CN112062475B - 一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺 - Google Patents

一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，包括以下步骤：（1）配置高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液，并将蚀刻液置于蚀刻淋砂装置内；（2）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片不需蚀刻的一面用抗蚀刻油墨丝印覆盖保护；（3）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片需要蚀刻的一面清洗干净并风干，在干式状态下放置于蚀刻淋砂装置中进行淋砂蚀刻处理；（4）从蚀刻淋砂装置中取出被蚀刻好的高铝硅玻璃材质手机后壳原片，再用抛光液进行抛光处理，清洗干净，最后风干或烘干即可。本发明对高铝硅玻璃材质的手机后壳进行蒙砂蚀刻处理，在玻璃表面形成一层微米级厚度的方型柱状微晶颗粒，在迎光的情况下，玻璃表面呈现出星光闪烁的效果。

Description

一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺
技术领域
本发明属于蚀刻玻璃技术领域，具体涉及一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺。
背景技术
随着5G智能手机的普及与推广，手机型号的多元化需求也呈现出来，手机玻璃后壳的蒙砂装饰越来越受到人们的青睐，目前常用的蒙砂技术就是通过蒙砂液对玻璃基体进行蒙砂蚀刻，可使玻璃基体获得雾面朦胧的外观效果，提升手机后壳的外观视觉效果。然而，目前对玻璃基体进行蒙砂蚀刻的蒙砂液、蒙砂玻璃及其加工方法以及所产生的特殊蚀刻效果仍有待改进，不同的特殊蚀刻效果需要不同的蒙砂药液配方与不同的蚀刻工艺方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，对高铝硅玻璃材质的手机后壳进行蒙砂蚀刻处理，在玻璃表面形成一层微米级厚度的方型柱状微晶颗粒，在迎光的情况下，玻璃表面呈现出星光闪烁的效果。
基于上述目的，本发明采取如下技术方案：
一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，包括以下步骤：
（1）配置高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液，搅拌均匀直至蚀刻液呈均匀一致的过饱和溶液状态，并将蚀刻液置于蚀刻淋砂装置内；
（2）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片不需蚀刻的一面用抗蚀刻油墨丝印覆盖保护；
（3）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片需要蚀刻的一面清洗干净并风干，在干式状态下放置于蚀刻淋砂装置中进行淋砂蚀刻处理；
（4）从蚀刻淋砂装置中取出被蚀刻好的高铝硅玻璃材质手机后壳原片，再用抛光液进行抛光处理，清洗干净，最后风干或烘干即可。
进一步地，所述高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液由以下质量分数的原料组成：18-30%的NH4HF2、3-8%的KHF2、5-10%的NH4F、15-25%的HNO3、8-12%的H2SO4、3-6%的HCl、5-8%的MgSiF6、6-10%的BaSO4、2-6%的NaNO3、0.5-0.8%的K2SO4、0.8-1.5%的CuCl2、1.2-1.8%的CaCl2、3-8%的淀粉、1-3%麦芽糖、15-25%的H2O。
进一步地，所述步骤（3）中淋砂蚀刻处理的淋砂蚀刻时间为3-5min、淋砂液温度为18-20℃。
本发明所提供的高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，具有以下有益效果：
本发明针对高铝硅玻璃材质手机后壳的特性，通过干法淋砂工艺制作出具有方型闪点效果的高铝硅玻璃，并对高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液的配方进行成分及含量的优化，选择了恰当的原料配比的组合，通过添加多种蚀刻原料与晶粒形成蚀刻液原料，在特定蚀刻工艺等条件下，酸蚀刻液与氟硅酸镁、硝酸钠、氯化物等一起参与同玻璃本体的复杂化学反应。本发明可以控制形成微晶颗粒的结构与形状，产生萤石结构型微晶颗粒，这些萤石结构型微晶颗粒在局部按照无隙并置的原则进行组合，形成密积型块状集合体，从而在玻璃表面形成一层微米级的方型柱状微晶颗粒附着层，这些方型柱状微晶颗粒的颗粒深度在20-35μm之间，颗粒跨度在500-800μm之间，每个方型柱状微晶颗粒具有一个平面突出，这些方型柱状微晶颗粒在玻璃表面按照近程有序、远程无序的方式进行排列，从而在迎光情况下产生星光闪烁的奇妙视觉效果。
蚀刻液中氟化物作为蚀刻玻璃的主要原材料，起到在玻璃表面形成微米级蒙砂颗粒附着层的作用；硫酸钡与淀粉用于调节药液的粘稠度，同时钡盐参与微晶框架结构的填充与玻璃键架结构连接，以利于实现均匀蚀刻及附着层牢固的目的，让生成的微米级方型柱状微晶颗粒在玻璃表面均匀分布，从而实现均匀闪光的效果。本发明工艺简单实用、容易操作、成本低廉，本发明制得高铝硅玻璃方型闪点效果产品表面闪光颗粒分布均匀、大小一致，在光电性能、装饰性能方面效果极佳，具有细腻柔滑、抗反射光、抗划伤、抗粉尘、无手印等优良性能，极大的增强了智能手机的装饰视觉效果与触觉效果。
附图说明
图1为普通蒙砂微晶颗粒样品所得放大倍数为680倍的扫描电镜照片；
图2为闪光效果不明显的玻璃样品所得放大倍数为680倍的扫描电镜照片；
图3为具有方型闪点效果玻璃样品所得放大倍数为680倍的扫描电镜照片。
具体实施方式
实施例1
一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，包括以下步骤：
（1）配置高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液，搅拌均匀直至蚀刻液呈均匀一致的过饱和溶液状态，并将蚀刻液置于蚀刻淋砂装置内；
高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液由以下质量分数的原料组成：18%的NH4HF2、3%的KHF2、5%的NH4F、15%的HNO3、8%的H2SO4、3%的HCl、5%的MgSiF6、6%的BaSO4、2%的NaNO3、0.5%的K2SO4、0.8%的CuCl2、1.2%的CaCl2、3%的淀粉、1%麦芽糖、15%的H2O。
（2）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片不需蚀刻的一面用抗蚀刻油墨丝印覆盖保护；
（3）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片需要蚀刻的一面清洗干净并风干，在干式状态下放置于蚀刻淋砂装置中进行淋砂蚀刻处理，淋砂蚀刻处理的淋砂蚀刻时间为3min、淋砂液温度为18℃；
（4）从蚀刻淋砂装置中取出被蚀刻好的高铝硅玻璃材质手机后壳原片，再用抛光液进行抛光处理，清洗干净，最后风干或烘干即可。
实施例2
一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，包括以下步骤：
（2）配置高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液，搅拌均匀直至蚀刻液呈均匀一致的过饱和溶液状态，并将蚀刻液置于蚀刻淋砂装置内；
高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液由以下质量分数的原料组成：30%的NH4HF2、8%的KHF2、10%的NH4F、25%的HNO3、12%的H2SO4、6%的HCl、8%的MgSiF6、10%的BaSO4、6%的NaNO3、0.8%的K2SO4、1.5%的CuCl2、1.8%的CaCl2、8%的淀粉、3%麦芽糖、25%的H2O。
（2）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片不需蚀刻的一面用抗蚀刻油墨丝印覆盖保护；
（3）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片需要蚀刻的一面清洗干净并风干，在干式状态下放置于蚀刻淋砂装置中进行淋砂蚀刻处理，淋砂蚀刻处理的淋砂蚀刻时间为4min、淋砂液温度为19℃；
（4）从蚀刻淋砂装置中取出被蚀刻好的高铝硅玻璃材质手机后壳原片，再用抛光液进行抛光处理，清洗干净，最后风干或烘干即可。
实施例3
一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，包括以下步骤：
（3）配置高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液，搅拌均匀直至蚀刻液呈均匀一致的过饱和溶液状态，并将蚀刻液置于蚀刻淋砂装置内；
高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液由以下质量分数的原料组成：24%的NH4HF2、5.5%的KHF2、7.5%的NH4F、20%的HNO3、10%的H2SO4、4.5%的HCl、6.5%的MgSiF6、8%的BaSO4、4%的NaNO3、0.65%的K2SO4、1.15%的CuCl2、1.5%的CaCl2、5.5%的淀粉、2%麦芽糖、20%的H2O。
（2）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片不需蚀刻的一面用抗蚀刻油墨丝印覆盖保护；
（3）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片需要蚀刻的一面清洗干净并风干，在干式状态下放置于蚀刻淋砂装置中进行淋砂蚀刻处理，淋砂蚀刻处理的淋砂蚀刻时间为5min、淋砂液温度为20℃；
（4）从蚀刻淋砂装置中取出被蚀刻好的高铝硅玻璃材质手机后壳原片，再用抛光液进行抛光处理，清洗干净，最后风干或烘干即可。
性能试验
如图1-3所示，具有方型闪光效果的高铝硅玻璃形成了方型柱状微晶颗粒。
根据玻璃行业统一的测试方法，测定淋砂蚀刻前的原高铝硅玻璃以及实施例1-3制备的具有方型闪点效果高铝硅玻璃的各项性能，并于表1中将各项性能参数进行对比如下：
Figure 145530DEST_PATH_IMAGE001

Claims (2)

1.一种高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）配置高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液，搅拌均匀直至蚀刻液呈均匀一致的过饱和溶液状态，并将蚀刻液置于蚀刻淋砂装置内；
（2）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片不需蚀刻的一面用抗蚀刻油墨丝印覆盖保护；
（3）将高铝硅玻璃材质手机后壳原片需要蚀刻的一面清洗干净并风干，在干式状态下放置于蚀刻淋砂装置中进行淋砂蚀刻处理；
（4）从蚀刻淋砂装置中取出被蚀刻好的高铝硅玻璃材质手机后壳原片，再用抛光液进行抛光处理，清洗干净，最后风干或烘干即可；
所述高铝硅玻璃方型闪点效果蚀刻液由以下质量分数的原料组成：18-30%的NH4HF2、3-8%的KHF2、5-10%的NH4F、15-25%的HNO3、8-12%的H2SO4、3-6%的HCl、5-8%的MgSiF6、6-10%的BaSO4、2-6%的NaNO3、0.5-0.8%的K2SO4、0.8-1.5%的CuCl2、1.2-1.8%的CaCl2、3-8%的淀粉、1-3%麦芽糖、15-25%的H2O；
具有方型闪点效果的高铝硅玻璃形成了方型柱状微晶颗粒。
2.根据权利要求1所述的高铝硅玻璃方型闪点效果的制作工艺，其特征在于，所述步骤（3）中淋砂蚀刻处理的淋砂蚀刻时间为3-5min，淋砂液温度为18-20℃。
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