CN112086483A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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孙尙佑
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Abstract

本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基底；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，布置在所述基底上方；显示元件，连接到所述第一薄膜晶体管；布线，连接到所述第二薄膜晶体管并且包括第一布线层和第二布线层；图案绝缘层，布置在所述第一布线层和所述第二布线层之间；平坦化层，覆盖所述布线；以及连接电极，布置在所述平坦化层上，并分别通过第一接触孔和第二接触孔连接到所述第一布线层和所述第二布线层。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
本申请要求于2019年6月14日提交的第10-2019-0071070号韩国专利申请的优先权和从其获得的所有权益，上述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置是在视觉上显示数据的图像的设备。显示装置通常包括被划分为显示区域和非显示区域的基底。在这样的显示装置中，栅极线和数据线可以布置在显示区域中且彼此绝缘。栅极线和数据线可以彼此交叉以在显示区域中限定多个像素。另外，可以向显示区域中的每个像素区域设置薄膜晶体管和像素电极，并且像素电极可以电连接到薄膜晶体管。另外，相对电极可以设置在显示区域中，并且相对电极可以共用地设置在像素区域中。用于将电信号传送到显示区域的各种布线、栅极驱动器、数据驱动器、控制器等可以设置在非显示区域中。
发明内容
一个或多个实施例包括显示具有改善的品质的图像的显示装置。然而，应当理解，本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是为了限制本公开。
根据实施例，一种显示装置包括：基底；第一薄膜晶体管，设置在所述基底上方；第二薄膜晶体管，设置在所述基底上方；显示元件，连接到所述第一薄膜晶体管；布线，连接到所述第二薄膜晶体管，其中，所述布线包括第一布线层和第二布线层；图案绝缘层，设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间；平坦化层，覆盖所述布线；以及连接电极，设置在所述平坦化层上，并分别通过第一接触孔和第二接触孔连接到所述第一布线层和所述第二布线层。
在实施例中，所述第二布线层的底表面可以具有与所述图案绝缘层的顶表面的面积相同的面积。
在实施例中，所述第二布线层的侧表面可以连接到所述图案绝缘层的侧表面。
在实施例中，所述显示元件可以包括像素电极、发射层和相对电极，并且所述连接电极可以包括与所述像素电极的材料相同的材料，并与所述像素电极设置在同一层中。
在实施例中，所述第一布线层的面积可以不同于所述第二布线层的面积。
在实施例中，所述平坦化层可以接触所述图案绝缘层的侧表面。
在实施例中，所述显示装置还可以包括：电容器，包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极可以包括与所述第一薄膜晶体管的栅电极的材料相同的材料，并且所述第二电极可以与所述第一电极重叠，所述第二电极包括与所述第一布线层的材料相同的材料，并可以与所述第一布线层设置在同一层中。
在实施例中，所述显示装置还可以包括：偏置电极，设置在所述第一薄膜晶体管下方。
在实施例中，所述偏置电极可以连接到所述第一薄膜晶体管的源电极或漏电极。
在实施例中，所述布线可以包括向所述第二薄膜晶体管提供数据信号的数据线。
在实施例中，所述显示装置还可以包括：薄膜封装层，覆盖所述显示元件，其中，所述薄膜封装层可以包括彼此堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
在实施例中，所述显示装置还可以包括：密封基底，设置为与所述基底相对。
根据实施例，一种制造显示装置的方法包括：在基底上方提供薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的第一布线层；在所述基底的整个顶表面上顺序地提供绝缘层和导电层以覆盖所述第一布线层；在所述导电层上提供光致抗蚀剂图案；通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述导电层和所述绝缘层来形成第二布线层和图案绝缘层；以及提供将所述第一布线层和所述第二布线层连接的连接电极。
在实施例中，所述第二布线层的底表面可以具有与所述图案绝缘层的顶表面的面积相同的面积。
在实施例中，所述第二布线层的侧表面可以连接到所述图案绝缘层的侧表面。
在实施例中，所述显示装置的显示元件可以包括像素电极、发射层和相对电极，并且所述连接电极可以包括与所述像素电极的材料相同的材料，并与所述像素电极设置在同一层中。
在实施例中，所述第一布线层的面积可以不同于所述第二布线层的面积。
在实施例中，所述方法还可以包括：在提供所述连接电极之前，提供覆盖所述第一布线层、所述第二布线层和所述图案绝缘层的平坦化层。
在实施例中，所述方法还可以包括：提供电容器，其中，所述电容器可以包括第一电极和第二电极，所述第一电极可以包括与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同的材料，并且所述第二电极可以与所述第一电极重叠，所述第二电极可以包括与所述第一布线层的材料相同的材料，并可以与所述第一布线层设置在同一层中。
在实施例中，所述方法还可以包括：提供设置在所述薄膜晶体管下方的偏置电极。
附图说明
通过以下结合附图的描述，本公开的实施例的以上和其他特征将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2A至图2C是根据实施例的显示装置的像素中的一个像素的等效电路图；
图3是根据实施例的显示装置的截面图；
图4至图11是根据实施例的制造显示装置的方法的顺序截面图；
图12是根据可选实施例的显示装置的截面图；以及
图13是根据另一可选实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
现在，在下文中将参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了各种实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，而不应被解释为局限于在本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指示同样的元件。
将理解的是，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图是限制性的。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式，包括“至少一个(种)”。“或”是指“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和一个或多个所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”说明存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
为了便于描述，在本文中可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可涵盖上方和下方两种方位。装置可被另外定向(旋转90度或者在其它方位)，并且可以相应地解释本文中使用的空间相对术语。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，而将不以理想化的或过于形式化的含义来解释。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于说明，可能夸大了附图中的元件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当特定实施例可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接地连接”到所述另一层、区域或组件，中间层、区域或组件介于它们之间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接或电连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接或电连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接或电连接”到所述另一层、区域或组件，中间层、区域或组件介于它们之间。
这里，显示装置是显示图像的设备，并且可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。
为了便于描述，在下文中将详细描述显示装置是有机发光显示装置的实施例，但是根据本公开的显示装置的实施例不限于此，并且可以被不同地修改为其他类型的显示装置之一。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开的实施例。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置的实施例包括显示区域DA和外围区域PA，外围区域PA是围绕显示区域DA的非显示区域。包括显示元件的像素PX布置在显示区域DA中并提供预定的图像。
在实施例中，每个像素PX发射例如红光、绿光、蓝光或白光，并且可以包括例如有机发光二极管。在这样的实施例中，每个像素PX还可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器的器件。
这里，像素PX表示发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光之一的子像素。
外围区域PA是不提供图像并包括扫描驱动器、数据驱动器和电力线的区域。在这样的实施例中，扫描驱动器和数据驱动器提供将施加到显示区域DA中的像素PX的电信号，并且电力线提供诸如驱动电压和公共电压的电力。
图2A至图2C是根据实施例的显示装置的像素中的一个像素的等效电路图。
参照图2A，在实施例中，每个像素PX包括像素电路PC和有机发光二极管OLED，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL，并且有机发光二极管OLED连接到像素电路PC。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并响应于输入到扫描线SL的扫描信号Sn将输入到数据线DL的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并储存与从开关薄膜晶体管T2传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电源电压)之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并可以响应于储存在存储电容器Cst中的电压控制从驱动电压线PL流经有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有与驱动电流对应的预定亮度的光。
图2A示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和单个存储电容器的实施例，但是实施例不限于此。
参照图2B，在可选实施例中，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
图2B示出了每个像素PX包括信号线SLn、SLn-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL的实施例，但是实施例不限于此。在另一可选实施例中，信号线SLn、SLn-1、EL和DL以及初始化电压线VL中的至少一条可以由相邻的像素共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1基于开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并将驱动电流供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的栅电极连接到扫描线SLn，并且开关薄膜晶体管T2的源电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且还通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SLn传送的扫描信号Sn而导通，并执行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SLn。补偿薄膜晶体管T3的源电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且还通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极连接到存储电容器Cst的电极之一、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SLn传送的扫描信号Sn而导通，并通过将栅电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极以二极管方式连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线SLn-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的电极之一、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SLn-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，并执行将初始化电压VINT传送到驱动薄膜晶体管T1的栅电极的初始化操作，从而使驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL传送的发射控制信号En而同时导通，并且第一电源电压ELVDD被传送到有机发光二极管OLED，并且驱动电流流经有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到前一扫描线SLn-1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过前一扫描线SLn-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，并可以使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
图2B示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SLn-1的实施例，但是实施例不限于此。在另一可选实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SLn-1并响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)并响应于通过相关扫描线传送的信号而被驱动。
存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的电极之一可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)接收第二电源电压ELVSS(或公共电源电压)。有机发光二极管OLED从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流，从而发光。
像素电路PC不限于参照图2A和图2B描述的薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量以及电路设计。薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计可以被不同地修改。尽管在像素电路PC中未示出，但是可以进一步设置偏置电极，并且偏置电极可以布置在薄膜晶体管下方并连接到薄膜晶体管。
参照图2C，在另一可选实施例中，每个像素PX可以包括有机发光二极管OLED和像素电路PC，像素电路PC包括驱动有机发光二极管OLED的多个薄膜晶体管。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、感测薄膜晶体管T3和存储电容器Cst。
扫描线SL连接到开关薄膜晶体管T2的栅电极G2，数据线DL连接到开关薄膜晶体管T2的源电极S2，并且存储电容器Cst的第一电极CE1可以连接到开关薄膜晶体管T2的漏电极D2。
因此，开关薄膜晶体管T2响应于来自每个像素PX的扫描线SL的扫描信号Sn将数据线DL的数据电压供应到第一节点N。
驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1可以连接到第一节点N，驱动薄膜晶体管T1的源电极S1可以连接到用于传送驱动电源电压ELVDD的第一电力线PL1，并且漏电极D1可以连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。
在这样的实施例中，驱动薄膜晶体管T1可以基于驱动薄膜晶体管T1自身的栅源电压调节流经有机发光二极管OLED的电流的量，该栅源电压即施加在驱动电源电压ELVDD和第一节点N之间的电压。
感测控制线SSL连接到感测薄膜晶体管T3的栅电极G3，感测薄膜晶体管T3的源电极S3连接到第二节点S，并且感测薄膜晶体管T3的漏电极D3连接到参考电压线RL。在实施例中，感测薄膜晶体管T3可以由扫描线SL控制而不是由感测控制线SSL控制。
感测薄膜晶体管T3可以感测有机发光二极管OLED的阳极电极的电位。感测薄膜晶体管T3响应于来自感测控制线SSL的感测信号SSn在感测时段期间将来自参考电压线RL的预充电电压供应到第二节点S，或者将有机发光二极管OLED的阳极电极的电压供应到参考电压线RL。
存储电容器Cst的第一电极CE1连接到第一节点N，并且存储电容器Cst的第二电极CE2连接到第二节点S。存储电容器Cst被充入与分别供应到第一节点N和第二节点S的电压之间的电压差对应的电压，并且存储电容器Cst供应充入的电压作为驱动薄膜晶体管T1的驱动电压。在一个实施例中，例如，存储电容器Cst可以被充入与分别供应到第一节点N和第二节点S的数据电压和预充电电压之间的电压差对应的电压。
偏置电极BSM可以对应于驱动薄膜晶体管T1并连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3。因为偏置电极BSM与感测薄膜晶体管T3的源电极S3的电位协作来接收电压，所以可以使驱动薄膜晶体管T1稳定。在实施例中，偏置电极BSM未连接到感测薄膜晶体管T3的源电极S3，并且可以连接到单独的偏置布线。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)接收公共电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流，从而发光。
图2C示出了为每个像素PX提供信号线SL、SSL和DL、参考电压线RL、第一电力线PL1以及第二电力线PL2的实施例，但是实施例不限于此。在一个可选实施例中，例如，信号线SL、SSL和DL、参考电压线RL、第一电力线PL1以及第二电力线PL2中的至少一条可以由相邻的像素共享。
图3是根据实施例的显示装置的截面图。
参照图3，显示装置的实施例可以包括位于基底110上方的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、作为显示元件的有机发光二极管OLED、包括第一布线层DL1和第二布线层DL2的布线WL、第一图案绝缘层114a、平坦化层117以及连接电极CM。
第一薄膜晶体管T1可以连接到有机发光二极管OLED，并可以用作驱动薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2可以连接到诸如数据线的布线WL，并可以用作开关薄膜晶体管。
第一薄膜晶体管T1可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一漏电极D1和第一源电极S1。第二薄膜晶体管T2可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二漏电极和第二源电极S2。
在实施例中，如图3中所示，布线WL包括第一布线层DL1和第二布线层DL2，使得可以减小布线WL的电阻。因此，在这样的实施例中，可以以高速驱动显示装置。
第一图案绝缘层114a可以布置在布线WL的第一布线层DL1和第二布线层DL2之间。可以在形成第二布线层DL2的工艺期间同时形成第一图案绝缘层114a。因此，第二布线层DL2的底表面的面积可以与第一图案绝缘层114a的顶表面的面积基本上相同。在这样的实施例中，第二布线层DL2的侧表面可以连接到第一图案绝缘层114a的侧表面，即，第二布线层DL2的侧表面和第一图案绝缘层114a的侧表面可以共同限定同一侧表面。
在实施例中，在第一图案绝缘层114a布置在第一布线层DL1和第二布线层DL2之间的情况下，连接电极CM可以布置为将第一布线层DL1连接到第二布线层DL2。连接电极CM可以包括与下面描述的有机发光二极管OLED的像素电极210的材料相同的材料，并且可以直接布置在与其上布置有像素电极210的层相同的层上，或者连接电极CM可以与像素电极210设置在同一层中。
连接电极CM可以布置在与其上布置有第一布线层DL1和第二布线层DL2的层不同的层上，或者连接电极CM可以与第一布线层DL1和第二布线层DL2设置在不同的层中。因此，连接电极CM可以通过限定在平坦化层117中的第二接触孔CNT2连接到第一布线层DL1，并通过限定在平坦化层117中的第一接触孔CNT1连接到第二布线层DL2。第一布线层DL1和第二布线层DL2分别通过第二接触孔CNT2和第一接触孔CNT1连接到连接电极CM。在这样的实施例中，第一布线层DL1的面积可以不同于第二布线层DL2的面积，使得可以确保接触孔，即，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2。
在下文中，将参照图3详细地描述显示装置的实施例的堆叠结构。
在实施例中，基底110可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。在基底110包括柔性或可弯曲材料的实施例中，例如，基底110可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(“PES”)、多芳基化合物、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)或醋酸丙酸纤维素(“CAP”)。基底110可以具有单层或多层结构，每个层包括从以上材料中选择的至少一种。在实施例中，在基底110具有多层结构的情况下，基底110还可以包括无机层。在实施例中，基底110可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
缓冲层111设置在基底110的整个顶表面上方，并可以具有其中第一缓冲层111a和第二缓冲层111b彼此堆叠的结构。缓冲层111可以提高基底110的顶表面的平坦度，并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。在实施例中，缓冲层111可以用作阻挡层。缓冲层111可以有效地防止杂质从基底110等渗透到第一半导体层A1和第二半导体层A2中，或者可以使杂质从基底110等渗透到第一半导体层A1和第二半导体层A2中最小化。第一缓冲层111a可以包括与第二缓冲层111b的材料相同或不同的材料。在实施例中，第一缓冲层111a和第二缓冲层111b中的每一个可以具有单层或多层结构。
偏置电极BSM可以布置在第一缓冲层111a和第二缓冲层111b之间。偏置电极BSM可以布置为与第一薄膜晶体管T1的至少一部分重叠，并可以连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1。在这样的实施例中，偏置电极BSM接收第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1的电位的电压，从而可以使驱动薄膜晶体管T1稳定。在可选实施例中，偏置电极BSM可以不连接到第一薄膜晶体管T1的第一漏电极D1，并且可以连接到单独的偏置布线。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅或多晶硅。在可选实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括从In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中选择的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括沟道区、源极区和漏极区，并且源极区和漏极区可以掺杂有杂质。
第一栅电极G1和第二栅电极G2布置在第一半导体层A1和第二半导体层A2上方，栅极绝缘层112介于第一栅电极G1和第二栅电极G2与第一半导体层A1和第二半导体层A2之间。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括从Mo、Al、Cu和Ti中选择的至少一种，并可以具有单层或多层结构。在一个实施例中，例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括单个Mo层。
栅极绝缘层112可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
在实施例中，如图3中所示，栅极绝缘层112可以以与第一栅电极G1和第二栅电极G2的形状相同的形状被图案化。然而，实施例不限于此。可选地，栅极绝缘层112可以设置在基底110的整个顶表面上方。
在其中如图3中所示地图案化栅极绝缘层112的实施例中，存储电容器Cst的第一电极CE1可以布置在缓冲层111的顶表面上。第一电极CE1可以包括与第一栅电极G1和第二栅电极G2的材料相同的材料，并可以在与形成第一栅电极G1和第二栅电极G2的工艺相同的工艺中形成。第一电极CE1可以包括从Mo、Al、Cu和Ti中选择的至少一种，并可以具有单层或多层结构。
第一层间绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2以及第一电极CE1。第一层间绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
第一薄膜晶体管T1的第一源电极S1、第二薄膜晶体管T2的第二源电极S2、第一漏电极D1、第一布线层DL1以及存储电容器Cst的第二电极CE2可以布置在第一层间绝缘层113上。
在实施例中，存储电容器Cst的第二电极CE2可以与第一电极CE1重叠，并且第一层间绝缘层113设置在第二电极CE2与第一电极CE1之间。在这样的实施例中，第一层间绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。
第一源电极S1和第二源电极S2、第一漏电极D1、第一布线层DL1和存储电容器Cst的第二电极CE2可以包括包含从Mo、Al、Cu和Ti中选择的至少一种的导电材料，并可以具有单层或多层结构，每个层包括从以上材料中选择的至少一种。在实施例中，第一源电极S1和第二源电极S2、第一漏电极D1、第一布线层DL1和存储电容器Cst的第二电极CE2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1可以通过穿过第一层间绝缘层113限定的接触孔连接到第一半导体层A1和第二半导体层A2。布线WL的第一布线层DL1的一部分可以延伸以用作第二源电极S2。在这样的实施例中，第一布线层DL1和第二源电极S2可以限定为单个一体化主体或者整体地形成为单个一体化主体。
图案绝缘层114a、114b和114c可以布置在第一源电极S1和第二源电极S2、第一漏电极D1以及第一布线层DL1上。图案绝缘层114a、114b和114c可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
图案绝缘层114a、114b和114c可以包括第一图案绝缘层114a、第二图案绝缘层114b和第三图案绝缘层114c。第一图案绝缘层114a可以布置为对应于第一布线层DL1，并可以暴露第一布线层DL1的一部分。第二图案绝缘层114b可以布置为对应于第一漏电极D1，并可以暴露第一漏电极D1的一部分。第三图案绝缘层114c可以布置为对应于第一源电极S1，并可以暴露第一源电极S1的一部分。
第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'可以布置在图案绝缘层114a、114b和114c上。第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'可以包括包含从Mo、Al、Cu和Ti中选择的至少一种的导电材料，并可以具有单层或多层结构，每个层包括从以上材料中选择的至少一种。在一个实施例中，例如，第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
图案绝缘层114a、114b和114c可以在与形成布置在其上的第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'的工艺相同的工艺期间通过蚀刻来形成。
平坦化层117覆盖第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'。平坦化层117可以包括有机材料，诸如丙烯酸树脂、苯并环丁烯(“BCB”)、PI或六甲基二硅醚(“HMDSO”)。可选地，平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层117可以总体上使覆盖第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2以及布线WL的保护层平坦化。平坦化层117可以具有单层或多层结构。在实施例中，在使图案绝缘层114a、114b和114c图案化的情况下，平坦化层117可以接触图案绝缘层114a、114b和114c的侧表面。
连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'可以布置在平坦化层117上。连接电极CM可以分别通过限定在平坦化层117中的第二接触孔CNT2和第一接触孔CNT1连接到第一布线层DL1和第二布线层DL2。像素电极210可以是有机发光二极管OLED的一个电极，并可以用作将第一漏电极D1连接到第一附加漏电极D1'的漏极连接电极。像素电极210可以通过限定在平坦化层117中的接触孔连接到第一漏电极D1和第一附加漏电极D1'。在这样的实施例中，源极连接电极CM'可以通过限定在平坦化层117中的接触孔将第一源电极S1连接到第一附加源电极S1'。
连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'每个可以包括(半)透射电极或反射电极。在实施例中，连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'可以包括反射层和位于反射层上的透明或半透明电极层，并且反射层可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的组合中选择的至少一种。透明或半透明电极层可以包括从氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)中选择的至少一种。在实施例中，连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以布置在连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'上。像素限定层119通过穿过其限定的与每个子像素对应的开口来限定像素，即，通过暴露像素电极210的至少中心部分的开口来限定像素。在实施例中，像素限定层119可以通过增加像素电极210的边缘与位于像素电极210的边缘上方的相对电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘处发生电弧等。像素限定层119可以包括诸如PI或HMDSO的有机材料。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括低分子量材料或聚合物材料。在中间层220包括低分子量材料的实施例中，中间层220可以具有其中空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等以单一或复合构造堆叠的结构。中间层220可以包括从诸如铜酞菁(“CuPc”)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(“NPB”)和三-8-羟基喹啉铝(“Alq3”)的各种有机材料中选择的至少一种。这些层可以通过真空沉积形成。
在中间层220包括聚合物材料的实施例中，中间层220可以具有通常包括HTL和EML的结构。在这样的实施例中，HTL可以包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸(“PEDOT”)，并且EML可以包括诸如聚苯撑乙烯(“PPV”)类材料和聚芴类材料的聚合物材料。例如，中间层220可以通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(“LITI”)来形成。
在实施例中，中间层220的结构不限于上面描述的结构，而是可以被不同地修改。在实施例中，中间层220可以包括位于多个像素电极210上方的作为单个单元的层，或者可以包括与多个像素电极210中的每个像素电极210对应的图案化层。
相对电极230可以在多个有机发光二极管上方整体地形成为单个一体化的不可分的单元，并可以对应于多个像素电极210。相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。在一个实施例中，例如，相对电极230可以包括(半)透明层，该(半)透明层包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金。可选地，相对电极230在包含从以上材料中选择的至少一种的(半)透明层上还可以包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
图4至图11是根据实施例的制造显示装置的方法的顺序截面图。
在实施例中，参照图4，在基底110上方提供或形成第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。存储电容器Cst的第一电极CE1可以在与形成第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1和第二薄膜晶体管T2的第二栅电极G2的工艺相同的工艺期间与第一栅电极G1和第二栅电极G2同时形成。存储电容器Cst的第二电极CE2可以在与形成第一布线层DL1、第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1的工艺相同的工艺期间与第一布线层DL1、第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1同时形成。在这样的实施例中，如上所述，因为不执行单独的工艺来形成显示装置中的存储电容器Cst，所以可以减少制造成本和时间。
在实施例中，在基底110的整个顶表面上提供或形成第二层间绝缘层114，以覆盖第一薄膜晶体管T1的第一源电极S1和第二薄膜晶体管T2的第二源电极S2、第一漏电极D1、第一布线层DL1和存储电容器Cst。
第二层间绝缘层114可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。第二层间绝缘层114可以通过使用诸如化学气相沉积(“CVD”)和溅射的各种沉积方法中的至少一种来形成。
在这样的实施例中，在第二层间绝缘层114的整个顶表面上方提供或形成导电层CL。导电层CL可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料并具有单层或多层结构，该单层或多层结构包含从以上材料中选择的至少一种。
导电层CL可以通过诸如等离子体增强CVD(“PECVD”)、低压CVD(“LPCVD”)、物理气相沉积(“PVD”)、溅射或原子层沉积(“ALD”)的沉积方法来形成，但不限于此。
在这样的实施例中，参照图6，通过光刻工艺在导电层CL上形成光致抗蚀剂(“PR”)图案。光刻工艺包括：在导电层CL上涂覆光敏材料；通过使用掩模在光敏材料上照射光；然后通过硬化和显影工艺形成PR图案。PR图案可以形成为对应于其中形成有下面将描述的第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'的区域。
在实施例中，参照图7，执行通过使用PR图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层CL和第二层间绝缘层114的工艺。在这样的实施例中，可以通过蚀刻导电层CL形成第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'。在实施例中，可以通过使用PR图案、第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'作为用于第二层间绝缘层114的蚀刻掩模来形成第一图案绝缘层114a、第二图案绝缘层114b和第三图案绝缘层114c。
可以顺序地蚀刻导电层CL和第二层间绝缘层114，并且其蚀刻条件可以彼此不同。可以通过干式蚀刻、湿式蚀刻或它们的组合来执行蚀刻。在这样的实施例中，如上所述，可以在无需单独的掩模工艺的情况下执行蚀刻第二层间绝缘层114的工艺，使得可以在工艺期间减少制造成本和时间。
在实施例中，参照图8和图9，去除用作蚀刻掩模的PR图案，并在第一层间绝缘层113的整个顶表面上提供或形成平坦化层117以覆盖第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'。
在实施例中，在第一层间绝缘层113的整个顶表面上涂覆诸如丙烯酸树脂、BCB、PI或HMDSO的有机材料，以覆盖第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'和第一附加源电极S1'，并通过掩模工艺形成诸如第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的接触孔，以形成平坦化层117。在这样的实施例中，孔暴露第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'、第一附加源电极S1'、第一布线层DL1、第一漏电极D1和第一源电极S1。
在实施例中，参照图10，在平坦化层117上提供或形成连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'。可以通过在平坦化层117的整个顶表面上沉积导电层并且执行掩模工艺和蚀刻工艺来形成连接电极CM、像素电极210和源极连接电极CM'。
在这样的实施例中，在平坦化层117中形成暴露第二布线层DL2、第一附加漏电极D1'、第一附加源电极S1'、第一布线层DL1、第一漏电极D1和第一源电极S1的孔，使得连接电极CM可以通过所述孔将第一布线层DL1连接到第二布线层DL2。在这样的实施例中，像素电极210可以将第一漏电极D1连接到第一附加漏电极D1'，并且源极连接电极CM'可以将第一源电极S1连接到第一附加源电极S1'。
在实施例中，参照图11，在平坦化层117的整个顶表面上提供或形成像素限定层119以覆盖像素电极210的边缘，并且通过像素限定层119形成暴露像素电极210的中心部分的开口。在开口内部提供或形成中间层220。中间层220可以包括低分子量材料或聚合物材料。中间层220可以通过真空沉积方法、丝网印刷、喷墨印刷或LITI来形成。
在实施例中，如图11中所示，提供或形成相对电极230以对应于多个有机发光二极管OLED。可以通过使用开口掩模来形成相对电极230，以覆盖基底110的显示区域DA(参见图1)。可以通过诸如PECVD、LPCVD、PVD、溅射和ALD的沉积方法中的至少一种来形成相对电极230。
图12是根据可选实施例的显示装置的截面图。在图12中，已经使用与以上描述图3中的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记相同的或同样的元件，在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
参照图12，显示装置的实施例包括：第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2；有机发光二极管OLED，其是连接到第一薄膜晶体管T1的显示元件；布线WL，其连接到第二薄膜晶体管T2并包括第一布线层DL1和第二布线层DL2；第一图案绝缘层114a，其布置在第一布线层DL1和第二布线层DL2之间；平坦化层117，其覆盖布线WL；以及连接电极CM，其布置在平坦化层117上，并分别通过第二接触孔CNT2和第一接触孔CNT1连接到第一布线层DL1和第二布线层DL2。
在这样的实施例中，布线WL包括第一布线层DL1和第二布线层DL2，以便减小布线WL的电阻，因此可以有效地实现高速驱动。
在实施例中，如图12中所示，薄膜封装层300可以设置在有机发光二极管OLED上。在这样的实施例中，薄膜封装层300可以通过覆盖有机发光二极管OLED来保护可能易于被外部湿气或氧损坏的有机发光二极管OLED。薄膜封装层300可以覆盖显示区域DA(参见图1)并延伸到位于显示区域DA外部的外围区域PA(参见图1)。薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310可以覆盖相对电极230，并包括陶瓷、诸如氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和ITO的金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。可选地，诸如覆盖层的其他层可以布置在第一无机封装层310和相对电极230之间。因为第一无机封装层310沿着其下方的结构设置或形成，所以第一无机封装层310的顶表面可能是不平坦的。
有机封装层320覆盖第一无机封装层310。在实施例中，有机封装层320的顶表面可以是近似平坦的。在这样的实施例中，有机封装层320的与显示区域DA对应的顶表面可以是近似平坦的。有机封装层320可以包括丙烯酸树脂、甲基丙酸烯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、多芳基化合物和HMDSO中的至少一种。
第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并包括陶瓷、诸如氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和ITO的金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
因为薄膜封装层300包括如上描述的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330，所以即使当薄膜封装层300内部出现裂纹时，薄膜封装层300仍可以通过这样的多层结构有效地防止裂纹彼此连接，所述裂纹出现在第一无机封装层310与有机封装层320之间或者有机封装层320与第二无机封装层330之间。在这样的实施例中，可以有效地防止外部湿气或氧可渗透到显示区域DA中所经过的路径的形成，或者使外部湿气或氧可渗透到显示区域DA中所经过的路径的形成最小化。
在实施例中，可以在像素限定层119上进一步设置用于防止掩模切斩(maskchopping)的间隔件(未示出)。在实施例中，可以在薄膜封装层300上设置各种功能层中的至少一种，所述各种功能层包括用于减小外部光反射的偏振层、黑矩阵、滤色器和/或包括触摸电极的触摸屏层。
图13是根据另一可选实施例的显示装置的截面图。在图13中，已经使用与以上描述图3中的实施例使用的附图标记相同的附图标记来标记相同的或同样的元件，在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
参照图13，显示装置的实施例包括：第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2；有机发光二极管OLED，其是连接到第一薄膜晶体管T1的显示元件；布线WL，其连接到第二薄膜晶体管T2并包括第一布线层DL1和第二布线层DL2；第一图案绝缘层114a，其布置在第一布线层DL1和第二布线层DL2之间；平坦化层117，其覆盖布线WL；以及连接电极CM，其布置在平坦化层117上并分别通过第二接触孔CNT2和第一接触孔CNT1连接到第一布线层DL1和第二布线层DL2。
在这样的实施例中，布线WL包括第一布线层DL1和第二布线层DL2，以便减小布线WL的电阻，因此有效地实现了高速驱动。
在实施例中，如图13中所示，可以进一步提供面对基底110的密封基底300'，其中，密封基底300'密封有机发光二极管OLED。在这样的实施例中，有机发光二极管OLED可以布置在基底110和密封基底300'之间。密封基底300'可以包括玻璃或聚合物树脂。基底110和密封基底300'可以通过诸如密封剂或玻璃料的密封材料彼此附着，并且密封材料布置在外围区域PA(参见图1)中并至少部分地围绕显示区域DA。在这样的实施例中，可以在密封基底300'上设置各种功能层中的至少一种，所述各种功能层包括用于减小外部光反射的偏振层、黑矩阵、滤色器和/或包括触摸电极的触摸屏层。
在本公开的实施例中，如上所述，因为通过在显示装置中使用第一布线层和第二布线层来提供用于提供数据信号等的数据线，所以可以实现低电阻布线，因此实现了高速驱动。
在本公开的实施例中，因为利用最小数量的掩模工艺执行制造显示装置的方法，所以可以减少工艺时间和成本。
应当理解，本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由本公开限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底；
第一薄膜晶体管，设置在所述基底上方；
第二薄膜晶体管，设置在所述基底上方；
显示元件，连接到所述第一薄膜晶体管；
布线，连接到所述第二薄膜晶体管，其中，所述布线包括第一布线层和第二布线层；
图案绝缘层，设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间；
平坦化层，覆盖所述布线；以及
连接电极，设置在所述平坦化层上，并分别通过第一接触孔和第二接触孔连接到所述第一布线层和所述第二布线层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二布线层的底表面具有与所述图案绝缘层的顶表面的面积相同的面积。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二布线层的侧表面连接到所述图案绝缘层的侧表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示元件包括像素电极、发射层和相对电极，并且
所述连接电极包括与所述像素电极的材料相同的材料，并与所述像素电极设置在同一层中。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一布线层的面积不同于所述第二布线层的面积。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述平坦化层接触所述图案绝缘层的侧表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
电容器，包括第一电极和第二电极，
其中，所述第一电极包括与所述第一薄膜晶体管的栅电极的材料相同的材料，并且
所述第二电极与所述第一电极重叠，所述第二电极包括与所述第一布线层的材料相同的材料，并与所述第一布线层设置在同一层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
偏置电极，设置在所述第一薄膜晶体管下方。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述偏置电极连接到所述第一薄膜晶体管的源电极或漏电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述布线包括向所述第二薄膜晶体管提供数据信号的数据线。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
薄膜封装层，覆盖所述显示元件，
其中，所述薄膜封装层包括彼此堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
密封基底，设置为与所述基底相对。
13.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：
在基底上方提供薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的第一布线层；
在所述基底的整个顶表面上顺序地提供绝缘层和导电层以覆盖所述第一布线层；
在所述导电层上提供光致抗蚀剂图案；
通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻所述导电层和所述绝缘层来形成第二布线层和图案绝缘层；以及
提供将所述第一布线层连接到所述第二布线层的连接电极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述第二布线层的底表面具有与所述图案绝缘层的顶表面的面积相同的面积。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述第二布线层的侧表面连接到所述图案绝缘层的侧表面。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述显示装置的显示元件包括像素电极、发射层和相对电极，并且
所述连接电极包括与所述像素电极的材料相同的材料，并与所述像素电极设置在同一层中。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述第一布线层的面积不同于所述第二布线层的面积。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括：
在提供所述连接电极之前，提供覆盖所述第一布线层、所述第二布线层和所述图案绝缘层的平坦化层。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括：
提供包括第一电极和第二电极的电容器，
其中，所述第一电极包括与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同的材料，并且
所述第二电极与所述第一电极重叠，所述第二电极包括与所述第一布线层的材料相同的材料，并与所述第一布线层设置在同一层中。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述方法还包括：
提供布置在所述薄膜晶体管下方的偏置电极。
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