CN112054033A - 一种存储器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接，第一顶电极和第二顶电极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器件。
背景技术
图像识别是人工智能的一个重要领域，图像识别是指利用计算机对图像进行处理、分析和理解，以识别各种不同模式的目标和对象的技术。
目前人工智能图像识别主要是采用CMOS图像传感器的摄像头采集图像，图像以数字信号的形式传输至计算机的内存储器中，而后计算机的处理器将传输的图像信息与内存储器中预先存储的图像信息进行匹配，识别传输的图像信息。
但是，人工智能图像识别的过程需要外接电源才能实现，能耗较高，并且不适合应用于野外极端条件等特殊环境，具有较大的局限性。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种存储器件，突破目前图像识别的局限性。
为实现上述目的，本发明有如下技术方案：
一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；
所述第二器件结构包括由下至上依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极；
所述第一底电极与所述第二底电极连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极连接。
可选的，所述第二底电极和所述第二顶电极的材料均为金属材料，所述绝缘层的材料为金属氧化物材料。
可选的，所述第一底电极与所述第二底电极之间形成有第一开关，所述第一顶电极和所述第二顶电极之间形成有第二开关。
可选的，所述第一底电极与所述第二底电极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极通过第二金属线或第二硅通孔连接。
可选的，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
一种存储器件，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；
所述第二器件结构包括由下至上依次层叠的第二底电极、绝缘层和第二顶电极；
所述第一底电极与所述第二底电极连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极连接。
可选的，所述第二底电极和所述第二顶电极的材料均为金属材料，所述绝缘层的材料为金属氧化物材料。
可选的，所述第一底电极与所述第二底电极之间形成有第一开关，所述第一顶电极和所述第二顶电极之间形成有第二开关。
可选的，所述第一底电极与所述第二底电极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极通过第二金属线或第二硅通孔连接。
可选的，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
本发明实施例提供的存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接，第一顶电极和第二顶电极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本发明实施例的一种存储器件的立体结构示意图；
图2和3示出了根据本发明实施例的另一种存储器件的立体结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术中的描述，人工智能图像识别的过程需要外接电源才能实现，能耗较高，并且不适合应用于野外极端条件等特殊环境，具有较大的局限性。
为此，本申请提出了一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接，第一顶电极和第二顶电极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。
为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。
实施例一
参考图1和图2所示，存储器件包括：
第一器件结构10和第二器件结构20；
第一器件结构10包括由下至上依次层叠的第一底电极102、第一掺杂材料层104、第二掺杂材料层106和第一顶电极108；
第二器件结构20包括由下至上依次层叠的第二底电极202、绝缘层204和第二顶电极206；
第一底电极102与第二底电极202连接，第一顶电极108和第二顶电极206连接。
本申请实施例中，第一器件结构10可以为PN光电二极管，包括第一掺杂材料层104、和第二掺杂材料层106，第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106具有相反的掺杂类型，第一掺杂材料层104为p型半导体材料层，则第二掺杂材料层106为n型半导体材料层；第一掺杂材料层104为n型半导体材料层，则第二掺杂材料层106为p型半导体材料层。第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106可以为半导体材料或半导体化合物材料，例如可以为硅、锗或砷化铟镓等材料。本实施例中，第一器件结构10可以为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
本实施例中，第一底电极102和第一顶电极108可以由导电材料形成，例如可以为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钕(Nd)、钛(Ti)、Al及其合金或半导体材料。第一底电极102和第一顶电极108可以为相同的材料，也可以为不同的材料，可以具有相同的面积，也可以具有不同的面积。
第二器件结构20可以为阻变随机存取存储器(Resistive Random AccessMemory，RRAM)，阻变随机存取存储器是利用器件的电阻转变特性来实现数据的存储。阻变随机存取存储器的工作原理是通过施加特定电压，进而造成电阻层电阻的变化，即电阻转换(Resistive Switching)，将其中的高阻态定义为二进制数据“0“，低阻态定义为二进制数据”1“，即可实现非挥发性存储器功能。阻变式存储器具有写入电压低，擦除写入时间短，良好的记忆特性，非破坏性读取，多状态存储特性，结构简单，面积小的特点。
第二器件结构20包括从下至上依次层叠的第二底电极202、绝缘层204以及第二顶电极206，绝缘层204属于阻变随机存取存储器单元的阻变功能层，具有电阻随电压变化特性，是阻变随机存取存储器实现电阻转变的关键，绝缘层204的材料可以为二元金属氧化物，例如二氧化钛、氧化锌、氧化镍或者二氧化铪等。在具体的应用中，第一器件结构10和第二器件结构20可以形成于同一衬底100上，也可以形成于不同衬底上。
本实施例中，第二底电极202和第二顶电极206可以由金属材料形成，例如可以为金、铝、钌。第二底电极102和第二顶电极206可以为相同的材料，也可以为不同的材料，可以具有相同的面积，也可以具有不同的面积。例如，第二底电极202为钌，第二顶电极206为铝。
第一器件结构10的第一底电极102与第二器件结构20的第二底电极202连接，第一器件结构10的第一顶电极108与第二器件结构20的第二顶电极206连接，使得第一器件结构10与第二器件结构20形成串联的回路，第一器件结构10在探测到光线之后，产生光电流信号，光电流的电流大小和阻变随机存取存储器的读取电流大小量级相似，光电流流入阻变随机存取存储器中，阻变随机存取存储器预先经过训练，存储有训练结果，阻变随机存取存储器在接收到光电流信号，将光电流信号与预先存储的训练结果进行识别、归类，从而实现图像识别。第一底电极102与第二底电极202可以通过第一金属线、第一硅通孔或者封装工艺等实现电连接，第一顶电极108与第二顶电极206可以通过第二金属线、第二硅通孔或者封装工艺实现电连接。
在具体的应用中，第一器件结构10相当于人的眼睛，阻变随机存取存储器相当于人的大脑突出，第一器件结构10产生的光电流信号直接被阻变随机存取存储器识别，相当于人的眼睛看到的信号直接传输至大脑中进行处理，不需要经过模拟数字信号转化的过程。
本实施例中，第一底电极102和第二底电极202之间形成有第一开关(图未示出)，第一顶电极108和第二顶电极206之间形成有第二开关(图未示出)，第一开关和第二开关可以为晶体管器件，第一开关和第二开关控制第一器件结构10和第二器件结构20的导通状态，当第一开关处于断开状态，或者第二开关处于断开状态，或者第一开关和第二开关均处于断开状态时，第一器件结构10和第二器件结构20为独立状态，第二器件结构20进行图像识别模型的训练。当第一开关和第二开关均处于闭合状态时，第一器件结构10和第二器件结构20处于导通状态，第一器件结构10将接收的光信号转化为光电流，传输至第二器件结构20，第二器件结构20通过光电流信号进行图像的识别。
实施例二
与实施例一不同的是，本实施例中采用PIN型光电二极管构成器件单元，以下将重点描述与实施例一中不同的部分，相同的部分将不再赘述。
参考图2和图3所示，存储器件包括：
第一器件结构10和第二器件结构20；
第一器件结构10包括由下至上依次层叠的第一底电极102、第一掺杂材料层104、本征材料层110、第二掺杂材料层106和第一顶电极108；
第二器件结构20包括由下至上依次层叠的第二底电极202、绝缘层204和第二顶电极206；
第一底电极102与第二底电极202连接，第一顶电极108和第二顶电极206连接。
本申请实施例中，第一器件结构10可以为PIN光电二极管，包括第一掺杂材料层104、本征材料层110和第二掺杂材料层106，第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106具有相反的掺杂类型，第一掺杂材料层104为p型半导体材料层，则第二掺杂材料层106为n型半导体材料层；第一掺杂材料层104为n型半导体材料层，则第二掺杂材料层106为p型半导体材料层。第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106可以为半导体材料或半导体化合物材料，例如可以为硅、锗或砷化铟镓等材料。
第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106之间的本征材料层110可以为掺杂浓度很低的材料层，由于在第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106之间掺入本征材料层110，可以增大耗尽区的宽度，提高响应速度。本征材料层110的厚度可以大于第一掺杂材料层104的厚度和第二掺杂材料层106的厚度。在具体的应用中，第一器件结构10可以为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
第二器件结构20可以为阻变随机存取存储器(Resistive Random AccessMemory，RRAM)，包括第二底电极202、绝缘层204和第二顶电极206。绝缘层204属于阻变随机存取存储器单元的阻变功能层，绝缘层204的材料可以为二元金属氧化物，例如二氧化钛、氧化锌、氧化镍或者二氧化铪等。
第一器件结构10的第一底电极102与第二器件结构20的第二底电极202连接，第一器件结构10的第一顶电极108与第二器件结构20的第二顶电极206连接，使得第一器件结构10与第二器件结构20形成串联的回路，第一器件结构10在探测到光线之后，产生光电流信号，光电流的电流大小和阻变随机存取存储器的读取电流大小量级相似，光电流流入阻变随机存取存储器中，阻变随机存取存储器预先经过训练，存储有训练结果，阻变随机存取存储器在接收到光电流信号，将光电流信号与预先存储的训练结果进行识别、归类，从而实现图像识别。
在具体的实施例中，光线沿着垂直于第一掺杂材料层102、本征材料层110以及第二掺杂材料层106的方向照射第一器件结构10，参考图2所示，这样入射光能够很快耦合至第一器件结构10中，提高光响应速度。光线也可以沿着平行于第一掺杂材料层102、本征材料层110以及第二掺杂材料层106的方向照射第一器件结构10，参考图3所示，从而利用波导将光信号传输至器件结构中。
第一底电极102与第二底电极202可以通过第一金属线、第一硅通孔或者封装工艺等实现电连接，第一顶电极108与第二顶电极206可以通过第二金属线、第二硅通孔或者封装工艺实现电连接。
在具体的应用中，第一器件结构10相当于人的眼睛，阻变随机存取存储器相当于人的大脑突出，第一器件结构10产生的光电流信号直接被阻变随机存取存储器识别，相当于人的眼睛看到的信号直接传输至大脑中进行处理，不需要经过模拟数字信号转化的过程。
本实施例中，第一底电极102和第二底电极202之间形成有第一开关(图未示出)，第一顶电极108和第二顶电极206之间形成有第二开关(图未示出)，第一开关和第二开关可以为晶体管器件，第一开关和第二开关控制第一器件结构10和第二器件结构20的导通状态，当第一开关处于断开状态，或者第二开关处于断开状态，或者第一开关和第二开关均处于断开状态时，第一器件结构10和第二器件结构20为独立状态，第二器件结构20进行图像识别模型的训练。当第一开关和第二开关均处于闭合状态时，第一器件结构10和第二器件结构20处于导通状态，第一器件结构10将接收的光信号转化为光电流，传输至第二器件结构20，第二器件结构20通过光电流信号进行图像的识别。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；
所述第二器件结构包括由下至上依次层叠的第二底电极、绝缘层和第二顶电极；
所述第一底电极与所述第二底电极连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极连接。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第二底电极和所述第二顶电极的材料均为金属材料，所述绝缘层的材料为金属氧化物材料。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极与所述第二底电极之间形成有第一开关，所述第一顶电极和所述第二顶电极之间形成有第二开关。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极与所述第二底电极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极通过第二金属线或第二硅通孔连接。
5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
6.一种存储器件，其特征在于，包括：
第一器件结构和第二器件结构；
所述第一器件结构包括由下至上依次层叠的第一底电极、第一掺杂材料层、本征材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极；
所述第二器件结构包括由下至上依次层叠的第二底电极、绝缘层和第二顶电极；
所述第一底电极与所述第二底电极连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极连接。
7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述第二底电极和所述第二顶电极的材料均为金属材料，所述绝缘层的材料为金属氧化物材料。
8.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极与所述第二底电极之间形成有第一开关，所述第一顶电极和所述第二顶电极之间形成有第二开关。
9.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述第一底电极与所述第二底电极通过第一金属线或第一硅通孔连接，所述第一顶电极与所述第二顶电极通过第二金属线或第二硅通孔连接。
10.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述第一器件结构为可见光二极管、红外光二极管或紫外光二极管。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN113629187A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-11-09 | 北京航空航天大学 | 一种光电神经突触忆阻器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473707A (zh) * | 2010-07-01 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列、以及其制造方法 |
| US20170323929A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-11-09 | Nokia Technologies Oy | Memory Apparatus and Method of Production Thereof |
| CN109768065A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-05-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件单元以及图像识别装置 |
-
2020
- 2020-09-15 CN CN202010967814.8A patent/CN112054033A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102473707A (zh) * | 2010-07-01 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列、以及其制造方法 |
| US20170323929A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-11-09 | Nokia Technologies Oy | Memory Apparatus and Method of Production Thereof |
| CN109768065A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-05-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件单元以及图像识别装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113629187A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-11-09 | 北京航空航天大学 | 一种光电神经突触忆阻器 |
| CN113629187B (zh) * | 2021-08-04 | 2024-01-02 | 北京航空航天大学 | 一种光电神经突触忆阻器 |
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