CN112525852B - 一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 - Google Patents
一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112525852B CN112525852B CN202011518234.7A CN202011518234A CN112525852B CN 112525852 B CN112525852 B CN 112525852B CN 202011518234 A CN202011518234 A CN 202011518234A CN 112525852 B CN112525852 B CN 112525852B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonance part
- resonance
- layer
- thickness
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 210000000438 stratum basale Anatomy 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
- G01N21/3586—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器，包括单元结构和基底层，所述单元结构的内部设置有开口谐振环，且开口谐振环的内部设置有顶层金属结构，所述顶层金属结构的下方设置有中间介电层，所述中间介电层的下方设置有底层金属层，且底层金属层的下方设置有基底层。该基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器通过分析了覆盖样品的厚度对吸收器灵敏度和吸收系数的影响，综合考虑选择样品厚度为15μm，使得该传感器对附着在其上面的待测分析物有着很高的敏感性，一般的超材料传感器对厚的薄膜覆盖物灵敏度很低，但是该超材料不仅对较薄的分析物表现出不错的敏感性，并且也对十几个微米厚的厚薄膜分析物表现出高敏感性。
Description
技术领域
本发明涉及生物传感器技术领域，具体为一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器。
背景技术
太赫兹波是指频率在0.1THz-10THz之间的电磁波，其特殊位置使其具有独特的性质，如低能性、高透性、指纹谱特性等，广泛应用于通信、爆炸物检测、成像、生物信息提取以及医学诊断等领域。超材料作为新型的亚波长人工复合材料，具有自然材料无法实现的特殊性质，如负折射率，负介电常数等。因此，超材料有着广泛的应用，如隐形、生物传感、吸波材料、天线等。近年来，超材料吸收器逐渐在太赫兹传感领域得到应用。
现有的，生物传感器灵敏度较低，并且生物传感器容易对生物物质造成破坏，无法实现对液体样品的定量定性检测作用，不能很好的满足人们的使用需求，针对上述情况，我们提供一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器，以解决上述背景技术中提出现有的生物传感器灵敏度较低，并且生物传感器容易对生物物质造成破坏，无法实现对液体样品的定量定性检测作用，不能很好的满足人们的使用需求问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器，包括单元结构和基底层，所述单元结构的内部设置有开口谐振环，且开口谐振环的内部设置有顶层金属结构，所述顶层金属结构的下方设置有中间介电层，所述中间介电层的下方设置有底层金属层，且底层金属层的下方设置有基底层。
优选的，所述单元结构的内部参数设置为l1、l2、g、s和P，且l1＝75μm，并且l2＝40μm，同时s＝25μm，所述g＝10μm，且P＝110μm。
优选的，所述开口谐振环关于单元结构内部的中心点呈对称分布，且开口谐振环的厚度设置为w，并且w＝5μm。
优选的，所述顶层金属结构和底层金属层的材质均设置为金材质，且顶层金属结构和底层金属层的厚度均设置为h,并且h＝200nm，同时顶层金属结构和底层金属层的电导率为4.56*10^7S/m。
优选的，所述中间介电层的材质设置为聚乙烯，且中间介电层的厚度设置为t，并且t＝12μm，同时中间介电层的介电常数为2.1+j0.01。
优选的，所述基底层的材质设置为高阻硅，且基底层的厚度设置为500μm。
优选的，所述单元结构的单元周期设置为36μm，且单元结构的厚度设置为25μm，并且单元结构的金属反射层厚度设置为200nm。
优选的，所述单元结构使用CST MICROWAVE STUDIO 2018进行数值建模仿真，在x-y平面设置周期边界条件，在Z平面设置开放边界条件，电磁波沿x轴偏振，沿z轴从顶层入射。
优选的，所述单元结构在0.53THz处有接近完美的吸收峰，吸收系数为99％，且定义Q＝f0/FWHM以此来反映传感器的共振特性，计算可得该传感器Q＝44.17。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1、通过设置的单元结构和超材料吸收器结构相结合，增强了局域电场，灵敏度和吸收率得到提高；采用对称型方形开口谐振环结构作为谐振单元，增强了太赫兹波与待测物质之间的相互作用，具有高Q值和高灵敏度；
2、通过设置的顶层金属结构和底层金属层，金材质的电导率较大，提高传感器的导电率；通过设置的中间介电层,聚乙烯耐用度高；通过设置的基底层，高阻硅能够提高电阻；
3、使用商业仿真软件CST MICROWAVE STUDIO进行了数值仿真，超材料吸收器在0.53THz处产生了一个Q值为44.17的吸收为99％的近乎完美吸收的谐振峰，当覆盖在吸收器表面的一定厚度样品的折射率在1-2范围内变化时，该吸收器的折射率灵敏度为126GHz/RIU，FOM为10.5，可用作折射率传感器；
4、通过分析了覆盖样品的厚度对吸收器灵敏度和吸收系数的影响，综合考虑选择样品厚度为15μm，使得该传感器对附着在其上面的待测分析物有着很高的敏感性，一般的超材料传感器对厚的薄膜覆盖物灵敏度很低，但是该超材料不仅对较薄的分析物表现出不错的敏感性，并且也对十几个微米厚的厚薄膜分析物表现出高敏感性，因此，该传感器在生物医学传感和物质的微量检测方面有潜在的应用。
附图说明
图1为本发明主视结构示意图；
图2为本发明超材料吸收器反射谱示意图；
图3为本发明样品折射率变化对传感器谐振特性的影响示意图；
图4为本发明样品的厚度变化对超材料吸收器吸收系数以及灵敏度的影响示意图；
图5为本发明超材料吸收器谐振频率下的电磁场和表面电流分布示意图；
图6为本发明中间介电层厚度对传感器谐振频率和吸收系数的影响示意图；
图7为本发明几何参数对传感器谐振特性的影响示意图。
图中：1、单元结构；2、开口谐振环；3、顶层金属结构；4、中间介电层；5、底层金属层；6、基底层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器，包括单元结构1和基底层5，单元结构1的内部设置有开口谐振环2，且开口谐振环2的内部设置有顶层金属结构3，顶层金属结构3的下方设置有中间介电层4，中间介电层4的下方设置有底层金属层5，且底层金属层5的下方设置有基底层6。
本发明中：单元结构1的内部参数设置为l1、l2、g、s和P，且l1＝75μm，并且l2＝40μm，同时s＝25μm，g＝10μm，且P＝110μm；通过设置的单元结构1和超材料吸收器结构相结合，增强了局域电场，灵敏度和吸收率得到提高。
本发明中：开口谐振环2关于单元结构1内部的中心点呈对称分布，且开口谐振环2的厚度设置为w，并且w＝5μm；采用对称型方形开口谐振环2结构作为谐振单元，增强了太赫兹波与待测物质之间的相互作用，具有高Q值和高灵敏度。
本发明中：顶层金属结构3和底层金属层5的材质均设置为金材质，且顶层金属结构3和底层金属层5的厚度均设置为h,并且h＝200nm，同时顶层金属结构3和底层金属层5的电导率为4.56*10^7S/m；通过设置的顶层金属结构3和底层金属层5，金材质的电导率较大，提高传感器的导电率。
本发明中：中间介电层4的材质设置为聚乙烯，且中间介电层4的厚度设置为t，并且t＝12μm，同时中间介电层4的介电常数为2.1+j0.01；通过设置的中间介电层4,聚乙烯耐用度高。
本发明中：基底层6的材质设置为高阻硅，且基底层6的厚度设置为500μm；通过设置的基底层6，高阻硅能够提高电阻。
本发明中：单元结构1的单元周期设置为36μm，且单元结构1的厚度设置为25μm，并且单元结构1的金属反射层厚度设置为200nm；通过设置的单元结构1提高灵敏度。
本发明中：单元结构1使用CST MICROWAVE STUDIO 2018进行数值建模仿真，在x-y平面设置周期边界条件，在Z平面设置开放边界条件，电磁波沿x轴偏振，沿z轴从顶层入射；使用商业仿真软件CST MICROWAVE STUDIO进行了数值仿真。
本发明中：单元结构1在0.53THz处有接近完美的吸收峰，吸收系数为99％，且定义Q＝f0/FWHM以此来反映传感器的共振特性，计算可得该传感器Q＝44.17；超材料吸收器在0.53THz处产生了一个Q值为44.17的吸收为99％的近乎完美吸收的谐振峰，当覆盖在吸收器表面的一定厚度样品的折射率在1-2范围内变化时，该吸收器的折射率灵敏度为126GHz/RIU，FOM为10.5，可用作折射率传感器。
请参阅图2吸收器在0.53THz处产生了一个半高宽为0.012THz的谐振峰，反射系数约为1％。根据吸收系数的计算公式：A＝1-R-T，其中R为反射系数，T为透射系数。由于超材料吸收器中底层金属层5厚度为200nm，大于太赫兹波在金属中的趋肤深度，因此不存在透射即S21＝0。因此该传感器在0.53THz处有接近完美的吸收峰，吸收系数为99％。定义Q＝f0/FWHM以此来反映传感器的共振特性，计算可得该传感器Q＝44.17。
请参阅图3表示样品折射率变化对传感器谐振特性的影响。模拟了该吸收器表面覆盖一定厚度不同折射率样品的反射光谱，如图3(a)所示。当样品厚度固定为15μm，折射率从1-2以0.2的步长变化时，吸收器的谐振峰出现红移现象即像低频移动，且传感器的反射系数逐渐增大；这是因为覆盖在超材料吸收器表面的样品折射率的变化导致周围的介电环境发生改变，超材料敏感地感受到这种改变，并将其转化为光信号的变化。分析了该超材料吸收器的谐振频移随样品折射率变化的关系，即折射率灵敏度S＝Δf/Δn，如图3(b)所示，传感器灵敏度为126GHz/RIU，因此该传感器FOM值为10.5。
请参阅图4表示研究了样品的厚度变化对超材料吸收器吸收系数以及灵敏度的影响，如图4所示，样品厚度在0-18μm范围内。当样品厚度相同而折射率不同时，随着折射率的降低，吸收器的吸收系数降低，样品厚度与吸收系数之间无线性关系。随着样品厚度的增加，吸收器的灵敏度增加，但增加趋势逐渐趋于平缓。综合考虑，选择样品厚度为15μm。
请参阅图5为超材料吸收器在谐振频率下的电磁场和表面电流分布，其中图5(a)、(c)、(e)为传感器表面无样品时的电磁场和表面电流分布，(b)、(d)、(f)为传感器表面覆盖15μm厚样品时的电磁场分布。可以看到，电场局域在两线间隙处，磁场局域在金属线上。线间电流相向流动，这种电流分布情况对自由空间的耦合作用很弱，更容易增强吸收，提高灵敏度。传感器表面覆盖15μm厚样品时的电磁场强度明显小于无样品时传感器产生的电磁场强度，表面电流密度减小。这是因为在吸波器表面覆盖样品时，引起了超材料结构电容的改变，根据f＝1/√Lc，电容改变使谐振频率改变。同时太赫兹波入射经过样品层时发生更多损耗，因此其电磁场以及表面电流强度减小。
请参阅图6表示研究了介电层厚度对传感器谐振频率和吸收系数的影响。传感器介电层厚度从6-15μm以1μm的步长变化，结果如图6所示。可以看到，传感器的谐振频率随介电层厚度的增大向高频移动，当介电层厚度t>10μm时，谐振频率几乎不变。传感器的吸收系数随介电层厚度的增大而先增后减，在t＝12μm时，对应的吸收系数最大。因此介电层厚度为12μm时传感器性能最优。研究了金属结构的几何参数g、s、w对传感器谐振特性的影响，结果如图7所示。首先研究线宽w对传感器谐振特性的影响，如图7(a)所示：当s＝30μm、g＝10μm，w以1μm的步长从1μm向10μm变化时，传感器的谐振峰向高频移动，吸收系数先增加后减小，在w＝5μm时达到最佳。如图7(b)所示，当s＝30μm、w＝5μm时，线间隙g以1μm的步长从5μm向15μm变化时，传感器的谐振峰向高频移动，吸收系数以g＝10μm为对称轴两边对称，在g＝10μm时达到最佳。最后研究y方向上的间距s对传感器谐振特性的影响，如图7(c)所示，当w＝5μm、g＝10μm时，s从21μm到29μm以2μm步长变化，传感器的谐振峰向高频移动，吸收系数先增加后减小，在s＝25μm时达到最佳。
相较于现有传感器，本发明中传感器在0.53THz处产生了一个吸收近乎完美的99％的谐振峰，Q值为44.17。在该吸收器表面覆盖一定厚度的折射率变化范围为1-2的样品时，其折射率灵敏度为126GHz/RIU，FOM为10.5，该超材料吸收器可作为折射率传感器。通过吸收器表面有无覆盖物的电磁场和表面电流分布情况，分析了谐振峰的移动以及吸收系数变化的原因。同时分析了覆盖样品的厚度对吸收器灵敏度和吸收系数的影响，综合两者的变化情况以及样品用量等各方面的考虑，选择样品厚度为15μm。该传感器对附着在其上面的待测分析物有着很高的敏感性，一般的传感器对厚的薄膜覆盖物灵敏度很低，但是该超传感器不仅对较薄的分析物表现出不错的敏感性，并且也对十几微米厚的厚薄膜分析物表现出高敏感性。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (1)
1.一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器，包括单元结构(1)和基底层(6)，其特征在于：所述单元结构(1)的内部设置有开口谐振环(2)，且开口谐振环(2)的内部设置有顶层金属结构(3)，所述顶层金属结构(3)的下方设置有中间介电层(4)，所述中间介电层(4)的下方设置有底层金属层(5)，且底层金属层(5)的下方设置有基底层(6)；
开口谐振环(2)分为关于单元结构(1)内部的中心点呈对称分布的两部分，其中一部分包括依次连接的第一谐振部、第二谐振部、第三谐振部、第四谐振部和第五谐振部，另一部分包括依次连接的第六谐振部、第七谐振部、第八谐振部、第九谐振部和第十谐振部，第一谐振部、第八谐振部、第十谐振部、第五谐振部、第三谐振部和第六谐振部按顺序相互平行，第一谐振部、第三谐振部垂直于第二谐振部且位于第二谐振部同一侧，第三谐振部、第五谐振部垂直于第四谐振部且位于第四谐振部同一侧，单元结构的内部参数设置为l1、l2、g、s和P，且l1＝75μm，并且l2＝40μm，同时s＝25μm，所述g＝10μm，且P＝110μm，其中l1为第二、七谐振部长度，l2为第三、八谐振部长度，g为第五谐振部与第十谐振部距离，s为第四谐振部与第七谐振部距离，P为单元结构长度；且谐振部宽度为w，并且w＝5μm，采用对称型方形开口谐振环(2)结构作为谐振单元，增强了太赫兹波与待测物质之间的相互作用，具有高Q值和高灵敏度；
所述顶层金属结构(3)和底层金属层(5)的材质均设置为金材质，且顶层金属结构(3)和底层金属层(5)的厚度均设置为h,并且h＝200nm，同时顶层金属结构(3)和底层金属层(5)的电导率为4.56*10^7S/m；
所述中间介电层(4)的材质设置为聚乙烯，且中间介电层(4)的厚度设置为t，并且t＝12μm，同时中间介电层(4)的介电常数为2.1+j0.01；
所述基底层(6)的材质设置为高阻硅，且基底层(6)的厚度设置为500μm；
所述单元结构(1)的单元周期设置为36μm，且单元结构(1)的厚度设置为25μm，并且单元结构(1)的金属反射层厚度设置为200nm；
所述单元结构(1)使用CSTMICROWAVESTUDIO2018进行数值建模仿真，在x-y平面设置周期边界条件，在Z平面设置开放边界条件，电磁波沿x轴偏振，沿z轴从顶层入射；
所述单元结构(1)在0.53THz处有吸收峰，吸收系数为99％，且定义Q＝f0/FWHM以此来反映传感器的共振特性，计算可得该传感器Q＝44.17。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011518234.7A CN112525852B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011518234.7A CN112525852B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112525852A CN112525852A (zh) | 2021-03-19 |
| CN112525852B true CN112525852B (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=75002115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011518234.7A Active CN112525852B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112525852B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113670848B (zh) * | 2021-08-23 | 2022-08-02 | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 | 基于像素化结构的高分辨率宽带太赫兹探测器和探测方法 |
| CN114002161B (zh) * | 2021-09-13 | 2023-12-05 | 桂林航天工业学院 | 一种微颗粒片上偏振传感器 |
| CN114062301B (zh) * | 2021-11-12 | 2023-08-18 | 西南科技大学 | 一种双频带超材料太赫兹微流传感器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101694558A (zh) * | 2009-10-21 | 2010-04-14 | 电子科技大学 | 一种用于太赫兹波调制的超材料结构 |
| CN101702067A (zh) * | 2009-10-29 | 2010-05-05 | 电子科技大学 | 一种太赫兹波平面吸收材料 |
| CN107275796A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-20 | 华中科技大学 | 一种太赫兹波吸波体、制备方法及应用 |
| CN110247289A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-09-17 | 桂林航天工业学院 | 一种便于调频的太赫兹调制器 |
| CN111929271A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-13 | 电子科技大学 | 基于中心对称f形谐振器的太赫兹超材料传感器 |
| CN112082968A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-15 | 西南科技大学 | 一种太赫兹微流控传感器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8271241B2 (en) * | 2005-01-18 | 2012-09-18 | University Of Massachusetts Lowell | Chiral metamaterials |
-
2020
- 2020-12-21 CN CN202011518234.7A patent/CN112525852B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101694558A (zh) * | 2009-10-21 | 2010-04-14 | 电子科技大学 | 一种用于太赫兹波调制的超材料结构 |
| CN101702067A (zh) * | 2009-10-29 | 2010-05-05 | 电子科技大学 | 一种太赫兹波平面吸收材料 |
| CN107275796A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-10-20 | 华中科技大学 | 一种太赫兹波吸波体、制备方法及应用 |
| CN110247289A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-09-17 | 桂林航天工业学院 | 一种便于调频的太赫兹调制器 |
| CN111929271A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-13 | 电子科技大学 | 基于中心对称f形谐振器的太赫兹超材料传感器 |
| CN112082968A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-15 | 西南科技大学 | 一种太赫兹微流控传感器 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Polarization-maintaining reflection-mode THz time-domain spectroscopy of a polyimide based ultra-thin narrow-band metamaterial absorber;Maria Denise Astorino等;SCIENTIFIC REPOrts;第8卷;1-8 * |
| Terahertz sensor with resonance enhancement based on square split-ring resonators;Zhonggang XIONG等;IEEE access;第9卷;59211-59221 * |
| 太赫兹超材料多频吸收器特性研究;张璋等;枣庄学院学报;第5卷(第36期);33-39 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112525852A (zh) | 2021-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112525852B (zh) | 一种基于开口谐振环结构的太赫兹生物传感器 | |
| CN112082968B (zh) | 一种太赫兹微流控传感器 | |
| Zhu et al. | Dual-band electromagnetically induced transparency (EIT) terahertz metamaterial sensor | |
| CN212410440U (zh) | 一种超材料太赫兹生物传感器 | |
| CN111812059A (zh) | 一种超材料太赫兹生物传感器及其制备方法 | |
| CN114062301B (zh) | 一种双频带超材料太赫兹微流传感器 | |
| CN112326589A (zh) | 一种太赫兹微流传感器 | |
| Lin et al. | Field manipulation of electromagnetically induced transparency analogue in terahertz metamaterials for enhancing liquid sensing | |
| Liu et al. | A highly sensitive D-type photonic crystal fiber infrared sensor with indium tin oxide based on surface plasmon resonance | |
| Ferdous et al. | A heptagonal PCF-based oil sensor to detect fuel adulteration using terahertz spectrum | |
| CN109557050B (zh) | 一种互补型结构的太赫兹超材料传感器 | |
| Ge et al. | Design of high-performance terahertz sensor based on metamaterials | |
| Barzegar-Parizi et al. | Terahertz all metallic perfect absorber for refractive index sensing and glucose concentration detection | |
| CN103926218A (zh) | 一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器 | |
| CN112557340A (zh) | 电磁诱导的时频双域超表面传感器 | |
| Yao et al. | Resolved terahertz spectroscopy of tiny molecules employing tunable spoof plasmons in an otto prism configuration | |
| CN114778481B (zh) | 一种基于太赫兹超材料的测微传感器及检测方法 | |
| CN214794450U (zh) | 太赫兹透射式血或尿液检测芯片 | |
| CN114264627A (zh) | 太赫兹传感器及其使用方法 | |
| CN210803272U (zh) | 一种基于太赫兹超材料的折射率传感器 | |
| CN210269695U (zh) | 一种高灵敏度人工等离激元传感器 | |
| Liang et al. | Dual-band terahertz biosensor based on reflective structure with metasurface integration | |
| Xu et al. | Plasmonic Biosensor Based on Ag-TiO 2-ZnO Gratings for Cancer Detection in the Optical Communication Band | |
| CN117451662A (zh) | 基于衬底刻蚀的多频段太赫兹超材料传感器及其使用方法 | |
| CN217954259U (zh) | 一种吸收型偏振不敏感的太赫兹生物传感器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |