CN112002710A - 通孔屏及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种通孔屏及其制备方法、显示装置。该通孔屏包括：基体基板、阵列基板层、封装层、触控层和黑色光阻单元；基体基板设有第一开孔区；阵列基板层设于基体基板上；阵列基板层设有第二开孔区；封装层设于阵列基板层上；封装层设有第三开孔区；触控层设于封装层上；黑色光阻单元分别覆盖在对刻掏空第二开孔区后的周边、掏空第三开孔区后的周边和掏空第四开孔区后的周边；并对第一开孔区开孔，形成通孔。本申请通过在阵列基板层上直接设置触控层，减少发光层上面的膜层厚度，进而减少开孔后的漏光量；通过黑色光阻单元覆盖工艺，包覆开孔区外圈，进而直接阻挡了开孔区的横向漏光，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及通孔屏及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前市场上柔性OLED(flexible OLED)全面屏渐渐成为手机高端市场的主流。现阶段，针对自发光的OLED产品始终存在一个缺点就是，由于OLED部分的散射光可以通过发光材料以上的膜层向侧向传导，导致屏侧面会出现漏光的问题。随着屏占比的不断提高，通孔屏在OLED产品得到了广泛应用。通孔屏是通过对屏幕进行打孔实现，但开孔区也会像屏幕侧面一样产生漏光的问题，漏光在摄像头进行拍照时会干扰外部光的采集，影响拍摄效果。
在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：现阶段的通卡屏存在屏幕侧面漏光，对摄像头的拍摄效果干扰大。
发明内容
基于此，有必要针对现阶段的通卡屏存在屏幕侧面漏光，对摄像头的拍摄效果干扰大的问题，提供一种通孔屏及其制备方法、显示装置。
为了实现上述目的，一方面，本申请实施例提供了一种通孔屏，包括：
基体基板，基体基板设有第一开孔区；
阵列基板层，阵列基板层设于基体基板上；阵列基板层设有第二开孔区；
封装层，封装层设于阵列基板层上；封装层设有第三开孔区；
触控层，触控层设于封装层上，触控层设有第四开孔区；第一开孔区、第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区依次相互贴合；并依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区掏空；
黑色光阻单元，黑色光阻单元分别覆盖在对刻掏空第二开孔区后的周边、掏空第三开孔区后的周边和掏空第四开孔区后的周边；并对第一开孔区开孔，形成通孔。
在其中一个实施例中，还包括玻璃盖板层；
玻璃盖板层设于在黑色光阻单元覆盖后的触控层上。
在其中一个实施例中，阵列基板层包括阵列基板和发光材料层；
阵列基板设于基体基板上；发光材料层设于阵列基板上。
在其中一个实施例中，黑色光阻单元的厚度范围为1.5微米至5微米。
在其中一个实施例中，封装层包括设于阵列基板层上的第一薄膜层，设于第一薄膜层上的有机层，以及设于有机层上的第二薄膜层。
另一方面，本申请实施例还提供了一种通孔屏制备方法，包括以下步骤：
提供一基体基板，在基体基板上制备阵列基板层；基体基板设有第一开孔区；阵列基板层设有第二开孔区；
在阵列基板层上制备封装层；封装层设有第三开孔区；
在封装层上制备触控层；触控层设有第四开孔区；第一开孔区、第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区依次相互贴合；
依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区进行刻蚀；
分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖；
对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔。
在其中一个实施例中，依次对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区进行刻蚀的步骤包括：
采用光刻及干蚀刻工艺依次对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区进行刻蚀处理。
在其中一个实施例中，分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖的步骤包括：
采用光刻及退火工艺分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖。
在其中一个实施例中，对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔的步骤包括：
采用激光器对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔。
另一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任意一项的通孔屏。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
本申请实施例中通过提供一种通孔屏，该通孔屏包括基体基板、阵列基板层、封装层、触控层和黑色光阻单元；基体基板设有第一开孔区；阵列基板层设于基体基板上；阵列基板层设有第二开孔区；封装层设于阵列基板层上；封装层设有第三开孔区；触控层设于封装层上，触控层设有第四开孔区；第一开孔区、第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区依次相互贴合；并依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区掏空；黑色光阻单元分别覆盖在对刻掏空第二开孔区后的周边、掏空第三开孔区后的周边和掏空第四开孔区后的周边；并对第一开孔区开孔，形成通孔。本申请通过在阵列基板层上直接设置触控层，减少发光层上面的膜层厚度，进而减少开孔后的漏光量；通过先对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区打孔区的无机膜层进行蚀刻处理，只剩下基体基板的第一开孔区，进而切割基体基板的第一开孔区时，应力大大减小，可以去除打孔区的防裂缝设计，将孔径进一步降低；通过黑色光阻单元覆盖工艺，包覆第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区外圈，进而直接阻挡了开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)的横向漏光，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰。
附图说明
图1为一个实施例中通孔屏的结构示意图；
图2为一个实施例中通孔屏通孔制备方法的第一流程示意图；
图3为一个实施例中刻蚀处理步骤的工艺示意图；
图4为一个实施例中黑色光阻单元覆盖处理步骤的工艺示意图；
图5为一个实施例中CG层制备步骤的工艺示意图；
图6为一个实施例中第一开孔区切割开孔步骤的工艺示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“设置”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在一个实施例中，如图1所示，提供了一种通孔屏，将该通孔屏包括以下：
基体基板11，基体基板11设有第一开孔区；
阵列基板层13，阵列基板层13设于基体基板11上；阵列基板层13设有第二开孔区；
封装层15，封装层15设于阵列基板层13上；封装层15设有第三开孔区；
触控层17，触控层17设于封装层15上，触控层17设有第四开孔区；第一开孔区、第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区依次相互贴合；并依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区掏空；
黑色光阻单元19，黑色光阻单元19分别覆盖在对刻掏空第二开孔区后的周边、掏空第三开孔区后的周边和掏空第四开孔区后的周边；并对第一开孔区开孔，形成通孔。
其中，基体基板11可包括柔性衬底以及覆盖在柔性衬底上的PI层。PI层指的是基于聚酰亚胺材料制成的薄膜层。阵列基板层13可包括阵列(Array)基板以及制备在阵列基板上的发光层。第一开孔区指的是在基体基板上设置的待开孔区域；第二开孔区指的是在阵列基板层上设置的待开孔区域。在一个示例中，第一开孔区的尺寸可小于或等于第二开孔区的尺寸。
封装层15可以是薄膜封装层(Thin-Film Encapsulation，TFT层)，封装层15可用来防止湿气和氧气渗透至阵列基板层13。第三开孔区指的是在封装层上设置的待开孔区域。在一个示例中，第三开孔区的尺寸可大于或等于第二开孔区的尺寸。触控层(TP层，TouchPanel)17指的是基于Touch工艺制成的触控层。第四开孔区指的是在触控层上设置的待开孔区域。在一个示例中，第四开孔区的尺寸可大于或等于第三开孔区的尺寸。黑色光阻单元19的材料可以是黑色有机光阻及/或黑色高精度正性光阻。
其中，第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区可以是相同形状的开口区域。第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区的中心轴相互重叠。例如第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区可均是圆形形状。
在一个示例中，可基于沉积技术在基体基板上沉积一层聚酰亚胺，形成聚酰亚胺薄膜层(PI层)。例如，PI层可以单层聚酰亚胺薄膜层，PI层也可以双层或多层聚酰亚胺薄膜层基体层。
在一个示例中，阵列基板可包括基板以及布设在基板上的金属走线。
具体地，在基体基板11上设置第一开孔区，在阵列基板层13上设置第二开孔区，在提供的基体基板11上制备阵列基板层13，使得第一开孔区与第二开孔区相对应贴合。在阵列基板层13上设置第三开孔区，可基于封装工艺在阵列基板层13上制备封装层15，使得第三开孔区与第二开孔区相对应贴合。可基于Touch工艺在封装层15上制备触控层17，并在触控层17上划分第四开孔区，使得第四开孔区和第三开孔区相对应贴合。
可基于蚀刻工艺，依次对触控层17的第四开孔区、封装层15的第三开孔区和阵列基板层13的第二开孔区进行刻蚀掏空，分别将第四开孔区包含的无机材料、第三开孔区包含的无机材料和第二开孔区包含的无机材料去除，直至刻蚀掏空到PI层11的第一开孔区时停止刻蚀。
进一步的，分别对刻蚀掏空第二开孔区后的周边、刻蚀掏空第三开孔区后的周边和刻蚀掏空第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元19的覆盖，使得黑色光阻单元19分别覆盖刻蚀掏空第二开孔区后产生的侧边及周边走线，覆盖刻蚀掏空第三开孔区后产生的侧边及周边走线，以及覆盖刻蚀掏空第四开孔区后产生的侧边及周边走线，遮挡开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)周边的金属走线及侧面发光，阻挡了开孔区的横向(侧向)漏光。
进一步的，通过光罩对黑色光阻单元19进行图案化处理，黑色光阻单元19的厚度很小，几乎不占开孔区的面积，孔径可以最大化利用，将孔径窄化设计提高屏占比，使得开孔区的边界(border)最小化，实现孔径的最小化。
进一步的，在完成第二开孔区、第三开孔区以及第四开孔区的蚀刻去除，以及完成黑色光阻单元19覆盖后，对第一开孔区进行切割开孔，进而形成通孔，从而在切割第一开孔区时，应力大大减小，可以去除开孔区的防裂(anti-crack)设计，将孔径进一步降低，实现对通孔屏通孔结构的制备。
上述实施例中，通过在阵列基板层上直接设置触控层，减少发光层上面的膜层厚度，进而减少开孔后的漏光量；通过先对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区打孔区的无机膜层进行蚀刻处理，只剩下基体基板的第一开孔区，进而切割基体基板的第一开孔区时，应力大大减小，可以去除打孔区的防裂缝设计，将孔径进一步降低；通过黑色光阻单元覆盖工艺，包覆第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区外圈，进而直接阻挡了开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)的横向漏光，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰。
在一个实施例中，如图1所示，该通孔屏还包括玻璃盖板层21；玻璃盖板层21设于在黑色光阻单元19覆盖后的触控层17上。
其中，玻璃盖板层21指的是玻璃盖板层。
具体的，在黑色光阻单元19覆盖后的触控层17上可贴合玻璃盖板层21。
在一个示例中，可通过光学胶将玻璃盖板层21贴合在黑色光阻单元19及触控层17上。
具体而言，通过在基体基板11上制设置阵列基板层13，通过在阵列基板层13上依次设置封装层15及触控层17，进而减少阵列基板层13上面的膜层厚度，减少开孔后的漏光量。开孔区的开孔，先进行对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区的无机膜层蚀刻处理，只剩下基体基板11上的第一开孔区，进而对第一开孔区切割开孔时，应力大大减小，可以去除开孔区的防裂缝设计，将孔径进一步降低。在第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区的无机膜层蚀刻去除后，对黑色光阻单元19进行图案化覆盖处理，包覆开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)外圈，进而直接阻挡了开孔区的横向漏光，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰；同时由于黑色光阻单元19的厚度很小，几乎不占开孔区的面积，孔径可以最大化利用，将孔径窄化设计提高屏占比，从而在玻璃盖板层21贴合时也无需涂黑胶进行遮挡，开孔区的border最小化，实现孔进的最小化。
在一个实施例中，如图1所示，阵列基板层13包括阵列基板131和发光材料层133；阵列基板131设于基体基板11上；发光材料层133设于阵列基板131上。
其中，阵列基板131可包括衬底基板。衬底基板可以是柔性基板，衬底基板的材料可以是透明绝缘材料，例如玻璃、塑料或陶瓷材料的透明绝缘材料。衬底基板可以是塑料基板，其材料为例如聚酰亚胺(Polyimide)、聚乙烯对苯二甲酯(PolyethyleneTerephthalate)、聚酯(polyester)、聚碳酸酯(polycarbonates)、聚丙烯酸酯(polyacrylates)或聚苯乙烯(polystyrene)。发光材料层133的材料可以是OLED材料。
具体地，在基体基板11上设置阵列基板131；在阵列基板131上进行OLED材料的蒸镀，使得在阵列基板131上形成发光材料层133，进而阵列基板131和发光材料层133组合形成阵列基板层13。
在一个实施例中，黑色光阻单元19的厚度范围为1.5微米至5微米。
具体地，黑色光阻的厚度可以在1.5微米至5微米之间，黑色光阻单元19有隔绝水氧的特性，黑色光阻单元19的材料可以是聚酰亚胺类的高分子聚合物材料等。
在一个实施例中，如图1所示，封装层15包括设于阵列基板层13上的第一薄膜层151，设于第一薄膜层151上的有机层153，以及设于有机层153上的第二薄膜层155。
其中，第一薄膜层151指的是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成的薄膜层。第二薄膜层155指的是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成的薄膜层。
具体地，在阵列基板层13上采用化学气相沉积工艺沉积第一薄膜层151；在第一薄膜层151上涂布喷墨打印形成有机层153；在有机层153上采用化学气相沉积工艺沉积第二薄膜层155；进而第一薄膜层151、有机层153和第二薄膜层155组合形成封装层15。
进一步的，可通过在封装层15上直接制作触控层17的工艺，这样减少发光层上面的膜层厚度，减少开孔后的漏光量。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种通孔屏制备方法，将该通孔屏制备方法应用于图1的通孔屏的结构示意图进行说明。该通孔屏制备方法包括以下步骤：
步骤S210，提供一PI(PolyimideFilm，聚酰亚胺薄膜)基板11，在基体基板11上制备阵列基板层13；基体基板11设有第一开孔区；阵列基板层13设有第二开孔区。
其中，基体基板11可包括柔性衬底以及覆盖在柔性衬底上的PI层。PI层指的是基于聚酰亚胺材料制成的薄膜层。阵列基板层13可包括阵列(Array)基板以及制备在阵列基板上的发光层。第一开孔区指的是在基体基板上设置的待开孔区域；第二开孔区指的是在阵列基板层上设置的待开孔区域。在一个示例中，第一开孔区的尺寸可小于或等于第二开孔区的尺寸。
在一个示例中，可基于沉积技术沉积一层聚酰亚胺，形成PI层。例如，PI层可以单层聚酰亚胺薄膜层，PI层也可以双层或多层聚酰亚胺薄膜层基体层。
在一个示例中，阵列基板可包括基板以及布设在基板上的金属走线。
具体地，在基体基板11上设置第一开孔区，在阵列基板层13上设置第二开孔区，在提供的基体基板11上制备阵列基板层13，使得第一开孔区与第二开孔区相对应贴合。
步骤S220，在阵列基板层13上制备封装层15；封装层15设有第三开孔区。
其中，封装层15可以是薄膜封装层(Thin-Film Encapsulation，TFT层)，封装层15可用来防止湿气和氧气渗透至阵列基板层13。第三开孔区指的是在封装层上设置的待开孔区域。在一个示例中，第三开孔区的尺寸可大于或等于第二开孔区的尺寸。
具体地，在阵列基板层13上设置第三开孔区，可基于封装工艺在阵列基板层13上制备封装层15，使得第三开孔区与第二开孔区相对应贴合。
步骤S230，在封装层15上制备触控层17；触控层17设有第四开孔区；第一开孔区、第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区依次相互贴合。
其中，TP(TouchPanel，触控面板)层17指的是基于Touch工艺制成的触控层。第四开孔区指的是在触控层上设置的待开孔区域。在一个示例中，第四开孔区的尺寸可大于或等于第三开孔区的尺寸。
具体地，可基于Touch工艺在封装层15上制备触控层17，并在触控层17上划分第四开孔区，使得第四开孔区和第三开孔区相对应贴合。
步骤S240，依次对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区进行刻蚀。
其中，第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区可以是相同形状的开口区域。第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区的中心轴相互重叠。例如第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区可均是圆形形状。
具体的，可基于蚀刻工艺，依次对触控层17的第四开孔区、封装层15的第三开孔区和阵列基板层13的第二开孔区进行刻蚀，分别将第四开孔区包含的无机材料、第三开孔区包含的无机材料和第二开孔区包含的无机材料去除，直至刻蚀到PI层11的第一开孔区时停止刻蚀。
步骤S250，分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元19覆盖。
其中，黑色光阻单元19的材料可以是黑色有机光阻及/或黑色高精度正性光阻。
具体地，分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元19的覆盖，使得黑色光阻单元19分别覆盖刻蚀第二开孔区后产生的侧边及周边走线，覆盖刻蚀第三开孔区后产生的侧边及周边走线，以及覆盖刻蚀第四开孔区后产生的侧边及周边走线，遮挡开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)周边的金属走线及侧面发光，阻挡了开孔区的横向(侧向)漏光。
进一步的，通过光罩对黑色光阻单元19进行图案化处理，黑色光阻单元19的厚度很小，几乎不占开孔区的面积，孔径可以最大化利用，将孔径窄化设计提高屏占比，使得开孔区的边界(border)最小化，实现孔径的最小化。
步骤S260，对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔。
具体地，在完成第二开孔区、第三开孔区以及第四开孔区的蚀刻去除，以及完成黑色光阻单元19覆盖后，对第一开孔区进行切割开孔，进而形成通孔，从而在切割第一开孔区时，应力大大减小，可以去除开孔区的防裂(anti-crack)设计，将孔径进一步降低，实现对通孔屏通孔结构的制备。
上述实施例中，通过在阵列基板层13上直接制作TP的工艺，减少发光层上面的膜层厚度，进而减少开孔后的漏光量；通过先对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区打孔区的无机膜层进行蚀刻处理，只剩下PI层11的第一开孔区，进而切割PI层11的第一开孔区时，应力大大减小，可以去除打孔区的防裂缝设计，将孔径进一步降低；通过黑色光阻单元19覆盖工艺，包覆第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区外圈，进而直接阻挡了开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)的横向漏光，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰。
在一个实施例中，依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区进行刻蚀的步骤包括：
采用光刻及干蚀刻工艺依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区进行刻蚀处理。
具体地，采用光刻(photo)工艺，对第四开孔区进行光刻处理后，对触控层的第四开孔区进行干蚀刻处理；直至第四开孔区蚀刻去除后，采用光刻工艺，对第三开孔区进行光刻处理后，对封装层的第三开孔区进行干蚀刻处理；直至第三开孔区蚀刻去除后，采用光刻工艺，对第二开孔区进行光刻处理后，对阵列基板层的第二开孔区进行干蚀刻处理，完成对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区的蚀刻去除。
进一步的，如图3所示，为刻蚀处理步骤的工艺示意图。刻蚀处理步骤的工艺过程为：
基于光刻及干蚀刻工艺，依次对第四开孔区171、第三开孔区157和第二开孔区135进行刻蚀处理光刻及干蚀刻处理，分别将第四开孔区171、第三开孔区157和第二开孔区135的无机材料去除，刻蚀到PI层11的第一开孔区111时停止蚀刻，只剩下PI层11的第一开孔区111。
在一个实施例中，分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖的步骤包括：
采用光刻及退火工艺分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖。
具体地，黑色光阻单元可以是BM(黑色矩阵)单元。在第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区的无机层材料干蚀刻去除后，进行一道BM工艺，BM进行光刻(photo)及图案化(pattern)后，分别包覆第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区外圈，从而直接阻挡了第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区的横向漏光，光刻工艺精度很高，BM单元的厚度很小，几乎不占打孔区的面积，孔径可以最大化利用，将孔径窄化设计提高屏占比，进而在CG层贴合时也无需涂黑胶进行遮挡，开孔区的border最小化，实现孔径的最小化。
具体地，如图4所示，为黑色光阻单元覆盖步骤的工艺示意图。刻蚀处理步骤的工艺过程为：
使用黑色光阻单元19，进行photo及anneal工艺，分别将第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区的侧边及周边走线进行覆盖，遮挡金属走线及侧面发光。
在一个示例中，黑色光阻的厚度可以在1.5微米至5微米之间，黑色光阻单元有隔绝水氧的特性，黑色光阻单元的材料可以是聚酰亚胺类的高分子聚合物材料等。
在一个实施例中，如图5所示，为CG层制备步骤的工艺示意图。CG层制备步骤的工艺过程为：
在完成在黑色光阻单元19的光刻(photo)及图案化(pattern)后工艺后，在触控层17上可通过OCA(Optically Clear Adhesive)光学胶贴合玻璃盖板，进而在触控层17上形成CG层21。通过去除防裂缝(anti-crack)设计，去除CG层21上开孔区的黑胶涂布，缩减开孔去的border，使开孔最小化。
进一步的，在触控层与CG层之间还可制备POL(Polarizer，偏光片)层。
在一个实施例中，对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔的步骤包括：
采用激光器对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔。
具体地，如图6所示，为第一开孔区切割开孔步骤的工艺示意图。第一开孔区切割开孔步骤的工艺过程为：
在完成第二开孔区、第三开孔区以及第四开孔区的蚀刻去除，以及完成黑色光阻单元材料覆盖后，采用激光器(Laser)对第一开孔区进行切割开孔，进而形成通孔，从而在切割第一开孔区时，应力大大减小，可以去除开孔区的防裂(anti-crack)设计，将孔径进一步降低，实现对通孔屏通孔结构的制备，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰。
在一个实施例中，提供了在阵列基板层上制备封装层的步骤，将该在阵列基板层上制备封装层的步骤应用于图1的通孔屏的结构示意图进行说明。在阵列基板层上制备封装层的步骤包括：
采用化学气相沉积工艺在阵列基板层13上沉积第一薄膜层151；
在第一薄膜层151上喷墨打印形成有机层153；
采用化学气相沉积工艺在有机层153上沉积第二薄膜层155；第一薄膜层151、IJP(Ink Jet Printing，喷墨打印)层153和第二薄膜层155组合形成封装层。
其中，第一薄膜层151指的是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成的薄膜层。第二薄膜层155指的是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成的薄膜层。
具体地，在阵列基板层13上采用化学气相沉积工艺沉积第一薄膜层151；在第一薄膜层151上涂布喷墨打印形成有机层153；在有机层153上采用化学气相沉积工艺沉积第二薄膜层155；进而第一薄膜层151、有机层153和第二薄膜层155组合形成封装层15。
进一步的，可通过在封装层15上直接制作触控层17的工艺，这样减少发光层上面的膜层厚度，减少开孔后的漏光量。
在一个实施例中，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述的通孔屏。
其中，通孔屏可以是OLED通孔屏。通孔屏可包括摄像头以及与摄像头的摄像口相对设置的通孔屏通孔。
具体而言，通孔屏的制备过程为：提供一基体基板，在基体基板上制备阵列基板层；基体基板设有第一开孔区；阵列基板层设有第二开孔区；在阵列基板层上制备封装层；封装层设有第三开孔区；在封装层上制备触控层；触控层设有第四开孔区；依次对第四开孔区、第三开孔区和第二开孔区进行刻蚀；分别对刻蚀第二开孔区后的周边、刻蚀第三开孔区后的周边和刻蚀第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖；对第一开孔区进行切割开孔，形成通孔。本申请通过在阵列基板层上直接制作TP的工艺，减少发光层上面的膜层厚度，进而减少开孔后的漏光量；通过先对第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区打孔区的无机膜层进行蚀刻处理，只剩下PI层的第一开孔区，进而切割PI层的第一开孔区时，应力大大减小，可以去除打孔区的防裂缝设计，将孔径进一步降低；通过黑色光阻单元覆盖工艺，包覆第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区外圈，进而直接阻挡了开孔区(第二开孔区、第三开孔区和第四开孔区)的横向漏光，改善了开孔区漏光对摄像头的干扰。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种通孔屏，其特征在于，包括：
基体基板，所述基体基板设有第一开孔区；
阵列基板层，所述阵列基板层设于所述基体基板上；所述阵列基板层设有第二开孔区；
封装层，所述封装层设于所述阵列基板层上；所述封装层设有第三开孔区；
触控层，所述触控层设于所述封装层上，所述触控层设有第四开孔区；所述第一开孔区、所述第二开孔区、所述第三开孔区和所述第四开孔区依次相互贴合；并依次对所述第四开孔区、所述第三开孔区和所述第二开孔区掏空；
黑色光阻单元，所述黑色光阻单元分别覆盖在对刻掏空所述第二开孔区后的周边、掏空所述第三开孔区后的周边和掏空所述第四开孔区后的周边；并对所述第一开孔区开孔，形成通孔。
2.根据权利要求1所述的通孔屏，其特征在于，还包括玻璃盖板层；
所述玻璃盖板层设于在所述黑色光阻单元覆盖后的触控层上。
3.根据权利要求1所述的通孔屏，其特征在于，所述阵列基板层包括阵列基板和发光材料层；
所述阵列基板设于所述基体基板上；所述发光材料层设于所述阵列基板上。
4.根据权利要求1所述的通孔屏，其特征在于，所述黑色光阻单元的厚度范围为1.5微米至5微米。
5.根据权利要求1所述的通孔屏，其特征在于，所述封装层包括设于所述阵列基板层上的第一薄膜层，设于所述第一薄膜层上的有机层，以及设于所述有机层上的第二薄膜层。
6.一种通孔屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基体基板，在所述基体基板上制备阵列基板层；所述基体基板设有第一开孔区；所述阵列基板层设有第二开孔区；
在所述阵列基板层上制备封装层；所述封装层设有第三开孔区；
在所述封装层上制备触控层；所述触控层设有第四开孔区；所述第一开孔区、所述第二开孔区、所述第三开孔区和所述第四开孔区依次相互贴合；
依次对所述第四开孔区、所述第三开孔区和所述第二开孔区进行刻蚀；
分别对刻蚀所述第二开孔区后的周边、刻蚀所述第三开孔区后的周边和刻蚀所述第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖；
对所述第一开孔区进行切割开孔，形成通孔。
7.根据权利要求6所述的通孔屏通孔制备方法，其特征在于，所述依次对所述第二开孔区、所述第三开孔区和所述第四开孔区进行刻蚀的步骤包括：
采用光刻及干蚀刻工艺依次对所述第二开孔区、所述第三开孔区和所述第四开孔区进行刻蚀处理。
8.根据权利要求6所述的通孔屏通孔制备方法，其特征在于，所述分别对刻蚀所述第二开孔区后的周边、刻蚀所述第三开孔区后的周边和刻蚀所述第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖的步骤包括：
采用光刻及退火工艺分别对刻蚀所述第二开孔区后的周边、刻蚀所述第三开孔区后的周边和刻蚀所述第四开孔区后的周边进行黑色光阻单元覆盖。
9.根据权利要求6所述的通孔屏通孔制备方法，其特征在于，所述对所述第一开孔区进行切割开孔，形成通孔的步骤包括：
采用激光器对所述第一开孔区进行切割开孔，形成所述通孔。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的通孔屏。
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