CN111987124A - 发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

发光显示装置，包括：基板，其包括多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括发光区域和被发光区域围绕的反射区域；在基板上的外涂层；在外涂层上在反射区域处的分隔部；在外涂层上在发光区域处的发光元件；以及在分隔部上的反射部，该反射部由与发光元件相同的材料形成。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年5月24日在韩国提交的韩国专利申请第10-2019-0061481号的权益和优先权，其全部内容由此通过引用明确地并入本申请中。
技术领域
本公开涉及显示装置，并且更具体地涉及能够提高从发光元件发射的光的光提取效率的发光显示装置。
背景技术
近来，随着我们的社会向信息化社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域得到了快速发展。正在相应地开发在薄、轻和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。
在这些各种显示装置中，发光显示装置是自发光显示装置，并且可以被制造得轻且薄，这是因为与具有单独的光源的液晶显示装置不同，发光显示装置不需要单独的光源。另外，发光显示装置由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面具有优势。因此，发光显示装置已经作为下一代显示器得到了研究。
发明内容
从发光显示装置的发光层发射的光中的一部分沿发光显示装置的正面方向行进并且从发光显示装置出来。然而，从发光层发射的光中的另一部分沿横向方向而非正面方向行进并且不从发光显示装置出来，使得发光显示装置的光提取效率可能有缺陷。另外，沿横向方向行进的光中的以小于临界角的入射角行进的光可以从发光显示装置出来、但是没有沿正面方向被提取，使得发光显示装置的正面光提取效率可能有缺陷。
本公开的发明人已经认识到以下局限性：当从发光显示装置的发光层发射的光中的一些没有从发光显示装置出来并且损失在其中时，或者甚至当从发光层发射的光中的一些从发光显示装置向外提取时，正面光提取效率降低。因此，本公开的发明人已经发明了改进的且有用的发光显示装置，其具有新结构，能够提高光提取效率和正面光提取效率。
本公开要实现的目的是提供改进的且有用的发光显示装置，其能够提高从发光元件发射的光的光提取效率。
本公开的另一方面是提供改进的且有用的发光显示装置，其能够沿发光显示装置的正面方向提取从发光元件发射的光，从而提高正面光提取效率和亮度。
本公开的另一方面是提供改进的且有用的发光显示装置，其能够使沿发光显示装置的横向方向行进的光最小化。
另外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且另外的特征和方面将部分地从描述中变得明显，或者可以通过实践本文提供的发明构思来获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的结构或从其导出的结构、和其权利要求书以及附图来实现和获得。
根据本公开的一方面，一种发光显示装置包括：基板，其包括多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括发光区域和被发光区域围绕的反射区域；在基板上的外涂层；在外涂层上在反射区域处的分隔部；在外涂层上在发光区域处的发光元件；以及在分隔部上的反射部，该反射部由与发光元件相同的材料形成。因此，设置有用于将光反射至发光显示装置的上部分的反射区域，从而可以提高发光元件的光提取效率和正面光提取效率，并且可以提高发光显示装置的亮度。
根据本公开的另一方面，一种发光显示装置包括：基板；在基板上的外涂层；在外涂层上的分隔部；在外涂层上的发光元件，该发光元件包括第一电极；以及在分隔部上的反射部，该反射部包括第一层，其中，发光元件被设置成围绕反射部，并且从发光元件发射的光中的一些被反射部朝发光元件的上方反射，以提取发光元件的要横向损失的光。
通过研究下面的附图和详细描述，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员而言将是明显的或将变得明显。旨在将所有这样的附加系统、方法、特征和优点包括在本说明书内、在本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。这部分中的任何内容不应被视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开的实施例讨论其他方面和优点。应当理解，本公开的前面的一般描述和下面的详细描述都是示例和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
根据本公开的实施例，可以提高从发光元件发射的光的利用率，从而允许发光显示装置的效率和功耗的改进。
根据本公开的实施例，从发光元件发射的光可以沿发光显示装置的正面方向被尽可能多地提取，从而可以改善发光显示装置的视角。
根据本公开的实施例，发光元件的横向行进的光可以沿发光显示装置的正面方向被反射，从而可以减少被捕获在发光显示装置内部的光，并且可以提高发光显示装置的亮度。
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步说明。
附图说明
可以包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，这些附图示出了本公开的实施例并且与描述一起用于说明本公开的各种原理。
图1是根据本公开的示例性实施例的发光显示装置的平面图。
图2A是图1的区域A的放大平面图。
图2B是沿图2A的线IIb-IIb’截取的截面图。
图3A是用于示出根据比较例的发光显示装置中的具有第一角度的分隔部所引起的阴影区域的截面图。
图3B是用于示出根据本公开的示例性实施例的发光显示装置中的具有第二角度的分隔部所引起的阴影区域的截面图。
图4A至图4D是用于示出根据结构的角度而形成的材料层的区域的图像。
图5A是根据本公开的另一示例性实施例的发光显示装置中的外涂层和分隔部的透视图。
图5B是根据本公开的另一示例性实施例的发光显示装置的截面图。
图6A示出了通过模拟得到的根据另一比较例的发光显示装置中的光的行进路径。
图6B和图6C示出了通过模拟得到的根据本公开的示例性实施例1和2的发光显示装置中的光的行进路径。
图7A至图7E是根据本公开的各种实施例的发光显示装置中的多个子像素的放大平面图。
图8是示出根据本公开的各种实施例的发光显示装置的发光效率特性的曲线图。
具体实施方式
通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施例，本公开的优点和特征以及实现优点和特征的一个或更多个方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文所公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。示例性实施例仅作为示例提供，使得本领域技术人员可以充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
用于描述本公开的示例性实施例的附图中所示出的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明以避免不必要地模糊本公开的主题。本文所使用的诸如“包括(including)”、“具有”和“包括(comprising)”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可以包括复数，除非另外明确说明。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“邻近”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。
当元件或层被设置在另一元件或层“上”时，一个或更多个层或元件可以直接置于另一元件上或其之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件进行区分，而并不一定限定任何顺序。因此，下面要提到的第一部件可以是本公开的技术构思中的第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或完全地彼此粘附或组合，并且可以以技术上的各种方式进行互锁和操作，并且这些实施例可以彼此独立地执行或彼此相关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施例的发光显示装置。根据本公开的所有实施例的发光显示装置的所有部件操作地耦接和配置。
图1是根据本公开的示例性实施例的发光显示装置的平面图。为了便于描述，图1仅示出了发光显示装置100的各种部件中的基板110和多个子像素SP。然而，发光显示装置包括其他部件以进行操作。
参照图1，基板110是被配置为支承发光显示装置100的其他部件的支承构件，并且可以由绝缘材料形成。例如，基板110可以由玻璃、树脂等形成。另外，基板110可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的聚合物或塑料形成，或者可以由具有柔性的材料形成。
基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是用于显示图像的区域。在显示区域AA中，可以设置用于显示图像的多个子像素SP以及被配置成驱动多个子像素SP的电路单元。电路单元可以包括用于驱动子像素SP的各种晶体管、电容器和布线。例如，电路单元可以包括各种部件例如驱动晶体管、开关晶体管、存储电容器、栅极布线和数据布线，但是不限于此。
非显示区域NA是不显示图像的区域。在非显示区域NA中，设置有被配置成驱动设置在显示区域AA中的子像素SP的各种布线、驱动器IC等。例如，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动器IC可以设置在非显示区域NA中。
图1示出了非显示区域NA围绕或包围显示区域AA。然而，非显示区域NA可以是从显示区域AA的一侧延伸的区域，但是实施例不限于此。
多个子像素SP设置在基板110的显示区域AA中。多个子像素SP中的每一个是发光的独立单元，并且在多个子像素SP中的每一个中形成有发光元件和驱动电路。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，但是本公开不限于此，并且多个子像素SP还可以包括白色子像素。
在下文中，参照图2A和图2B提供了多个子像素SP的更详细的描述。
图2A是图1的区域A的放大平面图。图2B是沿图2A的线IIb-IIb'截取的截面图。在图2A中，为了便于描述，仅示出了子像素SP、反射区域RA、发光区域EA，发光元件150和反射部160。
参照图2A和图2B，根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100可以包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、薄膜晶体管120、外涂层130、分隔部140、发光元件150、反射部160和堤部170。
参照图2A，子像素SP中的每一个包括发光区域EA和反射区域RA。
发光区域EA是其中设置有发光元件150以发射光的区域。例如，发光区域EA可以包括红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域，但实施例不限于此，并且可以包括一个或更多个不同颜色的发光区域。
反射区域RA是下述区域：在该区域中设置有反射部160，以将光从发光区域EA反射至发光显示装置100的前表面。反射区域RA可以将从发光元件150发射的光中的、发光元件150的横向行进的光反射至发光显示装置100的上侧，该上侧是发光显示装置100的前表面。
例如，由于在反射区域RA中不设置发光元件150而仅设置反射部160，因此反射区域RA可以是与发光区域EA不同的、不发射光的非发光区域。在多个子像素SP中，作为不发射光的非发光区域的反射区域RA的面积可以考虑发射光的发光区域EA的面积和发光效率而进行设计。
反射区域RA可以被形成为具有岛或开放曲线的形状。开放曲线可以例如是其起点和终点彼此不一致的曲线。例如，反射区域RA可以具有十字形状，如图2A所示。另外，一个子像素SP的发光区域EA可以不被反射区域RA分隔成复数个。例如，发光区域EA可以被设置成围绕反射区域RA。因此，发光区域EA可以不被反射区域RA分隔开，并且发光区域EA可以一体地形成在多个子像素SP的整体中，例如，一个子像素SP可以包括一个发光区域EA。
参照图2B，缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111可以防止从基板110的外部渗透的水分和/或氧气的扩散。缓冲层111可以由无机材料形成。例如，缓冲层111可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层，但是实施例不限于此。
薄膜晶体管120设置在缓冲层111上。薄膜晶体管120将数据电压传输至多个子像素SP。
薄膜晶体管120包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。
栅电极121设置在缓冲层111上。栅电极121可以由导电材料例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金形成，但是实施例不限于此。
有源层122设置在栅电极121上。有源层122可以包括氧化物半导体、非晶硅、多晶硅等。
栅极绝缘层112设置在有源层122与栅电极121之间。栅极绝缘层112——用于使栅电极121和有源层122彼此绝缘的层——可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层，但是实施例不限于此。
电连接至有源层122并且彼此间隔开的源电极123和漏电极124设置在有源层122上。源电极123和漏电极124可以由导电材料例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金形成，但是实施例不限于此。
根据薄膜晶体管120的结构，可以在栅电极121与源电极123和漏电极124之间进一步设置层间绝缘层等，以使栅电极121与源电极123及漏电极124绝缘，但是实施例不限于此。
外涂层130设置在薄膜晶体管120上。外涂层130可以使在其上设置有薄膜晶体管120的基板110的上部分平坦化。外涂层130包括用于将薄膜晶体管120和发光元件150彼此电连接的接触孔CH。外涂层130可以设置在显示区域AA中，并且外涂层130可以不设置在整个非显示区域NA中或者可以不设置在非显示区域NA的一部分中。
外涂层130可以由单层或多层构造并且可以由有机材料形成。例如，外涂层130可以由丙烯酸基有机材料形成，但是实施例不限于此。
分隔部140设置在外涂层130上的反射区域RA中。分隔部140的截面形状可以是锥形的。例如，分隔部140沿水平方向的截面面积可以随着分隔部140接近外涂层130而增加。
分隔部140可以形成为从外涂层130突出。例如，分隔部140可以与外涂层130一体地形成。在图2B中，分隔部140被示为与外涂层130一体地形成，但是实施例不限于此。例如，分隔部140可以与外涂层130分开地构造。
发光元件150设置在外涂层130上。发光元件150——自发光元件——可以通过从薄膜晶体管120等接收电压而被驱动。发光元件150包括第一电极151、发光层152和第二电极153。
在外涂层130上针对子像素SP中的每一个分别设置包括反射层的第一电极151。第一电极151可以通过形成在外涂层130中的接触孔CH电连接至薄膜晶体管120。第一电极151可以由能够向发光层152供应空穴的导电材料形成。例如，第一电极151可以由以下层形成：由锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等形成的透明导电层；以及由具有优异反射率的材料例如银(Ag)或银的合金(Ag合金)形成的反射层，但是实施例不限于此。例如，第一电极151可以由设置在外涂层130上的反射层和设置在反射层上的透明导电层形成，但是实施例不限于此。
堤部170设置在第一电极151和外涂层130上。堤部170是用于区分彼此相邻的子像素SP的绝缘层。堤部170包括用于使第一电极151的一部分露出的开口部分170OP。堤部170可以是被设置成覆盖第一电极151的边缘或外围部分的有机绝缘材料。堤部170的开口部分170OP可以对应于子像素SP，并且子像素SP可以由堤部170限定。
发光层152设置在第一电极151和堤部170上。发光层152可以由单个发光层152构造，或者可以具有其中堆叠有发射不同颜色光的多个发光层152的结构。发光层152还可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层等。发光层152可以是由有机材料形成的有机发光层，但是实施例不限于此。例如，发光层152可以是量子点发光层或微型LED。另外，参照图2B，设置在子像素SP中的每一个中的发光层152被示出为形成为所有多个子像素SP中的单层，但是该发光层152可以针对子像素SP中的每一个分别设置。
第二电极153设置在发光层152上。第二电极153由能够向发光层152供应电子的导电材料形成。例如，第二电极153可以由透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)或者镱(Yb)的合金形成，但是实施例不限于此。参照图2B，设置在子像素SP中的每一个中的第二电极153被示出为彼此连接，但是实施例不限于此。例如，与第一电极151类似，可以针对子像素SP中的每一个分别设置第二电极153。
反射部160设置在分隔部140上的反射区域RA中。反射部160可以被设置成覆盖分隔部140。分隔部140和反射部160可以设置在堤部170的开口部分170OP中，并且可以与堤部170间隔开。
反射部160可以将发光元件150的横向行进的光的至少一部分反射至发光显示装置100的上侧。例如，反射部160可以由与发光元件150相同的材料形成。例如，反射部160可以包括与发光元件150的第一电极151的反射层的材料相同的材料。另外，从发光元件150发射的光中的一些可以沿发光元件150的横向行进，并且横向行进的光可以包括朝向相邻子像素SP行进的光或者朝向堤部170行进的光。发光元件150的横向行进的光中的至少一些可以被反射部160反射至发光显示装置100的上侧。因此，从发光元件150发射的光中的一些可以被具有与第一电极151的反射层相同的材料的反射部160反射至发光显示装置100的上侧。并且，发光元件150的横向损失的光可以例如沿发光显示装置100的正面方向被提取到发光显示装置100的外部。
在下文中，如图2B所示，当设置分隔部140和反射部160时，假设发光元件150的横向行进的光被称为第一光L1。当未设置分隔部140和反射部160时，假设发光元件150的横向行进的光被称为第一光L1'。
首先，与图2B所示的情况不同，当未设置分隔部140和反射部160时，发光元件150的横向行进的第一光L1'继续沿发光元件150的横向方向移动。因此，当未设置分隔部140和反射部160时，沿发光元件150的横向方向行进的第一光L1'可能无法沿发光显示装置100的正面方向被提取，并且可能损失在发光显示装置100内。
另一方面，如图2B所示，当设置分隔部140和反射部160时，发光元件150的横向行进的第一光L1可以被反射至发光显示装置100的上侧和发光元件150的上侧。因此，沿发光元件150的横向方向行进的第一光L1可以通过分隔部140上的反射部160沿发光显示装置100的正面方向被提取，从而可以提高发光元件150的光提取效率和正面光提取效率。
反射部160包括第一层161、第二层162和第三层163。第一层161设置在分隔部140上。第一层161可以由与第一电极151相同的材料形成。第一层161可以包括透明导电材料和反射材料。例如，第一层161可以由诸如锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等的透明导电材料以及诸如银(Ag)或银的合金(Ag合金)的具有高反射率的反射材料形成，或者第一层161可以仅由反射材料形成，但是实施例不限于此。例如，第一层161可以由设置在分隔部140上的反射材料和在反射材料上的透明导电材料形成，并且第一层161可以仅由设置在分隔部140上的反射材料形成，但是实施例不限于此。
第二层162设置在第一层161上。第二层162可以由与发光层152相同的材料形成。例如，第二层162可以由有机材料形成，或者可以由与量子点发光层和微型LED相同的材料形成，但是实施例不限于此。
第三层163设置在第二层162上。第三层163可以由与第二电极153相同的材料形成。例如，第三层163可以由透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)或者镱(Yb)的合金形成，但是实施例不限于此。
发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分可以彼此电分离。因此，发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分可以彼此电绝缘。例如，如图2B所示，发光元件150的第二电极153和反射部160的第三层163可以彼此间隔开并且彼此电分离。
由于发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分彼此电绝缘，因此可以使诸如亮点或暗点的缺陷最小化。
如果发光元件150的第二电极153和反射部160的第三层163彼此没有完全间隔开，并且第二电极153和第三层163以其小的厚度彼此连接，则电流集中在连接部分中，并且因此对应的子像素SP可能成为亮点。
另外，在其中发光元件150的发光层152和反射部160的第二层162彼此间隔开从而使第一电极151露出的状态下，当第二电极153形成为与第一电极151接触时，第一电极151和第二电极可能被短路，并且对应的子像素SP可能成为暗点。
因此，当第二电极153和第三层163彼此间隔开时，或者第二电极153和第三层163以及发光层152和第二层162同时彼此间隔开时，或者整个发光元件150和整个反射部160彼此间隔开时，可以使诸如亮点或暗点的缺陷最小化。
为了使发光元件150的至少一部分和和反射部160的至少一部分电绝缘，分隔部140的角度可以为60度或更大。例如，分隔部140的角度可以指分隔部140的侧表面与下表面之间的角度(例如，以下描述的图3B中所示的分隔部140的角度θ2)。当分隔部140具有60度或更大的角度时，由相同的材料同时形成的发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分可以彼此分离，从而发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分可以彼此电绝缘。
例如，当形成发光元件150时，可以在基板110上沉积用于形成第一电极151的材料，并且可以对该材料进行图案化以形成第一电极151。随后，可以在第一电极151上沉积用于形成发光层152的材料，以形成发光层152。最后，可以在发光层152上沉积用于形成第二电极153的材料，以形成第二电极153。
当在基板110的整个表面上沉积用于形成第一电极151的材料时，也在分隔部140上沉积用于形成第一电极151的材料，以形成反射部160的第一层161。当在其上形成有第一电极151的基板110的整个表面上沉积用于形成发光层152的材料时，也在分隔部140上沉积用于形成发光层152的材料，以形成反射部160的第二层162。最后，当在其上形成有发光层152的基板110的整个表面上沉积用于形成第二电极153的材料时，也在分隔部140上沉积用于形成第二电极153的材料，以形成反射部160的第三层163。
当沉积用于形成第一电极151的材料、用于形成发光层152的材料或者用于形成第二电极153的材料时，分隔部140可以用作掩模，该掩膜覆盖了围绕分隔部140的下部分的区域。可能难以在由分隔部140覆盖的区域上(例如在外涂层130的与分隔部140相邻的上表面以及分隔部140的与外涂层130的上表面相邻的下侧上)沉积用于形成第一电极151的材料、用于形成发光层152的材料或者用于形成第二电极153的材料。另外，可能产生由分隔部140导致的下述阴影效应：在围绕分隔部140的下部分的区域上，没有沉积用于形成第一电极151的材料、用于形成发光层152的材料或者用于形成第二电极153的材料。并且，由于阴影效应，因此在上面没有沉积形成第一电极151的材料、形成发光层152的材料、形成第二电极153的材料等的阴影区域可能增加。发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分可以通过阴影区域彼此间隔开，使得发光元件150的至少一部分和反射部160的至少一部分可以彼此电绝缘。例如，在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，如图2B所示，至少发光元件150的第二电极153和反射部160的第三层163可以彼此间隔开并且彼此电绝缘。
如上所述，反射区域RA可以形成为具有岛形状或开放曲线形状。另外，由于设置在反射区域RA中的分隔部140和反射部160也形成为开放曲线形状或岛形状而不是闭环形状，因此可以最大程度地确保发光区域EA。反射区域RA的反射部160的至少一部分和发光区域EA的发光元件150的至少一部分彼此电绝缘，并且例如，发光元件150的第二电极153和反射部160的第三层163可以彼此间隔开并且彼此电绝缘。因此，由于电压不被供应至反射部160的第三层163并且反射部160的第三层163处于浮置状态，所以尽管反射区域RA的反射部160可以在同一处理中由与发光元件150相同的材料形成，但是反射部160可以不发射光。当反射区域RA被设置成完全围绕发光区域EA的一部分时，发光元件150的设置在反射区域RA内部的一部分可以与发光元件150的设置在反射区域RA外部的发射区域EA中的另一部分电绝缘。例如，由于通过反射部160使得设置在反射区域RA外部的发光区域EA中的第二电极153与设置在反射区域RA内部的第二电极153彼此分离，因此设置在反射区域RA内部的第二电极153可能被浮置。因此，被反射区域RA围绕的发光区域EA可能是基本上不发射光的非发光区域，使得可能减小发光区域EA的面积。因此，在多个子像素SP中的每一个中，反射区域RA和反射部160形成为具有岛形状、开放曲线形状等，使得可以一体地形成发光区域EA。
在图2B中，仅第二电极153和第三层163被示出为分离的，但是实施例不限于此。例如，第二电极153和第三层163以及发光层152和第二层162可以彼此分离，并且第二电极153和第三层163、发光层152和第二层162、以及第一电极151和第一层161可以进一步彼此分离，但是实施例不限于此。
在下文中，将参照图3A至图4D描述由分隔部140产生的阴影效应和阴影区域。
图3A是用于示出根据比较例的发光显示装置中的具有第一角度的分隔部所引起的阴影区域的截面图。图3B是用于示出根据本公开的示例性实施例的发光显示装置中的具有第二角度的分隔部所引起的阴影区域的截面图。在图3A和图3B中，为了便于描述，仅示出了分隔部40和140以及外涂层130。根据比较例的分隔部40的高度和根据本公开的示例性实施例的分隔部140的高度彼此相同，根据比较例的分隔部40的第一角度θ1为小于60度的角度，并且根据本公开的实施例的分隔部140的第二角度θ2为60度或更大。
参照图3A和图3B，可以在其上设置有分隔部40或140的外涂层130上沉积金属材料或有机材料。例如，可以通过化学气相沉积(CVD)方法来沉积用于形成发光层152的有机材料，并且可以通过物理气相沉积(PVD)方法来沉积用于形成第一电极151和第二电极153的金属材料。
当使用物理气相沉积(PVD)方法时，来自目标材料的金属材料可以沿一个方向笔直移动。另外，沿一个方向笔直移动的金属材料中的一些可能被分隔部40或140中断。并且，金属材料中的一些可能被分隔部40或140中断，使得可能产生以下阴影效应：被中断的金属材料不沉积在围绕分隔部40或140的下部分的区域上。例如，在根据比较例的发光显示装置中，朝向外涂层130的与分隔部40相邻的上表面的一些部分以及分隔部40的与外涂层130的上表面相邻的下侧部分行进的金属材料的移动可能被分隔部40中断。在根据示例性实施例的发光显示装置中，朝向外涂层130的与分隔部140相邻的上表面的一些部分以及分隔部140的与外涂层130的上表面相邻的下侧部分行进的金属材料的移动可能被分隔部140中断。也就是说，可以由分隔部40和140产生阴影效应，并且可以产生由阴影效应引起的其中未沉积金属材料的阴影区域SA。
因此，甚至当分隔部40和140存在时，基于分隔部40或140的角度，也可能不产生阴影区域SA或者可能产生阴影区域SA。随着分隔部40或140的角度增加，被分隔部40或140遮蔽并且难以在其上沉积金属材料的阴影区域SA的面积可能增加。
在下文中，将在假设金属材料沿着图3A和图3B的箭头沿一个方向笔直移动的情况下进行说明。
参照比较例的图3A，可以在如比较例中那样设置有具有第一角度θ1的分隔部40的外涂层130上沉积金属材料。甚至当分隔部40存在于外涂层130上时，由于分隔部40具有相对低的第一角度θ1，因此也可能使难以在其上沉积金属材料的阴影区域SA最小化。在这种情况下，反射部160的第三层163和发光元件150的第二电极153彼此不完全分离，并且可以通过其至少一部分彼此连接。
参照根据本公开的图3B，可以在如本公开的实施例中那样设置有具有第二角度θ2的分隔部140的外涂层130上沉积金属材料。另外，由于根据本公开的实施例的分隔部140具有比根据比较例的分隔部40的第一角度θ1高的第二角度θ2，因此其移动被根据本公开的实施例的分隔部140所中断的金属材料的量可以增加，并且可以增加难以在其上沉积金属材料的阴影区域SA的面积。因此，如图2B所示，第二电极153和第三层163可以通过阴影效应有效且完全地彼此分离而不彼此连接。
在下文中，参照图4A至图4D，将描述根据相应的第一结构SRa至第四结构SRd的角度的第一材料层MLa至第四材料层MLd的形成结果。
图4A至图4D是用于示出根据结构的各个角度的示例形成材料层的区域的图像。图4A是示出当第一结构SRa的角度θa为50.2度时第一材料层MLa的形成结果的图。图4B是示出当第二结构SRb的角度θb为57.5度时第二材料层MLb的形成结果的图。图4C是示出当第三结构SRc的角度θc为60度时第三材料层MLc的形成结果的视图。图4D是示出当第四结构SRd的角度θd为72.5度时第四材料层MLd的形成结果的图。图4A至图4D是通过下述模拟而获得的图像，即模拟经由在第一电极151上设置具有不同角度的第一结构SRa至第四结构SRd而得到的第一材料层MLa至第四材料层MLd的形成结果。在图4A至图4D中，模拟了根据具有不同角度的第一结构SRa至第四结构SRd的第一材料层MLa至第四材料层MLd的形成结果。然而，根据第一结构SRa至第四结构SRd的角度θa、θb、θc、θd的第一材料层MLa至第四材料层MLd的形成结果可以与取决于分隔部40的角度的发光元件150的形成结果基本上相同。
在下文中，将在下述假设下进行说明：第一材料层MLa至第四材料层MLd由相同的材料形成，并且第一材料层MLa至第四材料层MLd被设置为用于形成发光元件150的至少一部分的材料。例如，第一材料层MLa至第四材料层MLd可以是用于形成发光层152的材料，可以是用于形成第二电极153的材料，或者可以是包含用于形成发光层152的材料和用于形成第二电极153的材料两者的材料。
参照图4A和图4B，第一结构SRa的角度θa可以为50.2度，并且第二结构SRb的角度θb可以为57.5度。第一电极151和第一结构SRa的角度θa以及第一电极151和第二结构SRb的角度θb可以分别为50.2度和57.5度。
可以在第一电极151和第一结构SRa以及第一电极151和第二结构SRb上分别沉积第一材料层MLa和第二材料层MLb。当第一结构SRa和第一电极151的角度θa以及第二结构SRb和第一电极151的角度θb小于60度时，可以确认第一材料层MLa和第二材料层MLb分别被均匀地沉积在第一电极151和第一结构SRa以及第一电极151和第二结构SRb上。因此，当第一结构SRa和第一电极151的角度θa以及第二结构SRb和第一电极151的角度θb小于60度时，可以确认阴影效应被最小化。
参照图4C和图4D，第三结构SRc的角度θc和第四结构SRd的角度θd可以分别为60度和72.5度。第一电极151和第三结构SRc的角度θc以及第一电极151和第四结构SRd的角度θd可以分别为60度和72.5度。
可以分别在第一电极151和第三结构SRc以及第一电极151和第四结构SRd上沉积第三材料层MLc和第四材料层MLd。当第三结构SRc和第一电极151的角度θc以及第四结构SRd和第一电极151的角度θd为60度或更大时，可以确认第三材料层MLc和第四材料层MLd分别被不均匀地沉积在第三结构SRc和第一电极151以及第四结构SRd和第一电极151上。
例如，可以确认第三材料层MLc在下述区域中没有均匀地沉积：该区域是第一电极151与第三结构SRc之间的边界，并且与第三结构SRc的下侧相邻；并且第三材料层MLc的一部分被断开。因此，当由第一电极151和第三结构SRc形成的角度θc以及由第一电极151和第四结构SRd形成的角度θd为60度或更大时，产生阴影效应，并且可以确认第三材料层MLc和第四材料层MLd部分地分离。
因此，当第三结构SRc和第四结构SRd具有60度或更大的角度θc和θd时，第三材料层MLc和第四材料层MLd可以在其与第三结构SRc和第四结构SRd的下侧相邻的区域中被断开。因此，当分隔部140的角度为60度或更大时，通过使用相同的材料在同一处理中形成的反射部160的至少一部分和发光元件150的至少一部分可以在其与分隔部140的下侧相邻的区域中被彼此分离。反射部160的至少一部分和发光元件150的至少一部分彼此分离并且彼此电绝缘，从而可以使诸如亮点或暗点的缺陷最小化。
在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，反射部160的至少一部分和发光元件150的至少一部分可以通过调整分隔部140的角度而被分离，并且反射部160的至少一部分和发光元件150的至少一部分可以彼此电绝缘。例如，当发光元件150的第二电极153和反射部160的第三层163彼此没有完全间隔开并且以其小的厚度彼此连接时，电流集中在连接部分处，并且因此，与之对应的子像素SP可能成为亮点。另外，在其中发光层152和第二层162彼此间隔开以使第一电极151露出的状态下，当第二电极153形成为与露出的第一电极151接触时，第二电极153和第一电极151可能被短路，并且与之对应的子像素SP可能成为暗点。因此，在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，分隔部140以60度或更大的角度形成，以将发光元件150的至少一部分与反射部160的至少一部分分离，从而可以使诸如亮点和暗点的缺陷最小化。例如，在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，分隔部140的角度形成为60度或更大，从而可以产生阴影效应，并且发光元件150的第二电极153和反射部160的第三层163可以彼此分离并且彼此电绝缘，由此使诸如亮点和暗点的缺陷最小化。
在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，可以通过设置被发光区域EA围绕的反射区域RA而将发光元件150的横向行进的光中的至少一部分反射至发光显示装置100的上部分，使得可以提高光提取效率。首先，从发光元件150的发光层152发射的光中的大部分可以行进至发光显示装置100的上部分以用于显示图像。例如，从发光层152发射的光中的一些可以沿发光元件150的横向行进。另外，发光元件150的横向行进的光中的大部分可能被发光显示装置100的各种部件吸收或全反射，并且可能不被提取至发光显示装置100的外部，从而可能降低发光显示装置100的光提取效率。因此，在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，可以通过在子像素SP的反射区域RA中设置反射部160，将发光元件150的横向行进的光中的至少一部分反射至发光元件150的上部分和发光显示装置100的上部分。
例如，从发光元件150发射的光中的一些可能朝向相邻的子像素SP或者朝向堤部170而不是朝向发光显示装置100的上部分行进。发光元件150的横向定向的光中的至少一部分可以从与发光区域EA相邻设置的反射部160的第一层161反射至发光显示装置100的上部分。例如，如图2B所示，发光元件150的横向定向的第一光L1可以被反射部160反射并且沿发光显示装置100的正面方向行进。因此，可以将从发光元件150发射的光中的一些反射至发光显示装置100的上部分，并且可以沿发光显示装置100的正面方向提取发光元件150的要横向损失的光。因此，在根据本公开的示例性实施例的发光显示装置100中，可以在发光区域EA中设置反射区域RA，以使得能够提高发光元件150的光提取效率并且提高发光显示装置100的亮度。
图5A是根据本公开的另一示例性实施例的发光显示装置中的外涂层和分隔部的透视图。图5B是根据本公开的另一示例性实施例的发光显示装置的截面图。图5A和图5B的发光显示装置500在外涂层530方面与图1至图2B的发光显示装置100不同，并且发光显示装置500的其他部件与图1至图2B的发光显示装置100的其他部件基本上相同。因此，将省略冗余的描述或可能对其进行简化。在图5A中，为了便于描述，仅示出了外涂层530和分隔部140。
参照图5A和图5B，外涂层530包括基底部分531和突出部分532。
基底部分531设置在基板110与发光元件550之间。外涂层530的基底部分531可以使在其上设置有薄膜晶体管120的基板110的上部分平坦化。基底部分531包括用于将薄膜晶体管120和发光元件550彼此电连接的接触孔CH。
突出部分532设置在基底部分531上。突出部分532可以设置在基底部分531与发光元件550之间。突出部分532可以与基底部分531一体地形成，并且可以形成为从基底部分531突出。突出部分532可以设置在多个子像素SP之间的区域中。
在外涂层530的基底部分531和突出部分532上设置第一电极551。第一电极551可以被设置成从基底部分531延伸至突出部分532的上表面。第一电极551可以设置在基底部分531的上表面、突出部分532的侧表面和突出部分532的上表面上。
在突出部分532和第一电极551上设置堤部570。堤部570可以被设置成覆盖设置在多个子像素SP中的各个子像素之间的突出部分532。堤部570可以被设置成覆盖设置在突出部分532的侧表面和突出部分532的上表面上的第一电极551的一部分。
在分隔部140上设置反射部560。反射部560的第一层161和发光元件550的第一电极551可以一体地形成。另一方面，反射部560的第二层562和发光元件550的发光层152可以彼此分离并且彼此电绝缘。反射部560的第三层163和发光元件550的第二电极153可以彼此分离并且彼此电绝缘。
包括反射层的第一电极551的一部分设置在突出部分532的侧表面上，以将发光元件550的横向行进的光中的至少一部分朝向发光显示装置500的上部分反射。
在这种情况下，设置在分隔部140上的反射部560也可以与第一电极551的设置在突出部分532的侧表面上的部分一起将发光元件550的横向行进的光中的至少一部分反射至发光显示装置500的上部分。因此，可以一起设置突出部分532和分隔部140，使得可以增加被第一电极551的在突出部分532的侧表面上的部分以及分隔部140上的反射部560反射至发光显示装置500的上部分的光的量。
如图5B所示，当设置有突出部分532时，假设沿远离反射部560的方向的、发光元件550的横向行进的光被称为第二光L2。当未设置突出部分532时，假设沿远离反射部560的方向的、发光元件550的横向行进的光被称为第二光L2'。
与图5B所示的情况不同，当未设置突出部分532时，沿远离反射部560的方向的、发光元件550的横向行进的第二光L2'可以沿发光元件550的横向方向连续地移动。因此，甚至当在子像素SP中设置反射部560时，沿远离反射部560的方向并且沿发光元件550的横向行进的第二光L2'也可能不沿发光显示装置500的正面方向被提取，并且可能损失在发光显示装置500内。
如图5B所示，当设置有突出部分532时，沿远离反射部560的方向的、发光元件550的横向行进的第二光L2可以被突出部分532的侧表面上的第一电极551反射至发光显示装置500的上部分。因此，甚至当在子像素SP中设置有反射部560时沿远离反射部560的方向的、发光元件的横向行进的第二光L2可以通过在突出部分532上的第一电极551沿发光显示装置500的正面方向被提取，使得可以提高发光元件550的光提取效率。
如果未设置分隔部140而仅设置有突出部分532，则朝向突出部分532定向的光中的一些可能没有到达突出部分532，并且光损失可能增加。例如，反射部560设置在突出部分532之间，并且第一电极551的反射层与第一层161的反射材料之间的距离减小，从而可以使没有到达突出部分532而要损失的光最小化。
如图5B所示，当一起设置有反射部560和突出部分532时，假设发光元件550的横向行进的光被称为第三光L3。另外，当未设置反射部560而仅设置有突出部分532时，假设发光元件550的横向行进的光被称为第三光L3'。
与图5B所示的情况不同，当未设置反射部560而仅设置有突出部分532时，沿发光元件550的横向方向行进的第三光L3'可以朝向突出部分532移动。第三光L3'可能没有到达突出部分532并且可能损失。因此，甚至当设置有突出部分532时，沿发光元件550的横向方向行进的第三光L3'也可能没有到达突出部分532，并且可能损失在发光显示装置500内。
如图5B所示，当一起设置有突出部分532和反射部560时，沿发光元件550的横向方向行进的第三光L3可以朝向突出部分532移动。例如，第三光L3可以在第三光L3没有到达突出部分532并且损失之前被反射部560朝向发光显示装置500的上部分反射。因此，由于反射部560设置在突出部分532与邻近突出部分532之间，所以向突出部分532的侧表面上的第一电极551移动的、诸如第三光L3的光的移动距离可以减小为到反射部560的移动距离。例如，由于反射部560的存在，将第三光L3朝向第一电极551的移动距离减小为对应于光朝向反射部560的移动距离。因此，由于沿发光元件550的横向方向行进的光的、到突出部分532的侧表面上的包括反射材料的第一电极551的移动距离减小为到反射部560的移动距离，所以也可以降低沿发光元件550的横向方向行进的光损失的概率。并且，第三光L3可以在其损失之前沿发光显示装置500的正面方向被提取，并且可以提高光提取效率，例如发光元件550的正面光提取效率。在下文中，将参照图6A至图6C描述根据反射部560的布置的光提取效果。
图6A示出了通过模拟得到的根据另一比较例的发光显示装置中的光的行进路径。图6B和图6C示出了通过模拟得到的根据本公开的示例性实施例1和2的发光显示装置中的光的行进路径。根据图6A的比较例的发光显示装置60a与根据本公开的另一实施例的发光显示装置500的不同之处在于未设置分隔部140和反射部560，并且发光显示装置60a的其他部件与根据本公开的另一实施例的发光显示装置500的其他部件基本上相同。因此，将省略冗余的描述或可能对其进行简化。
图6B的根据示例性实施例1的发光显示装置600b和图6C的根据示例性实施例2的发光显示装置600c仅在分隔部640b和640c的高度方面与根据本公开的另一实施例的发光显示装置500不同，并且发光显示装置600b和发光显示装置600c与发光显示装置500基本上相同。因此，将省略冗余的描述或可能对其进行简化。图6A至图6C是使用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)模拟的模拟图像，在这些模拟图像中以白色示出的部分表示光提取结果。
在根据比较例(60a)以及本公开的示例性实施例1(600b)和示例性实施例2(600c)的发光显示装置60a、600b和600c中的每一个中，突出部分32和532的高度被设置为2μm，突出部分32和532的角度(例如，每个突出部分的侧表面与下表面之间的角度)被设置为60度，并且堤部70和570的角度被设置为50度。在根据本公开的示例性实施例1的发光显示装置600b和根据本公开的示例性实施例2的发光显示装置600c中，分隔部640b和640c的角度(例如，每个分隔部的侧表面与下表面之间的角度)被设置为60度。在示例性实施例1中，分隔部640b的高度被设置为1μm，并且在示例性实施例2中，分隔部640c的高度被设置为2μm。根据本公开的示例性实施例，优选地，分隔部的高度小于或等于突出部分的高度。
首先，参照图6A，在根据比较例的发光显示装置60a中，可以确认仅在突出部分32的附近，光被反射至发光显示装置60a的上侧。发光元件50的横向行进的光可以被设置在突出部分32的侧表面上的第一电极51的反射层反射至发光显示装置60a的上侧。
由于突出部分32仅位于发光元件50外部，因此从发光元件50的内部发射的光中的一些可能没有到达突出部分32的侧表面上的第一电极51。例如，从发光元件50的中心发射的光可能无法到达设置在发光元件50外部的突出部分32。另外，在发光元件50的横向定向的光中，没有到达突出部分32的侧表面上的第一电极51的一些光被损失了，从而降低了发光显示装置60a的光提取效率和亮度。
参照图6B，在根据本公开的示例性实施例1的发光显示装置600b中，可以确认在突出部分532的附近，光被反射至发光显示装置600b的上部分，并且在分隔部640b上的反射部560的附近，光被反射至发光显示装置600b的上部分。发光元件550的横向行进的光可以被设置在突出部分532的侧表面上的第一电极551的反射层以及分隔部640b上的反射部560反射至发光显示装置600b的上部分。
与根据比较例的发光显示装置60a相比，在根据本公开的示例性实施例1的发光显示装置600b中，由于反射部560被定位在设置在发光元件550的最外侧的突出部分532与邻近突出部分532之间，因此可以减小第一电极551与用于反射光的反射位置之间的距离，即，可以将该距离从第一电极551与突出部分532之间的距离减小为第一电极551与反射部560之间的距离。难以到达设置在发光元件550外部的突出部分532的一些光可以被设置在发光元件550内部的反射部560反射至发光显示装置600b的上部分。因此，在根据本公开的示例性实施例1的发光显示装置600b中，分隔部640b和反射部560一起设置在发光元件550内部，使得可以增加沿发光显示装置600b的正面方向提取的光。
参照图6C，在根据本公开的示例性实施例2的发光显示装置600c中，可以确认在突出部分532的附近，光被反射至发光显示装置600c的上部分，并且在分隔部640c的附近，光被反射至发光显示装置600c的上部分。例如，可以确认根据本公开的示例性实施例2的发光显示装置600c与根据本公开的示例性实施例1的发光显示装置600b在下述方面是相同的：光在突出部分532上的第一电极551的附近和分隔部640c上的反射部560的附近被提取。
另外，与根据本公开的示例性实施例1的其中分隔部640b的高度为1μm的发光显示装置600b相比，在根据本公开的示例性实施例2的其中分隔部640c的高度为2μm的发光显示装置600c中，可以进一步提高正面光提取效率。例如，随着分隔部640b和640c的高度增加，反射部560的面积也可能增加，并且入射在反射部560上的光也可能增加。因此，随着分隔部640b和640c的高度增加，反射部560的面积增加，从而被反射部560反射至发光显示装置600b的上侧和发光显示装置600c的上侧的光可能增加。
在下文中，将参照表1说明根据比较例(60a)以及本公开的示例性实施例1和2(600b和600c)的发光显示装置60a、600b和600c中的每一个的光提取效率。
表1
比较例 示例性实施例1 示例性实施例2
T.E. 1.00 1.21 1.25
T.M. 1.00 3.47 3.49
在表1中，在根据比较例的发光显示装置60a中，水平取向偶极矩和竖直取向偶极矩被设置为1，并且在根据比较例的发光显示装置60a的基础上，测量发生在根据本公开的示例性实施例1和2的发光显示装置600b和600c中的水平取向偶极矩和竖直取向偶极矩。
T.E表示水平取向偶极矩，并且T.M表示竖直取向偶极矩。在发光元件50和550中，电子和空穴彼此复合以发射光。例如，电子和空穴的复合可以形成水平取向偶极矩和竖直取向偶极矩。水平取向偶极矩沿平行于发光元件50和550的上表面的方向设置，以发射沿发光元件50和550的竖直方向的光。竖直取向偶极矩沿垂直于发光元件50和550的上表面的方向设置，以发射沿发光元件50和550的水平方向的光。因此，发光效率可以随着水平取向偶极矩和竖直取向偶极矩增加而增加。
参照表1，在根据本公开的示例性实施例1和2的其中进一步设置有反射部560的发光显示装置600b和600c中，与根据比较例的发光显示装置60a相比，可以确认水平取向偶极矩和竖直取向偶极矩增加。因此，在根据本公开的示例性实施例1和2的发光显示装置600b和600c中，可以确认通过进一步设置分隔部640b和640c以及反射部560而提高了光提取效率。
在根据本公开的另一示例性实施例的发光显示装置500中，包括反射层的第一电极551设置在突出部分532的侧表面上，并且反射部560设置在发光元件550内部，从而可以提高发光元件550的光提取效率。例如，当未设置分隔部640b和640c而仅设置有突出部分532时，在突出部分532的附近的、发光元件550的横向行进的光可以被朝向发光显示装置500的上侧反射。然而，由于突出部分532设置在发光元件550的最外侧处，因此可能存在在到达突出部分532之前就损失的光。
与此不同，在根据本公开的另一示例性实施例的发光显示装置500中，由于还将反射部560设置在突出部分532与突出部分532之间，因此可以减小发光区域EA的最大宽度，并且也可以减小光的最大移动距离。因此，随着光的最大移动距离的减小，可以减少在超过一定距离的移动期间所损失的光。并且，可以增加到达第一电极551的反射层和反射部560的第一层161的光。例如，由于反射部560设置在突出部分532与突出部分532之间，因此可以减小从发光元件550发射的光要到达第一电极551或第一层161所需的最大移动距离。另外，在从发光元件550发射的光中，难以到达突出部分532上的第一电极551的一些光可以从反射部560的第一层161反射至发光显示装置500的上部分。因此，在根据本公开的另一实施例的发光显示装置500中，一起设置有突出部分532和反射部560，使得可以增加反射至发光显示装置500的上部分的光。
图7A至图7E是根据本公开的各种实施例的发光显示装置中的多个子像素的放大平面图。图7A至图7E的发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e与图1至图2B的发光显示装置100以及图5A和图5B的发光显示装置500在反射区域RA方面不同，但是发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e的其他部件与发光显示装置100和500的其他部件基本上相同。因此，将省略冗余的描述或可能对其进行简化。
参照图7A，一个子像素SP包括多个反射区域RA。反射部760a可以包括设置在多个反射区域RA中的每一个上的多个子反射部760a'。例如，多个反射区域RA和多个子反射部760a'可以形成格子形状。
多个反射区域RA可以彼此间隔开。发光区域EA可以被设置成围绕彼此间隔开的多个反射区域RA，并且发光区域EA可以一体地形成。例如，一个子像素SP可以包括多个反射区域RA和一个发光区域EA。
另外，可以在彼此间隔开的多个反射区域RA之间设置发光区域EA的发光元件750a。因此，设置在一个子像素SP中的围绕多个反射区域RA的发光区域EA上的发光元件750a可以一体地形成。
参照图7B和图7C，一个子像素SP包括多个反射区域RA。反射部760b可以包括设置在反射区域RA中的每一个上的多个子反射部760b'。反射部760c可以包括设置在反射区域RA中的每一个上的多个子反射部760c'。
多个反射区域RA以及多个子反射部760b'和760c'可以被设置成具有与子像素SP的平面形状(例如，俯视图中的子像素SP的形状)对应的形状。多个反射区域RA以及多个子反射部760b'和760c'可以沿着用于分割子像素SP的具有开口部分170OP的堤部170的侧表面设置。多个反射区域RA以及多个子反射部760b'和760c'可以被设置成具有与从堤部170的开口部分170OP露出的第一电极151的平面形状对应的形状。
例如，图7B的子像素SP形成为矩形形状，并且多个反射区域RA和多个子反射部760b'也可以设置为矩形形状。例如，图7C的子像素SP形成为圆形形状，并且多个反射区域RA和多个子反射部760c'也可以设置为圆形形状。
参照图7D和图7E，一个子像素SP包括一个反射区域RA和一个发光区域EA。例如，多个子反射部760d'和760e'可以一体地形成并且设置在一个反射区域RA上。
设置在一个反射区域RA上的多个子反射部760d'和760e'中的一些部分可以彼此接触，并且多个子反射部760d'和760e'中的其他一些部分可以彼此间隔开。例如，图7D的子像素SP可以形成为六边形形状。就此，多个子反射部760d'中的一些部分(例如，中心部分)可以设置在子像素SP的中心中，并且多个子反射部760d'中的其他一些部分(例如，端部分)可以朝向子像素SP的六个侧面设置。因此，由多个子反射部760d'组成的反射部760d可以被设置成形成星号形状。
例如，图7E的子像素SP可以是其中竖直距离大于水平距离的矩形形状。多个子反射部760e'中的每个子反射部的一个部分可以设置在子像素SP的中心中，并且每个子反射部的其他部分可以朝向子像素SP的上部分和下部分设置。因此，由多个子反射部760e'形成的反射部760e可以被设置成形成杆形状。
在根据本公开的各种实施例的发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e中，多个子反射部760a'、760b'、760c'、760d'、760e'可以设置在一个子像素SP中，以增加朝向发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e的上方反射的光。由于设置有多个子反射部760a'、760b'、760c'、760d'和760e'，因此可以减小从发光元件750a、750b、750c、750d和750e发射的光要到达第一电极151的反射层以及反射部760a、760b、760c、760d和760e所需的最大距离。并且，由于设置有多个子反射部760a'、760b'、760c'、760d'和760e'，因此可以增加从发光元件750a、750b、750c、750d和750e发射的光入射在子反射部760a'、760b'、760c'、760d'和760e'上的概率，并且可以增加发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e的朝上反射的光。因此，在根据本公开的各种实施例的发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e中，具有各种形状的多个子反射部760a'、760b'、760c'、760d'和760e'设置在子像素SP中，从而可以提高发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e的光提取效率和正面光提取效率，并且可以增强发光显示装置700a、700b、700c、700d和700e的亮度。
在下文中，将参照图8和表2描述发光效率。
图8是用于示出根据本公开的各种实施例的发光显示装置的发光效率特性的曲线图。图8是示出下面的表2的曲线图的图。在下文中，将参照表2来描述图8。关于图8和表2，在图5A和图5B的发光显示装置500的结构中，通过进行下述设置而测量了取决于多个发光区域EA的数目和分隔部140的高度的发光效率：将子像素SP形成为具有20μm的宽度和20μm的长度的正方形的形状，按照分割部分的数目来分割具有正方形形状的发光区域EA，并且因此将发光区域EA分割成正方形的部分，并且反射区域RA设置在被分割的发光区域EA之间以具有十字形状。例如，分隔部140被设置为截面具有等边三角形的形状，以测量发光效率。另外，在发光显示装置中，需要不分割发光区域EA以及一体地形成发光区域EA。然而，在模拟中，甚至当分割了发光区域EA时，每个发光区域EA也可以被设置为独立地发光。因此，为了便于模拟，假设分割发光区域EA。
表2
Figure BDA0002502123040000251
图8的水平轴表示被设置成十字形状的反射区域RA分割的发光区域EA的数目。例如，当未设置反射区域RA时，发光区域EA的分割部分的数目为1，并且当设置有如图2A所示的一个反射区域RA时，发光区域EA的分割部分的数目为4，并且当设置有如图7A所示的反射区域RA时，发光区域EA的分割部分的数目为9。图8的垂直轴以与其中未设置突出部分532和分隔部140的、具有20μm的宽度和20μm的长度的正方形子像素的发光效率相比较的方式，表示了其中设置有突出部分532和分隔部140的、具有20μm的宽度和20μm的长度的正方形子像素的发光效率。图8的曲线表示了取决于所分割的发光区域EA的数目和分隔部140的高度的发光效率的增加，并且也表示了考虑到由于作为不发射光的非发光区域的反射区域RA的面积而减小的发光区域EA的面积的、发光效率的降低。
参照图8，发光效率可以随着发光区域EA的分割部分的数目的增加而增加。例如，由于所分割的发光区域EA的尺寸减小以及设置在所分割的发光区域EA之间的反射区域RA之间的最大距离减小，因此可以减小从发光区域EA发射的光直至光到达反射区域RA的最大移动距离。因此，由于发光区域EA的尺寸减小以及反射区域RA之间的距离减小，因此可以减少沿发光区域EA的横向方向的移动期间损失的光，并且可以增加从反射区域RA沿发光显示装置的正面方向提取的光。因此，光提取效率和正面光提取效率可以随着发光区域EA的分割部分的数目增加以及反射区域RA之间的距离减小而增加。
例如，当未设置反射区域RA，并且因此发光区域EA的分割部分的数目为1时，发光效率可以为约4.9％。另外，随着发光区域EA的分割部分的数目增加，发光效率可以自4.9％增加。例如，当分隔部140的高度为1.0μm并且发光区域EA的分割部分的数目为64时，发光效率可以为最大16.8％。当分隔部140的高度为1.5μm并且分割部分的数目为25和36时，发光效率可以为最大12.4％。当分隔部140的高度为2.0μm并且分割部分的数目为16时，发光效率可以为最大10.2％。
因此，随着发光区域EA的分割部分的数目增加以及反射区域RA的距离减小，可以减小直至到达反射区域RA的光的最大移动距离。由于要在发光元件550的横向行进时损失的光的至少一部分可以在损失之前到达反射区域RA并且被提取至发光显示装置500的上侧，因此如图8所示，发光效率可以增加。
接下来，发光效率可以基于截面具有等边三角形的形状的分隔部140的高度而变化。例如，随着分隔部140的高度增加，作为等边三角形的分隔部140的底侧的宽度也可以增加。因此，随着分隔部140的高度增加，其中设置有分隔部140的反射区域RA的面积也可以增加，并且作为一个子像素SP中的非发光区域的反射区域RA的面积可以增加。因此，当假设发光区域EA的分割部分的数目相等时，在其中分隔部140的高度为1.0μm的情况下，反射区域RA的面积可以最小，并且在其中分隔部140的高度为2.0μm的情况下，反射区域RA的面积可以最大。
当分隔部140的高度为1.0μm时，发光效率可以增加，直至被反射区域RA分割的发光区域EA的数目为64为止。当分隔部140的高度为1.5μm时，发光效率可以增加，直至被反射区域RA分割的发光区域EA的数目为36为止。当分隔部140的高度为2.0μm时，发光效率可以增加，直至被反射区域RA分割的发光区域EA的数目为16为止。
随着分隔部140的高度增加，其中设置有分隔部140的反射区域RA的面积也增加，从而增加了发光元件550的要横向损失的光被反射至发光显示装置500的上部分的概率。
随着分隔部140的高度增加，或者随着被反射区域RA分割的发光区域EA的数目增加，发光区域EA的面积减小，从而降低了发光效率。反射区域RA的反射部560由与发光元件550相同的材料形成，但是仅反射光而不发射光。因此，在子像素SP中，其中设置有反射部560的反射区域RA可以是不发射光的非发光区域。
因此，随着具有预定面积的子像素SP中的反射区域RA的面积增加，发光区域EA的面积可以减小。当发光区域EA的面积由于反射区域RA而减小时，可能会减小从发光元件550自身发射的光的量。另外，由于子像素SP的面积以μm为单位，因此可能难以在有限的面积中形成预定数目或更多的反射区域RA。
因此，可以考虑发光区域EA的面积和处理效率来配置反射区域RA的布置。例如，在形成为具有20μm的宽度和20μm的长度的正方形的形状的子像素SP的情况下，当被反射区域RA分割的发光区域EA的数目为4至49时，可以优化发光效率。
在根据本公开的各种实施例的发光显示装置100、500、600b、600c、700a、700b、700c、700d和700e中，可以考虑以下中的部分或全部因素来优化发光效率：分隔部140、640b和640c的高度；反射区域RA的面积(或多个子反射部的面积)；被反射区域RA分割的(或被多个子反射部分割的)发光区域EA的数目，例如发光区域EA的分割部分的数目；以及子像素SP的面积。首先，随着分隔部140、640b和640c的高度增加，分隔部140、640b和640c的最大宽度也增加，使得其中设置有分隔部140、640b和640c的反射区域RA的面积也可以增加。因此，随着分隔部140、640b和640c的高度增加，能够入射在反射区域RA上的光的量可以增加，并且提取至发光显示装置100、500、600b、600c、700a、700b、700c、700d和700e的上侧的光也可以增加。随着分隔部140、640b和640c的高度增加，作为不发射光的非发光区域的反射区域RA的面积可能过度加宽，使得发光区域EA的面积减小，从而导致从发光区域EA发射的光的量的减少。因此，在根据本公开的各种实施例的发光显示装置100、500、600b，600c、700a、700b、700c、700d和700e中，可以考虑分隔部140、640b和640c的高度以及反射区域RA的面积来优化发光效率。
接下来，随着被反射区域RA分割的发光区域EA的数目增加，反射区域RA之间的最大距离可以减小，并且在朝向反射区域RA移动时损失的光也可以减少。另外，随着被反射区域RA分割的发光区域EA的数目增加，能够入射在反射区域RA上的光的量可以增加，并且提取至发光显示装置100、500、600b、600c、700a、700b，700c、700d和700e的上侧的光也可以增加。随着由反射区域RA导致的发光区域EA的分割部分的数目增加，反射区域RA的面积也可以增加。因此，当过度地设置有多个反射区域RA并且作为非发光区域的反射区域RA的面积增加时，发光区域EA的面积减小，以导致从发光区域EA发射的光的量的减少。另外，子像素SP的尺寸可能随着分辨率越高而减小。因此，在具有非常小的尺寸的子像素SP中，可能难以将被反射区域RA分割的发光区域EA的数目配置成预定数目或更多。例如，当子像素SP的尺寸以μm为单位时，反射区域RA之间的距离也可以以μm为单位。然而，考虑到处理效率，可能难以将反射区域RA之间的距离配置成预定水平或更小。因此，在根据本公开的各种实施例的发光显示装置100、500、600b、600c、700a、700b、700c、700d和700e中，可以考虑被反射区域RA分割的发光区域EA的分割部分的数目、反射区域RA之间的距离和子像素SP的面积来优化发光效率。
下面将描述根据本公开的一个或更多个实施例的发光显示装置。
根据本公开的实施例的发光显示装置包括：基板，其包括多个子像素，多个子像素中的每个子像素包括发光区域和被发光区域围绕的反射区域；在基板上的外涂层；在外涂层上在反射区域处的分隔部；在外涂层上在发光区域处的发光元件；以及在分隔部上的反射部，该反射部由与发光元件相同的材料形成。
根据本公开的一些实施例，发光元件可以包括：包括反射层的第一电极；在第一电极上的发光层；以及在发光层上的第二电极。反射部可以包括：第一层，其由与第一电极相同的材料形成；第二层，其由与发光层相同的材料形成，并且第二层在第一层上；以及第三层，其由与第二电极相同的材料形成，并且第三层在第二层上。
根据本公开的一些实施例，发光元件的至少一部分可以与反射部的至少一部分绝缘。
根据本公开的一些实施例，第二电极可以与第三层间隔开。
根据本公开的一些实施例，发光层可以与第二层间隔开。
根据本公开的一些实施例，发光显示装置还可以包括在第一电极上的堤部，该堤部包括使第一电极的一部分露出的开口部分。分隔部和反射部可以被设置在该开口部分中并且与堤部间隔开。
根据本公开的一些实施例，外涂层可以包括：在基板与发光元件之间的基底部分；以及在基底部分与发光元件之间的突出部分。第一电极可以从基底部分朝突出部分的上表面延伸，并且堤部可以覆盖突出部分。
根据本公开的一些实施例，分隔部的高度可以小于或等于突出部分的高度。
根据本公开的一些实施例，多个反射区域可以设置在多个子像素中的至少一个子像素处。发光区域可以一体地设置在多个子像素中的所有子像素中。
根据本公开的一些实施例，分隔部可以与外涂层一体地设置。
根据本公开的一些实施例，分隔部的倾斜度可以为60度或更大。
根据本公开的实施例的发光显示装置包括：基板；在基板上的外涂层；在外涂层上的分隔部；在外涂层上的发光元件，该发光元件包括第一电极；以及在分隔部上的反射部，该反射部包括第一层。发光元件被设置成围绕反射部，并且从发光元件发射的光中的一些被反射部朝向发光元件的上方反射，以提取发光元件的要横向损失的光。
根据本公开的一些实施例，第一电极和第一层可以包括相同的反射材料。
根据本公开的一些实施例，发光显示装置还可以包括覆盖第一电极的外围部分的堤部。堤部可以被设置成围绕反射部。
根据本公开的一些实施例，反射部可以包括沿着堤部的侧表面的多个子反射部。第一电极可以在多个子反射部之间。
根据本公开的一些实施例，多个子反射部可以被设置成具有与第一电极的从堤部露出的部分的平面形状对应的形状，并且多个子反射部可以彼此间隔开。
根据本公开的一些实施例，反射部可以包括多个子反射部，多个子反射部中的各个子反射部的一些部分彼此接触，并且多个子反射部中的各个子反射部的其他一些部分彼此间隔开。第一电极可以在多个子反射部之间。
根据本公开的一些实施例，多个子反射部的平面形状可以为条形形状、十字形状和星号形状之一。
根据本公开的一些实施例，可以通过调整下述中一项或更多项来优化发光显示装置的发光效率：发光元件被多个子反射部分割得到的分割部分的数目、多个子反射部中的两个相邻子反射部之间的距离、分隔部的高度、和/或多个子反射部的面积。
根据本公开的一些实施例，发光元件的至少一部分和反射部的至少一部分可以彼此电分离。
根据本公开的一些实施例，发光元件还可以包括在第一电极上的第二电极。反射部还可以包括在第一层上的第三层。第二电极和第三层可以彼此电绝缘。
另外，本公开的实施例提供了下述方案。
方案1.一种发光显示装置，包括：
基板，其包括多个子像素，所述多个子像素中的每个子像素包括发光区域和被所述发光区域围绕的反射区域；
在所述基板上的外涂层；
在所述外涂层上在所述反射区域处的分隔部；
在所述外涂层上在所述发光区域处的发光元件；以及
在所述分隔部上的反射部，所述反射部由与所述发光元件相同的材料形成。
方案2.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述发光元件包括：
包括反射层的第一电极；
在所述第一电极上的发光层；以及
在所述发光层上的第二电极，并且
其中，所述反射部包括：
第一层，其由与所述第一电极相同的材料形成；
第二层，其由与所述发光层相同的材料形成，并且在所述第一层上；以及
第三层，其由与所述第二电极相同的材料形成，并且在所述第二层上。
方案3.根据方案2所述的发光显示装置，其中，所述发光元件的至少一部分与所述反射部的至少一部分绝缘。
方案4.根据方案3所述的发光显示装置，其中，所述第二电极与所述第三层间隔开。
方案5.根据方案4所述的发光显示装置，其中，所述发光层与所述第二层间隔开。
方案6.根据方案2所述的发光显示装置，还包括在所述第一电极上的堤部，所述堤部包括使所述第一电极的一部分露出的开口部分，
其中，所述分隔部和所述反射部被设置在所述开口部分处并且与所述堤部间隔开。
方案7.根据方案6所述的发光显示装置，其中，所述外涂层包括：
在所述基板与所述发光元件之间的基底部分；以及
在所述基底部分与所述发光元件之间的突出部分，
其中，所述第一电极从所述基底部分朝所述突出部分的上表面延伸，并且
所述堤部覆盖所述突出部分。
方案8.根据方案7所述的发光显示装置，其中，所述分隔部的高度小于或等于所述突出部分的高度。
方案9.根据方案1所述的发光显示装置，其中，多个所述反射区域设置在所述多个子像素中的至少一个子像素处，并且
所述发光区域一体地设置在所述多个子像素中的所有子像素中。
方案10.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述分隔部与所述外涂层一体地设置。
方案11.根据方案1所述的发光显示装置，其中，所述分隔部的倾斜度为60度或更大。
方案12.一种发光显示装置，包括：
基板；
在所述基板上的外涂层；
在所述外涂层上的分隔部；
在所述外涂层上的发光元件，所述发光元件包括第一电极；以及
在所述分隔部上的反射部，所述反射部包括第一层，
其中，所述发光元件被设置成围绕所述反射部，并且
从所述发光元件发射的光中的一些光被所述反射部朝向所述发光元件的上方反射，以提取所述发光元件的要横向损失的光。
方案13.根据方案12所述的发光显示装置，其中，所述第一电极和所述第一层包括相同的反射材料。
方案14.根据方案12所述的发光显示装置，还包括覆盖所述第一电极的外围部分的堤部，
其中，所述堤部被设置成围绕所述反射部。
方案15.根据方案14所述的发光显示装置，其中，所述反射部包括沿着所述堤部的侧表面的多个子反射部，并且
其中，所述第一电极在所述多个子反射部之间。
方案16.根据方案15所述的发光显示装置，其中，所述多个子反射部被设置成具有与从所述堤部露出的所述第一电极的一部分的平面形状对应的形状，并且
所述多个子反射部彼此间隔开。
方案17.根据方案14所述的发光显示装置，其中，所述反射部包括多个子反射部，所述多个子反射部中的各个子反射部的一些部分彼此接触，并且所述多个子反射部中的各个子反射部的其他一些部分彼此间隔开，并且
其中，所述第一电极在所述多个子反射部之间。
方案18.根据方案17所述的发光显示装置，其中，所述多个子反射部的平面形状为条形形状、十字形状和星号形状之一。
方案19.根据方案15或17所述的发光显示装置，其中，通过调整下述中一项或更多项来优化所述发光显示装置的发光效率：所述发光元件被所述多个子反射部分割得到的分割部分的数目、所述多个子反射部中的两个相邻子反射部之间的距离、所述分隔部的高度、以及所述多个子反射部的面积。
方案20.根据方案12所述的发光显示装置，其中，所述发光元件的至少一部分和所述反射部的至少一部分彼此电分离。
方案21.根据方案20所述的发光显示装置，其中，所述发光元件还包括在所述第一电极上的第二电极，
所述反射部还包括在所述第一层上的第三层，并且
所述第二电极和所述第三层彼此电绝缘。
对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开的技术思想或范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和变型。因此，可以旨在本公开的实施例覆盖本公开的修改和变型，只要其落入所附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，包括：
基板，其包括多个子像素，所述多个子像素中的每个子像素包括发光区域和被所述发光区域围绕的反射区域；
在所述基板上的外涂层；
在所述外涂层上在所述反射区域处的分隔部；
在所述外涂层上在所述发光区域处的发光元件；以及
在所述分隔部上的反射部，所述反射部由与所述发光元件相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光元件包括：
包括反射层的第一电极；
在所述第一电极上的发光层；以及
在所述发光层上的第二电极，并且
其中，所述反射部包括：
第一层，其由与所述第一电极相同的材料形成；
第二层，其由与所述发光层相同的材料形成，并且在所述第一层上；以及
第三层，其由与所述第二电极相同的材料形成，并且在所述第二层上。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述发光元件的至少一部分与所述反射部的至少一部分绝缘。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述第二电极与所述第三层间隔开。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述发光层与所述第二层间隔开。
6.根据权利要求2所述的发光显示装置，还包括在所述第一电极上的堤部，所述堤部包括使所述第一电极的一部分露出的开口部分，
其中，所述分隔部和所述反射部被设置在所述开口部分处并且与所述堤部间隔开。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述外涂层包括：
在所述基板与所述发光元件之间的基底部分；以及
在所述基底部分与所述发光元件之间的突出部分，
其中，所述第一电极从所述基底部分朝所述突出部分的上表面延伸，并且
所述堤部覆盖所述突出部分。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，所述分隔部的高度小于或等于所述突出部分的高度。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，多个所述反射区域设置在所述多个子像素中的至少一个子像素处，并且
所述发光区域一体地设置在所述多个子像素中的所有子像素中。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述分隔部与所述外涂层一体地设置。
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