CN112002787B - 一种具有粗糙表面的红外led外延片制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，属于发光二极管领域，该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaAs缓冲层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑AlxGa1‑xAs限制层、N‑AlxGa1‑xAs Space层、多量子阱有源层、P‑AlxGa1‑xAs Space层、P‑AlxGa1‑xAs限制层和P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层；在所述P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层上进行原位生长P‑AlxGa1‑xAs粗化层；在所述P‑AlxGa1‑xAs粗化层上生长重掺P‑GaAs接触层。本发明中，通过外延工艺制备粗糙表面，促进光的散射，提高其正面出光效率。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管领域，尤其涉及一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法。
背景技术
红外光源最开始应用于光通信领域，随着时代的发展逐渐开始应用于消费行业，比如遥控、识别、检测感应等方面。目前特别像人脸识别、3D成像、虹膜识别和眼动追踪等新技术都在不断地整合到诸多智能设备中，比如在智能手机、智能电子手表和各种移动终端平台上的应用，极大地推动了红外光源的普及应用。另外为了维护社会治安，打击违法犯罪，近些年国家也在大力推动建立天网监控系统，市场对安防监控设备的需求也在日益增加。红外LED由于其具有低热、节能、长寿命等优点，在红外光源领域的应用占有重要的地位。
目前红外LED都存在发光功率偏低的问题，尤其在远距遥控和监控领域的应用尤为明显。
发明内容
本发明主要从提高红外LED的出光效率着手，即通过外延工艺制备粗糙的表面，促进光的散射，提高其从正表面出光的效率。
为解决上述技术问题，本发明提供以下的技术方案：
本发明提供了一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，所述方法包括以下步骤，
S1：提供一衬底，
S2：在所述衬底上依次生长GaAs缓冲层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层、N-AlxGa1-xAs限制层、N-AlxGa1-xAs Space层、多量子阱有源层、P-AlxGa1-xAs Space层、P-AlxGa1-xAs限制层和P-AlxGa1-xAs电流扩展层。
优选的，所述步骤还包括，
S3：在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层上生长P-AlxGa1-xAs粗化层，
S4：在所述P-AlxGa1-xAs粗化层上生长重掺P-GaAs接触层。
优选的，当所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4有效流量从10-20sccm升高至100-250sccm；之后再通入TEGa和TEAl生长5-30min，粗化层厚度设置为500nm-2μm，其生长温度设置为650-750℃。
优选的，所述外延片包括衬底，以及依次在所述衬底上生长GaAs缓冲层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层、N-AlxGa1-xAs限制层、N-AlxGa1-xAs Space层、多量子阱有源层、P-AlxGa1-xAs Space层、P-AlxGa1-xAs限制层、P-AlxGa1-xAs电流扩展层、P-AlxGa1-xAs粗化层和P-GaAs接触层。
优选的，所述P-AlxGa1-xAs粗化层为掺C的P型材料。
优选的，所述P-AlxGa1-xAs粗化层的厚度设置为500nm-2μm。
优选的，所述P-AlxGa1-xAs粗化层生长温度设置为650-750℃。
本发明有益效果
本发明通过利用CCl4即可以作为金属砷化物的P型掺杂源，又可以利用其腐蚀气体的特性对AlxGa1-xAs材料进行刻蚀，通过控制生长温度、V/III比和CCl4流量，促进材料的三维模式生长，最终原位形成均匀的粗糙表面，促进光的散射，提高其从LED正面出光的效率。若采用芯片工艺如ICP或粗化液等方式粗化处理表面，势必影响表层GaAs接触层，进而严重影响欧姆接触性能，另外还额外增加芯片制备成本。本发明在外延环节就可通过生长工艺原位形成粗糙的表面，解决芯片对外延片正面粗化的难题，同时节约芯片制备成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法流程图。
图2为本发明实施例提供的具有粗糙表面的红外LED外延片的结构示意图。
图3为本发明粗化后外延片表面低倍光学显微镜图，低倍率下显示其主要是均匀的粗糙表面。
图4为本发明粗化后外延片表面高倍光学显微镜图，放大后显示其表面主要分布是三维斜棱锥体。
附图标记说明：200、衬底；211、GaAs缓冲层；221、N-AlxGa1-xAs电流扩展层； 231、N-AlxGa1-xAs限制层；241、N-AlxGa1-xAs Space层；251、多量子阱有源层；261、P-AlxGa1-xAs Space层；271、P-AlxGa1-xAs限制层；281、P-AlxGa1-xAs电流扩展层；202、P-AlxGa1-xAs粗化层；203、P-GaAs接触层。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例中的附图，对本发明的实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
如图1所示，本发明提供了一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，所述方法包括以下步骤，
S1：提供一衬底200，
本实施例中，衬底200包括但不限于GaAs衬底。
具体地，步骤S1可以包括：将放置在石墨盘中的GaAs衬底转运至反应室中，并加热反应室至650-750℃，反应室内压强降至50mbar，升温至400℃时通AsH3保护衬底200免于热分解。
S2，在衬底200上依次生长GaAs缓冲层211、N-AlxGa1-xAs电流扩展层221、N-AlxGa1-xAs限制层231、N-AlxGa1-xAs Space层241、多量子阱有源层251、P-AlxGa1-xAsSpace层261、P-AlxGa1-xAs限制层271、P-AlxGa1-xAs电流扩展层281。
具体地，步骤S2包括：加热反应室温度至650-750℃，反应室压强稳定在50mbar，在GaAs衬底上生长一层100-400nm GaAs缓冲层211，在GaAs缓冲层211上生长一层1-2μm厚的N-AlxGa1-xAs电流扩展层221；在其上再生长一层300-500nm厚的N-AlxGa1-xAs限制层231；在其上再生长一层50-200nm厚的N-AlxGa1-xAs Space层241；再在其上生长多量子阱（9-15对）有源层；在其上生长一层50-200nm厚P-AlxGa1-xAs Space层261；在其上生长一层300-500nm厚的P-AlxGa1-xAs限制层271；再在其上生长一层4-10μm厚的P-AlxGa1-xAs电流扩展层281。
步骤S3，在P-AlxGa1-xAs电流扩展层281上生长一层P-AlxGa1-xAs粗化层202。
具体地，步骤S3可以包括：控制反应室温度在650-750℃左右，反应室压强稳定在50mbar，当P-AlxGa1-xAs电流扩展层281生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4流量从10-20sccm升高至100-250sccm（优选200sccm）左右；之后再通入TEGa和TEAl生长5-30min，粗化层厚度大概在300nm-2μm左右。
步骤S4，在P-AlxGa1-xAs粗化层202上生长一层重掺P-GaAs接触层203。
具体地，步骤S4可以包括，控制反应室温度在650-750℃，反应室压强稳定在50mbar，将CCl4流量降至10-20sccm，AsH3流量降至50-100sccm，生长重掺P-GaAs接触层203。
本发明提供的方法制备得到均匀粗糙的表面，可以促进光在粗糙表面的散射，提高其出光效率。另外此方法可以解决芯片正表面粗化的难点，同时也节约芯片成本。
图2是本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的红外LED外延片的结构示意图，该外延片采用图1所示的方法步骤制备而成。参见图2，该外延片包括：衬底200；GaAs缓冲层211；N-AlxGa1-xAs电流扩展层221；N-AlxGa1-xAs限制层231；N-AlxGa1-xAs Space层241；多量子阱有源层251； P-AlxGa1-xAs Space层261； P-AlxGa1-xAs限制层271； P-AlxGa1-xAs电流扩展层281； P-AlxGa1-xAs粗化层202； P-GaAs接触层203。
具体地，利用CCl4在高温下对AlxGa1-xAs材料的刻蚀特性，通过控制P-AlxGa1-xAs粗化层202生长过程中的温度、CCl4流量大小和V/III比促进其三维模式生长，最终制备出如图3和图4所示均匀粗糙的表面。
其中P-AlxGa1-xAs粗化层202是C掺杂的，生长温度在650-750℃左右，厚度在500nm-2μm（优选1μm）之间。
进一步地，GaAs缓冲层211厚度为100-500nm；N-AlxGa1-xAs电流扩展层221厚度为1-2μm；N-AlxGa1-xAs限制层231的厚度为300-500nm；N-AlxGa1-x As Space层241的厚度为50-200nm；多量子阱有源层251的量子阱多数为9-15对；P-AlxGa1-xAs Space层261的厚度为50-200nm；P-AlxGa1-x As限制层271的厚度300-500nm；P-AlxGa1-xAs电流扩展层281的厚度4-10μm。
本实施例中，衬底200包括但不限于GaAs衬底。
本发明提供的外延片中，在生长P-AlxGa1-xAs粗化层202过程中，通过利用CCl4在高温下对AlxGa1-xAs材料的刻蚀特性，并控制P-AlxGa1-xAs粗化层202的生长温度、CCl4流量大小和V/III比促进其三维生长，最终形成均匀粗糙的表面。粗糙表面可以促进光的散射，提高其正面出光效率。若通过芯片工艺对表面进行粗化，势必额外增加工艺成本，同时会一定程度上破坏P-GaAs接触层203表面，导致接触性能变差。通过外延工艺可直接在生长过程中原位形成均匀粗糙的表面，不但克服芯片工艺难点，同时节约芯片成本。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤，
S1：提供一衬底（200），
S2：在所述衬底（200）上依次生长GaAs缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）和P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）；
所述步骤还包括，
S3：在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）上生长P-AlxGa1-xAs粗化层（202），
S4：在所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）上生长重掺P-GaAs接触层（203）；
当所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4有效流量从10-20sccm升高至100-250sccm；之后再通入TEGa和TEAl生长5-30min，粗化层厚度设置为500nm-2μm，其生长温度设置为650-750℃。
2.一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，
包括一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，
所述方法包括以下步骤，
S1：提供一衬底（200），
S2：在所述衬底（200）上依次生长GaAs缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）和P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）；
S3：在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）上生长P-AlxGa1-xAs粗化层（202），
S4：在所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）上生长重掺P-GaAs接触层（203）；
当所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4有效流量从10-20sccm升高至100-250sccm；之后再通入TEGa和TEAl生长5-30min，粗化层厚度设置为500nm-2μm，其生长温度设置为650-750℃，
所述外延片包括衬底（200），以及依次在所述衬底（200）上生长GaAs 缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）、P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）、P-AlxGa1-xAs粗化层（202）和P-GaAs接触层（203）。
3.根据权利要求2所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，
所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）为掺C的P型材料。
4.根据权利要求3所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，
所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）的厚度设置为500nm-2μm。
5.根据权利要求4所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片，其特征在于，
所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）生长温度设置为650-750℃。
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112736172B (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-06 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 一种具有应变预置层结构的近红外led及其制作方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1103512A (zh) * | 1993-06-30 | 1995-06-07 | 日立电线株式会社 | 发光二极管及其制造方法 |
| JPH1022523A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Omron Corp | 半導体発光素子 |
| CN201466053U (zh) * | 2009-07-07 | 2010-05-12 | 扬州乾照光电有限公司 | 发光二极管 |
| CN103824914A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-05-28 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 |
| CN203721755U (zh) * | 2013-12-11 | 2014-07-16 | 天津中环新光科技有限公司 | 具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管 |
| US9293648B1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-03-22 | Bolb Inc. | Light emitter with a conductive transparent p-type layer structure |
| CN205790048U (zh) * | 2016-06-13 | 2016-12-07 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种侧壁粗化高亮度发光二极管 |
| CN108417677A (zh) * | 2018-03-09 | 2018-08-17 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led芯片及其窗口层的粗化方法 |
| CN110137325A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-08-16 | 深圳先进技术研究院 | 红外led器件及其制备方法 |
| CN110707192A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-17 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种高亮度正装led结构及制作方法 |
| CN111200042A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-26 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种AlGaInP四元LED芯片制备方法 |
| CN111430512A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 经过粗化的AlGaAs基LED的制备方法及LED |
| CN111819703A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-10-23 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光元件 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10043946B2 (en) * | 2009-08-25 | 2018-08-07 | Soraa, Inc. | Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening |
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2020
- 2020-10-30 CN CN202011184180.5A patent/CN112002787B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1103512A (zh) * | 1993-06-30 | 1995-06-07 | 日立电线株式会社 | 发光二极管及其制造方法 |
| JPH1022523A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Omron Corp | 半導体発光素子 |
| CN201466053U (zh) * | 2009-07-07 | 2010-05-12 | 扬州乾照光电有限公司 | 发光二极管 |
| CN203721755U (zh) * | 2013-12-11 | 2014-07-16 | 天津中环新光科技有限公司 | 具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管 |
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| US9293648B1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-03-22 | Bolb Inc. | Light emitter with a conductive transparent p-type layer structure |
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