CN112015052A - 一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法 - Google Patents

一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112015052A
CN112015052A CN202010987216.7A CN202010987216A CN112015052A CN 112015052 A CN112015052 A CN 112015052A CN 202010987216 A CN202010987216 A CN 202010987216A CN 112015052 A CN112015052 A CN 112015052A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
photoresist
rotating
optical glass
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010987216.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张威
周常河
刘年生
丁自强
由玉兴
马帅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Star Wave Optical Instrument Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Star Wave Optical Instrument Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Star Wave Optical Instrument Co ltd filed Critical Jiangsu Star Wave Optical Instrument Co ltd
Priority to CN202010987216.7A priority Critical patent/CN112015052A/zh
Publication of CN112015052A publication Critical patent/CN112015052A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005Spin coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0406Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases the gas being air
    • B05D3/0413Heating with air

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本发明属于半导体工艺技术领域,具体涉及一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,包括以下几个步骤:步骤一:将基片置于匀胶台旋转头上,基片低速旋转,并将光刻胶滴入基片上,光刻胶在基片上铺展开;步骤二:提高所述步骤一中基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄;步骤三:对所述步骤二中高速转动的基片进行排风干燥,去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气。该方法提高了膜厚均匀度,进而提高了光刻的效果。

Description

一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法
技术领域
本发明属于半导体工艺技术领域,具体涉及一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法。
背景技术
在半导体加工工艺领域,光刻工艺是不可或缺的加工环节。传统的光刻工艺包括涂胶、曝光和显影三个主要步骤。
膜厚对光刻的效果具有重要的影响,但是该传统工艺形成的膜厚均匀性极差。因此本发明提供用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,该方法提高了膜厚均匀度,进而提高了光刻的效果。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明提供一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,包括以下几个步骤:
步骤一:将基片置于匀胶台旋转头上,基片低速旋转,并将光刻胶滴入基片上,光刻胶在基片上铺展开;
步骤二:提高所述步骤一中基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄;
步骤三:对所述步骤二中高速转动的基片进行排风干燥,去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气,同时对基片进行加热,彻底干燥固化光刻胶。
所述步骤一中基片的转速为400-500rpm。
所述步骤二中基片的转速为1500-6000rpm,转动时间为10-300s。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.本发明采用动态滴胶的方式进行滴胶,首先在基片低速旋转时滴入光刻胶,光刻胶在基片上铺展开,减少光刻胶的浪费,而后提高基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄,采用动态滴胶不需要很多光刻胶就能润湿(铺展覆盖)整个基片表面,尤其是当光刻胶或基片本身润湿性不好的情况下,动态滴胶尤其适用,不会产生针孔。
2.本发明采用排风干燥的明显的优点为:匀胶时,光刻胶的干燥速度慢,对环境湿度的敏感性小,干燥(溶剂挥发)速率较慢带来的好处是胶面膜厚均匀性好;而匀胶时,在光刻胶被甩向基片边缘的同时,由于溶剂挥发,光刻胶也同时得以干燥,这样会造成光刻胶膜厚沿径向不均匀,因为光刻胶的粘度随基片中心到边缘的距离发生了变化,通过降低溶剂挥发速度使整个基片表面上光刻胶的粘度保持比较恒定。
附图说明
图1为本发明一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法的流程图。
具体实施方式
如说明书附图图1所示的一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,包括以下几个步骤:
步骤一:将基片置于匀胶台旋转头上,基片低速旋转,并将光刻胶滴入基片上,光刻胶在基片上铺展开;
步骤二:提高步骤一中基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄;
步骤三:对步骤二中高速转动的基片进行排风干燥,去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气,同时对基片进行加热,彻底干燥固化光刻胶。
步骤一中基片的转速为400-500rpm。
步骤二中基片的转速为1500-6000rpm,转动时间为10-300s。
实施例一
一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,包括以下几个步骤:
步骤一:将基片置于匀胶台旋转头上,基片低速旋转,并将光刻胶滴入基片上,光刻胶在基片上铺展开;
步骤二:提高步骤一中基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄;
步骤三:对步骤二中高速转动的基片进行排风干燥,去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气,同时对基片进行加热,彻底干燥固化光刻胶。
步骤一中基片的转速为450rpm。
步骤二中基片的转速为2000rpm,转动时间为100s。
实施例二
一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,包括以下几个步骤:
步骤一:将基片置于匀胶台旋转头上,基片低速旋转,并将光刻胶滴入基片上,光刻胶在基片上铺展开;
步骤二:提高步骤一中基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄;
步骤三:对步骤二中高速转动的基片进行排风干燥,去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气,同时对基片进行加热,彻底干燥固化光刻胶。
步骤一中基片的转速为480rpm。
步骤二中基片的转速为4000rpm,转动时间为200s。
综上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用来限定本发明实施的范围,凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰,均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (3)

1.一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,其特征在于:包括以下几个步骤:
步骤一:将基片置于匀胶台旋转头上,基片低速旋转,并将光刻胶滴入基片上,光刻胶在基片上铺展开;
步骤二:提高所述步骤一中基片的旋转速度,使得基片高速转动,光刻胶在基片上变薄;
步骤三:对所述步骤二中高速转动的基片进行排风干燥,去除胶层中多余的溶剂且排尽溶剂蒸气,同时对基片进行加热,彻底干燥固化光刻胶。
2.根据权利要求1所述的一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,其特征在于:所述步骤一中基片的转速为400-500rpm。
3.根据权利要求1所述的一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法,其特征在于:所述步骤二中基片的转速为1500-6000rpm,转动时间为10-300s。
CN202010987216.7A 2020-09-18 2020-09-18 一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法 Pending CN112015052A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010987216.7A CN112015052A (zh) 2020-09-18 2020-09-18 一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010987216.7A CN112015052A (zh) 2020-09-18 2020-09-18 一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112015052A true CN112015052A (zh) 2020-12-01

Family

ID=73522064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010987216.7A Pending CN112015052A (zh) 2020-09-18 2020-09-18 一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112015052A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097930A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法
CN1248058A (zh) * 1998-09-04 2000-03-22 日本电气株式会社 涂布抗蚀剂膜的方法和抗蚀剂涂布器
JP2000150357A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097930A (ja) * 1995-06-15 1997-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布液塗布方法
CN1248058A (zh) * 1998-09-04 2000-03-22 日本电气株式会社 涂布抗蚀剂膜的方法和抗蚀剂涂布器
JP2000150357A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09246173A (ja) 塗布方法
CN108828898B (zh) 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法
CN112415854A (zh) 改善晶圆光刻胶涂布效果的方法
CN112015052A (zh) 一种用于光学玻璃表面的改善型匀胶方法
CN109856914B (zh) 涂胶装置及方法
US8927058B2 (en) Photoresist coating process
CN103576466A (zh) 光刻方法
CN112596340A (zh) 一种晶圆片的光刻胶涂布方法
CN114843036B (zh) 一种基于溶液蒸发的裂纹模板制备方法及金属网格导电薄膜制备方法
CN109062010A (zh) 改善光刻胶表面粗糙度的方法
CN114267577A (zh) 一种光刻胶侧壁形貌控制方法
RU2008122966A (ru) Способ и устройство для управления толщинами слоя покрытия при нанесении центрифугированием
CN111234729A (zh) 一种非氟无硅离型膜及其制备方法
TWI453797B (zh) 均勻噴塗光刻膠的方法
JPH0435768A (ja) スピンコーティング方法
JPH08222502A (ja) 回転塗布装置
CN117369214A (zh) 一种石英基板生产用可控制涂胶厚度的光刻涂胶工艺
JPH05259062A (ja) 半導体基板のスピンコーティング方法
JPH04184915A (ja) レジスト塗布方法
TW426905B (en) Cleaning method of widened wafer edge for semiconductor wafer
JPS5855976Y2 (ja) スピンコ−タ−
JPS60189934A (ja) 粘性液の塗布方法
US20060099828A1 (en) Semiconductor process and photoresist coating process
KR100413971B1 (ko) 플라스틱 박막상의 인듐주석산화막 패턴 형성 방법과 그를 위한 회전 도포기
CN114843035A (zh) 基于逆向提拉法的曲面裂纹模板制备方法及金属网格导电薄膜制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201201