CN112019207A - 适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路，属于消防领域。所述耐高温隔离栅极驱动电路包括：包括：隔离锁存电路，所述隔离锁存电路用于接收控制脉冲信号，对所述控制脉冲信号进行隔离和电平锁存处理后，输出功率半导体器件驱动电平信号驱动阻容负载；所述隔离锁存电路包括隔离电路和电平锁存电路，所述隔离电路的正半周电平输出端和负电平半周输出端连接至所述电平锁存电路的输入端，所述电平锁存电路用于锁存所述隔离电路的正半周电平输出端和所述负电平半周输出端输出的电压变化后的电平。本申请通过降低驱动电路的功耗，使消防设备够运行在更高的环境温度中。
Description
技术领域
本发明涉及消防设备领域，具体地涉及一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路。
背景技术
随着科技进步，消防设备也朝着多元化、智能化发展，其中消防用的智能电子设备也越来越多。但是因为其使用环境往往是火场和高温，使得其对产品内部驱动电路的耐温值要求也越来越高，而目前市场更多的设备则是通过外壳厚度来隔绝高温(特指125℃及以上)，这无疑会使得设备体积变大、重量增加，同时也增加了消防队员的使用负担。
目前现有的消防设备中的高温隔离驱动电路原理不尽相同，但可归为两大类，一是完全通过Si(硅)分立器件实现，二是通过Si分立器件配合SOI(绝缘体上硅)芯片实现。但是SOI芯片工艺复杂且价格昂贵，不适用于大范围使用；而Si(硅)虽然有较好的耐高温性和可配置性，但其体积较大、杂散参数较大的缺点也十分明显。
现有技术存在的问题为：虽然也通过改进电路来使得电路的耐温值升高，但是往往会伴随着功耗增加，成本增加的问题。
发明内容
本发明实施方式的目的是提供一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路，以至少解决消防设备中的驱动电路在高温环境下的功耗过高的问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路，用于接收控制脉冲信号，进行电平解调后，输出功率半导体器件驱动电平信号驱动阻容负载，所述驱动电路包括：
隔离锁存电路，所述隔离锁存电路用于接收所述控制脉冲信号，对所述控制脉冲信号进行隔离和电平锁存处理后，输出所述驱动电平信号；
所述隔离锁存电路包括隔离电路和电平锁存电路，所述隔离电路的正半周电平输出端和负电平半周输出端连接至所述电平锁存电路的输入端，所述电平锁存电路用于锁存所述隔离电路的正半周电平输出端和所述负电平半周输出端输出的电压变化后的电平。
可选的，所述隔离锁存电路还包括积分电路，所述隔离电路的所述正半周电平输出端和/或所述负电平半周输出端与所述电平锁存电路之间通过所述积分电路连接。
可选的，所述驱动电路还包括电流放大电路，所述电流放大电路的输入端与所述隔离电路的输出端连接，所述电流放大电路用于将所述隔离电路输出的所述驱动电平信号放大后输出。
可选的，所述电流放大电路为多级放大电路，所述多级放大电路的相邻两级放大电路之间串联有第一电荷耗散电阻，所述多级放大电路的最后一级放大电路的输出端分别通过串联第二电荷耗散电阻后进行输出放大驱动信号。
可选的，所述多级放大电路包括：
一级放大电路以及与所述一级放大电路的输出端连接的二级放大电路；
所述一级放大电路包括第一晶体三极管NPN1和第二晶体三极管PNP1，所述第一晶体三极管NPN1的集电极连接电源VCC，所述第一晶体三极管NPN1的发射极与所述第二晶体三极管PNP1的集电极连接后作为所述一级放大电路的输出端，所述第一晶体三极管NPN1的基级与所述第二晶体三极管PNP1的基极连接后作为所述一级放大电路的输入端，所述第二晶体三极管PNP1的发射极接地；
所述二级放大电路包括第三晶体三极管NPN2和第四晶体三极管PNP2，所述第三晶体三极管NPN2的集电极连接电源VCC，所述第三晶体三极管NPN2的发射极和所述第四晶体三极管PNP2的集电极作为所述二级放大电路的输出端，所述第三晶体三极管NPN2的基级与所述第四晶体三极管PNP2的基极连接后作为所述二级放大电路的输入端，所述第四晶体三极管PNP2的发射极接地；
所述一级放大电路输出端与所述二级放大电路的输入端之间串联有第一电荷耗散电阻Rb4，所述第三晶体三极管NPN2的发射极和所述第四晶体三极管PNP2的集电极分别串联第二电荷耗散电阻进行输出。
可选的，所述隔离电路的输出端与所述电流放大电路的输入端之间通过电平转换电路连接，所述电平转换电路用于将所述隔离电路输出的所述驱动电平信号进行电平转换后输入所述电流放大电路。
可选的，所述电平转换电路包括：第一NMOS管S5、第二NMOS管S6、第一PMOS管S3和第二PMOS管S7；所述第一NMOS管S5的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端A，所述第二NMOS管S6的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端B；所述第一NMOS管S5的栅极与漏级之间通过电容C3连接；所述第二NMOS管S6的栅极与漏级之间通过电容C4连接；
所述第一PMOS管S3的源极连接有第一电源VCC1，所述第二PMOS管S7的源极连接有第二电源VCC2；所述第一PMOS管S3的漏极和所述第一NMOS管S5的漏级连接于所述第二PMOS管S7的栅极，所述第二PMOS管S7的栅极作为所述电平转换电路的第一输出端S1；
所述第二PMOS管S7的漏级和所述第二NMOS管S6的漏级连接于所述第一PMOS管S3的栅极，所述第一PMOS管S3的栅极作为所述电平转换电路的第二输出端S2。
可选的，所述第一PMOS管S3的源极与第一电源VCC1之间通过第一阻抗连接；所述第二PMOS管S7的源极与第二电源VCC2之间通过第二阻抗连接；所述第一阻抗和所述第二阻抗为不随电流变化的恒定阻抗。
可选的，所述第一阻抗和所述第二阻抗为不随电流变化的电阻，且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。
可选的，所述第一NMOS管S5与所述第二NMOS管S6的型号相同；所述第一PMOS管S3与所述第二PMOS管S7的型号相同；所述第一电源VCC1和所述第二电源VCC2为同一电源。
通过上述技术方案，对接收的控制脉冲信号进行电平解调时，运用电平锁存电路将控制脉冲信号解调后的信号进行高低电平交替变化时的电平锁存，可以降低三极管组成的驱动电路中晶体管截止和饱和状态切换带来的输出延迟对驱动电平信号的影响，从而降低驱动电路的功耗，使消防设备能够运行在更高的环境温度中。
本发明实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明实施方式的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施方式，但并不构成对本发明实施方式的限制。在附图中：
图1是本发明一种实施方式提供的一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路应用框图；
图2是本发明一种实施方式提供的一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路中的隔离锁存电路的原理图；
图3是本发明一种实施方式提供的一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路中的电平转换电路的原理图；
图4是本发明一种实施方式提供的一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路中的电流放大电路驱动SiC MOSFET(基于碳化硅的金属-氧化物半导体场效应晶体管)的原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图1和图2所示，本发明提供一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路，用于驱动SiC MOSFET，从而控制SiC MOSFET控制的相应的电路。SiC MOSFET主要应用于阻容负载，需要对驱动电路主要进行减小功耗的设计，以便适用更高温度下性能要求。根据器件SiC MOSFET的选择可以选用隔离锁存电路、电平转换电路和电流放大电路中的一种或者多种的组合作为适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路。
优选的，该适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路，用于接收控制脉冲信号，进行电平解调后，输出功率半导体器件驱动电平信号，这里的控制脉冲信号可以是使用现有控制器或者PWM发生器产生PWM波；所述驱动电路包括：隔离锁存电路，所述隔离锁存电路用于接收所述控制脉冲信号，对所述控制脉冲信号进行隔离和电平锁存处理后，输出所述驱动电平信号；
所述隔离锁存电路包括隔离电路和电平锁存电路，所述隔离电路的正半周电平输出端和负电平半周输出端连接至所述电平锁存电路的输入端，所述电平锁存电路用于锁存所述隔离电路的正半周电平输出端和所述负电平半周输出端输出的电压变化后的电平。
具体的，如图2所示，隔离电路包括变压器、第一二极管D1和第二二极管D2；变压器包括输入绕组T1、第一输出绕组T2和第二输出绕组T3；第一输出绕组T2连接于第二输出绕组T3的非同名端，第一输出绕组T2的输出端通过串联第一二极管D1后作为正半周电平输出端，第二输出绕组T3串联第二二极管D2后作为负电平半周输出端；正半周电平输出端和负电平半周输出端的命名根据输入绕组T1的引入PWM波的方式改变。第一输出绕组T2和第二输出绕组T3之间接地，便于第一输出绕组T2和第二输出绕组T3分别独立的形成电流通路。正半周电平输出端和负电平半周输出端为了输出，可以通过通路电阻接地后进行输出。这样设计的隔离电路输出端对控制器或者PWM发生器的影响，从而降低对驱动电路的选型要求。
如图2所示，电平锁存电路包括三极管Q1、三极管Q2和分压电阻(R1-R4)；三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极连接且接地；三极管Q1的集电极通过电阻R1连接于5V电源VCC；三极管Q2的集电极通过电阻R2连接于5V电源VCC；三极管Q1的集电极通过电阻R3连接于三极管Q2的基极；三极管Q2的集电极通过电阻R4连接三极管Q1的基极。
进一步的，所述隔离锁存电路还包括积分电路，所述隔离电路的所述正半周电平输出端和/或所述负电平半周输出端与所述电平锁存电路之间通过所述积分电路连接。正半周电平输出端串联的积分电路为电容C1和电阻Rb1组成的并联电路；连接于第一二极管D1与三极管Q1的基极之间；负电平半周输出端串联的积分电路为电容C2和电阻Rb2组成的并联电路；连接于第二二极管D2与三极管Q2的基极之间。积分电路的引入加速了三极管Q1和三极管Q2中基极之间器件电容的充放电的速度，从而进一步的降低了隔离锁存电路功耗以满足高温环境的需求。
输入绕组T1两端接PWM波，在电压为正脉冲时，D1导通D2截止，此时Q1导通，A点电R4位变低，使Q2发射结不再正偏，进而B点电位为高电平，再由Vcc经R2、维持Q1发射结正偏，保证其导通状态，积分电路中的电容C1、C2为加速电容提高开关速率(当PWM波的电压从低到高变化时，由于微分电路的作用，使加到基极的电压出现一个尖顶脉冲，使基极的电流很大，从而加快了三极管Q2从截止进入导通的速度，缩短了时间。高电平之后，对C2的充电很快就结束，这时加输入信号到基极的电压较小，维持三极管Q2导通。当PWM波的电压从高到低变化时，由于C2上原先的电压极性为上正下负，这一电压加到基极为负顶脉冲，加快了从基区抽出电荷，使三极管Q2以更快的速度从饱和转换到截止，缩短了三极管Q2的截止时间)。即使电压正脉冲结束，A、B两点电位依旧能够分别保持在低、高电平。同理，PWM波的电压为负脉冲结束后，A、B两点电位分别保持在高、低电平。当B点电位与原始PWM信号逻辑相同，而A点则相反。这样设计的隔离锁存电路，在解调PWM信号的同时，降低了隔离锁存电路的功耗，提高了输出驱动电平信号的稳定性。
优选的，输入绕组T1绕匝线数为10匝且与T2、T3两个绕组的匝比为1：1：1，二极管D1D2型号为SBD(SD0805S040S0R5)；电阻R1阻值为为20Ω、R2阻值为1000Ω、R3阻值为40Ω、R4阻值为100Ω、Rb1阻值为100Ω、Rb2阻值为100Ω；三极管Q1、Q2型号为2N2222A。这样设计，采用分立三极管，以适应更高温度环境的使用要求。
进一步的，为了更好的驱动SiC MOSFET，如图4所示，所述驱动电路还包括电流放大电路，所述电流放大电路的输入端与所述隔离电路的输出端连接，所述电流放大电路用于将所述隔离电路输出的所述驱动电平信号放大后输出。
可选的，所述电流放大电路为多级放大电路，所述多级放大电路的相邻两级放大电路之间串联有第一电荷耗散电阻，所述多级放大电路的最后一级放大电路的输出端通过串联第二电荷耗散电阻后输出放大驱动信号作为所述驱动电平信号。
可选的，所述多级放大电路包括：
一级放大电路以及与所述一级放大电路的输出端连接的二级放大电路；
所述一级放大电路包括第一晶体三极管NPN1和第二晶体三极管PNP1，所述第一晶体三极管NPN1的集电极连接电源VCC，所述第一晶体三极管NPN1的发射极与所述第二晶体三极管PNP1的集电极连接后作为所述一级放大电路的输出端，所述第一晶体三极管NPN1的基级与所述第二晶体三极管PNP1的基极连接后作为所述一级放大电路的输入端，所述第二晶体三极管PNP1的发射极接地；
所述二级放大电路包括第三晶体三极管NPN2和第四晶体三极管PNP2，所述第三晶体三极管NPN2的集电极连接电源VCC，所述第三晶体三极管NPN2的发射极和所述第四晶体三极管PNP2的集电极作为所述二级放大电路的输出端，所述第三晶体三极管NPN2的基级与所述第四晶体三极管PNP2的基极连接后作为所述二级放大电路的输入端，所述第四晶体三极管PNP2的发射极接地；
所述一级放大电路输出端与所述二级放大电路的输入端之间串联有第一电荷耗散电阻Rb4，所述第三晶体三极管NPN2的发射极通过串联第二电荷耗散电阻中的电阻Rg1进行输出，所述第四晶体三极管PNP2的集电极通过串联第二电荷耗散电阻中的电阻Rg2输出；电阻Rg1和电阻Rg2的输出端相连，作为P输出端，P输出端输出放大驱动信号作为所述驱动电平信号。
如图4所示，电流放大电路的输入的信号可以为25V电平PWM信号，将正确逻辑的信号输入至电流放大电路，以形成最终的隔离驱动输出信号；SiC MOSFET的栅极与源极之间串联有可变电容Cgs；栅极与漏极之间串联有可变电容Cgd。不同于纯电阻负载的情况，SiC驱动应用对应阻容负载，随着电容电压接近+Vcc或-Vcc，NPN2或PNP2的集电极电流逐渐降低，不再需要持续的基极电流，超量存储电荷逐渐缓慢消散。当超量存储电荷完全消散后，PWM电平跳变不会引发直通。其中Rb3和Rb4分别为470Ω和100Ω，Rg1和Rg2为100Ω，可变电容Cgd和Cgs为4.7UF，电容C5为100nf起到加速开关作用，电路使用了2个双极晶体管阵列PHPT610030NPK，一个双极晶体管阵列在SOT1205的贴片封装中集成了NPN2和PNP2三极管；另一个双极晶体管阵列在SOT1205的贴片封装中集成了NPN1和PNP1三极管。这样设计电流放大电路可以使驱动电路进一步适用用于SiC MOSFET的栅极驱动，降低了驱动电路的功耗。一级放大电路的输入端为了加快晶体三极管的开关速度，串联积分电路(由电容C5和一个电阻并联组成)进行输入，也进一步的降低了驱动电路NPN1和PNP1三极管的开关功耗。
进一步的，如图4所示，所述隔离电路的输出端与所述电流放大电路的输入端之间通过电平转换电路连接，所述电平转换电路用于将所述隔离电路输出的所述驱动电平信号进行电平转换后输入所述电流放大电路。
可选的，如图3所示，所述电平转换电路包括：第一NMOS管S5、第二NMOS管S6、第一PMOS管S3和第二PMOS管S7；所述第一NMOS管S5的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端A，所述第二NMOS管S6的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端B；所述第一NMOS管S5的栅极与漏级之间通过电容C3连接；所述第二NMOS管S6的栅极与漏级之间通过电容C4连接；
所述第一PMOS管S3的源极连接有第一电源VCC1，所述第二PMOS管S7的源极连接有第二电源VCC2；所述第一PMOS管S3的漏极和所述第一NMOS管S5的漏级连接于所述第二PMOS管S7的栅极，所述第二PMOS管S7的栅极作为所述电平转换电路的第一输出端S1；
所述第二PMOS管S7的漏级和所述第二NMOS管S6的漏级连接于所述第一PMOS管S3的栅极，所述第一PMOS管S3的栅极作为所述电平转换电路的第二输出端S2。
可选的，所述第一PMOS管S3的源极与第一电源VCC1之间通过第一阻抗连接；所述第二PMOS管S7的源极与第二电源VCC2之间通过第二阻抗连接；所述第一阻抗和所述第二阻抗为不随电流变化的恒定阻抗。
可选的，所述第一阻抗和所述第二阻抗为不随电流变化的电阻，且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。
具体的，当A端输入低电平，B端输入高电平时：电路动作分为六个阶段t1～t6(t1～t6表示动作发生的先后顺序)。在最开始的t1时刻，A信号与B信号同时发生翻转，A信号由低变高，B信号由高变低；导致t2时刻第一NMOS管S5的导通，第二NMOS管S6的关断；第一NMOS管S5与第一PMOS管S3均导通构成直通，输出信号S1被拉升至高电压域的高电平信号；第二NMOS管S6和第二PMOS管S7均关断使S2呈高阻状态变成低电平信号；由于R5的存在，一NMOS管S5与第一PMOS管S3的直通电流并不大且S1能够很快地在t3时刻变为低电平，第二PMOS管S7在t4时刻导通；S2在t5时刻变为高电平；最终在t6时刻第一PMOS管S3关断，完成完整的电平转换过程。电容C3和电容C4可以减少电平转换电路输入端和输出信号之间存在短暂延迟，减少第一NMOS管S5、第二NMOS管S6、第一PMOS管S3和第二PMOS管S7之间导通切换时产生由正电源VCC直接到地的贯通电流，从而减少了电路的功耗，提高了输出效率。
电平转换电路的引入，可以使得驱动电路的电平更加平稳，减少了电路的功耗，进一步的提高用于消防高温环境的适应性。
可选的，所述第一NMOS管S5与所述第二NMOS管S6的型号相同；所述第一PMOS管S3与所述第二PMOS管S7的型号相同；所述第一电源VCC1和所述第二电源VCC2为同一电源；其中，R5、R6均为100Ω，S3和S7型号为BSS84AK，S5和S6型号为NTK3043N。将这些器件的选型，选为相同，可以更好的输出一对互补的25V电平PWM信号，以适应电流放大电路的输入信号。本发明提出电平转化电路中引入了100欧姆的电阻R5和R6，使得S1电平被强制拉低，加快了S2电平的上升速度。此外保证了在t5时刻S3处于导通状态，且此时Vcc有较大比例降落在R5两端保证S3的Vgs为正值，加快其关断速度。
因此，本申请的耐高温隔离栅极驱动电路，采用的半导体器件为分立三极管器件，设计了电平转换电路和电流放大电路，使得元件开关速度提升、驱动电路功耗降低，提高分离元件组成的隔离驱动的耐高温性能，本申请的耐高温隔离栅极驱动电路运用于消防设备驱动阻容负载，可以使消防设备运行在更高的环境温度中。
以上结合附图详细描述了本发明的可选实施方式，但是，本发明实施方式并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明实施方式的技术构思范围内，可以对本发明实施方式的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明实施方式的保护范围。另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明实施方式对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明实施方式的思想，其同样应当视为本发明实施方式所公开的内容。
Claims (10)
1.一种适用于消防设备的耐高温隔离栅极驱动电路，用于接收控制脉冲信号，进行电平解调后，输出功率半导体器件驱动电平信号驱动阻容负载，其特征在于，所述驱动电路包括：
隔离锁存电路，所述隔离锁存电路用于接收所述控制脉冲信号，对所述控制脉冲信号进行隔离和电平锁存处理后，输出所述驱动电平信号；
所述隔离锁存电路包括隔离电路和电平锁存电路，所述隔离电路的正半周电平输出端和负电平半周输出端连接至所述电平锁存电路的输入端，所述电平锁存电路用于锁存所述隔离电路的正半周电平输出端和所述负电平半周输出端输出的电压变化后的电平。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述隔离锁存电路还包括积分电路，所述隔离电路的所述正半周电平输出端和/或所述负电平半周输出端与所述电平锁存电路之间通过所述积分电路连接。
3.根据权利要求1或2所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括电流放大电路，所述电流放大电路的输入端与所述隔离电路的输出端连接，所述电流放大电路用于将所述隔离电路输出的所述驱动电平信号放大后输出。
4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述电流放大电路为多级放大电路，所述多级放大电路的相邻两级放大电路之间串联有第一电荷耗散电阻，所述多级放大电路的最后一级放大电路的输出端串联第二电荷耗散电阻后输出放大驱动信号作为所述驱动电平信号。
5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述多级放大电路包括：
一级放大电路以及与所述一级放大电路的输出端连接的二级放大电路；所述一级放大电路包括第一晶体三极管NPN1和第二晶体三极管PNP1，所述第一晶体三极管NPN1的集电极连接电源VCC，所述第一晶体三极管NPN1的发射极与所述第二晶体三极管PNP1的集电极连接后作为所述一级放大电路的输出端，所述第一晶体三极管NPN1的基级与所述第二晶体三极管PNP1的基极连接后作为所述一级放大电路的输入端，所述第二晶体三极管PNP1的发射极接地；
所述二级放大电路包括第三晶体三极管NPN2和第四晶体三极管PNP2，所述第三晶体三极管NPN2的集电极连接电源VCC，所述第三晶体三极管NPN2的发射极和所述第四晶体三极管PNP2的集电极作为所述二级放大电路的输出端，所述第三晶体三极管NPN2的基级与所述第四晶体三极管PNP2的基极连接后作为所述二级放大电路的输入端，所述第四晶体三极管PNP2的发射极接地；
所述一级放大电路输出端与所述二级放大电路的输入端之间串联有第一电荷耗散电阻Rb4，所述第三晶体三极管NPN2的发射极和所述第四晶体三极管PNP2的集电极分别串联一个第二电荷耗散电阻输出放大驱动信号作为所述驱动电平信号。
6.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述隔离电路的输出端与所述电流放大电路的输入端之间通过电平转换电路连接，所述电平转换电路用于将所述隔离电路输出的所述驱动电平信号进行电平转换后输入所述电流放大电路。
7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述电平转换电路包括：第一NMOS管S5、第二NMOS管S6、第一PMOS管S3和第二PMOS管S7；所述第一NMOS管S5的栅极作为所述电平转换电路的第一输入端A，所述第二NMOS管S6的栅极作为所述电平转换电路的第二输入端B；所述第一NMOS管S5的栅极与漏级之间通过电容C3连接；所述第二NMOS管S6的栅极与漏级之间通过电容C4连接；
所述第一PMOS管S3的源极连接有第一电源VCC1，所述第二PMOS管S7的源极连接有第二电源VCC2；所述第一PMOS管S3的漏极和所述第一NMOS管S5的漏级连接于所述第二PMOS管S7的栅极，所述第二PMOS管S7的栅极作为所述电平转换电路的第一输出端S1；
所述第二PMOS管S7的漏级和所述第二NMOS管S6的漏级连接于所述第一PMOS管S3的栅极，所述第一PMOS管S3的栅极作为所述电平转换电路的第二输出端S2。
8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述第一PMOS管S3的源极与第一电源VCC1之间通过第一阻抗连接；所述第二PMOS管S7的源极与第二电源VCC2之间通过第二阻抗连接；所述第一阻抗和所述第二阻抗为不随电流变化的恒定阻抗。
9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述第一阻抗和所述第二阻抗为不随电流变化的电阻，且所述第一阻抗和所述第二阻抗的阻值相同。
10.根据权利要求9所述的驱动电路，其特征在于，所述第一NMOS管S5与所述第二NMOS管S6的型号相同；所述第一PMOS管S3与所述第二PMOS管S7的型号相同；所述第一电源VCC1和所述第二电源VCC2为同一电源。
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