钴(Co)或钽(Ta),或者合金(例如,包含银作为主要成分、0.3质量%至1质量%的钯(Pd)和0.3质量%至1质量%的铜的Ag-Pd-Cu合金、或者Al-Nd合金)。或者,作为阳极201,可以使用具有低功函数值和高光反射率的导电材料,诸如铝或含铝的合金。在这种情况下,优选通过在阳极201上设置适当的空穴注入层等来改善空穴注入性能。或者,阳极201可以具有这样的结构,其中具有优异空穴注入特性的透明导电材料(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))被层压在介电多层膜上,或者具有高光反射率的反射膜(诸如铝)上。
阴极202包括能够透射来自有机层的光的材料。例如,阴极202包括镁和银的合金(Mg-Ag合金)。此外,阴极202的膜厚度例如为约10纳米。然而,本实施例不限于这样的示例,并且阴极202可以包括用作通用有机EL显示装置中用作阴极的透光侧电极的材料的各种已知材料。此外,阴极202的厚度不限于上述示例,并且阴极202可以在有机EL显示装置中通常采用的膜厚度的范围内适当地形成。
例如,阴极202可以包括铝、银、镁、钙(Ca)、钠(Na)、锶(Sr)、碱金属和银的合金、碱土金属和银的合金(例如,镁和银的合金(Mg-Ag合金))、镁和钙的合金(Mg-Ca合金)、铝和锂的合金(Al-Li合金)等。在这些材料用作单层的情况下,阴极202的膜厚度例如约为4纳米至50纳米。可选地,阴极202可以具有这样的结构,其中上述材料层和透明电极(例如,从大约30纳米到1微米的厚度)包括例如ITO或IZO从有机层111侧分层。在这种分层结构的情况下,上述材料层的厚度也可以减小到例如约1纳米至4纳米。或者,阴极202可以仅包括透明电极。或者,对于阴极202,可以提供包括低电阻材料(诸如铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、金、金合金等)的总线电极(辅助电极),以实现阴极202整体的低电阻。
示例性的,阳极201优选为反射型电极,阴极202优选为半反射半透射型电极,并由此在阳极201和阴极202之间构成微腔结构,有利于有机层的光提取效率。
例如,阳极201和阴极202通过真空蒸发法沉积具有预定厚度的材料,以及然后通过蚀刻法图案化膜来形成。然而,本实施例不限于这样的示例,并且阳极201和阴极202可以通过各种已知方法形成。形成阳极201和阴极202的方法的示例包括:蒸发方法,包括电子束蒸发方法、热灯丝蒸发方法和真空蒸发方法;溅射法;化学气相沉积法(CVD法);金属有机化学气相沉积法(MOCVD法);离子镀方法和蚀刻方法的组合;各种印刷方法(例如,丝网印刷方法、喷墨印刷方法、金属掩模印刷方法等);电镀方法(电镀方法、化学镀方法等);剥离法;激光消融法;溶胶-凝胶法等。
由此可见,作为本申请的第二实施例,其将本申请中的复合光学膜用作有机发光显示面板的色转换层,解决了现有技术中三种彩色化方式存在的制造成本高、发光效率低、色纯度不高的缺点,具有原位生成的量子点的长程有序
本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板,显示面板包括上述的光学膜和蓝色背光源。作为具体的实施例,该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本申请的其它实施方案。本申请的实施例旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本申请的真正范围和精神由下面的权利要求书指出。
应当理解的是,本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求书来限制。

Claims (10)

1.一种复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S1. 提供一衬底;
步骤S2. 配置光提取层前驱体溶液,所述光提取层前驱体溶液中包括双亲性嵌段共聚物、金属离子和第一溶剂,所述第一溶剂为非极性溶剂;
步骤S3. 在衬底上形成光提取层前驱体溶液薄膜层;
步骤S4. 在密闭空间内形成第二溶剂气雾,所述第二溶剂气雾包括第二溶剂和非金属离子,所述第二溶剂为极性溶剂;将所述衬底转移至所述密闭空间内,加热所述密闭空间使所述第一溶剂和第二溶剂挥发,自组装固化形成光提取层,所述光提取层具有呈阵列排布的长程有序多孔网状图案化结构;所述自组装固化形成光提取层的过程,所述第二溶剂内的非金属离子与所述光提取层前驱体溶液内的金属离子原位反应形成量子点。
2.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述衬底直接作为复合光学膜的光耦合层,或者所述衬底的靠近所述光提取层的一侧设置有光耦合层。
3.根据权利要求2所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述光耦合层的可见光透过率为30%-100%,折射率为1.5-2.0。
4.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述金属离子为II族元素或IV族元素所形成的离子,其中,所述II族元素是IIb族元素中的Zn、Cd或Hg,所述IV族元素是IVa族元素中的Pb或Sn。
5.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,所述双亲性嵌段共聚物具有与所述金属离子配位的基团。
6.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述非金属离子包括由VI族元素构成的离子,所述VI族元素是VIa族元素中的S、Se或Te。
7.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述第二溶剂气雾内的粒径均匀的小液滴吸附于所述光提取层前驱体溶液薄膜层的薄膜表面;所述自组装固化形成光提取层的过程,所述双亲性嵌段共聚物以液滴作为模板而形成所述呈阵列排布的长程有序多孔网状图案化结构。
8.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述加热所述密闭空间的加热温度低于所述第一溶剂和所述第二溶剂的沸点。
9.根据权利要求1所述的复合光学膜的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,所述光提取层的可见光透过率为20%-80%,折射率为1.3-1.8。
10.一种复合光学膜,其特征在于,所述复合光学膜由根据权利要求1-9中的任意一项所述的复合光学膜的制备方法制备。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106298450A (zh) * 2016-08-10 2017-01-04 华东师范大学 一种纳米级图形化蓝宝石衬底及其制备方法和应用
CN106794659A (zh) * 2014-08-27 2017-05-31 3M创新有限公司 工程周期性结构内纳米颗粒和纳米线的热辅助自组装方法
CN111029443A (zh) * 2019-12-06 2020-04-17 松山湖材料实验室 利用金属纳米颗粒增强氮化物基led发光效率的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106794659A (zh) * 2014-08-27 2017-05-31 3M创新有限公司 工程周期性结构内纳米颗粒和纳米线的热辅助自组装方法
CN106298450A (zh) * 2016-08-10 2017-01-04 华东师范大学 一种纳米级图形化蓝宝石衬底及其制备方法和应用
CN111029443A (zh) * 2019-12-06 2020-04-17 松山湖材料实验室 利用金属纳米颗粒增强氮化物基led发光效率的方法

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