CN112003608B - 频率源的温度补偿参数确定方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种频率源的温度补偿参数确定方法及装置。该方法包括：获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率；采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内；在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。通过本申请，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。
Description
技术领域
本申请涉及频率源温度补偿领域，具体而言，涉及一种频率源的温度补偿参数确定方法及装置。
背景技术
由于便捷、尺寸小等优点，芯片的片上频率源正逐渐取代片外晶体、晶振，广泛应用于芯片领域。
一种典型的片上频率源是由LC振荡器实现，由于LC振荡器的温度随频率的升高而降低，具有负温度系数。因而，在电路设计中，往往需要设计复杂的温度补偿电路来补偿温度变化导致的频率偏差，在设计温度补偿电路时，需要知道温度补偿参数。在相关技术中，通常是在芯片量产的过程中，通过机台对芯片进行加热，结合不同温度下芯片的频率计算频率源的温度补偿参数，并写入芯片的存储器中。但是，采用机台对芯片加热，需要将芯片批量放入托盘，再将托盘放置到机台内进行芯片的加热，加热时间长，且容易产生加热不均。
针对相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本申请提供一种频率源的温度补偿参数确定方法及装置，以解决相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。
根据本申请的一个方面，提供了一种频率源的温度补偿参数确定方法。该方法包括：获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内；采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内；在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数。
可选地，采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，第一功耗大于第三功耗，第二功耗小于第三功耗。
可选地，在采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热的过程中，通过调整待测芯片在目标工作模式下的工作频率和/或工作通道的数量，以调整待测芯片在工作过程中产生的功耗。
可选地，依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：采用第一功耗对待测芯片加热第一时段；在采用第一功耗对待测芯片加热后，采用第二功耗对待测芯片加热第二时段，其中，第二时段小于第一时段；在采用第二功耗对待测芯片加热后，采用第三功耗对待测芯片加热第三时段，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内。
可选地，在采用第一功耗对待测芯片加热第一时段之前，该方法还包括：确定待测芯片在工作过程中产生的最大功耗，并将最大功耗确定为第一功耗。
可选地，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。
可选地，基于第一温度下的第一工作频率、第二温度下的第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数包括：基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式确定第一公式；基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式确定第二公式；基于第一公式和第二公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。
根据本申请的另一方面，提供了一种频率源的温度补偿参数确定装置。该装置包括：第一获取单元，用于获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内；加热单元，用于采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内；第二获取单元，用于在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；确定单元，用于基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种非易失性存储介质，非易失性存储介质包括存储的程序，其中，程序运行时控制非易失性存储介质所在的设备执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种电子装置，包含处理器和存储器；存储器中存储有计算机可读指令，处理器用于运行计算机可读指令，其中，计算机可读指令运行时执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。
通过本申请，采用以下步骤：获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内；采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内；在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。通过采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，并基于加热前后的片内频率源的频率确定温度补偿参数，进而达到了低成本、高效的对芯片的片上频率源的频率进行校准的效果。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是根据本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法的流程图；
图2是根据本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中采用不同功耗加热待测芯片的示意图；以及
图3是根据本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置的示意图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
根据本申请的实施例，提供了一种频率源的温度补偿参数确定方法。
图1是根据本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：
步骤S101，获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内。
需要说明的是，由于一阶拟合具有成本低，电路易于实现等优点，本申请实施例采用一阶拟合的方式对芯片的片内频率源的进行温度补偿。也即，测量不同芯片温度下片内频率源的频率，从而计算得到温度补偿斜率k和温度补偿偏置参数b。
具体地，第一温度可以为常温，先将每颗待测芯片先在机台上进行常温测试，获取待测芯片的片内频率源在常温T1下的第一工作频率F1，再通过自加热的方式将待测芯片从常温T1加热到高温T2，并获取待测芯片的片内频率源在高温T2下的第二工作频率F2，从而计算得到温度补偿斜率k和温度补偿偏置参数b。
步骤S102，采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内。
需要说明的是，芯片在工作的过程中会产生功耗，采用工作过程中产生的功耗对芯片进行自加热，无需通过机台进行长时间的加热，减少了设备成本。
而芯片自加热的难点在于如何在短时间内迅速让芯片整体稳定在特定温度，可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，第一功耗大于第三功耗，第二功耗小于第三功耗。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，在采用第一功耗对待测芯片加热第一时段之前，该方法还包括：确定待测芯片在工作过程中产生的最大功耗，并将最大功耗确定为第一功耗。
具体地，可以先采用工作过程中产生的最大功耗对待测芯片进行加热，在温度降低的过程中，采用中等功耗对待测芯片加热，在温度降低的过程中，再采用较大功耗对待测芯片进行加热，使得待测芯片在用较大功耗加热后迅速在一段时间内温度在一个温度附近，从而在该时间段测量温度，并测量该温度下片内频率源的频率。
在自加热的过程中需要对功耗的大小进行调整，可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，在采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热的过程中，通过调整待测芯片在目标工作模式下的工作频率和/或工作通道的数量，以调整待测芯片在工作过程中产生的功耗。
需要说明的是，芯片在不同工作模式下的功耗不同，在同一工作模式下的功耗也可以调节，为了更准确的调节功耗，在同一工作模式下，可以通过调节工作频率以及工作通道的数量调节功耗，具体地，工作频率越高，功耗越大，参与工作的工作通道的数量越多，功耗越大。通过本申请实施例，可以灵活准确的调整功耗，从而达到良好的芯片自加热效果。
步骤S103，在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度。
需要说明的是，本申请实施例采用振荡加热方法缩短芯片稳定在高温区间的时间，从而在该高温区间对应的时间段内测量温度以及片内频率源的频率，可以实现快速两点测试和温度补偿参数校准。
步骤S104，基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，基于第一温度下的第一工作频率、第二温度下的第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数包括：基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式确定第一公式；基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式确定第二公式；基于第一公式和第二公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。
具体地，第一温度可以为常温，在常温获取工作温度T1和工作频率F1，基于工作温度T1、工作频率F1和一阶拟合公式确定第一公式：F1＝kT 1+b，第二温度为自加热后得到的高温，在高温获取工作温度T2和工作频率F2，基于工作温度T2、工作频率F2和一阶拟合公式确定第二公式：F2＝kT 2+b，联合求解F1＝kT 1+b和F2＝kT2+b，从而计算得到温度补偿斜率k和温度补偿偏置参数b。
本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法，通过获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内；采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内；在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。通过采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，并基于加热前后的片内频率源的频率确定温度补偿参数，进而达到了低成本、高效的对芯片的片上频率源的频率进行校准的效果。
采用不同功耗加热的时间也对加热的效果存在影响，可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：采用第一功耗对待测芯片加热第一时段；在采用第一功耗对待测芯片加热后，采用第二功耗对待测芯片加热第二时段，其中，第二时段小于第一时段；在采用第二功耗对待测芯片加热后，采用第三功耗对待测芯片加热第三时段，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内。
具体地，可以采用第一功耗对待测芯片加热t1时长，采用第二功耗对待测芯片加热t1/2时长，并采用第三功耗对待测芯片加热t1/2时长，从而使待测芯片采用第三功耗加热后的t1/2时段内稳定在一个高温区间内，也即，得到高温稳定的测试窗口t1/2，便于在高温稳定的测试窗口内测温度以及测得该温度下片内频率源的频率。
例如，待测芯片可以为用于高速接口电路的损耗补偿的芯片，该款芯片支持USB3.2和DP1.4等协议，可以工作在USB模式和DP模式，数据速率可达10Gbps，通过I2C接口配置芯片工作模式，在不同模式以及不同数据速率下，芯片内部会产生不同大小的功耗，具体地，功耗范围从0mW至1200mW。
具体地，在采用该款芯片的功耗实现芯片自加热，典型的从加热开始到结温稳定的时间为30秒，但芯片自加热到90％的温度只需要15秒，加热到50％的温度只需要5秒，如图2所示，芯片瞬间功耗跳变越大，芯片温度曲线变化的斜率越大，本申请实施例采用振荡加热的方法，可以通过最大功耗(1200mw)冲击1s，再采用中等功耗(600mw)加热0.5s，最后采用较大功耗(900mw)的加热0.5s，可以使芯片在2s附近有一段较平坦的温度，从而可以在此区间完成两点测试中的高温测试点。
通过本申请实施例，保证了芯片温度补偿系数的校准精度，同时仅增加2～2.5s的加热时间，将测试时间成本控制在可以接受的范围内。
需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
本申请实施例还提供了一种频率源的温度补偿参数确定装置，需要说明的是，本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于频率源的温度补偿参数确定方法。以下对本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置进行介绍。
图3是根据本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定装置的示意图。如图3所示，该装置包括：第一获取单元10、加热单元20、第二获取单元30和确定单元40。
具体地，第一获取单元10，用于获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内。
加热单元20，用于采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内。
第二获取单元30，用于在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度。
确定单元40，用于基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数。
本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置，通过第一获取单元10获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，第一温度位于待测芯片的工作温度范围内；加热单元20采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，目标温度区间位于待测芯片的工作温度范围内；第二获取单元30在目标温度区间内获取第二温度，并获取待测芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度大于第一温度；确定单元40基于第一温度、第一工作频率、第二温度、第二工作频率以及一阶拟合公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题，通过采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热，并基于加热前后的片内频率源的频率确定温度补偿参数，进而达到了低成本、高效的对芯片的片上频率源的频率进行校准的效果。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，加热单元20包括：加热模块，用于依次采用待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对待测芯片加热，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，第一功耗大于第三功耗，第二功耗小于第三功耗。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，该装置还包括：调整单元，用于在采用待测芯片在工作过程中产生的功耗对待测芯片加热的过程中，通过调整待测芯片在目标工作模式下的工作频率和/或工作通道的数量，以调整待测芯片在工作过程中产生的功耗。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，加热模块包括：第一加热子模块，用于采用第一功耗对待测芯片加热第一时段；第二加热子模块，用于在采用第一功耗对待测芯片加热后，采用第二功耗对待测芯片加热第二时段，其中，第二时段小于第一时段；第三加热子模块，用于在采用第二功耗对待测芯片加热后，采用第三功耗对待测芯片加热第三时段，直至待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，该装置还包括：确定子模块，用于在采用第一功耗对待测芯片加热第一时段之前，确定待测芯片在工作过程中产生的最大功耗，并将最大功耗确定为第一功耗。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。
可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，确定单元40包括：第一确定模块，用于基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式确定第一公式；第二确定模块，用于基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式确定第二公式；第三确定模块，用于基于第一公式和第二公式，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；第四确定模块，用于将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。
所述频率源的温度补偿参数确定装置包括处理器和存储器，上述第一获取单元10、加热单元20、第二获取单元30和确定单元40等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。
本申请实施例还提供了一种非易失性存储介质，非易失性存储介质包括存储的程序，其中，程序运行时控制非易失性存储介质所在的设备执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。
本申请实施例还提供了一种电子装置，包含处理器和存储器；存储器中存储有计算机可读指令，处理器用于运行计算机可读指令，其中，计算机可读指令运行时执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。本文中的电子装置可以是服务器、PC、PAD、手机等。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。存储器是计算机可读介质的示例。
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
本领域技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (9)
1.一种频率源的温度补偿参数确定方法，其特征在于，包括：
获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，所述第一温度位于所述待测芯片的工作温度范围内，所述第一温度为常温；
采用所述待测芯片在目标工作模式下的工作过程中产生的功耗对所述待测芯片加热，直至所述待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，所述目标温度区间位于所述待测芯片的工作温度范围内；
在所述目标温度区间内获取第二温度，并获取所述待测芯片的片内频率源在所述第二温度下的第二工作频率，其中，所述第二温度大于所述第一温度；
基于所述第一温度、所述第一工作频率、所述第二温度、所述第二工作频率以及一阶拟合公式，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，所述一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数；
其中，采用所述待测芯片在工作过程中产生的功耗对所述待测芯片加热，直至所述待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：依次采用所述待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对所述待测芯片加热，直至所述待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，所述第一功耗大于所述第三功耗，所述第二功耗小于所述第三功耗。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用所述待测芯片在工作过程中产生的功耗对所述待测芯片加热的过程中，通过调整所述待测芯片在目标工作模式下的工作频率和/或工作通道的数量，以调整所述待测芯片在工作过程中产生的功耗。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依次采用所述待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对所述待测芯片加热，直至所述待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内包括：
采用所述第一功耗对所述待测芯片加热第一时段；
在采用所述第一功耗对所述待测芯片加热后，采用所述第二功耗对所述待测芯片加热第二时段，其中，所述第二时段小于所述第一时段；
在采用所述第二功耗对所述待测芯片加热后，采用所述第三功耗对所述待测芯片加热第三时段，直至所述待测芯片在所述预设时段内保持在所述目标温度区间内。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用所述第一功耗对所述待测芯片加热第一时段之前，所述方法还包括：
确定所述待测芯片在工作过程中产生的最大功耗，并将所述最大功耗确定为所述第一功耗。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一阶拟合公式为：
F＝kT+b，
其中，T为芯片的工作温度，F为所述芯片的内部频率源的工作频率，k为所述芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为所述芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，基于所述第一温度下的所述第一工作频率、所述第二温度下的所述第二工作频率以及一阶拟合公式，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数包括：
基于所述第一温度、第一工作频率和所述一阶拟合公式确定第一公式；
基于所述第二温度、第二工作频率和所述一阶拟合公式确定第二公式；
基于所述第一公式和所述第二公式，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；
将所述温度补偿斜率和所述温度补偿偏置参数确定为所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。
7.一种频率源的温度补偿参数确定装置，其特征在于，包括：
第一获取单元，用于获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率，其中，所述第一温度位于所述待测芯片的工作温度范围内，所述第一温度为常温；
加热单元，用于采用所述待测芯片在目标工作模式下的工作过程中产生的功耗对所述待测芯片加热，直至所述待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，所述目标温度区间位于所述待测芯片的工作温度范围内；
第二获取单元，用于在所述目标温度区间内获取第二温度，并获取所述待测芯片的片内频率源在所述第二温度下的第二工作频率，其中，所述第二温度大于所述第一温度；
确定单元，用于基于所述第一温度、所述第一工作频率、所述第二温度、所述第二工作频率以及一阶拟合公式，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，其中，所述一阶拟合公式用于根据芯片在不同温度对应的不同工作频率拟合温度变化曲线，以确定温度补偿参数；
其中，所述加热单元包括：加热模块，用于依次采用所述待测芯片在工作过程中产生的第一功耗、第二功耗和第三功耗对所述待测芯片加热，直至所述待测芯片在预设时段内保持在目标温度区间内，其中，所述第一功耗大于所述第三功耗，所述第二功耗小于所述第三功耗。
8.一种非易失性存储介质，其特征在于，所非易失性存储介质包括存储的程序，其中，所述程序运行时控制所述非易失性存储介质所在的设备执行权利要求1至6中任意一项所述的频率源的温度补偿参数确定方法。
9.一种电子装置，其特征在于，包含处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机可读指令，所述处理器用于运行所述计算机可读指令，其中，所述计算机可读指令运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的频率源的温度补偿参数确定方法。
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