CN112082968B - 一种太赫兹微流控传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太赫兹微流控传感器，包括从下到上依次设置的基底、金属反射镜面、金属微结构和盖层，所述盖层与所述金属反射镜面之间形成微流通道；所述金属微结构为超材料，所述超材料包括多个四环结构，各所述四环结构周期排布，所述四环结构包括四个同心的正方形环，四个所述正方形环的边长依次增大。本发明将超材料同微流通道结合，将样品注入盖层和金属反射镜面之间时，增强了局域电场，提高了样品对太赫兹的吸收率，提高了传感器的灵敏度。另外本传感器具有高度对称性即四倍对称，因此对入射太赫兹波具有偏振不敏感性。
Description
技术领域
本发明涉及太赫兹检测技术领域，特别是涉及一种太赫兹微流控传感器。
背景技术
太赫兹波是指频率在0.1～10THz范围内的电磁波，介于微波与红外之间。与其他频段的电磁波相比，太赫兹波具有许多独特优势。就生物传感而言，太赫兹光子的能量较低，不易对生物物质造成破坏。另外生物大分子自身振动或转动能量的频率恰好位于太赫兹波段，当有机分子相互作用时，会在太赫兹波段呈现强烈的吸收、色散特性。因此太赫兹波在生物医学、生物传感等方面发挥重要作用，具有广阔应用前景。
超材料是一种周期性排列的新型人工复合电磁材料，可以通过特殊的结构单元对磁场或电场产生谐振，从而实现特殊电磁特性。这种性质主要取决于结构单元的几何形状，而非其组成元素本身的物理性质，对传感器件而言有着非常大的设计空间。另外，超材料对周围环境的介电性质的变化非常敏感，并且对电磁场的局域性加强显示出很强的光谱特征，因此超材料可以应用于分析物的检测。太赫兹超材料生物传感器具有免标记、响应快、灵敏度高、成本低等优点，在生物微量检测领域具有很大潜力。太赫兹超材料生物传感器主要有吸波体和超表面两种典型结构，通过对太赫兹超材料吸波体和太赫兹超表面的传感灵敏度进行对比研究，表明超材料吸波器的品质因数相比采用相同谐振单元的超表面结构高了一个数量级。超材料传感器在水溶液检测方面需要克服的最大问题是水对太赫兹波的强吸收作用，微流控技术同超材料结合的方法为太赫兹生物传感器提供了一条新途径，但仍然存在Q值较低，灵敏度不高的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种太赫兹微流控传感器，以实现高Q值和高灵敏度的探测。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种太赫兹微流控传感器，包括从下到上依次设置的基底、金属反射镜面、金属微结构和盖层，所述盖层与所述金属反射镜面之间形成微流通道；所述金属微结构为超材料，所述超材料包括多个四环结构，各所述四环结构周期排布，所述四环结构包括四个同心的正方形环，四个所述正方形环的边长依次增大。
可选地，各所述正方形环之间的距离不等。
可选地，所述金属反射镜面厚200nm，材料为金、铝、银、铜、钨或者金、铝、银、铜、和钨的合金。
可选地，所述金属微结构厚0.01-0.5μm，各所述四环结构之间的周期为85μm，所述四环结构的材料与所述金属反射镜面的材料相同。
可选地，所述盖层厚50-100μm，材料为硅、石英、聚酰亚胺、含氟聚酰亚胺、聚乙烯、聚四氟乙烯或砷化镓。
可选地，所述微流通道厚7-9μm，长1000-5000μm。
可选地，所述基底厚1-500μm，材料为硅、陶瓷介质材料、晶体介质材料或半导体材料。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明公开了一种太赫兹微流控传感器，包括从下到上依次设置的基底、金属反射镜面、金属微结构和盖层，所述盖层与所述金属反射镜面之间形成微流通道；所述金属微结构为超材料，所述超材料包括多个四环结构，各所述四环结构周期排布，所述四环结构包括四个同心的正方形环，四个所述正方形环的边长依次增大。本发明将超材料同微流通道结合，将样品注入盖层和金属反射镜面之间时，增强了局域电场，提高了样品对太赫兹波的吸收率，提高了传感器的Q值和灵敏度。另外本传感器具有高度对称性即四倍对称，因此对入射太赫兹波具有偏振不敏感性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器的结构图；
图2为本发明实施例提供的四环结构的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器在四个谐振频点处的表面电流分布图；
图4为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器在检测不同折射率样品的吸收谱的仿真结果图；
图5为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器频率偏移量随折射率变化的结果图。
符号说明：1-盖层、2-金属微结构、3-微流通道、4-金属反射镜面、5-基底。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种太赫兹微流控传感器，以实现高Q值和高灵敏度的探测。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器的结构图，如图1所示，本传感器包括从下到上依次设置的基底5、金属反射镜面4、金属微结构2和盖层1，盖层1与金属反射镜面4之间形成微流通道3，金属微结构2为超材料。图2为本发明实施例提供的四环结构的结构示意图，如图2所示，金属微结构2即超材料包括多个四环结构，各四环结构周期排布，四环结构包括四个同心的正方形环，四个正方形环的边长依次增大。
优选地，各正方形环之间的距离不等。
优选地，金属微结构2厚0.01-0.5μm，各四环结构之间的周期为85μm，四环结构的材料为金、铝、银、铜、钨或者金、铝、银、铜、和钨的合金。盖层1厚50-100μm，材料为硅、石英、聚酰亚胺、含氟聚酰亚胺、聚乙烯、聚四氟乙烯或砷化镓。微流通道3厚7-9μm，长1000-5000μm。基底5厚1-500μm，材料为硅、陶瓷介质材料、晶体介质材料或半导体材料。
本发明的原理如下：
本发明主要针对生物方面的微量液体样品进行传感检测。利用超材料对周围环境的介电性质的变化非常敏感且对电磁场的局域性加强显示出很强的光谱特征的特性、太赫兹波不易对生物物质造成破坏以及生物大分子在太赫兹波段的指纹特性这三大特性，实现对液体样品的定量定性检测。
使用时，在盖层1与金属反射镜面4之间注入待测样品，太赫兹波垂直于盖层1入射本传感器。由于微流通道3设置在了盖层1与金属反射镜面4之间，增加了样品与超材料即金属微结构2的接触面积，加强了局域电场，太赫兹波和超材料之间的共振吸收作用增强。另外由于金属微结构阵列2包括多个四环结构，四环结构作为基本谐振单元，具有高度对称性即四倍对称，因此四环结构形成了四个谐振峰，且可以在四环基础上叠加更多的同心方环以获得更多的谐振峰，实现多谐振检测。
另外，由于本传感器中的金属微结构2是高度对称的，对入射太赫兹波具有偏振不敏感性，响应与太赫兹波的偏振方向无关，避免了使用时因传感器放错方向导致的测试不准确问题。
在本实施例中，基底5上还设置有金属反射镜面4，金属反射镜面4的厚度大于太赫兹在金属中的趋肤深度，优选地，金属反射镜面4厚200nm，材料与金属微结构2的材料相同。当太赫兹波照射时，由于金属反射镜面4厚度大于太赫兹在金属中的趋肤深度，因此不会产生透射，太赫兹波会经由金属反射镜面4反射回去。整个过程中，太赫兹波与被测样品有两次接触，增强了样品对太赫兹波的吸收，反射的太赫兹波携带了更多的样品信息，传感器的检测精度和灵敏度进一步得到提高。
本实施例中，还利用了电磁仿真软件CST(三维电磁场仿真软件)对本传感器的灵敏度进行了验证。传感器参数设置为：l1＝81μm，l2＝72μm，l3＝56μm，l4＝42μm，p＝85μm，tc＝50μm，t＝0.2μm，h＝6.5μm，w＝2μm。图3为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器在四个谐振频点处的表面电流分布图，其中微流通道3内物质为折射率为1的空气。四个谐振频点分别为f1＝0.515THz、f2＝0.715THz、f3＝0.984THz和f4＝1.363THz。图中(a)、(b)、(c)和(d)表示为4个谐振峰对应的谐振频点处传感器的表面电流分布。从图3(a)中看出此处的谐振主要受第一方环(边长最长方环)的影响，但由于第一个方环和第二个方环(边长次长方环)之间的间隙太小，环间电容对此处的谐振峰产生一定影响。同理也对图3(b)处的谐振产生一定影响。可知每个谐振频点处的谐振主要由对应的方环引起，但环间电容也会造成一定影响。从图3中还可以看到，环与环之间的表面电流方向相反，这种电流分布情况对自由空间的耦合作用很弱，样品对太赫兹的吸收很强，传感器灵敏度高。
图4为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器在检测不同折射率样品的吸收谱的仿真结果图。如图4所示，当折射率n＝2时，除第二个谐振频点处外其余谐振峰均达到80％以上的吸收。当样品的折射率从1到2变化时，传感器的谐振峰有非常明显的变化，出现了明显的红移现象。说明本传感器可以将微小的折射率变化转变成明显的频移的现象，只需要通过频移的改变就可以检测样品。
使用品质因子Q来表征传感器的光学共振性能。Q＝f0/FWHM，f0表示谐振频率，FWHM表示吸收峰的半高宽。从图4中可知每个吸收峰的半高宽，分别为0.024THz、0.042THz、0.037THz、0.043THz，由此可得到各频点处的Q值分别为21.458、17.024、26.595、31.698。可知本传感器具有较高Q值。
使用归一化灵敏度S’表征传感器性能优劣。S’＝Δf/(Δn*f0)，单位为RIU-1，RIU为单元折射率(RefractiveIndexUnit)，Δf为谐振频率移动量，Δn为折射率变化量，f0为谐振频率。图5为本发明实施例提供的一种太赫兹微流控传感器频率偏移量随折射率变化的结果图。从图5中可看出最高归一化灵敏度为0.32/RIU。可知本传感器灵敏度较高。
使用品质因数FOM来定量评估传感器性能，即传感器同时保证高灵敏度和高品质因子的程度。FOM＝S/FWHM，S为灵敏度，FWHM为吸收峰的半高宽。可以计算出每个谐振频点处的FOM值分别为5.542、4.652、8.432和9.349。说明本传感器在保持较高Q值的同时可以较好的保持灵敏度。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
(1)本发明将超材料同微流通道结合，将样品注入盖层和金属反射镜面之间时，增强了局域电场，提高了样品对太赫兹的吸收率，提高了传感器的Q值和灵敏度。
(2)本发明采用四个同心方环组成的周期结构作为谐振单元，形成了四个谐振峰，由于其高度对称性，具有偏振不敏感性。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (2)
1.一种太赫兹微流控传感器，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、金属反射镜面、金属微结构和盖层，所述盖层与所述金属反射镜面之间形成微流通道；所述金属微结构为超材料，所述超材料包括多个四环结构，各所述四环结构周期排布，所述四环结构包括四个同心的正方形环，四个所述正方形环的边长依次增大；
各所述正方形环之间的距离不等；
由于金属微结构阵列包括多个四环结构，四环结构作为基本谐振单元，具有高度对称性即四倍对称，因此四环结构形成了四个谐振峰；
在所述盖层与所述金属反射镜面之间注入待测样品，太赫兹波垂直于盖层入射本传感器；
所述基底上还设置有所述金属反射镜面，所述金属反射镜面的厚度大于太赫兹在金属中的趋肤深度，所述金属反射镜面厚200nm，材料与所述金属微结构的材料相同；
所述金属微结构厚0.01-0.5μm，各所述四环结构之间的周期为85μm，所述四环结构的材料与所述金属反射镜面的材料相同；
所述金属反射镜面厚200nm，材料为金、铝、银、铜、钨或者金、铝、银、铜、和钨的合金；
所述盖层厚50-100μm，材料为硅、石英、聚酰亚胺、含氟聚酰亚胺、聚乙烯、聚四氟乙烯或砷化镓；
所述微流通道厚7-9μm，长1000-5000μm；
利用三维电磁场仿真软件对本传感器的灵敏度进行验证，传感器参数设置为：l1＝81μm，l2＝72μm，l3＝56μm，l4＝42μm，p＝85μm，tc＝50μm，t＝0.2μm，h＝6.5μm，w＝2μm；其中微流通道内物质为折射率为1的空气；
使用品质因子Q来表征传感器的光学共振性能；Q＝f0/FWHM，f0表示谐振频率，FWHM表示吸收峰的半高宽，每个吸收峰的半高宽，分别为0.024THz、0.042THz、0.037THz、0.043THz，由此可得到各频点处的Q值分别为21.458、17.024、26.595、31.698，可知传感器具有较高Q值；
使用品质因数FOM来定量评估传感器性能，FOM＝S/FWHM，S为灵敏度，FWHM为吸收峰的半高宽，计算出每个谐振频点处的FOM值分别为5.542、4.652、8.432和9.349。
2.根据权利要求1所述的太赫兹微流控传感器，其特征在于，所述基底厚1-500μm，材料为硅、陶瓷介质材料、晶体介质材料或半导体材料。
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| CN113030006B (zh) * | 2021-03-08 | 2022-03-25 | 西南科技大学 | 具有不规则u型金属微结构的反射型太赫兹微流传感器 |
| CN113049524B (zh) * | 2021-03-10 | 2022-04-05 | 西南科技大学 | 一种具有金属方形谐振阵列的太赫兹微流传感器 |
| CN113030003B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-08-30 | 厦门大学 | 一种基于厚度复用薄层宽带太赫兹指纹痕量检测传感器 |
| CN113390819B (zh) * | 2021-06-11 | 2022-12-06 | 西南科技大学 | 一种太赫兹传感器 |
| CN114062301B (zh) * | 2021-11-12 | 2023-08-18 | 西南科技大学 | 一种双频带超材料太赫兹微流传感器 |
| CN113933269B (zh) * | 2021-11-17 | 2024-01-09 | 中国计量大学 | 基于太赫兹指纹谱的检测食品添加剂的超材料芯片 |
| CN114279998B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-01-09 | 福州大学 | 基于类回字型太赫兹超材料的液体增强传感系统及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103499534A (zh) * | 2013-07-25 | 2014-01-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9030286B2 (en) * | 2009-04-08 | 2015-05-12 | New Jersey Institute Of Technology | Metamaterials with terahertz response and methods of making same |
| CN101702067B (zh) * | 2009-10-29 | 2011-05-11 | 电子科技大学 | 一种太赫兹波平面吸收材料 |
| US8921789B2 (en) * | 2010-09-21 | 2014-12-30 | California Institute Of Technology | Tunable compliant optical metamaterial structures |
| CN103545618B (zh) * | 2013-09-25 | 2016-01-20 | 华中科技大学 | 一种太赫兹波段宽带吸收超材料 |
| CN104360424B (zh) * | 2014-10-19 | 2017-10-31 | 北京工业大学 | 一种基于l型结构的宽带太赫兹超材料吸收器 |
| CN104681899A (zh) * | 2015-02-04 | 2015-06-03 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 基于频率选择表面结构的多通带太赫兹带通滤波器 |
| US9499908B2 (en) * | 2015-02-13 | 2016-11-22 | Eastman Kodak Company | Atomic layer deposition apparatus |
| US10782233B2 (en) * | 2016-03-11 | 2020-09-22 | The Regents Of The University Of California | Optical sensing with critically coupled planar waveguide with optional integration of layered two-dimensional materials |
| CN105896098B (zh) * | 2016-04-25 | 2019-03-01 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种基于多谐振吸收叠加的宽频带太赫兹超材料吸收器 |
| CN106645016A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | 基于l形结构超材料的透射型太赫兹微流通道传感器 |
| CN108507969A (zh) * | 2018-03-08 | 2018-09-07 | 电子科技大学 | 一种基于带隙等离子体谐振的高灵敏度太赫兹微流传感器 |
| CN209296571U (zh) * | 2018-11-02 | 2019-08-23 | 首都师范大学 | 一种太赫兹生物传感器件 |
| CN109585985B (zh) * | 2018-11-23 | 2020-05-26 | 中国计量大学 | 同心正方形分形镂空结构的太赫兹滤波器 |
| CN210535829U (zh) * | 2019-05-08 | 2020-05-15 | 南京邮电大学 | 一种基于多层结构的环形超材料吸波器 |
| CN110243470B (zh) * | 2019-07-25 | 2024-02-27 | 桂林航天工业学院 | 一种灵敏度高的太赫兹近场探测器 |
| CN110320678B (zh) * | 2019-07-30 | 2022-12-16 | 上海师范大学 | 基于钛酸锶全介质超材料的太赫兹波调制器及其制备方法 |
| CN110596037A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-20 | 张阳 | 一种通用型纳米级流体的生物分子太赫兹传感芯片的制备方法及其应用 |
| CN111029783B (zh) * | 2019-12-13 | 2021-07-20 | 天津大学 | 偏振无关的类电磁感应透明超材料 |
-
2020
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103499534A (zh) * | 2013-07-25 | 2014-01-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 微流控－超材料集成多带太赫兹传感器;张赟佳 等;《中国激光》;第46卷(第6期);第0614038:1-7页 * |
Also Published As
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