CN112071735A - 气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备 - Google Patents

Abstract

一种气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备，气体调节装置设置在半导体处理设备的真空反应腔内，气体调节装置至少包含一个一级气体扩散槽和一个二级气体扩散槽，一级气体扩散槽与多个进气口连接，以获得反应气体，二级气体扩散槽上设置多个出气口，以向真空反应腔内提供反应气体，相邻的气体扩散槽之间设置有多个气体通道，以实现气体扩散槽之间的气体联通。本发明通过在反应腔内部设置多层气体扩散槽，并对不同的径向角度范围内的气体流量进行独立调节，能够在反应腔中360°圆周方向实现均匀的气体分布，保证了刻蚀的均匀性，提高了刻蚀效率，提高了产品的良率。

Description

气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备。

背景技术

等离子体刻蚀设备上需要输入反应气体并通过将反应气体解离为等离子体以实现对晶圆的刻蚀处理。在部分等离子体刻蚀设备中，需要具有侧边进气装置，用于补偿或调节刻蚀均匀性。如图1和图2所示，通常侧边进气装置设置在反应腔1内，具有一个或两个进气口2，进气口2的一端通过气体管道连接气体供应装置5，另一端连接设置在反应腔侧壁内的环形气槽3，气体从气体供应装置5通过气体管道经过进气口2进入环形气槽3，再通过均匀分布在环形气槽3上的多个喷嘴4(nozzle)或气体喷射孔(gas injection hole)进入反应腔1内部。这种侧边进气装置上的不同的喷嘴4或气体喷射孔与进气口2的距离不等，越靠近进气口2的喷嘴4或气体喷射孔处，喷出的气体的气压越大，越远离进气口2的喷嘴4或气体喷射孔处，喷出的气体的气压越小，这就造成了反应腔1内部圆周方向上的气体分布不均匀，从而影响到刻蚀的均匀性和刻蚀效率，除此之外，不同径向的气体流量也不能独立控制，无法实现对处理工艺的有效调节。

发明内容

本发明提供一种气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备，能够对不同的径向角度范围内的气体流量进行独立调节，在反应腔中360°圆周方向实现均匀的气体分布，保证了刻蚀的均匀性，提高了刻蚀效率，提高了产品的良率。

为了达到上述目的，本发明提供一种气体调节装置，其设置在一半导体处理设备内，用于向所述半导体处理设备的真空反应腔输送反应气体，所述的气体调节装置包含：

气槽装置，其包含一级气体扩散槽和二级气体扩散槽，所述的一级气体扩散槽与至少一个进气口气体联通，用于将所述的进气口引入的反应气体进行一级扩散；

所述的二级气体扩散槽设置若干出气口与所述的真空反应腔气体联通；

所述一级气体扩散槽和所述二级气体扩散槽之间气体联通。

所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置若干气体通道，所述的气体通道用于实现所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽的气体联通。

所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置至少一个中间气体扩散槽，所述的中间气体扩散槽与所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置若干气体通道，所述的气体通道用于实现所述的中间气体扩散槽与所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽的气体联通。

所述的一级气体扩散槽包含至少两个互相隔离的一级气体扩散区域，每个所述的一级气体扩散区域连接至少一个所述的进气口。

所述的二级气体扩散槽包含至少两个互相隔离的二级气体扩散区域，每个所述的二级气体扩散区域通过所述的气体通道与所述的一级气体扩散区域实现气体联通。

所述的一级气体扩散槽和二级气体扩散槽中至少有一个为连续的圆环形气槽。

所述的进气口、气体通道和出气口在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在气槽装置中充分扩散，实现气体的均匀分布。

所述的一级气体扩散区域之间的间隔部分的宽度小于等于气体通道的宽度，且小于等于出气口的宽度；

所述的二级气体扩散区域之间的间隔部分的宽度小于等于气体通道的宽度，且小于等于出气口的宽度。

所述的一级气体扩散区域之间的间隔部分、二级气体扩散区域之间的间隔部分、进气口、气体通道和出气口之间在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在气槽装置中充分扩散，实现气体的均匀分布。

每一个进气口上均设置有气动组件和流量控制组件，气动组件用于控制进入气槽装置中气体的通断，流量控制组件用于实现进入气槽装置的反应气体的流量调节。

环绕所述气槽装置设置一加热装置。

所述的气体调节装置还包含一向下延伸的内衬，用于避免在反应腔侧壁沉积污染物。

所述的出气口为喷嘴或气体喷射孔。

所述的半导体处理设备为等离子体刻蚀设备。

本发明还提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包含一真空反应腔，所述真空反应腔包含一筒状反应腔侧壁及一顶部绝缘窗口，所述反应腔侧壁与所述顶部绝缘窗口之间设置一气体调节装置。本发明通过在反应腔内部设置多层气体扩散槽，并对不同的径向角度范围内的气体流量进行独立调节，在反应腔中360°圆周方向实现均匀的气体分布，保证了刻蚀的均匀性，提高了刻蚀效率，提高了产品的良率。

附图说明

图1是背景技术中侧边进气装置的结构示意图。

图2是图1中侧边进气装置的俯视剖视图。

图3是应用本发明提供的一种气体调节装置的电感耦合等离子体刻蚀设备的示意图。

图4是本发明提供的一种气体调节装置的一种实施例的俯视图。

图5是本发明提供的一种气体调节装置的另一种实施例的俯视图。

图6是图5的侧面剖视图。

具体实施方式

以下根据图3～图6，具体说明本发明的较佳实施例。

本发明提供一种气体调节装置，其设置在半导体处理设备的真空反应腔内，实现从反应腔的侧壁提供反应气体。

如图3所示，以ICP(电感耦合等离子体Inductively Coupled Plasma)刻蚀设备为例，该等离子体刻蚀设备包含真空反应腔100，真空反应腔100包含由金属材料制成的大致为圆柱形的反应腔侧壁105，反应腔侧壁105上方设置一绝缘窗口130，绝缘窗口130上方设置电感耦合线圈140，电感耦合线圈140连接射频功率源145。反应腔侧壁105中设置有气体调节装置150，该气体调节装置150连接气体供应装置10。气体供应装置10中的反应气体经过气体调节装置150进入真空反应腔100，射频功率源145的射频功率驱动电感耦合线圈140产生较强的高频交变磁场，使得低压的反应气体被电离产生等离子体160。在真空反应腔100的下游位置设置一基座110，基座110上放置静电卡盘115用于对基片120进行支撑和固定。等离子体160中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片120的表面发生多种物理和化学反应，使得基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。真空反应腔100的下方还设置一排气泵125，用于将反应副产物排出真空反应腔内。

本发明提供的一种气体调节装置150包含：

气槽装置，其包含至少两个气体扩散槽，呈同心圆环形式排布，最外层气体扩散槽与反应腔侧壁的距离最近，该最外层气体扩散槽与进气口连接，以获得反应气体，最内层气体扩散槽与反应腔侧壁的距离最远，该最内层气体扩散槽上设置出气口，以向反应腔内提供反应气体，相邻的气体扩散槽之间设置有至少两个气体通道，以实现气体扩散槽之间的气体连通，从而实现反应气体从外层气体扩散槽向内层气体扩散槽的均匀扩散和分布；

至少两个进气口，该进气口的一端连接气体供应装置，另一端连接最外层气体扩散槽，用于将气体供应装置中的反应气体引导进入气槽装置；

至少两个出气口，其设置在最内层气体扩散槽上，用于将气槽装置中的反应气体送入反应腔内，所述的出气口可以设置为喷嘴或气体喷射孔，所有的出气口可以沿360°周向均匀分布，例如，假设喷嘴或气体喷射孔的数量为n，则每两个相邻的喷嘴或气体喷射孔之间相隔的圆周角都是

出气口也可以根据需要进行不均匀分布，例如在某些径向范围上(比如45°～60°)需要增加气体进入量，则在该径向范围内可以多设置一些出气口。

进一步，所述的气体扩散槽可以是一个完整的圆环形气体扩散槽，即气体扩散槽内部是完全连通的，在一种实施例中，所述的气体扩散槽也可以包含至少两个扇环形气体扩散槽，所有的扇环形气体扩散槽组成一个圆环，但是扇环形气体扩散槽相互之间是不连通的，相互之间具有间隔部分，该间隔部分的宽度应该不超过气体通道的宽度，也可以不超过喷嘴或气体喷射孔的宽度，这样可以保证所有的扇形气体扩散槽之间的间隔不会过大，并且该间隔部分也应该与气体通道和喷嘴(或气体喷射孔)在径向上交错设置，由于气体扩散槽末端的气体流动速率可能会比较缓慢，所以避免将气体通道和喷嘴(或气体喷射孔)设置在气体扩散槽的末端，这样就可以更好地保证反应气体在气槽装置的均匀扩散和流动。针对最外层气体扩散槽，必须要保证，组成最外层气体扩散槽的每一个扇环形气体扩散槽至少要连接一个进气口。

如图4所示，在本发明的一个实施例中，气槽装置设置在ICP刻蚀设备的反应腔100内，气槽装置包含两级气体扩散槽，分布在同一个平面上，呈同心圆环形式排布。最外层气体扩散槽101靠近反应腔100的外壁，称其为第一级气体扩散槽，最内层气体扩散槽102相应称为第二级气体扩散槽。第一级气体扩散槽101和第二级气体扩散槽102都是完整的圆环形气体扩散槽，第一级气体扩散槽101内部是完全连通的，第二级气体扩散槽102内部也是完全连通的。设置4个进气口21，每个进气口21的一端通过气体管路连接气体供应装置，另一端连接第一级气体扩散槽101，四个进气口21沿360°周向均匀分布，相邻进气口21之间间隔的圆周角为90°。每一个进气口上均设置有气动组件和流量控制组件，气动组件用于控制进入气槽装置中气体的通断，流量控制组件用于实现进入气槽装置的反应气体的流量调节。第一级气体扩散槽101和第二级气体扩散槽102之间设置有8个气体通道103，第一级气体扩散槽101中的反应气体通过气体通道103进入第二级气体扩散槽102中。尽量将气体通道103与进气口21在径向上交错设置，避免进气口21与气体通道103形成贯通气道，阻碍反应气体在第一级气体扩散槽101中充分扩散。在第二级气体扩散槽102上设置16个喷嘴31，喷嘴31沿360°周向均匀分布，两个相邻的喷嘴31之间相隔的圆周角为22.5°。尽量将喷嘴31与气体通道103在径向上交错设置，避免喷嘴31与气体通道103形成贯通气道，阻碍反应气体在第二级气体扩散槽102中充分扩散。

气体供应装置中的反应气体通过四个进气口21进入第一级气体扩散槽101，反应气体受到第一级气体扩散槽101的气体扩散槽壁的阻挡，在第一级气体扩散槽101中传输扩散，在扩散过程中，反应气体通过气体通道103进入第二级气体扩散槽，同样受到第二级气体扩散槽102的气体扩散槽壁的阻挡，在第二级气体扩散槽102中传输扩散，最终反应气体通过喷嘴31进入反应腔100中。

反应气体经过两级气体扩散槽的扩散后，在360°圆周方向可以获得很高的均匀度，进气口21、气体通道103和喷嘴31之间在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在两级气体扩散槽中充分扩散，并最终在第二级气体扩散槽102中实现气体密度的均匀分布，最后当第二级气体扩散槽102中的反应气体通过喷嘴31进入反应腔100中时，反应腔100中360°圆周方向实现均匀的气体分布，保证了均匀的刻蚀速度，提高了产品的良率。

为了实现反应腔中在不同径向上的气体进入量的独立控制，可以将同一级气体扩散槽分隔为不同的区域，对每个相互隔离的区域进行独立的气体流量控制，从而实现对反应腔中不同径向上的气体流量的独立调节，更好地调节反应腔中的气体分布，实现均匀刻蚀。如图5所示，在本发明的另一个实施例中，气槽装置设置在ICP刻蚀设备的反应腔100内，整个气槽装置均匀分成四个部分，每个部分占据90°的圆周角，每个部分都分别包含两级气体扩散槽，分布在同一个平面上，呈同心扇环形式排布。第一部分气槽装置对应的径向角度范围是90°～180°，第二部分气槽装置对应的径向角度范围是0°～90°，第三部分气槽装置对应的径向角度范围是270°～360°，第四部分气槽装置对应的径向角度范围是180°～270°。最外层气体扩散槽靠近反应腔100的外壁，称其为一级气体扩散槽，最内层气体扩散槽相应称为二级气体扩散槽。每一层气体扩散槽中的所有扇环形气体扩散槽都共同组成一个完整的圆环形，即，所有的扇环形一级气体扩散槽共同组成一个完整的圆环形，所有的扇环形二级气体扩散槽也共同组成一个完整的圆环形。第一部分气槽装置包含第一部分一级气体扩散槽101-1和第一部分二级气体扩散槽102-1，第一部分一级气体扩散槽101-1和第一部分二级气体扩散槽102-1都是扇环形气体扩散槽，第一部分一级气体扩散槽101-1和第一部分二级气体扩散槽102-1之间设置两个气体通道103，第一部分一级气体扩散槽101-1连接第一进气口21-1，第一部分二级气体扩散槽102-1上设置有四个气体喷射孔31。第二部分气槽装置包含第二部分一级气体扩散槽101-2和第二部分二级气体扩散槽102-2，第二部分一级气体扩散槽101-2和第二部分二级气体扩散槽102-2都是扇环形气体扩散槽，第二部分一级气体扩散槽101-2和第二部分二级气体扩散槽102-2之间设置两个气体通道103，第二部分一级气体扩散槽101-2连接第二进气口21-2，第二部分二级气体扩散槽102-2上设置有四个气体喷射孔31。第三部分气槽装置包含第三部分一级气体扩散槽101-3和第三部分二级气体扩散槽102-3，第三部分一级气体扩散槽101-3和第三部分二级气体扩散槽102-3都是扇环形气体扩散槽，第三部分一级气体扩散槽101-3和第三部分二级气体扩散槽102-3之间设置两个气体通道103，第三部分一级气体扩散槽101-3连接第三进气口21-3，第三部分二级气体扩散槽102-3上设置有四个气体喷射孔31。第四部分气槽装置包含第四部分一级气体扩散槽101-4和第四部分二级气体扩散槽102-4，第四部分一级气体扩散槽101-4和第四部分二级气体扩散槽102-4都是扇环形气体扩散槽，第四部分一级气体扩散槽101-4和第四部分二级气体扩散槽102-4之间设置两个气体通道103，第四部分一级气体扩散槽101-4连接第四进气口21-1，第四部分二级气体扩散槽102-4上设置有四个气体喷射孔31。第一部分一级气体扩散槽101-1、第二部分一级气体扩散槽101-2、第三部分一级气体扩散槽101-3和第四部分一级气体扩散槽101-4组成一个圆环，但第一部分一级气体扩散槽101-1、第二部分一级气体扩散槽101-2、第三部分一级气体扩散槽101-3和第四部分一级气体扩散槽101-4相互之间是不连通的，相互之间具有间隔部分104，该间隔部分104的宽度设置为较小宽度，可以不超过气体通道103的宽度，这样可以保证所有的扇形气体扩散槽之间的间隔不会过大，保证气体扩散槽在360°周向都设置有均匀的气体通道，并且该间隔部分104也应该与气体通道103在径向上交错设置，由于气体扩散槽末端的气体流动速率可能会比较缓慢，所以避免将气体通道103设置在气体扩散槽的末端，这样就可以更好地保证反应气体在气体扩散槽中的均匀扩散和流动。第一部分二级气体扩散槽102-1、第二部分二级气体扩散槽102-2、第三部分二级气体扩散槽102-3和第四部分二级气体扩散槽102-4组成一个圆环，但第一部分二级气体扩散槽102-1、第二部分二级气体扩散槽102-2、第三部分二级气体扩散槽102-3和第四部分二级气体扩散槽102-4相互之间是不连通的，相互之间具有间隔部分104，该间隔部分104的宽度应该设置为较小宽度，可以不超过气体喷射孔31的宽度，这样可以保证所有的扇形气体扩散槽之间的间隔不会过大，并且该间隔部分104也应该与气体喷射孔31在径向上交错设置，由于气体扩散槽末端的气体流动速率可能会比较缓慢，所以避免将气体喷射孔31设置在气体扩散槽的末端，这样就可以更好地保证反应气体在气体扩散槽中的均匀扩散和流动。每一个进气口上均设置有气动组件和流量控制组件，气动组件用于控制进入气槽装置中气体的通断，流量控制组件用于实现进入气槽装置的反应气体的流量调节。尽量将气体通道103与进气口在径向上交错设置，避免进气口与气体通道103形成贯通气道，阻碍反应气体在一级气体扩散槽中充分扩散。16个气体喷射孔31沿360°周向均匀分布，两个相邻的气体喷射孔31之间相隔的圆周角为22.5°。尽量将气体喷射孔31与气体通道103在径向上交错设置，避免气体喷射孔31与气体通道103形成贯通气道，阻碍反应气体在二级气体扩散槽中充分扩散。

气体供应装置中的反应气体分别通过每个进气口进入各个部分的气槽装置后分布到反应腔中。具体来说，针对第一部分气槽装置，气体供应装置中的反应气体通过第一进气口21-1进入第一部分一级气体扩散槽101-1，反应气体受到第一部分一级气体扩散槽101-1的气体扩散槽壁的阻挡，在第一部分一级气体扩散槽101-1中传输扩散，在扩散过程中，反应气体通过气体通道103进入第一部分二级气体扩散槽102-1，同样受到第一部分二级气体扩散槽102-1的气体扩散槽壁的阻挡，在第一部分二级气体扩散槽102-1中传输扩散，最终反应气体通过气体喷射孔31进入反应腔100中。通过控制第一进气口21-1上的气动组件来控制90°～180°径向角度上的气体通断，通过控制第一进气口21-1上的流量控制组件来调节90°～180°径向角度上的气体流量。如果需要进一步增加该第一部分气槽装置对应的径向角度范围内的气体流量和流速，可以增加设置在第一部分二级气体扩散槽102-1上的气体喷射孔31的数量，例如，如果需要增加在90°～120°角度范围内的气体流量，则可以在该角度范围对应的第一部分二级气体扩散槽102-1上的对应位置增加多个气体喷射孔31，以增加气体喷射量。同理，针对第二部分气槽装置，气体供应装置中的反应气体通过第二进气口21-2进入第二部分一级气体扩散槽101-2，反应气体受到第二部分一级气体扩散槽101-2的气体扩散槽壁的阻挡，在第二部分一级气体扩散槽101-2中传输扩散，在扩散过程中，反应气体通过气体通道103进入第二部分二级气体扩散槽102-2，同样受到第二部分二级气体扩散槽102-2的气体扩散槽壁的阻挡，在第二部分二级气体扩散槽102-2中传输扩散，最终反应气体通过气体喷射孔31进入反应腔100中。通过控制第二进气口21-2上的气动组件来控制180°～270°径向角度上的气体通断，通过控制第二进气口21-2上的流量控制组件来调节180°～270°径向角度上的气体流量。如果需要进一步增加该第二部分气槽装置对应的径向角度范围内的气体流量和流速，可以增加设置在第二部分二级气体扩散槽102-2上的气体喷射孔31的数量。针对第三部分气槽装置，气体供应装置中的反应气体通过第三进气口21-3进入第三部分一级气体扩散槽101-3，反应气体受到第三部分一级气体扩散槽101-3的气体扩散槽壁的阻挡，在第三部分一级气体扩散槽101-3中传输扩散，在扩散过程中，反应气体通过气体通道103进入第三部分二级气体扩散槽102-3，同样受到第三部分二级气体扩散槽102-3的气体扩散槽壁的阻挡，在第三部分二级气体扩散槽102-3中传输扩散，最终反应气体通过气体喷射孔31进入反应腔100中。通过控制第三进气口21-3上的气动组件来控制270°～360°径向角度上的气体通断，通过控制第三进气口21-3上的流量控制组件来调节270°～360°径向角度上的气体流量。如果需要进一步增加该第三部分气槽装置对应的径向角度范围内的气体流量和流速，可以增加设置在第三部分二级气体扩散槽102-3上的气体喷射孔31的数量。针对第四部分气槽装置，气体供应装置中的反应气体通过第四进气口21-4进入第四部分一级气体扩散槽101-4，反应气体受到第四部分一级气体扩散槽101-4的气体扩散槽壁的阻挡，在第四部分一级气体扩散槽101-4中传输扩散，在扩散过程中，反应气体通过气体通道103进入第四部分二级气体扩散槽102-4，同样受到第四部分二级气体扩散槽102-4的气体扩散槽壁的阻挡，在第四部分二级气体扩散槽102-4中传输扩散，最终反应气体通过气体喷射孔31进入反应腔100中。通过控制第四进气口21-4上的气动组件来控制0°～90°径向角度上的气体通断，通过控制第四进气口21-4上的流量控制组件来调节0°～90°径向角度上的气体流量。如果需要进一步增加该第四部分气槽装置对应的径向角度范围内的气体流量和流速，可以增加设置在第四部分二级气体扩散槽102-4上的气体喷射孔31的数量。

除上述实施例中的将一级气体扩散槽分隔设为4个区域外，在其他的实施例中还可以将一级气体扩散槽分隔设置为两个，三个或四个以上的区域，每个独立的一级气体扩散区域都与一进气口相连，可以独立控制进入该一级气体扩散区域的气体流量和压力等参数。对应的，每个一级气体扩散区域与一二级气体扩散区域匹配设置，通过设置该分隔的气体扩散区域，可以在反应腔内的径向上对不同区域的进气流量进行调节，并配合基片处理的其他参数，对基片处理的均匀性进行调节，解决现有技术中基片的边缘区域在不同相位角上难以处理均匀的问题。

如图5所示，环绕所述气槽装置设置一加热装置501，该加热装置501可以控制反应气体的温度，避免反应气体在气体扩散槽内沉积。加热装置501可以连续的环绕所述气体扩散槽进行设置，在其他实施例中，也可以进行分区设置，例如，根据一级气体扩散槽的分区设置将加热装置设置为与之相匹配的多个区域。以进一步提高对不同气体扩散区域的独立控制。

如图6所示，所述的气体调节装置还包含一向下延伸的内衬41，用于避免在反应腔侧壁沉积污染物。本实施例中，气体调节装置和内衬41一体设置，可以减小在气体调节装置和内衬之间设置防护涂层，降低反应腔内射频传递损失。

反应气体经过至少两级气体扩散槽的扩散和某些径向角度范围内的气体流量独立调节后，在360°圆周方向可以获得很高的均匀度，反应腔100中360°圆周方向实现了均匀的气体分布，保证了均匀的刻蚀速度，提高了产品的良率。本发明通过在反应腔内部设置多层气体扩散槽，并对不同的径向角度范围内的气体流量进行独立调节，在反应腔中360°圆周方向实现了均匀的气体分布，保证了刻蚀的均匀性，提高了刻蚀效率，提高了产品的良率。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (15)

1.一种气体调节装置，其设置在一半导体处理设备内，用于向所述半导体处理设备的真空反应腔输送反应气体，其特征在于，所述的气体调节装置包含：

气槽装置，其包含一级气体扩散槽和二级气体扩散槽，所述的一级气体扩散槽与至少一个进气口气体联通，用于将所述的进气口引入的反应气体进行一级扩散；

所述的二级气体扩散槽设置若干出气口与所述的真空反应腔气体联通；

所述一级气体扩散槽和所述二级气体扩散槽之间气体联通。

2.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置若干气体通道，所述的气体通道用于实现所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽的气体联通。

3.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置至少一个中间气体扩散槽，所述的中间气体扩散槽与所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置若干气体通道，所述的气体通道用于实现所述的中间气体扩散槽与所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽的气体联通。

4.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散槽包含至少两个互相隔离的一级气体扩散区域，每个所述的一级气体扩散区域连接至少一个所述的进气口。

5.如权利要求2所述的气体调节装置，其特征在于，所述的二级气体扩散槽包含至少两个互相隔离的二级气体扩散区域，每个所述的二级气体扩散区域通过所述的气体通道与所述的一级气体扩散区域实现气体联通。

6.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散槽和二级气体扩散槽中至少有一个为连续的圆环形气槽。

7.如权利要求2所述的气体调节装置，其特征在于，所述的进气口、气体通道和出气口在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在气槽装置中充分扩散，实现气体的均匀分布。

8.如权利要求4或5所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散区域之间的间隔部分的宽度小于等于气体通道的宽度，且小于等于出气口的宽度；

所述的二级气体扩散区域之间的间隔部分的宽度小于等于气体通道的宽度，且小于等于出气口的宽度。

9.如权利要求8所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散区域之间的间隔部分、二级气体扩散区域之间的间隔部分、进气口、气体通道和出气口之间在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在气槽装置中充分扩散，实现气体的均匀分布。

10.如权利要求1或4所述的气体调节装置，其特征在于，每一个进气口上均设置有气动组件和流量控制组件，气动组件用于控制进入气槽装置中气体的通断，流量控制组件用于实现进入气槽装置的反应气体的流量调节。

11.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，环绕所述气槽装置设置一加热装置。

12.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的气体调节装置还包含一向下延伸的内衬，所述内衬用于避免反应腔侧壁沉积污染物。

13.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的出气口为喷嘴或气体喷射孔。

14.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的半导体处理设备为等离子体刻蚀设备。

15.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备包含一真空反应腔，所述真空反应腔包含一筒状反应腔侧壁及一顶部绝缘窗口，所述反应腔侧壁与所述顶部绝缘窗口之间设置一如权利要求1-13中任意一项所述的气体调节装置。

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