CN111987116A - 背照式图像传感器及其制作方法 - Google Patents

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CN111987116A CN202010884218.3A CN202010884218A CN111987116A CN 111987116 A CN111987116 A CN 111987116A CN 202010884218 A CN202010884218 A CN 202010884218A CN 111987116 A CN111987116 A CN 111987116A
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陈昊瑜
王奇伟
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Abstract

本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；然后形成阻挡层且所述阻挡层覆盖半导体基底的表面；接着形成填充材料层，所述填充材料层填满第一沟槽和第二沟槽；以及执行平坦化工艺，去除填充材料层的部分厚度，且停止于阻挡层。所述制作方法中对填充材料层进行的平坦化处理时，可以停止在阻挡层，阻挡层下的半导体基底不受平坦化工艺影响，使得填充材料层可以被充分处理，从而得到的背照式图像传感器的厚度均匀性较好，有助于提高背照式图像传感器的性能。

Description

背照式图像传感器及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种背照式图像传感器及其制作方法。
背景技术
图1为一种正照式图像传感器的结构示意图。图2为一种背照式图像传感器的结构示意图。对比图1和图2所示可知，入射光从背照式图像传感器(BSI)的没有布线层的背面传输到内部的受光面，避免了金属线路和晶体管对入射光的阻碍，因此，背照式图像传感器相比正照式图像传感器具有更高的宽容度，更快的数据吞吐率，以及更佳的低光照成像能力，从而背照式图像传感器得到了广泛应用。
随着技术的发展，远红外成像的应用也越来越广泛，例如安保监控，虹膜扫描仪，飞行时间(ToF)传感器等。在背照式图像传感器的基础上，如何增加入射光的散射，增加入射光的入射距离，是远红外背照式图像传感器研究的方向。图3为一种背面添加了深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的结构示意图。如图3所示，目前比较有效地方法是在背照式图像传感器的硅基底背面上增加深沟槽隔离结构10，可以大幅度的增加图像传感器的量子效率(QE)。图4为一种背面添加了深沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构的背照式图像传感器的结构示意图。如图4所示，为了进一步增大入射光的散射，除了增加深沟槽隔离结构10，目前还会在深沟槽隔离结构 10间设计不同结构的浅沟槽隔离结构20。
但是，由于增加的浅沟槽隔离结构20的尺寸较大(开口宽度较宽)，因而深沟槽隔离结构10和浅沟槽隔离结构20的填充均匀性以及在填充工艺后对基底执行的平坦化工艺的均匀性均较差，从而背照式图像传感器背部的厚度均匀性较差，导致背照式图像传感器内像素的均匀性较差。
发明内容
本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法，以改善背照式图像传感器的厚度均匀性，有助于提高背照式图像传感器内像素的均匀性，可以提高背照式图像传感器的性能。
一方面，本发明提供一种背照式图像传感器的制作方法，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；
在所述半导体基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体基底的表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面；
在所述半导体基底上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及
执行平坦化工艺，去除所述填充材料层的部分厚度，且停止于所述阻挡层，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。
可选的，在所述半导体基底上形成所述填充材料层包括：
采用原子力沉积工艺在所述半导体基底上形成第一填充材料层，所述第一填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述第一填充材料层填满所述第二沟槽，其中，形成第一填充材料层后，所述第一沟槽内形成有第三沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第三沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；以及
采用化学气相沉积工艺在所述半导体基底上形成第二填充材料层，所述第二填充材料层覆盖所述第一填充材料层，且所述第二填充材料层填满所述第三沟槽。
可选的，在执行所述平坦化工艺后，所述制作方法还包括：
在所述半导体基底上沉积形成氧化层，所述氧化层覆盖所述第一填充材料层、第二填充材料层以及所述阻挡层。
可选的，在所述半导体基底中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽后，在形成所述阻挡层前，所述制作方法还包括：
在所述半导体基底上形成高介电材料层，所述高介电材料层覆盖所述半导体基底上表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面。
可选的，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。
可选的，所述填充材料层与所述阻挡层的研磨选择比为30～50。
另一方面，本发明提供一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器包括：
半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均位于所述半导体基底的背面一侧，在垂直于所述半导体基底背面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；
阻挡层，覆盖所述半导体基底表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽内表面；
填充材料层，所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。
可选的，在垂直于所述半导体基底背面的平面上，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽，且所述第一沟槽和所述第二沟槽穿插设置。
可选的，所述第一沟槽的宽度为0.5μm～5μm。
可选的，所述阻挡层为氮化硅或氧化铝。
本发明的背照式图像传感器的制作方法包括：提供半导体基底，在半导体基底中形成第一沟槽和第二沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽；然后，在半导体基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖半导体基底的表面；接着，在半导体基底上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及执行平坦化工艺，去除所述填充材料层的部分厚度，且停止于所述阻挡层。所述制作方法以所述阻挡层作为平坦化工艺的停止层，即对所述填充材料层进行的平坦化处理时可以停止在所述阻挡层，阻挡层下的半导体基底不受平坦化工艺影响，使得所述填充材料层可以被充分处理，从而可以提升填充材料层平坦化的均匀性，可以改善背照式图像传感器的厚度均匀性，有助于提高背照式图像传感器内像素的均匀性，提高了背照式图像传感器的性能。
进一步的，所述填充材料层可以包括第一填充材料层和第二填充材料层，在所述半导体基底上形成所述填充材料层可以包括采用原子力沉积工艺在所述半导体基底上形成第一填充材料层以及采用化学气相沉积工艺在所述半导体基底上形成第二填充材料层。由于所述第一沟槽和第二沟槽的开口宽度和深度不同，因此，所述填充材料层分两步形成，可以满足第一沟槽和第二沟槽的不同填充需求，同时，先采用原子力沉积形成第一填充材料层可以提升沟槽填充的均匀性，进而提升沟槽的填充质量，有助于提升背照式图像传感器的性能。
本发明提供的背照式图像传感器由于在所述半导体基底上以及第一沟槽和第二沟槽内表面设置了阻挡层，再在阻挡层上设置填充材料层，从而在对所述填充材料层进行平坦化处理时，所述阻挡层可以保护其下方的半导体基底不受影响，使得填充材料层可以被充分处理，以提高所述背照式图像传感器的厚度均匀性，进而可以提高背照式图像传感器内像素的均匀性，有助于提高背照式图像传感器的性能。
附图说明
图1为一种正照式图像传感器的结构示意图。
图2为一种背照式图像传感器的结构示意图。
图3为一种背面添加了深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的结构示意图。
图4为一种背面添加了深沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构的背照式图像传感器的结构示意图。
图5a至图5e为利用现有的背照式图像传感器的制作方法制作背照式图像传感器的过程示意图。
图6为本发明一实施例的背照式图像传感器的制作方法的流程示意图。
图7a至图7e为利用本发明一实施例的背照式图像传感器的制作方法制作背照式图像传感器的过程示意图。
附图标记说明：
10-深沟槽隔离结构；20-浅沟槽隔离结构；100-半导体基底；101-第一沟槽；102-第二沟槽；101a-第三沟槽；103-高介电材料层；104-填充材料层；104a-第一填充材料层；104b-第二填充材料层；105-阻挡层；106-氧化层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的背照式图像传感器及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
为了便于理解本发明的背照式图像传感器的制作方法的特征和优点，以下介绍一种现有的背照式图像传感器的制作方法。
图5a至图5e为利用现有的背照式图像传感器的制作方法制作背照式图像传感器的过程示意图。该现有的背照式图像传感器的制作方法包括以下步骤：
步骤一：如图5a和图5b所示，提供半导体基底100，在半导体基底 100的背面一侧中形成有第一沟槽101和第二沟槽102，在垂直于所述半导体基底100表面的平面上，第一沟槽101的开口宽度大于第二沟槽102，第一沟槽101的深度小于第二沟槽102；
步骤二：如图5c所示，在半导体基底100上形成高介电材料层103，高介电材料层103覆盖半导体基底100上表面以及第一沟槽101和第二沟槽102的内表面；
步骤三：如图5d所示，在半导体基底100上沉积形成填充材料层104，填充材料层104填满第一沟槽101和第二沟槽102；
步骤四：如图5e所示，执行化学机械研磨工艺，去除填充材料层104 的部分厚度，在半导体基底100上形成平坦的表面。
利用该现有的背照式图像传感器的制作方法制作背照式图像传感器时，沉积形成的填充材料层104由于填充第一沟槽101和第二沟槽102而表面存在起伏形貌，在对填充材料层104进行化学机械研磨时，起伏的表面形貌会导致不同位置的填充材料层104的研磨切屑量不同，同时，为了避免化学机械研磨对下方的高介电材料层103和半导体基底100造成损伤，填充材料层的研磨量又不能过大，从而导致填充材料层得不到充分的研磨，因此，利用该方法制作得到的背照式图像传感器背部的厚度均匀性较差，导致背照式图像传感器内像素的均匀性较差，影响背照式图像传感器的性能。
为了克服上述问题，本实施例提供一种背照式图像传感器的制作方法。图6为本发明一实施例的背照式图像传感器的制作方法的流程示意图。如图6所示，所述制作方法包括如下步骤：
步骤S1：提供半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；
步骤S2：在所述半导体基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体基底的表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面；
步骤S3：在所述半导体基底上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽；
步骤S4：执行平坦化工艺，去除所述填充材料层的部分厚度，且停止于所述阻挡层，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。
图7a至图7e为利用本发明一实施例的背照式图像传感器的制作方法制作背照式图像传感器的过程示意图。以下结合图7a至图7e对本实施例的背照式图像传感器的制作方法进行说明。
如图7a所示，执行步骤S1，在所述半导体基底100上形成第一沟槽101和第二沟槽102，在垂直于所述半导体基底100表面的平面上，所述第一沟槽101的开口宽度大于所述第二沟槽102，即D1大于D2，其中，所述第一沟槽和第二沟槽的纵平面形状可以为梯形，所述第一沟槽101平均宽度和沟槽底部宽度也可以大于所述第二沟槽102。另一实施例中，所述第一沟槽和第二沟槽的纵平面形状可以为矩形。本实施例中，形成所述第二沟槽102是为了增加入射光的入射距离，以增加背照式图像传感器的量子效率(QE)。量子效率是描述光电器件光电转换能力的一个重要参数，它是在某一特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。增大背照式图像传感器的量子效率可以提高其成像性能。形成第一沟槽101是为了增加入射光的散射，以进一步提高背照式图像传感器的量子效率，提高背照式图像传感器的性能。
具体的，所述第一沟槽101和第二沟槽102均可以位于所述半导体基底100中的背面一侧，且在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽101的深度(H1)可以小于所述第二沟槽102的深度(H2)。所述第一沟槽101的填充量可以大于所述第二沟槽102的填充量。
参考图7a，在步骤S1之后，执行步骤S2之前，所述制作方法还可以包括在所述半导体基底100上形成层间介电层，所述层间介电层可以为高介电常数材料层(HighK)，即层间介电层可以称为高介电材料层103，所述高介电材料层103覆盖所述半导体基底100上表面以及所述第一沟槽101 和所述第二沟槽102的内表面，所述高介电材料层可以为氧化铝(Al2O3) 或二氧化铪(HfO2)。所述高介电材料层可以降低背照式图像传感器的暗电流和白点缺陷，提高背照式图像传感器的性能。
执行步骤S2，在所述半导体基底100上形成阻挡层105，所述阻挡层 105覆盖所述半导体基底100的表面以及第一沟槽101和第二沟槽102的内表面。具体的，所述阻挡层可以覆盖所述高介电材料层103的表面。所述阻挡层可以通过原子力沉积工艺(ALD)或化学气相沉积工艺(CVD) 等沉积工艺形成。
执行步骤S3，如图7b和图7c所示，在所述半导体基底100上形成填充材料层104，所述填充材料层104覆盖所述阻挡层105，且所述填充材料层104填满所述第一沟槽101和所述第二沟槽102。
具体的，所述填充材料层可以包括第一填充材料层104a和第二填充材料层104b。在所述半导体基底100上形成所述填充材料层104可以包括：采用原子力沉积工艺(ALD)在所述半导体基底100上形成第一填充材料层104a，所述第一填充材料层104a覆盖所述阻挡层105，且所述第一填充材料层104a填满所述第二沟槽102，并在形成所述第一填充材料层104a 后，所述第一沟槽101内可以形成有第三沟槽101a，其中，在垂直于所述半导体基底100表面的平面上，所述第三沟槽101a的深度小于所述第一沟槽的深度；再采用化学气相沉积工艺(CVD)在所述半导体基底100上形成第二填充材料层104b，所述第二填充材料层104b覆盖所述第一填充材料层104a，且所述第二填充材料层104b可以填满所述第三沟槽101a。
本实施例中，为了提高第一沟槽101和第二沟槽102的填充质量，第一填充材料层104a采用原子力沉积工艺形成，以使得沟槽拐角和侧壁上可以形成均匀的第一填充材料层，但由于第一沟槽的填充量较大，为了提高填充效率，在形成质量较好的第一填充材料层104a之后，采用化学气相沉积工艺继续填充第一沟槽101内的第三沟槽101a，直至填满第三沟槽。但不限于此，一实施例中，填充材料层可以采用高深宽比沉积工艺(HARP) 或高密度等离子体沉积工艺(HDP)一次性形成，或者第二填充材料层可以采用炉管工艺等其它沉积工艺形成。
为了使得阻挡层105在执行平坦化工艺时可以保护其下方的高介电材料层103和半导体基底100，所述填充材料层104与所述阻挡层105的研磨选择比可以为30～50。具体的，所述第一填充材料层104a和所述第二填充材料层104b可以均为氧化硅。所述阻挡层可以为氮化硅或者氧化铝。
执行步骤S4，即执行平坦化工艺，如图7d所示，去除所述填充材料层104的部分厚度，且停止于所述阻挡层105，所述填充材料层104的上表面与所述阻挡层105的上表面齐平。具体的，所述第一填充材料层104a、第二填充材料层104b和所述阻挡层105的上表面齐平。所述平坦化工艺可以为化学机械研磨工艺(CMP)。然而，在其它实施例中，所述平坦化工艺还可以包括化学机械研磨工艺、湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺等。
如图7e所示，在执行步骤S4后，所述背照式图像传感器的制作方法还可以包括在所述半导体基底100上沉积形成氧化层106，所述氧化层106 覆盖所述第一填充材料层104a、第二填充材料层104b以及所述阻挡层105。所述氧化层106可以覆盖执行步骤S4后形成于半导体基底背面的研磨面，可以减小研磨表面粗糙度对背照式图像传感器性能的影响。
本实施例的背照式图像传感器的制作方法包括：提供半导体基底100，在半导体基底100中形成第一沟槽101和第二沟槽102，在垂直于所述半导体基底100表面的平面上，所述第一沟槽101的开口宽度大于所述第二沟槽102；然后，在半导体基底上形成阻挡层105，所述阻挡层105覆盖半导体基底的表面以及第一沟槽和第二沟槽的内表面；接着，在半导体基底上形成填充材料层104，所述填充材料层104覆盖所述阻挡层105，且所述填充材料层104填满所述第一沟槽101和所述第二沟槽102；以及执行平坦化工艺，去除所述填充材料层104的部分厚度，且停止于所述阻挡层105。所述制作方法以所述阻挡层105作为平坦化工艺的停止层，即对所述填充材料层104进行的平坦化处理时可以停止在所述阻挡层105，阻挡层105 下的半导体基底100不受平坦化处理影响，使得所述填充材料层可以被充分研磨，从而可以提升所述填充材料层平坦化的均匀性，可以改善背照式图像传感器背部的厚度均匀性，有助于提高背照式图像传感器内像素的均匀性，提高背照式图像传感器的性能。
进一步的，在所述半导体基底100上形成所述填充材料层104可以包括采用原子力沉积工艺在所述半导体基底上形成第一填充材料层104a以及采用化学气相沉积工艺在所述半导体基底上形成第二填充材料层104b。由于所述第一沟槽101和第二沟槽102的宽度不同，因此，所述填充材料层 104分两步形成，可以满足第一沟槽和第二沟槽的不同填充需求，同时，先采用原子力沉积形成第一填充材料层可以提升沟槽填充的均匀性，提升沟槽的填充质量，有助于进一步提升背照式图像传感器的性能。
本实施例还提供一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器可以利用上述的背照式图像传感器的制作方法制作得到。如图7e所示，所述背照式图像传感器包括半导体基底100、第一沟槽101、第二沟槽102、阻挡层105以及填充材料层104，所述第一沟槽101和所述第二沟槽102均形成于所述半导体基底100中的背面一侧，在垂直于所述半导体基底100背面的平面上，所述第一沟槽101的开口宽度大于所述第二沟槽102，所述阻挡层105覆盖所述半导体基底100上表面以及所述第一沟槽101和所述第二沟槽102内表面，所述填充材料层104填满所述第一沟槽101和所述第二沟槽102，所述填充材料层104的上表面与所述阻挡层105的上表面齐平。
其中，在平坦化处理填充材料层104并使其上表面与所述阻挡层105 的上表面时，阻挡层105作为平坦化的停止层，以保护阻挡层下方的半导体基底。所述平坦化处理可以采用化学机械研磨工艺，所述填充材料层104 的研磨选择大于所述阻挡层105。
参考图7a和7e，在垂直于所述半导体基底100背面的平面上，所述第一沟槽101的深度(H1)可以小于所述第二沟槽102的深度(H2)。所述第一沟槽101和所述第二沟槽102可以穿插设置于所述背照式图像传感器的背面一侧，以提高入射光的入射距离，进而提高背照式图像传感器的量子效率，提高背照式图像传感器的性能。综合考虑第一沟槽占用的空间以及入射光的散射效果，所述第一沟槽的宽度可以设置为0.5μm～5μm。
本实施例中，所述填充材料层可以包括第一填充材料层104a和第二填充材料层104b。第一填充材料层104a可以填充于所述第一沟槽101的底部和侧壁且填满所述第二沟槽102，在所述第一沟槽101内、所述第一填充材料层104a上可以形成有第三沟槽101a，第二填充材料层104b可以填满所述第三沟槽101a，所述第一填充材料层104a的上表面和所述第二填充材料层104b的上表面可以与所述阻挡层105的上表面齐平。所述第一填充材料层104a和所述第二填充材料层104b与所述阻挡层105的研磨选择比可以为30～50。所述第一填充材料层和所述第二填充材料层可以均为氧化硅，所述阻挡层可以为氮化硅或氧化铝。
所述背照式图像传感器还可以包括高介电材料层103和氧化层106，所述高介电材料层103位于所述半导体基底100和所述阻挡层105之间，所述高介电材料层103覆盖所述半导体基底100表面以及所述第一沟槽101 和所述第二沟槽102的内表面，氧化层106覆盖所述阻挡层105、第一填充材料层104a和第二填充材料层104b的上表面。
本实施例的背照式图像传感器由于在所述半导体基底100上以及第一沟槽101和第二沟槽102内表面设置了阻挡层105，再在阻挡层105上设置填充材料层104，从而在对填充材料层104进行平坦化处理时，所述阻挡层105可以保护其下方的高介电材料层103和半导体基底100不受影响，使得填充材料层104可以被充分研磨，以提高所述背照式图像传感器背部厚度的均匀性，进而可以提高背照式图像传感器内像素的均匀性，有助于提高背照式图像传感器的性能。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明权利范围的任何限定，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；
在所述半导体基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半导体基底的表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面；
在所述半导体基底上形成填充材料层，所述填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及
执行平坦化工艺，去除所述填充材料层的部分厚度，且停止于所述阻挡层，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成所述填充材料层包括：
采用原子力沉积工艺在所述半导体基底上形成第一填充材料层，所述第一填充材料层覆盖所述阻挡层，且所述第一填充材料层填满所述第二沟槽，其中，在形成第一填充材料层后，所述第一沟槽内形成有第三沟槽，在垂直于所述半导体基底表面的平面上，所述第三沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；以及
采用化学气相沉积工艺在所述半导体基底上形成第二填充材料层，所述第二填充材料层覆盖所述第一填充材料层，且所述第二填充材料层填满所述第三沟槽。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，在执行所述平坦化工艺后，所述制作方法还包括：
在所述半导体基底上沉积形成氧化层，所述氧化层覆盖所述第一填充材料层、第二填充材料层以及所述阻挡层。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述半导体基底中形成所述第一沟槽和所述第二沟槽后，在形成所述阻挡层前，所述制作方法还包括：
在所述半导体基底上形成高介电材料层，所述高介电材料层覆盖所述半导体基底上表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。
6.如权利要求5所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，所述填充材料层与所述阻挡层的研磨选择比为30～50。
7.一种背照式图像传感器，其特征在于，所述背照式图像传感器包括：
半导体基底，所述半导体基底中形成有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均位于所述半导体基底中的背面一侧，在垂直于所述半导体基底背面的平面上，所述第一沟槽的开口宽度大于所述第二沟槽；
阻挡层，覆盖所述半导体基底上表面以及所述第一沟槽和所述第二沟槽内表面；
填充材料层，所述填充材料层填满所述第一沟槽和所述第二沟槽，所述填充材料层的上表面与所述阻挡层的上表面齐平。
8.如权利要求7所述的背照式图像传感器，其特征在于，在垂直于所述半导体基底背面的平面上，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽，且所述第一沟槽和所述第二沟槽穿插设置。
9.如权利要求7所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一沟槽的宽度为0.5μm～5μm。
10.如权利要求7所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述阻挡层为氮化硅或氧化铝。
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