CN112086112A - 操作存储设备的方法、存储设备及包括其的存储系统 - Google Patents

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Abstract

一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，该方法包括：检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期；响应于检查结果，使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一些非易失性存储器的温度信息；基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器的待机时间信息；以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。

Description

操作存储设备的方法、存储设备及包括其的存储系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月14日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0070989号韩国专利申请在35USC 119条下的优先权，该申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
示例实施例涉及半导体集成电路，更具体地，涉及操作存储设备的方法、执行该方法的存储设备以及包括该存储设备的存储系统。
背景技术
某些类型的数据存储设备包括一个或多个半导体存储器设备。这种数据存储设备的示例包括固态驱动器(SSD)。与硬盘驱动器(HDD)相比，这些类型的数据存储设备可以具有各种设计和/或性能优点。潜在的优点的示例包括不存在移动机械部件、更高的数据访问速度、更高的稳定性、更高的耐久性和/或低功耗。近来，各种系统(例如，膝上型计算机、汽车、飞机、无人机等)已经采用SSD进行数据存储。
这些类型的数据存储设备可以包括非易失性存储器设备(例如，闪存)。随着数据存储设备的使用时间增加，包括在数据存储设备中的非易失性存储器设备(诸如闪存)的特性可能由于温度而改变，从而可能存在错误更频繁出现的问题。
发明内容
本公开的至少一个示例实施例提供了一种操作存储设备的方法，该存储设备能够基于温度监控而具有提高的或增强的性能和可靠性。
本公开的至少一个示例实施例提供了一种存储设备，该存储设备能够基于温度监控而具有提高的或增强的性能和可靠性。
本公开的至少一个示例实施例提供了一种包括存储设备的存储系统。
根据示例实施例，一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，该方法包括：检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期；响应于是否已经达到预定温度检查周期的检查结果，监控多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的温度信息；基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的待机时间(standing time)信息；以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
根据示例实施例，存储设备包括多个非易失性存储器和存储控制器。多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器。存储控制器控制多个非易失性存储器的操作，检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期，响应于是否已经达到预定温度检查周期的检查结果而使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的温度信息，基于监控的温度信息、通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的待机时间信息，以及基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个来改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
根据示例实施例，存储系统包括主机和存储设备，该存储设备通过主机被访问并且包括多个非易失性存储器和存储控制器。多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器。存储控制器控制多个非易失性存储器的操作，检查是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期，响应于是否已经达到预定温度检查周期的检查结果而使用温度传感器监控多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的温度信息，基于监控的温度信息、通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的待机时间信息，并且基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个来改变操作多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
在根据示例实施例的操作存储设备的方法、存储设备和存储系统中，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，存储控制器在没有外部命令的情况下使用温度传感器周期性地监控多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的温度信息，并且基于监控的温度信息为每一个非易失性存储器自适应地改变操作多个非易失性存储器所需的多个驱动参数。因此，存储设备可以具有提高的或增强的性能和可靠性。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解说明性的、非限制性的示例实施例。
图1是示出根据示例实施例的操作存储设备的方法的流程图。
图2是示出根据示例实施例的存储设备和包括该存储设备的存储系统的框图。
图3是示出包括在根据示例实施例的存储设备中的存储控制器的示例的框图。
图4是示出包括在根据示例实施例的存储设备中的非易失性存储器的示例的框图。
图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是示出图1中自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例的流程图。
图13是存储控制器和非易失性存储器被设置在根据示例实施例的存储设备中的示例的平面图。
图14、图15、图16和图17是示出图1中在内部监控温度信息的示例和图1中自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例的流程图。
图18是示出根据示例实施例的操作存储设备的方法的流程图。
图19是存储控制器和非易失性存储器被设置在根据示例实施例的存储设备中的另一示例的平面图。
图20、图21、图22和图23是示出图18中自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例的流程图。
图24是示出包括根据示例实施例的存储设备的存储服务器的框图。
具体实施方式
将参考其中示出了实施例的附图来更全面地描述各种示例实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例。在本申请中，相同的附图标记指代相同的元件。
图1是示出根据示例实施例的操作存储设备的方法的流程图。
参考图1，根据示例实施例的存储设备可以包括存储数据的多个非易失性存储器和控制多个非易失性存储器的操作的存储控制器。此外，多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器可以包括温度传感器。将参考图2描述存储设备和包括存储设备的存储系统的配置。
在根据示例实施例的操作存储设备的方法中，检查(或确定)是否已经达到多个非易失性存储器的预定温度检查周期(cycle)(或时期(period))(步骤S100)。例如，可以在制造存储设备时或者在制造存储设备的同时设定和存储温度检查周期，并且可以基于从外部接收的用户设定信号来改变温度检查周期。在示例实施例中，在制造存储设备之后，可以基于来自外部的用户设定信号来设定预定温度检查周期。
当没有达到温度检查周期时(步骤S100：否)，存储设备可以等待直到已经达到温度检查周期(步骤S150)。在一些示例实施例中，存储设备可以在执行存储设备的至少一个一般操作(例如，基于从外部主机接收的命令来执行编程/擦除/读取操作，在没有任何命令的情况下独自执行垃圾收集操作，等等)的同时等待。在其他示例实施例中，存储设备可以在不执行一般操作的情况下等待。
当已经达到温度检查周期时(步骤S100：是)，使用温度传感器在内部监控多个非易失性存储器中的至少一些非易失性存储器的温度信息(步骤S200)。在一些示例实施例中，可以监控来自所有多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的温度信息。在其他示例实施例中，如将参考图14描述的，可以仅监控多个非易失性存储器中的一些中的每一个非易失性存储器的温度信息。
在内部监控温度信息的操作可以指示温度信息由存储控制器自身监控，而无需从外部主机接收任何命令。通过在没有外部命令的情况下监控温度信息，可以预防存储设备的性能下降或恶化。
基于监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得多个非易失性存储器的待机时间信息(步骤S300)。待机时间信息可以与非易失性存储器在特定使用条件(例如，温度条件)下被忽略(即，未被访问)、使用或驱动的时间相关联，并且待机时间信息可以被称为离开时间(leaving time)信息、使用时间信息或等待时间信息。在示例实施例中，可以使用等式1为每一个非易失性存储器确定待机时间信息。
[等式1]
Tu＝∑[Tcycle*TAF]
在等式1中，Tu表示待机时间信息，Tcycle表示温度检查周期，TAF表示温度加速系数。TAF可以是由温度传感器测量的温度的函数。温度检查周期Tcycle由系数TAF调整。根据等式1，将调整后的温度检查周期(即，Tcycle*TAF的值)相加，以获得待机时间信息。在示例实施例中，可以凭经验确定TAF。例如，可以基于阿伦尼乌斯(Arrhenius)等式获得TAF，并且将省略对其的详细描述，因为这在存储设备的技术领域中是众所周知的。在示例实施例中，对Tcycle*TAF的值求和，直到求和值达到预定的值。然而，示例实施例不限于此，并且可以基于各种算法中的至少一种来获得TAF。
基于监控的温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，自适应地改变操作多个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)。对于每一个非易失性存储器，自适应地和选择性地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数。例如，可以针对温度和待机时间来设定和优化驱动参数。在一些示例实施例中，当在步骤S200中监控所有多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的温度信息时，每一个非易失性存储器可以基于其自身的温度信息来改变驱动参数。在其他示例实施例中，当在步骤S200中监控多个非易失性存储器中的一些中的每一个非易失性存储器的温度信息时，一些非易失性存储器可以基于其自身的温度信息来改变驱动参数，并且其他非易失性存储器可以基于除了其自身之外的非易失性存储器的温度信息和预定义表(predefined table，PDT)来改变驱动参数。
在一些示例实施例中，如将参考图5描述的，多个驱动参数可以包括与多个非易失性存储器的防御码相关联的参数。在一些示例实施例中，如将参考图9描述的，多个驱动参数可以包括与多个非易失性存储器的一般操作(例如，编程/擦除操作)相关联的参数。
尽管未在图1中示出，但是在步骤S400中改变驱动参数之后，存储设备可以基于改变后的驱动参数，在有和/或没有来自外部主机的请求的情况下执行至少一个一般操作(例如，编程/擦除/读取操作、垃圾收集操作等)。
在根据示例实施例的操作存储设备的方法中，包括在存储设备中的多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器可以包括温度传感器，包括在存储设备中的存储控制器可以在没有外部命令的情况下使用温度传感器来周期性地监控多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的温度信息，并且操作多个非易失性存储器所需的多个驱动参数可以基于监控的温度信息、针对每一个非易失性存储器而自适应地改变。因此，存储设备可以具有提高的或增强的性能和可靠性。
图2是示出根据示例实施例的存储设备和包括该存储设备的存储系统的框图。
参考图2，存储系统100包括主机200和存储设备300。
主机200控制存储系统100的整体操作。尽管未在图2中示出，但是主机200可以包括主机处理器和主机存储器。主机处理器可以控制主机200的操作。例如，主机处理器可以运行操作系统(operating system，OS)。主机存储器可以存储由主机处理器执行和/或处理的指令和/或数据。例如，由主机处理器运行的操作系统可以包括用于文件管理的文件系统和用于在操作系统级别控制包括存储设备300的外围设备的设备驱动器。
存储设备300通过主机200被访问。存储设备300包括存储控制器310，多个非易失性存储器320a、320b和320c，以及缓冲存储器330。
存储控制器310可以基于从主机200接收的命令和数据来控制存储设备300的操作和/或多个非易失性存储器320a、320b和320c的操作。
存储控制器310可以执行参考图1描述的方法。例如，存储控制器310可以检查是否已经达到多个非易失性存储器320a、320b和320c的预定温度检查周期，当已经达到温度检查周期时在内部监控多个非易失性存储器320a、320b和320c中的至少一些中的每一个的温度信息，基于监控的温度信息、通过应用温度加速条件来获得(或计算)多个非易失性存储器320a、320b和320c的待机时间信息，并且基于监控的温度信息和获得的(或计算的)待机时间信息中的至少一个来自适应地改变操作存储设备300和/或多个非易失性存储器320a、320b和320c所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。对于每一个非易失性存储器，可以自适应地和选择性地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数。换句话说，存储控制器310可以独立于主机200的控制来监控温度信息，并且可以基于监控的温度信息来设定优化的驱动参数。此外，存储控制器310还可以执行将参考图18描述的方法。
存储控制器310包括检查或确定是否已经达到温度检查周期的时期测量器311。例如，时期测量器311可以包括定时器和计数器中的至少一个。尽管未在图2中示出，但是存储控制器310可以基于从外部接收的用户设定信号来改变温度检查周期。
多个非易失性存储器320a、320b和320c可以存储多个数据。例如，多个非易失性存储器320a、320b和320c可以存储元数据、各种用户数据等。
多个非易失性存储器320a、320b和320c包括监控温度信息的多个温度传感器322a、322b和322c。例如，每一个非易失性存储器包括温度传感器。例如，多个温度传感器322a、322b和322c中的每一个可以是包括片上(on-chip)金属电阻器的片上传感器(或管芯上(on-die)传感器)，从而可以具有更小的和更简单的配置以及更低的制造成本。
每一个非易失性存储器可以被设置在相应的一个半导体管芯上，并且可以形成相应的一个非易失性存储器芯片。如将参考图13描述的，存储设备300可以包括多个存储器封装(package)，并且多个存储器封装中的每一个存储器封装可以包括多个非易失性存储器320a、320b和320c中的至少一个。换句话说，多个非易失性存储器320a、320b和320c中的每一个可以被包括在多个存储器封装中的相应的一个中。
在一些示例实施例中，多个非易失性存储器320a、320b和320c中的每一个可以包括NAND闪存。在其他示例实施例中，多个非易失性存储器320a、320b和320c中的每一个可以包括电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、相变随机存取存储器(PRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物随机存取存储器(PoRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)等中的一种。
在一些示例实施例中，可以针对每一个非易失性存储器来周期性地监控温度信息，并且可以针对每一个芯片或管芯来存储和/或确定温度信息。例如，可以在存储设备300的运行时间期间周期性地监控温度信息，可以通过应用温度加速条件来转换在存储设备300的运行时间期间周期性监控的温度，并且可以在存储设备300断电时存储累积的温度信息。
在一些示例实施例中，当特定非易失性存储器的温度显著地高于或低于平均温度时，可以适当地对待或处理特定非易失性存储器的温度信息。例如，当温度信息仅在同一存储器封装中的特定非易失性存储器中不同时，可以排除或除开特定非易失性存储器的温度信息，并且稍后可以不检查被排除的特定非易失性存储器的温度信息。
缓冲存储器330可以存储由存储控制器310执行和/或处理的指令和/或数据，并且可以临时存储被存储或将要被存储在多个非易失性存储器320a、320b和320c中的数据。例如，缓冲存储器330可以包括各种易失性存储器中的至少一种，例如，动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)等。
在一些示例实施例中，存储设备300可以是固态驱动器(SSD)。在其他示例实施例中，存储设备300可以是通用闪存(UFS)、多媒体卡(MMC)、嵌入式多媒体卡(eMMC)、安全数字(SD)卡、微SD卡、记忆棒、芯片卡、通用串行总线(USB)卡、智能卡、紧凑式闪存(CF)卡等中的一种。
在一些示例实施例中，存储设备300可以通过块可访问接口(block accessibleinterface)连接到主机200，该块可访问接口可以包括例如UFS总线、eMMC总线、串行高级技术附件(SATA)总线、非易失性存储器高速(NVMe)总线、串行附加SCSI(SAS)总线等。存储设备300可以使用与多个非易失性存储器320a、320b和320c的访问大小相对应的块可访问地址空间来向主机200提供块可访问接口，以用于允许针对存储在多个非易失性存储器320a、320b和320c中的数据以存储器块为单位进行访问。
在一些示例实施例中，存储系统100可以是任何移动系统，诸如移动电话、智能电话、平板计算机、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数字相机、便携式游戏机、音乐播放器、摄录机、视频播放器、导航设备、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、万物网(IoE)设备、电子书阅读器、虚拟现实(VR)设备、增强现实(AR)设备、机器人设备等。在其他示例实施例中，存储系统100可以是任何计算系统，诸如个人计算机(PC)、服务器计算机、工作站、数字电视、机顶盒、导航系统等。
图3是示出包括在根据示例实施例的存储设备中的存储控制器的示例的框图。
参考图3，存储控制器400包括至少一个处理器410、存储器420、时期测量器430、主机接口440、纠错码(error correction code，ECC)块450以及存储器接口460。在示例实施例中，存储控制器400对应于图2中存储设备300的存储控制器310。
处理器410可以响应于经由主机接口440从主机(例如，图2中的主机200)接收的命令来控制存储控制器400的操作。在一些示例实施例中，处理器410可以通过采用用于操作存储设备(例如，图2中的存储设备300)的固件来控制相应的组件。
存储器420可以存储由处理器410执行和处理的指令和数据。例如，存储器420可以用具有相对小容量和高速度的易失性存储设备(诸如静态随机存取存储器(SRAM)、高速缓冲存储器等)来实施。
检查是否已经达到温度检查周期的时期测量器430可以与图2中的时期测量器311基本相同。在一些示例实施例中，时期测量器430的至少一部分可以实施为硬件。在其他示例实施例中，时期测量器430的至少一部分可以实施为指令代码或程序例程(例如，软件程序)，并且可以存储在存储器中。
用于纠错的ECC块450可以使用博斯-乔德胡里-霍金厄姆(Bose-Chaudhuri-Hockenghem，BCH)码、低密度奇偶校验(low density parity check，LDPC)码、turbo码、里德-所罗门(Reed-Solomon)码、卷积码、递归系统码(recursive systematic code，RSC)、网格编码调制(trellis-coded modulation，TCM)、块编码调制(block coded modulation，BCM)等来执行编码调制，或者可以使用上述码或其他纠错码来执行ECC编码和ECC解码。
主机接口440可以提供主机200和存储设备300之间的物理连接。主机接口440可以提供与主机的总线格式相对应的接口，以用于主机200和存储设备300之间的通信。在一些示例实施例中，主机200的总线格式可以是小型计算机系统接口(SCSI)或串行连接的SCSI(SAS)接口。在其他示例实施例中，主机200的总线格式可以是USB、外围组件互连(PCI)高速(PCIe)、高级技术附件(ATA)、并行ATA(PATA)、串行ATA(SATA)、非易失性存储器(NVM)高速(NVMe)等格式。
存储器接口460可以与非易失性存储器(例如，图2中的非易失性存储器320a、320b和320c)交换数据。存储器接口460可以将数据传送到非易失性存储器320a、320b和320c，或者可以接收从非易失性存储器320a、320b和320c读取的数据。在一些示例实施例中，存储器接口460可以经由一个通道连接到非易失性存储器320a、320b和320c。在其他示例实施例中，存储器接口460可以经由两个或更多个通道连接到非易失性存储器320a、320b和320c。
图4是示出包括在根据示例实施例的存储设备中的非易失性存储器的示例的框图。
参考图4，非易失性存储器500包括存储器单元阵列510、行解码器520、页面缓冲电路530、数据输入/输出(I/O)电路540、电压生成器550、控制电路560和温度传感器570。
存储器单元阵列510经由多条串选择线SSL、多条字线WL和多条接地选择线GSL连接到行解码器520。存储器单元阵列510还经由多条位线BL连接到页面缓冲电路530。存储器单元阵列510可以包括连接到多条字线WL和多条位线BL的多个存储器单元(例如，多个非易失性存储器单元)。存储器单元阵列510可以被划分为多个存储器块BLK1、BLK2、……、BLKz，其中每一个存储器块都包括存储器单元。此外，多个存储器块BLK1、BLK2、……、BLKz中的每一个可以被划分为多个页面。
在一些示例实施例中，多个存储器单元可以以二维(2D)阵列结构或三维(3D)垂直阵列结构来布置。三维垂直阵列结构可以包括垂直单元串，该垂直单元串被垂直定位，使得至少一个存储器单元位于另一存储器单元之上。该至少一个存储器单元可以包括电荷俘获(charge trap)层。以下通过引用整体结合于此的专利文献描述了包括3D垂直阵列结构的存储器单元阵列的合适的配置，其中三维存储阵列被配置为多个层级(level)，字线和/或位线在多个层级之间被共享：美国专利编号7,679,133；8,553,466；8,654,587；8,559,235；以及美国专利公布编号2011/0233648。
控制电路560从外部(例如，图2中的主机200和/或存储控制器310)接收命令CMD和地址ADDR，并且基于命令CMD和地址ADDR来控制非易失性存储器500的擦除、编程和读取操作。擦除操作可以包括执行一系列擦除循环。在示例实施例中，擦除操作可以以块为单位来执行。编程操作可以包括执行一系列编程循环。每一个编程循环可以包括编程操作和编程验证操作。每一个擦除循环可以包括擦除操作和擦除验证操作。读取操作可以包括正常读取操作和数据恢复读取操作。
例如，控制电路560可以生成用于控制电压生成器550的第一控制信号CON，并且可以基于命令CMD来生成用于控制页面缓冲电路530的第二控制信号PBC，并且可以基于地址ADDR来生成行地址R_ADDR和列地址C_ADDR。控制电路560可以向行解码器520提供行地址R_ADDR，并且可以向数据I/O电路540提供列地址C_ADDR。
此外，控制电路560可以在存储控制器310的控制下改变驱动参数。例如，控制电路560可以从存储控制器310接收温度值，并且可以基于接收到的温度值而自己改变驱动参数。对于另一示例，控制电路560可以从存储控制器310接收与改变后的驱动参数相关联的值(例如，改变后的电压电平、周期等)，并且可以基于接收到的改变后的驱动参数的值来控制非易失性存储器500的元件。
行解码器520可以经由多条串选择线SSL、多条字线WL和多条接地选择线GSL连接到存储器单元阵列510。
例如，在数据擦除/写入/读取操作中，基于行地址R_ADDR，行解码器520可以将多条字线WL中的至少一条确定为所选字线，并且可以将多条字线WL中的除了所选字线之外的其余部分或剩余部分确定为未选字线。
此外，在数据擦除/写入/读取操作中，基于行地址R_ADDR，行解码器520可以将多条串选择线SSL中的至少一条确定为所选串选择线，并且可以将多条串选择线SSL中的除了所选串选择线之外的其余部分或剩余部分确定为未选串选择线。
此外，在数据擦除/写入/读取操作中，基于行地址R_ADDR，行解码器520可以将多条接地选择线GSL中的至少一条确定为所选接地选择线，并且可以将多条接地选择线GSL中的除了所选接地选择线之外的其余部分或剩余部分确定为未选接地选择线。
电压生成器550可以基于功率PWR和第一控制信号CON来生成非易失性存储器500的操作所需的电压VS。电压VS可以经由行解码器520被施加到多条串选择线SSL、多条字线WL和多条接地选择线GSL。此外，电压生成器550可以基于功率PWR和第一控制信号CON来生成数据擦除操作所需的擦除电压VERS。擦除电压VERS可以直接地或经由位线BL被施加到存储器单元阵列510。
例如，在擦除操作期间，电压生成器550可以将擦除电压VERS施加到存储器块(例如，所选存储器块)的公共源极线和/或位线BL，并且可以经由行解码器520将擦除允许电压(例如，接地电压)施加到存储器块的所有字线或部分字线。此外，在擦除验证操作期间，电压生成器550可以将擦除验证电压同时施加到存储器块的所有字线，或者逐一地顺序地施加到字线。
例如，在编程操作期间，电压生成器550可以经由行解码器520将编程电压施加到所选字线，并且可以经由行解码器520将编程通过电压施加到未选字线。此外，在编程验证操作期间，电压生成器550可以经由行解码器520将编程验证电压施加到所选字线，并且可以经由行解码器520将验证通过电压施加到未选字线。
此外，在正常读取操作期间，电压生成器550可以经由行解码器520将读取电压施加到所选字线，并且可以经由行解码器520将读取通过电压施加到未选字线。在数据恢复读取操作期间，电压生成器550可以经由行解码器520将读取电压施加到与所选字线相邻的字线，并且可以经由行解码器520将恢复读取电压施加到所选字线。
页面缓冲电路530可以经由多条位线BL连接到存储器单元阵列510。页面缓冲电路530可以包括多个页面缓冲器。在一些示例实施例中，每一个页面缓冲器可以连接到一条位线。在其他示例实施例中，每一个页面缓冲器可以连接到两条或更多条位线。
页面缓冲电路530可以存储要被编程到存储器单元阵列510中的数据DAT，或者可以读取从存储器单元阵列510感测的数据DAT。换句话说，根据非易失性存储器500的操作模式，页面缓冲电路530可以作为写入驱动器或感测放大器而操作。
数据I/O电路540可以经由数据线DL连接到页面缓冲电路530。基于列地址C_ADDR，数据I/O电路540可以经由页面缓冲电路530将数据DAT从非易失性存储器500的外部提供给存储器单元阵列510，或者可以将数据DAT从存储器单元阵列510提供给非易失性存储器500的外部。
监控温度信息的温度传感器570可以与图2中的多个温度传感器322a、322b和322c基本相同。
图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是示出图1中自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例的流程图。
图5、图6和图7示出了多个驱动参数与多个非易失性存储器的防御码当中的预防码相关联的示例。在示例实施例中，与预防码相关联的多个驱动参数可以包括巡检(patrol)读取周期、刷新周期或基于温度波动表(temperature bump table)的读取电压。图8示出了多个驱动参数与多个非易失性存储器的防御码当中的恢复码相关联的示例。图9、图10、图11和图12示出了多个驱动参数与多个非易失性存储器的一般操作(例如，编程/擦除操作)相关联的示例。
参考图5，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是自适应地改变巡检读取周期。在图5中，可以检查或确定多个非易失性存储器当中的第一非易失性存储器的第一温度信息和/或第一待机时间信息是否在第一参考范围内(步骤S410)。当第一温度信息在第一温度信息的第一参考范围内时，当第一待机时间信息在第一待机时间信息的第一参考范围内时，或者当第一温度信息和第一待机时间信息分别在第一温度信息的第一参考范围内和第一待机时间信息的第一参考范围内时(步骤S410：是)，可以保持与第一非易失性存储器的巡检读取操作相关联的巡检读取周期(步骤S411)。在示例实施例中，当第一温度信息和第一待机时间信息中的至少一个在第一参考范围之外时(步骤S410：否)，可以改变第一非易失性存储器的巡检读取周期(步骤S412)。在示例实施例中，第一待机时间信息的第一参考范围可以具有与第一温度信息的第一参考范围的值不同的值。
巡检读取操作可以指示通过以每一个预定的时间间隔从非易失性存储器的第一存储器块顺序地读取到最后一个存储器块来检查存储的数据是否异常的操作，并且读取第一存储器块的时间点和读取最后一个存储器块的时间点之间的时间间隔可以指示巡检读取周期。巡检读取操作可以被称为后台(background)扫描回收操作。
在一些示例实施例中，巡检读取周期可以随着第一非易失性存储器的温度升高而减小，并且巡检读取周期可以随着第一非易失性存储器的温度降低而增加。在其他示例实施例中，巡检读取周期可以随着第一非易失性存储器的待机时间的增加而减小，并且巡检读取周期可以随着第一非易失性存储器的待机时间的减少而增加。
参考图6，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是自适应地改变刷新周期。在图6中，可以检查第一非易失性存储器的第一温度信息和/或第一待机时间信息是否在第二参考范围内(步骤S420)。当第一温度信息在第一温度信息的第二参考范围内时，当第一待机时间信息在第一待机时间信息的第二参考范围内时，或者当第一温度信息和第一待机时间信息分别在第一温度信息的第二参考范围内和第一待机时间信息的第二参考范围内时(步骤S420：是)，可以保持与第一非易失性存储器的刷新操作相关联的刷新周期(步骤S421)。在示例实施例中，当第一温度信息和第一待机时间信息中的至少一个在第二参考范围之外时(步骤S420：否)，可以改变第一非易失性存储器的刷新周期(步骤S422)。例如，第二参考范围可以等于或不同于第一参考范围。在示例实施例中，第一待机时间信息的第二参考范围可以具有与第一温度信息的第二参考范围的值不同的值。
刷新操作可以指示在存储的数据被损坏或被破坏之前对存储的数据重新编程的操作，并且对数据编程的时间点和对存储的数据重新编程的时间点之间的时间间隔可以指示刷新周期。该刷新操作可以被称为根据待机时间的回收操作。
在一些示例实施例中，刷新周期可以随着第一非易失性存储器的温度升高而减小，并且刷新周期可以随着第一非易失性存储器的温度降低而增加。在其他示例实施例中，刷新周期可以随着第一非易失性存储器的待机时间的增加而减小，并且刷新周期可以随着第一非易失性存储器的待机时间的减少而增加。
参考图7，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是自适应地改变读取电压的电平。在图7中，可以检查第一非易失性存储器的第一温度信息和/或第一待机时间信息是否在第三参考范围内(步骤S430)。当第一温度信息在第一温度信息的第三参考范围内时，当第一待机时间信息在第一待机时间信息的第三参考范围内时，或者当第一温度信息和第一待机时间信息分别在第一温度信息的第三参考范围和第一待机时间信息的第三参考范围内时(步骤S430：是)，可以保持与第一非易失性存储器的读取操作相关联的读取电压的电平(步骤S431)。在示例实施例中，当第一温度信息和第一待机时间信息中的至少一个在第三参考范围之外时(步骤S430：否)，可以基于温度波动表来改变第一非易失性存储器的读取电压的电平(步骤S432)。例如，第三参考范围可以等于第一参考范围和第二参考范围之一，或者可以不同于第一参考范围和第二参考范围。在示例实施例中，第一待机时间信息的第三参考范围可以具有与第一温度信息的第三参考范围的值不同的值。
温度波动表可以指示温度和读取电压的电平之间的关系，从而可以基于温度波动表来设定或确定第一非易失性存储器的根据温度的读取电压的最佳电平。例如，当在相对高的温度环境下编程的存储器块中的数据要在相对低的温度环境下被读取时，读取电压的电平可以基于温度波动表而减小。
参考图8，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是自适应地改变多个恢复算法的应用顺序。在图8中，可以检查第一非易失性存储器的第一温度信息和/或第一待机时间信息是否在第四参考范围内(步骤S440)。当第一温度信息在第一温度信息的第四参考范围内时，当第一待机时间信息在第一待机时间信息的第四参考范围内时，或者当第一温度信息和第一待机时间信息分别在第一温度信息的第四参考范围内和第一待机时间信息的第四参考范围内时(步骤S440：是)，可以保持第一非易失性存储器的多个恢复算法的应用顺序(或序列)(步骤S441)。在示例实施例中，第一待机时间信息的第四参考范围可以具有与第一温度信息的第四参考范围的值不同的值。在示例实施例中，当第一温度信息和第一待机时间信息中的至少一个在第四参考范围之外时(步骤S440：否)，可以改变第一非易失性存储器的多个恢复算法的应用顺序(步骤S442)。例如，第四参考范围可以等于第一参考范围、第二参考范围和第三参考范围之一，或者可以不同于第一参考范围、第二参考范围和第三参考范围中的所有参考范围。
多个恢复算法可以包括参考图3描述的各种纠错码，并且可以包括用于改变读取电压的电平的各种码。例如，如果在初始操作时间将三个算法设定为以1-2-3的顺序应用，则在步骤S442中，该设定可以被改变为以2-1-3的顺序应用。
在一些示例实施例中，如参考图4所述，第一非易失性存储器可以包括多个存储器块，并且可以为每一个存储器块不同地设定多个恢复算法的应用顺序。在其他示例实施例中，多个存储器块中的每一个存储器块可以包括多个页面，并且可以为每一个页面不同地设定多个恢复算法的应用顺序。换句话说，多个恢复算法的应用顺序可以以存储器块为单位或以页面为单位而不同地设定。
参考图9，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是自适应地改变编程条件。在图9中，可以检查第一非易失性存储器的第一温度信息和/或第一待机时间信息是否在第五参考范围内(步骤S450)。当第一温度信息在第一温度信息的第五参考范围内时，当第一待机时间信息在第一待机时间信息的第五参考范围内时，或者当第一温度信息和第一待机时间信息分别在第一温度信息的第五参考范围内和第一待机时间信息的第五参考范围内时(步骤S450：是)，可以保持与第一非易失性存储器的编程操作相关联的编程条件(步骤S451)。在示例实施例中，第一待机时间信息的第五参考范围可以具有与第一温度信息的第五参考范围的值不同的值。在示例实施例中，当第一温度信息和第一待机时间信息中的至少一个在第五参考范围之外时(步骤S450：否)，可以改变第一非易失性存储器的编程条件(步骤S452)。例如，第五参考范围可以等于第一参考范围、第二参考范围、第三参考范围和第四参考范围之一，或者可以不同于第一参考范围、第二参考范围、第三参考范围和第四参考范围中的所有参考范围。例如，编程条件可以包括编程电压的电平(例如，当用增量步进脉冲编程(incremental step pulse program，ISPP)方案编程时的开始编程电压电平)、编程验证条件(例如，编程验证电压的电平)、最大编程循环设定条件(例如，用于当即使在对应循环条件下也未被编程时确定为编程失败的条件)等。可以改变(例如，可以增加或减小)至少一个这样的编程条件。
在一些示例实施例中，编程电压的电平可以随着第一非易失性存储器的温度的升高(例如，在高温度下)而减小，并且编程电压的电平可以随着第一非易失性存储器的温度的降低而增加。
参考图10，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是基于编程/擦除周期改变编程条件。在图10中，可以另外将指示编程/擦除操作的次数的编程/擦除周期与温度信息和/或待机时间信息一起进行考虑。例如，可以检查第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期是否在第一参考次数内(步骤S455)。当第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期在第一参考次数内时(步骤S455：是)，可以保持第一非易失性存储器的编程条件(步骤S456)。当第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期超过第一参考次数时(步骤S455：否)，可以改变第一非易失性存储器的编程条件(步骤S457)。
在一些示例实施例中，编程电压的电平可以随着第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期的增加而减小，并且编程电压的电平可以随着第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期的减小而增加。
参考图11，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是改变擦除条件。在图11中，可以检查或确定第一非易失性存储器的第一温度信息和/或第一待机时间信息是否在第六参考范围内(步骤S460)。当第一温度信息在第一温度信息的第六参考范围内时，当第一待机时间信息在第一待机时间信息的第六参考范围内时，当第一温度信息和第一待机时间信息分别在第一温度信息的第六参考范围内和第一待机时间信息的第六参考范围内时(步骤S460：是)，可以保持与第一非易失性存储器的擦除操作相关联的擦除条件(步骤S461)。在示例实施例中，第一待机时间信息的第六参考范围可以具有与第一温度信息的第六参考范围的值不同的值。在示例实施例中，当第一温度信息和第一待机时间信息中的至少一个在第六参考范围之外时(步骤S460：否)，可以改变第一非易失性存储器的擦除条件(步骤S462)。例如，第六参考范围可以等于第一参考范围、第二参考范围、第三参考范围、第四参考范围和第五参考范围之一，或者可以不同于第一参考范围、第二参考范围、第三参考范围、第四参考范围和第五参考范围中的所有参考范围。例如，擦除条件可以包括擦除电压的电平(例如，当用增量步进脉冲擦除(incremental step pulseerase，ISPE)方案擦除时的开始擦除电压电平)、擦除验证条件(例如，擦除验证电压的电平)、最大擦除循环设定条件(例如，用于当即使在对应循环条件下也未被擦除时确定为擦除失败的条件)等。可以改变至少一个这样的擦除条件。
在一些示例实施例中，擦除电压的电平可以随着第一非易失性存储器的温度降低(例如，在低温度下)而减小，并且擦除电压的电平可以随着第一非易失性存储器的温度升高而增加。
参考图12，自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400)的一示例是基于编程/擦除周期改变擦除条件。在图12中，可以另外考虑编程/擦除周期。例如，可以检查或确定第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期是否在第二参考次数内(步骤S465)。当第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期在第二参考次数内时(步骤S465：是)，可以保持第一非易失性存储器的擦除条件(步骤S466)。当第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期超过第二参考次数时(步骤S465：否)，可以改变第一非易失性存储器的擦除条件(步骤S467)。例如，第二参考次数可以等于或不同于第一参考次数。
在一些示例实施例中，擦除电压的电平可以随着第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期的减小而减小，并且擦除电压的电平可以随着第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期的增加而增加。在其他示例实施例中，擦除电压的电平可以随着第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期的减小而增加，并且擦除电压的电平可以随着第一非易失性存储器的第一编程/擦除周期的增加而减小。
尽管未在图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11图和图12中示出，但是可以基于监控的温度信息来执行动态热节流(dynamic thermal throttling，DTT)。
在一些示例实施例中，参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述的两个或更多个示例可以进行组合以实施根据示例实施例的操作存储设备的方法。在这种情况下，可以改变两个或更多个驱动参数。在示例实施例中，两个或更多个驱动参数可以基本上同时地或并发地改变。
尽管已经基于仅改变第一非易失性存储器的驱动参数的示例，参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述了示例实施例，但是示例实施例不限于此，也可以以类似的方式改变多个非易失性存储器当中除了第一非易失性存储器之外的非易失性存储器的驱动参数。特别地，当监控来自所有的多个非易失性存储器的温度信息时，可以改变用于所有的多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的驱动参数，从而多个非易失性存储器可以具有不同的驱动参数。
尽管已经基于每一个驱动参数基于一个参考范围(或参考值)或一个参考次数而改变的示例，参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述了示例实施例，但是示例实施例不限于此，可以基于多个参考范围或多个参考次数来改变驱动参数。此外，已经基于改变特定驱动参数的特定方式，参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述了示例实施例，但是示例实施例不限于此，改变驱动参数的方式可以以各种方式实施。
如上所述，可以基于每一个非易失性存储器的温度信息和/或待机时间信息而自适应地应用防御码的周期和/或顺序，并且可以利用基于温度变化而补偿的优化的读取电平、编程条件和/或擦除条件来执行读取/编程/擦除操作。因此，存储设备可以具有提高的或增强的性能和可靠性。
图13是存储控制器和非易失性存储器被设置在根据示例实施例的存储设备中的示例的平面图。
参考图13，存储设备包括印刷电路板(PCB)710、存储控制器720和多个存储器封装(PKG1、PKG2、……、PKGN)730、740和750。为了便于说明，省略了缓冲存储器(例如，图2中的缓冲存储器330)。
存储控制器720可以与图2中的存储控制器310和图3中的存储控制器400基本相同，并且可以包括检查是否已经达到温度检查周期的时期测量器PM。多个存储器封装730、740和750可以包括多个非易失性存储器(NVM1-1、……、NVM1-M、NVM2-1、……、NVM2-M、NVMN-1、……、NVMN-M)732、734、743、744、752和754。多个非易失性存储器732、734、743、744、752和754可以与图2中的多个非易失性存储器320a、320b和320c以及图4的非易失性存储器基本相同，并且多个非易失性存储器732、734、743、744、752和754中的每一个可以包括监控温度信息的温度传感器TS。
存储控制器720和多个存储器封装730、740和750可以安装在印刷电路板710上。由于大小或空间限制(或约束)，可能难以在印刷电路板710上均匀地布置多个存储器封装730、740和750，从而在存储设备内可能存在相对靠近或远离存储控制器720的存储器封装或非易失性存储器。
尽管图13示出了其中每一个都包括M个非易失性存储器的N个存储器封装的示例(N和M中的每一个都是大于或等于2的自然数)，但是示例实施例不限于此，并且存储器封装的数量和非易失性存储器的数量可以改变。此外，尽管图13示出了存储器封装730、740和750仅被设置在印刷电路板710的第一表面(例如，前表面)上的示例，但是示例实施例不限于此，并且存储器封装还可以被设置在印刷电路板710的与第一表面相对的第二表面(例如，后表面)上。
图14、图15、图16和图17是示出图1中在内部监控温度信息的示例和图1中自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例的流程图。图14和图16示出了在内部监控温度信息的示例，图15和图17示出了自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例。
参考图13和图14，当存储控制器720在内部监控温度信息时(步骤S200)，多个存储器封装730、740和750中的至少一个可以被选为参考存储器封装(步骤S210)。例如，可以选择多个存储器封装当中最靠近存储控制器而设置的存储器封装作为参考存储器封装。在图13的布置中，第一存储器封装730可以被选择为参考存储器封装。在一些示例实施例中，可以选择两个或更多个存储器封装作为参考存储器封装。
可以仅监控参考存储器封装的参考封装温度信息(步骤S211)。例如，可以仅监控包括在参考存储器封装中的至少一些(例如，全部或一些)非易失性存储器的温度信息。换句话说，可以仅监控来自多个非易失性存储器中的一些非易失性存储器的温度信息。
参考图15，当存储控制器720自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数时(步骤S400)，可以基于参考封装温度信息来改变操作参考存储器封装所需的驱动参数(例如，包括在参考存储器封装中的非易失性存储器的驱动参数)(步骤S470)，并且可以基于参考封装温度信息和预定义表来改变操作除了参考存储器封装之外的剩余存储器封装所需的驱动参数(例如，包括在剩余存储器封装中的非易失性存储器的驱动参数)(步骤S471)。例如，在编程/读取操作期间，可以仅周期性地检查参考存储器封装的温度信息，并且可以使用预定义表在其他存储器封装上执行温度补偿而不检查其温度信息。预定义表可以包括每一个封装和/或存储器的根据参考温度信息的对应温度信息。
步骤S470和S471中的每一个可以用参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述的示例中的至少一个来实施。
参考图16，当温度信息被在内部监控时(步骤S200)，多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器可以被选择为参考非易失性存储器(步骤S220)。例如，参考非易失性存储器可以是包括在特定存储器封装中的特定非易失性存储器，可以是包括在几个存储器封装中的几个非易失性存储器，或者可以是包括在特定存储器封装中的几个非易失性存储器。
可以仅监控参考非易失性存储器的参考存储器温度信息(步骤S221)。换句话说，可以仅监控来自多个非易失性存储器中的一些非易失性存储器的温度信息。
参考图17，当多个驱动参数中的至少一个驱动参数自适应地改变时(步骤S400)，可以基于参考存储器温度信息来改变操作参考非易失性存储器所需的驱动参数(步骤S480)，并且可以基于参考存储器温度信息和预定义表来改变操作除了参考非易失性存储器之外的剩余非易失性存储器所需的驱动参数(步骤S481)。步骤S480和S481中的每一个可以用参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述的示例中的至少一个来实施。
在一些示例实施例中，参考图14和图15描述的示例和参考图16和图17描述的示例可以进行组合以实施根据示例实施例的操作存储设备的方法。
图18是示出根据示例实施例的操作存储设备的方法的流程图。将省略与图1重复的描述。
参考图18，根据示例实施例的存储设备包括存储控制器和多个非易失性存储器，每一个非易失性存储器包括温度传感器。存储设备还可以包括设定温度传感器，该设定温度传感器不同于、区别于和差别于多个非易失性存储器的温度传感器。
在根据示例实施例的操作存储设备的方法中，图18中的步骤S100、S150、S200和S300可以分别与图1中的步骤S100、S150、S200和S300基本相同。
当已经达到温度检查周期时(步骤S100：是)，利用集成在其中的温度传感器对至少一个存储器封装的温度信息进行内部监控(步骤200)，并且使用设定温度传感器对存储设备的设定温度信息进行内部监控(步骤S500)。步骤S500可以类似于步骤S200，除了使用设定温度传感器之外。
基于监控的温度信息、监控的设定温度信息和获得的待机时间信息中的至少一个，自适应地改变操作多个非易失性存储器(或存储器封装)所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数(步骤S400a)。对于每一个非易失性存储器(或每一个存储器封装)，自适应地和选择性地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数。图18中的步骤S400a可以类似于图1中的步骤S400，除了还使用设定温度传感器之外。
图19是存储控制器和多个存储器封装被设置在根据示例实施例的存储设备中的示例的平面图，每一个存储器封装具有至少一个非易失性存储器。将省略与图13重复的描述。
参考图19，图19的存储设备可以与图13的存储设备基本相同，除了图19的存储设备还包括设定温度传感器STS之外。
与包括在多个非易失性存储器732、734、743、744、752和754中的每一个中的温度传感器TS不同，设定温度传感器STS可以不包括在存储控制器720或多个非易失性存储器732、734、743、744、752和754中，并且可以单独地形成且安装在印刷电路板710上。例如，与多个非易失性存储器732、734、743、744、752和754中的每一个的温度传感器TS相比，设定温度传感器STS可以被设置为相对更靠近存储控制器720。
设定温度传感器STS和多个存储器封装730、740和750之间的距离可以彼此不同。如图19所示，设定温度传感器STS和存储器封装730之间的距离可以是第一距离d1，并且设定温度传感器STS和存储器封装750之间的距离可以是比第一距离d1更长的第二距离d2。例如，第一距离d1可以比参考距离更短，并且第二距离d2可以比参考距离更长。对于另一示例，第一距离d1可以比第一参考距离更短，并且第二距离d2可以比第二参考距离更长，第二参考距离比第一参考距离更长。
图20、图21、图22和图23是示出图18中自适应地改变多个驱动参数中的至少一个驱动参数的示例的流程图。
参考图19和图20，当多个驱动参数中的至少一个驱动参数自适应地改变时(步骤S400a)，可以基于设定温度信息来改变操作第一存储器封装所需的驱动参数(步骤S490)，并且可以基于第一温度信息来改变操作第二存储器封装所需的驱动参数(步骤S491)。设定温度传感器和第一存储器封装之间的距离可以比参考距离更短，并且设定温度传感器和第二存储器封装之间的距离可以比参考距离更长。可以从第二存储器封装获得第一温度信息。换句话说，可以通过利用设定温度传感器的设定温度信息来替换相对靠近设定温度传感器STS的存储器封装(或其中的至少一个非易失性存储器)的温度信息，并且可以通过检查其自身的温度信息来应用相对远离设定温度传感器的存储器封装(或其中的至少一个非易失性存储器)的温度信息。
参考图19和图21，当多个驱动参数中的至少一个驱动参数自适应地改变时(步骤S400a)，图21中的步骤S490可以与图20中的步骤S490基本相同。可以基于设定温度信息和预定义表来改变第二存储器封装的驱动参数(步骤S492)。换句话说，可以根据设定温度传感器的温度、参考预定义表来应用相对远离设定温度传感器STS的存储器封装的温度信息。
参考图22，当多个驱动参数中的至少一个驱动参数自适应改变时(步骤S400a)，图22中的步骤S490可以与图20中的步骤S490基本相同。可以基于第一温度信息和预定义表来改变第二存储器封装的驱动参数(步骤S493)。预定义表可以包括根据第一温度信息的温度的补偿温度。
参考图19和图23，多个驱动参数中的至少一个驱动参数自适应地改变(步骤S400a)，可以基于设定温度信息来改变操作第三存储器封装所需的驱动参数(步骤S494)，可以基于参考存储器温度信息来改变操作第四存储器封装所需的驱动参数(步骤S495)，并且可以基于设定温度信息、参考存储器温度信息和预定义表来改变操作第五存储器封装所需的驱动参数(步骤S496)。设定温度传感器STS和第三存储器封装之间的距离可以比第一参考距离更短，设定温度传感器STS和第四存储器封装之间的距离可以比第二参考距离更长，第二参考距离比第一参考距离更长，并且设定温度传感器STS和第五存储器封装之间的距离可以在第一参考距离和第二参考距离之间。可以从第四存储器封装获得参考存储器温度信息。
图20、图21、图22和图23中的步骤S490、S491、S492、S493、S494、S495和S496中的每一个可以用参考图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12描述的示例中的至少一个来实施。
尽管已经针对非易失性存储器描述了图20、图21、图22和图23的示例，但是示例实施例不限于此，并且图20、图21、图22和图23的示例可以针对存储器封装来实施。
如本领域技术人员将理解的，本发明构思可以体现为系统、方法、计算机程序产品，和/或计算机程序产品可以体现在具有在其上体现的计算机可读程序代码的一个或多个计算机可读介质中。计算机可读程序代码可以被提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或计算机可读存储介质。计算机可读存储介质可以是可以包含或存储由指令执行系统、装置或设备使用或与其结合使用的程序的任何有形介质。例如，计算机可读介质可以是非暂时性计算机可读介质。
图24是示出包括根据示例实施例的存储设备的存储服务器的框图。
参考图24，存储服务器1100可以包括服务器1110、存储用于操作服务器1110的数据的多个存储设备1000、以及用于控制多个存储设备1000的独立驱动器冗余阵列(redundant array of independent drives，RAID)控制器1150。
RAID技术主要用于其中可以在多个存储设备的不止一个位置复制重要数据的数据服务器。RAID控制器1150可以根据RAID信息启用多个RAID级别之一，并且可以在服务器1110和多个存储设备1000之间联系(interface)数据。
多个存储设备1000中的每一个可以包括含有时期测量器PM的存储控制器1010、含有温度传感器TS的多个非易失性存储器1020、以及缓冲存储器1030。多个存储设备1000中的每一个可以对应于根据示例实施例的存储设备300，并且可以根据上面参考图1至图23描述的示例实施例来操作。服务器1110可以对应于图2的主机200，并且可以控制多个存储设备1000。
本发明构思可以被应用于各种电子设备和/或系统，包括存储设备和存储系统。例如，本发明构思可以被应用于诸如移动电话、智能电话、平板计算机、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数字相机、便携式游戏控制台、音乐播放器、摄录机、视频播放器、导航设备、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、万物网(IoE)设备、电子书阅读器、虚拟现实(VR)设备、增强现实(AR)设备、机器人设备等系统。
前述内容是示例实施例的说明，不应理解为对其的限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在不实质上脱离示例实施例的新颖教导和优点的情况下，示例实施例中许多修改是可以的。因此，所有这些修改都旨在包括在权利要求中定义的示例实施例的范围内。因此，应该理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且不应该被解释为限于所公开的特定示例实施例，并且对所公开的示例实施例以及其他示例实施例的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。

Claims (20)

1.一种操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法，所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，所述方法包括：
检查是否已经达到所述多个非易失性存储器的预定温度检查周期；
响应于是否已经达到所述预定温度检查周期的检查结果，使用所述温度传感器监控所述多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的温度信息；
基于所监控的温度信息，通过应用温度加速条件来获得所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的待机时间信息；以及
基于所监控的温度信息和所获得的待机时间信息中的至少一个，改变操作所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述存储设备还包括存储控制器，所述存储控制器被配置为控制所述多个非易失性存储器的操作，并且
所述温度信息的监控由所述存储控制器执行，而无需从外部主机接收命令。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述多个驱动参数包括与所述多个非易失性存储器的防御码当中的预防码相关联的参数。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中，与所述预防码相关联的参数包括对所述多个非易失性存储器当中的第一非易失性存储器的巡检读取操作的巡检读取周期。
5.根据权利要求3所述的方法，
其中，与所述预防码相关联的参数包括对所述多个非易失性存储器当中的第一非易失性存储器的刷新操作。
6.根据权利要求3所述的方法，
其中，与所述预防码相关联的参数包括基于温度波动表的对所述多个非易失性存储器当中的第一非易失性存储器的读取操作的读取电压的电平。
7.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述多个驱动参数包括与所述多个非易失性存储器的防御码当中的恢复码相关联的参数。
8.根据权利要求7所述的方法，
其中，与所述恢复码相关联的参数包括对所述多个非易失性存储器当中的第一非易失性存储器的多个恢复算法的应用顺序。
9.根据权利要求8所述的方法，其中：
所述第一非易失性存储器包括多个存储器块，并且
对于每一个存储器块，不同地设定所述多个恢复算法的应用顺序。
10.根据权利要求8所述的方法，其中：
所述第一非易失性存储器包括多个存储器块，
所述多个存储器块中的每一个存储器块包括多个页面，并且
对于每一个页面，不同地设定所述多个恢复算法的应用顺序。
11.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述多个驱动参数包括与对所述多个非易失性存储器当中的第一非易失性存储器的编程操作的编程条件相关联的至少一个参数，或者与对所述第一非易失性存储器的擦除操作的擦除条件相关联的至少一个参数。
12.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述多个非易失性存储器被设置在多个存储器封装中，使得所述多个存储器封装中的每一个存储器封装包括所述多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器，并且
所述温度信息的监控包括：
从所述多个存储器封装当中选择第一存储器封装作为参考存储器封装；以及
仅监控所述第一存储器封装，以从包括在所述第一存储器封装中的至少一个非易失性存储器获得第一温度信息作为所述温度信息。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中，所述多个驱动参数的改变包括：
基于所述第一温度信息，改变操作所述第一存储器封装所需的驱动参数；以及
基于所述第一温度信息和预定义表，改变操作除了所述第一存储器封装之外的每一个剩余存储器封装所需的驱动参数。
14.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述温度信息的监控包括：
从所述多个非易失性存储器当中选择第一非易失性存储器作为参考非易失性存储器；以及
仅监控所述第一非易失性存储器以从所述第一非易失性存储器获得第一温度信息作为所述温度信息。
15.根据权利要求14所述的方法，
其中，所述多个驱动参数中的至少一个驱动参数的改变包括：
基于所述第一温度信息，改变操作所述第一非易失性存储器所需的驱动参数；以及
基于所述第一温度信息和预定义表，改变操作除了所述第一非易失性存储器之外的每一个剩余非易失性存储器所需的驱动参数。
16.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述存储设备还包括设置在所述存储控制器和所述多个非易失性存储器之间的设定温度传感器，并且
所述方法还包括：
响应于所述检查结果，使用所述设定温度传感器监控所述存储设备的设定温度信息。
17.根据权利要求16所述的方法，
其中，所述多个驱动参数中的至少一个驱动参数的改变包括：
基于所述设定温度信息改变操作第一非易失性存储器所需的驱动参数，所述设定温度传感器和所述第一非易失性存储器之间的距离比参考距离更短。
18.根据权利要求17所述的方法，
其中，所述多个驱动参数中的至少一个驱动参数的改变还包括：
基于预定义表以及所述设定温度信息和所述温度信息之一来改变操作第二非易失性存储器所需的驱动参数，所述设定温度传感器和所述第二非易失性存储器之间的距离比参考距离更长。
19.一种存储设备，包括：
多个非易失性存储器，所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器；以及
存储控制器，被配置为控制所述多个非易失性存储器的操作，从而：检查是否已经达到所述多个非易失性存储器的预定温度检查周期，响应于是否已经达到所述预定温度检查周期的检查结果而使用所述温度传感器监控所述多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的温度信息，基于所监控的温度信息、通过应用温度加速条件来获得所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的待机时间信息，以及基于所监控的温度信息和所获得的待机时间信息中的至少一个来改变操作所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
20.一种存储系统，包括：
主机；以及
存储设备，所述存储设备通过所述主机被访问并且包括多个非易失性存储器和存储控制器，所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器包括温度传感器，所述存储控制器被配置为控制所述多个非易失性存储器的操作，
其中，所述存储控制器被配置为：检查是否已经达到所述多个非易失性存储器的预定温度检查周期，响应于是否已经达到所述预定温度检查周期的检查结果而使用所述温度传感器监控所述多个非易失性存储器中的至少一个非易失性存储器的温度信息，基于所监控的温度信息、通过应用温度加速条件来获得所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器的待机时间信息，以及基于所监控的温度信息和所获得的待机时间信息中的至少一个来改变操作所述多个非易失性存储器中的每一个非易失性存储器所需的多个驱动参数中的至少一个驱动参数。
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