CN111977246B - 用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置 - Google Patents

用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置,下料导管内限定出下料通道且包括管体和多个导料件,管体内限定出下料通道,多个导料件均设在管体内,且多个导料件沿下料通道限定的下料路径交错设置。根据本发明的用于加料装置的下料导管,可以实现物料顺畅添加,有利于节省加料时间,同时便于保证生产正常运行。

Description

用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置
技术领域
本发明涉及物料输送技术领域,尤其是涉及一种用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置。
背景技术
目前生长半导体单晶硅的生长工艺有CZ和CCZ工艺,采用CCZ工艺,在拉晶制备过程中,通过炉外加料器装置,将硅料以连续地加入到坩埚中,从而保证长时间连续拉晶的进行,但在供给原料过程中,若硅料运行速度过块,则落入到坩埚内熔体中,会产生较大冲击,导致熔体液面振荡,影响单晶生长。若硅料运行速度过慢,硅料不及时,则导致供给管与液面的硅料堵塞。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种用于加料装置的下料导管,所述下料导管可以实现物料顺畅添加,有利于节省加料时间,同时便于保证生产正常运行。
本发明还提出一种具有上述下料导管的加料装置。
根据本发明第一方面的用于加料装置的下料导管,所述下料导管内限定出下料通道且包括:管体,所述管体内限定出所述下料通道;多个导料件,多个所述导料件均设在所述管体内,且多个所述导料件沿所述下料通道限定的下料路径交错设置。
根据本发明的用于加料装置的下料导管,通过在管体内设置多个导料件,并使得多个导料件沿下料通道限定的下料路径交错设置,有效避免了物料在添加过程中易发生堵料的问题,实现了物料顺畅添加,有利于节省加料时间,保证生产效率,同时下料导管结构简单,便于加工。
在一些实施例中,所述管体包括多个连接管段,多个所述连接管段沿所述下料导管的轴向依次排布,相邻两个所述连接管段相连,至少两个所述连接管段内设有所述导料件。
在一些实施例中,相邻两个所述连接管段之间螺纹连接。
在一些实施例中,所述下料通道的上端形成为进料口,所述下料通道的下端形成为出料口,至少一个所述导料件形成为楔形件,所述导料件具有第一导料面,所述第一导料面均与基准面成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动,其中所述基准面与所述下料通道的中心轴线垂直。
在一些实施例中,所述楔形件在所述基准面上的正投影为弓形,每个所述导料件分别形成为所述楔形件;或者,多个所述导料件包括第一导料件和第二导料件,所述第一导料件位于所述第二导料件的上方,最下方的所述导料件为所述第二导料件,所述第一导料件形成为楔形件,所述第二导料件还具有第二导料面,所述第二导料面与所述第一导料面相交,且与所述基准面成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动。
在一些实施例中,至少一个所述导料件上形成有缓冲槽,以适于缓冲流至所述导料件上的物料。
根据本发明第二方面的下料导管的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:对硅件进行成型处理,形成硅材料的下料导管。
根据本发明的下料导管的加工方法,保证了下料导管的使用可靠性,使得下料导管具有良好的使用寿命,且加工方式简单、便于实现。
在一些实施例中,所述下料导管为根据本发明上述第一方面实施例的用于加料装置的下料导管。
在一些实施例中,所述管体包括多个连接管段,多个所述连接管段沿所述下料导管的轴向依次排布,相邻两个所述连接管段相连,至少两个所述连接管段内设有所述导料件,所述对硅件进行成型处理,形成所述下料导管包括以下步骤:对多个所述硅件依次进行成型处理,形成所述连接管段和所述导料件,使得所述连接管段和对应所述导料件为一体件;将多个所述连接管段相连,并使得多个所述导料件沿所述下料通道限定的下料路径交错设置。
根据本发明第三方面的加料装置,所述加料装置适于向炉体添加物料且包括:储料桶,所述储料桶内限定出储料空间,所述储料桶上形成有与储料空间连通的物料出口,所述物料出口处设有出料管;下料导管,所述下料导管为根据本发明上述第一方面的用于加料装置的下料导管,所述下料导管位于所述储料桶的下侧,所述出料管连通所述储料桶和所述下料导管。
根据本发明的加料装置,通过采用上述第一方面的下料导管,便于实现顺畅下料,避免下料过程中出现堵料。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的下料导管的示意图;
图2是根据本发明一个实施例的加料装置的加料示意图;
图3是图1中所示的下料导管的另一个示意图;
图4是图1中所示的下料导管的局部示意图;
图5是根据本发明一个实施例的下料导管的加工方法流程示意图;
图6是根据本发明另一个实施例的下料导管的加工方法流程示意图。
附图标记:
加料装置100、
炉体101、密闭腔101a、法兰1011、法兰管1012、通孔1012a、
水冷套102、
下料导管1、下料通道10、进料口10a、出料口10b、中心轴线10c、基准面10d、
管体11、连接管段111、
导料件12、楔形件120、第一导料面12a、缓冲槽12b、第二导料面12c、
第一导料件121、第二导料件122、
储料桶2、储料空间20、物料出口20a、
出料管3。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
下面,参考附图描述根据本发明实施例的用于加料装置100的下料导管1。
如图1所示,下料导管1内限定出下料通道10,且下料导管1包括管体11,管体11内限定出下料通道10,物料可以沿下料通道10流动,实现加料。例如,在图1的示例中,管体11的横截面形状可以形成为圆环形,当然,管体11的横截面形状还可以为多边形环等。
如图1所述,下料导管1还包括多个导料件12,多个导料件12均设在管体11内,且多个导料件12沿下料通道10限定的下料路径交错设置,则多个导料件12可以引导下料通道10内的物料的流动。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上。
例如,多个导料件12均设在下料通道10内,物料可以沿下料通道10的轴向流动,下料通道10可以具有彼此相对的侧壁,多个导料件12可以沿下料路径交错设在下料通道10的彼此相对的侧壁上,则沿下料通道10的轴向、多个导料件112交错设置,也就是说,多个导料件12中任意相邻的两个导料件12中的其中一个可以设在下料通道10的一侧侧壁上、另一个可以设在下料通道10的另一侧侧壁上,使得沿物料的流动方向,下游侧的导料件12可以承接上游侧的导流件12上流下的物料,多个导料件12依序相互承接,以将物料导入炉体100内。则物料在沿下料路径流动的过程中,物料会依次流至多个导料件12上,多个导料件12可以顺利将物料导向下料导管1的出料口10b;当下料导管1用于加料装置100时,加料装置100适于向炉体101添加物料,则下料导管1可以顺利将物料导入炉体101内的熔汤中。
例如,在图1的示例中,管体11的横截面形状可以形成为圆环形,相邻两个导料件12可以沿下料通道10的径向相对设置,但不限于此。
由此,通过设置下料导管1,在保证顺利将物料导入炉体101内的前提下,由于下料导管1的横截面积较小,且下料导管1的管体11内设有交错设置的多个导料件12,有效避免了在加料过程中物料运行过快,对液面造成喷溅而影响生产状态,同时物料在多个导料件12的引导作用下顺利流至下料导管1的出料口10b,有利于实现物料的顺畅流动,避免物料在下料导管1内堵塞而影响加料。
根据本发明实施例的用于加料装置100的下料导管1,通过在管体11内设置多个导料件12,并使得多个导料件12沿下料通道10限定的下料路径交错设置,有效避免了物料在添加过程中易发生堵料的问题,避免了下料导管1与炉体101内液面之间发生堵塞,便于实现了物料及时、顺畅添加,有利于节省加料时间,保证生产效率,同时下料导管1结构简单,加工方便。由此,当加料装置100用于CZ法长晶技术的二次补料时,避免了堵料问题,可以节省二次补料时间,提升生产效率,同时可以避免加料过程中运行过快,对液面造成喷溅而影响生产状态,保证生产正常运行,例如加料装置100用于拉晶制备过程中时,下料导管1用于添加硅料,可以避免硅料对熔体产生较大冲击、导致熔体液面振荡而影响单晶生长。
在一些实施例中,如图1所示,管体11包括多个连接管段111,多个连接管段111沿下料导管1的轴向依次排布,相邻两个连接管段111相连,至少两个连接管段111内设有导料件12,则设有导料件12的连接管段111的数量可以小于或等于管体11的连接管段111的数量,且设有导料件12的连接管段111内可以设有一个或多个导料件12,上述设置导料件12的至少两个连接管段111对应的导料件12的数量可以相等或不等,则导料件12的数量可以小于、或等于、或大于连接管段111的数量。
换言之,下料导管1包括多个连接管段111,多个连接管段111沿下料导管1的轴向依次排布,多个连接管段111中的至少两个内设有导料件12,以使下料导管1的多个导料件12沿下料通道10限定的下料路径交错设置。
由此,下料导管1的管体11可以形成分段式结构,使得连接管段111的长度较短,便于连接管段111的加工,同时方便了下料导管1的多个导料件12的设置,同时可以通过调整相邻两个连接管段111的相对角度,便于实现多个导料件12的交错设置,有利于提升下料导管1的加工效率。
例如,在图1的示例中,下料导管1的多个连接管段111中,每个连接管段111内分别设有一个导料件12,使得下料导管1的多个导料件12沿下料路径交错设置。由此,多个导料件12与多个连接管段111一一对应设置,进一步方便了导料件12的设置,且可以通过调整相邻两个连接管段111的相对角度,以实现相邻两个导料件12的交错设置,同时便于使得多个连接管段111与对应导料件12构成的结构相同,有利于提升连接管段111与对应导料件12构成的结构的通用性和互换性。
当然,多个连接管段111中的至少一个内还可以设有多个导料件12,或者多个连接管段111中的至少一个内还可以未对应设有导料件12。
在一些实施例中,如图1所示,相邻两个连接管段111之间螺纹连接,则相邻两个连接管段111中的其中一个上形成有内螺纹、另一个上形成有外螺纹,外螺纹与内螺纹螺纹配合,以实现相邻两个连接管段111的螺纹连接,便于保证相邻两个连接管段111之间连接可靠,使得相邻两个连接管段111彼此锁紧,同时相邻两个连接管段111通过相对转动以实现连接,使得相邻两个连接管段111在连接时,就可以调整相邻两个连接管段111内的导料件12的相对位置,以便于快速实现相邻两个导料件12的交错设置,从而提升了下料导管1的组装效率。
其中,内螺纹可以形成在相邻两个连接管段111中的上述其中一个的1内壁面上,外螺纹可以形成在相邻两个连接管段111中的上述另一个的外壁面上,使得相邻两个连接管段111相连。
当然,相邻两个连接管段111之间的连接方式不限于此,例如相邻两个连接管段111之间还可以卡扣连接。
在一些实施例中,如图1所示,相邻两个导料件12在基准面10d上的正投影沿管体11的径向正对设置,则相邻两个导料件12的中心在基准面10d上的正投影沿管体11的径向正对设置,使得下游侧的导料件12可以更好地承接上游侧的导流件12上流下的物料,并引导物料更好地流向下一个导料件12,便于保证多个导料件12之间依序相互承接。其中,基准面10d与下料通道10的中心轴线10c垂直。
可以理解的是,相邻两个导料件12在基准面10d上的正投影还可以沿管体11的径向非正对设置,从而在一定程度上,可以降低相邻两个导料件12之间相对位置精度,有利于降低下料导管1的加工难度,提升加工效率。
在一些实施例中,如图1所示,下料通道10可以沿上下方向延伸,下料通道10的上端形成为进料口10a,下料通道10的下端形成为出料口10b,物料自进料口10a流入下料通道10内,并沿下料通道10流动,最后自出料口10b流出。多个导料件12自上向下依次排列,至少一个导料件12形成为楔形件120,则多个导料件12均形成为楔形件120,或者多个导料件12中的至少一个形成为楔形件120、且至少一个形成为非楔形。导料件12具有第一导料面12a,第一导料面12a均与基准面10d成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动,进一步保证了物料在下料通道10内流动的顺畅性,避免了堵料问题。其中,基准面10d与下料通道10的中心轴线10c垂直。
可以理解的是,下料通道10可以沿上下方向直线延伸或曲线延伸,下料通道10可以自上向下竖直延伸或倾斜延伸。
在图1的示例中,下料通道10沿直线竖直延伸,则下料通道10的中心轴线10c沿直线竖直延伸,多个导料件12中任意相邻的两个导料件12中的其中一个可以设在下料通道10的一侧侧壁上、另一个可以设在下料通道10的另一侧侧壁上,每个第一导料面12a的自由端均沿与基准面10d呈一定锐角的方向向下倾斜延伸,且在水平方向上、每个第一导料面12a的自由端延伸至超过相邻第一导料面12a的自由端,也就是说,在基准面10d上,相邻两个第一导料面12a的正投影存在重叠区域,则下料通道10内的物料自上向下流动过程中会依次流至多个导料件112,使得下料通道10内的物料在多个导料件12的作用下大致呈S型流动,有利于提升物料流动的顺畅性。
在一些实施例中,如图1所示,第一导料面12a与基准面10d之间的夹角为α,α满足45°≤α≤80°,使得第一导料面12a相对基准面10d的倾斜角度合适,则第一导料面12a与下料通道10中心轴线10c之间的夹角大小适中,便于保证物料流动的顺畅性,有利于避免夹角α过小,影响下料速度,导致易堵料,且有利于避免夹角α过大易导致第一导料面12a尺寸较大、使得上游侧导料件12上流下的物料对下游侧的导料件12的冲击较大、而影响导料件12的使用可靠性。可选地,α可以为45°、或60°、或70°或80°等。
可以理解的是,多个导料件12的第一导料面12a与基准面10d之间的夹角可以相等或不等。
在一些实施例中,如图1所示,楔形件120在基准面10d上的正投影为弓形,使得楔形件120结构较为简单。其中,每个导料件12分别形成为楔形件120,则每个导料件12在基准面10d上的正投影均形成为弓形,或者多个导料件12中的至少一个形成为非楔形。
在本申请的描述中,当楔形件120在基准面10d上的正投影为弓形时,楔形件120可以理解为一个横截面为弓形的柱状结构被平面斜切后,余下的结构形成为楔形件120,上述平面对应的剖切面形成为第一导料面12a,此时楔形件120被任意横截面剖切,且剖切面形状可以均为弓形。
例如,当每个导料件12分别形成为楔形件120时,多个导料件12的结构可以相同,进一步方便了下料导管1的加工,当管体11包括多个连接管段111时,有利于进一步提升连接管段111与对应导料件12构成的结构的通用性和互换性;当然,多个导料件12的结构还可以不同,比如多个导料件12所形成的弓形的圆心角、第一导料面12a的倾斜角度等中的至少一个不同。
例如,当多个导料件12中的至少一个为非楔形时,如图1、图3和图4所示,多个导料件12包括第一导料件121和第二导料件122,第一导料件121位于第二导料件122的上方,最下方的导料件12为第二导料件122,第一导料件121形成为楔形件120,第二导料件122还具有第二导料面12c,第二导料面12c与第一导料面12a相交,且第二导料面12c与基准面12d成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动。由此,第二导料件122上端边沿对应的圆心角小于第二导料件122下端边沿对应的圆心角,则当物料流至第二导料件122上时,第一导料面12a和第二导料面12c均可以引导物料流动,便于保证下料速度及下料量,同时有利于物料分散流动,使得物料更加均匀地流至炉体101内的熔汤中,避免了物料在下料通道10的出料口10b发生堵塞。
其中,第二导料件122上端边沿对应的圆心角β1可以为20°,以进一步有效保证下料速度及下料量,第二导料件122下端边沿对应的圆心角β2可以为160°,以实现下料均匀,避免物料落在熔体的集中区域,避免熔体熔化不及时,造成出料口10b堵料;但不限于此。
在一些实施例中,如图4所示,第二导料面12c为两个,两个第二导料面12c分别位于第一导料面12a的两侧,每个第二导料面12c的远离第一导料面12a的边沿分别与管体11的内周壁相连,则第二导料件12c的顶面除与管体11内周壁相连的边沿外,其余边沿可以均向下倾斜延伸,使得第二导料件12c的横截面沿管体11的轴向大致呈扇形方式增大,使得第二导料件12c结构简单,加工方便。
在一些实施例中,如图3所示,弓形的圆心角为γ,γ满足20°≤γ≤270°,以便于保证多个导料件12依序相互承接,有利于避免γ过大导致易堵料,也可以避免γ过小导致导料件12难以起到引导物料的作用。进一步地,γ满足90°≤γ≤180°。
在一些实施例中,如图1所示,至少一个导料件12上形成有缓冲槽12b,缓冲槽12b可以由第一导料面12a的一部分凹入形成,以适于缓冲流至导料件112上的物料,可以减缓物料掉落时的重力,减缓物料对导料件12的冲击,改善导料件12的受力,有利于延长下料导管1的使用寿命。
在图1的示例中,每个导料件12上分别形成有缓冲槽12b,有效保证了多个导料件12的使用可靠性。
可选地,缓冲槽12b的长度为l,宽度为d,高度为h。其中,缓冲槽12b的长度可以理解为缓冲槽12b在管体11周向上的长度,缓冲槽12b的宽度可以理解为缓冲槽12b在管体11径向上的宽度,缓冲槽12b的高度可以理解为缓冲槽12b的深度。缓冲槽12b的圆周长度l为导料件12的上端边沿圆周方向长度的1/2~1(包括端点值);缓冲槽12b的宽度d和深度h可以根据第一导料面12a的倾斜角度α等具体设置,例如若第一导料面12a相对于基准面10d的倾斜角度α较小,则缓冲槽12b的宽度d和深度h的尺寸较小,以简化缓冲槽12b的加工,若α较大,则缓冲槽12b的宽度d和深度h的尺寸较大,以提升缓冲槽12b的缓冲作用。其中,45mm≤d≤90mm、45mm≤h≤90mm。这样一方面保证物料的顺畅进行,另一方面又进一步避免在下料通道10内堵料。
在一些实施例中,如图1所示,缓冲槽12b设在导料件112的上端,缓冲槽12b由管体11的内周壁与导料件12的表面共同限定,则缓冲槽12b可以设在导料件112上端与管体111的连接处,在物料自前一个导料件112流至下一个导料件112的过程中,由于第一导料面12a倾斜设置,在基准面10d上,相邻两个第一导料面12a的正投影存在重叠区域,使得物料倾斜流向下一个导料件112,并流至下一个导料件112的上端,则缓冲槽12b的设置位置更有利于承接相邻导料件112上流下的物料,以起到缓冲作用。
如图1和图3所示,缓冲槽12b的长度与导料件12的顶端圆周长度相等,此时导料面12a可以与管体11的内周壁间隔设置,导料件12的整个顶面可以形成为缓冲槽12b的底壁,管体11的内周壁的一部分可以形成为缓冲槽12b的侧壁,缓冲槽12b的顶侧及朝向下料通道10中心轴线10c的一侧均敞开设置。当然,缓冲槽12b的长度还可以小于导料件12的顶端圆周长度,此时导料件12的部分顶面向下凹入以形成缓冲槽12b,管体11的内周壁的一部分可以形成为缓冲槽12b的侧壁,缓冲槽12b的顶侧及朝向下料通道10中心轴线10c的一侧均敞开设置。
其中,缓冲槽12b的高度可以根据第一导料面12a的倾斜角度等具体设置,例如第一导料面12a相对于基准面10d的倾斜角度较大时,缓冲槽12b的高度较大,以提升缓冲槽12b的缓冲作用,当第一导料面12b相对于基准面10d的倾斜角度较小时,缓冲槽12b的高度较小,以简化缓冲槽12b的加工。
当然,缓冲槽12b还可以根据多个导料件112的具体设置方式而设置在导料件112的其他位置,而不限于此。
在一些实施例中,缓冲槽12b的底壁与基准面10d平行设置、或者相对于基准面10d倾斜设置。例如,在图1的示例中,下料通道10的中心轴线10d竖直设置,基准面10d水平设置,缓冲槽12b的底壁水平设置,以保证缓冲效果;当然,缓冲槽12b的底壁还可以与基准面10d成一定锐角倾斜设置,以有利于避免物料残留。
在一些实施例中,加料装置100为硅料加料装置100,则下料导管1用于引导硅料(例如多晶硅料)流动,下料导管1为硅管,可以减少在加料过程中、因下料导管1设置为其他材料件(例如石英管)易导致金属污染或石英污染,可以避免下料导管1中的杂质掉落至炉体101内导致污染,便于保证硅料的纯度。其中,硅管的纯度可以大于11N,当下料导管1用于加料装置100时,便于保证生产的硅棒的质量。
根据本发明第二方面实施例的下料导管1的加工方法,如图5和图6所示,加工方法包括以下步骤:对硅件进行成型处理,例如对硅件加工成型,形成硅材料的下料导管1,此时下料导管1可以形成为一体结构,有效保证了下料导管1的使用可靠性。其中,硅件可以理解为硅材料件,硅件的形状可以为柱状,使得硅件的形状与下料导管1的形状相匹配,以便于进一步简化加工工序;当然,硅件还可以为其他形状,而不限于此。
由此,根据本发明实施例的下料导管1的加工方法,保证了下料导管1的使用可靠性,使得下料导管1具有良好的使用寿命,且加工方式简单、便于实现。
在一些实施例中,下料导管1为根据发明上述第一方面实施例的用于加料装置100的下料导管1,下料导管1的加工方法包括:对硅件进行成型处理,形成硅材料的下料导管1,此时管体11和多个导料件12之间为一体结构,有效保证了管体11与导料件12之间的连接可靠性,且无需另外设置连接结构以连接管体11和导料件12,方便了下料导管1的加工,提升了加工效率。
当然,根据本发明实施例的下料导管1的加工方法加工的下料导管1的结构不限于此。
在一些实施例中,如图1和图6所示,管体11包括多个连接管段111,多个连接管段111沿下料导管1的轴向依次排布,相邻两个连接管段111相连,至少两个连接管段111内设有导料件12,对硅件进行成型处理,形成下料导管1包括以下步骤:
对多个硅件依次进行成型处理,形成连接管段111和导料件12,使得连接管段111和对应导料件12为一体件,则当每个连接管段111内分别设有导料件12时,每个连接管段111和对应的导料件12为一体件,当连接管段111内未设置导料件12时,连接管段111单独成一体件;而后,将多个连接管段111相连,并使得多个导料件12沿下料通道10限定的下料路径交错设置。
由此,通过将管体11设置为分段式结构,并通过对硅件成型处理以形成连接管段111和导料件12,使得连接管段111与对应的导料件12为一体件,保证了连接管段111与导料件12之间的连接可靠性,同时由于连接管段111的长度相对较短,方便了导料件12的加工,同时在连接连接管段11时,便于实现多个导料件12的交错设置,提升了下料导管1的加工效率。
可以理解的是,当管体11为一体式结构时,可以对硅件进行成型处理,以直接形成下料导管1,以简化加工工序。
在一些实施例中,硅件的纯度大于11N,从而当下料导管1用于加料装置100时,便于保证生产的硅棒的质量,避免产品被污染。需要说明的是,11N的意思为纯度为99.999999999%,有11个9。
根据本发明第三方面实施例的加料装置100,加料装置100适于向炉体101添加物料,且加料装置100包括储料桶2和下料导管1,储料桶2内限定出储料空间20,储料桶2上形成有与储料空间20连通的物料出口20a,物料出口20a处设有出料管3,下料导管1位于储料桶2的下侧,出料管3连通储料桶2和下料导管1。其中,下料导管1为根据本发明上述第一方面实施例的用于加料装置100的下料导管1。
例如,在图2的示例中,加料装置100可以为外置型连续加料装置,储料桶2内的物料可以通过出料管3流至下料导管1,并通过下料导管1连续流至炉体101内;当加料装置100用于CZ法长晶技术的二次补料时,可大幅节省在生产中,执行二次补料的时间,且采用加料装置100加料便于实现较为密闭的加料方式,从而减少因补料过程造成的粉尘(例如,二氧化硅)飞扬与沉积。
根据本发明实施例的加料装置100,通过采用上述的下料导管1,便于实现顺畅下料,避免下料过程中出现堵料。
可选地,储料桶2内可以储存400kg~600kg的物料。
在图2的示例中,炉体101内限定出密闭腔101a,密闭腔101a用于拉晶,下料导管1用于将储料桶2内的物料引导至密闭腔101a内,储料桶2设在炉体101外,且储料桶2间隔设在密闭腔101a的上方,密闭腔101a的顶部具有开口,开口处设有法兰1011,法兰1011处连接有法兰管1012,法兰管1012上开设有通孔1012a,出料管3穿设于通孔1012a,下料导管1穿设于开口,以便于实现下料导管1的安装、固定。由此,通过将通孔设在密闭腔101a的上方,并将出料管3穿设于通孔1012a以连通储料桶2和下料导管1,从而使得加料装置100在加料过程中,可以避开密闭腔101a内的水冷套102,避免水冷套上开孔以设置下料导管1,使得加料装置100可以避开水冷套102以实现加料,进而避免了加料过程影响热场的密闭性,保证了加料过程中热场仍处于良好的密闭状态。
根据本发明实施例的加料装置100的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的,这里不再详细描述。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“横向”、“长度”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种用于加料装置的下料导管,其特征在于,所述下料导管内限定出下料通道且包括:
管体,所述管体内限定出所述下料通道;
多个导料件,多个所述导料件均设在所述管体内,且多个所述导料件沿所述下料通道限定的下料路径交错设置,至少一个所述导料件上形成有缓冲槽,以适于缓冲流至所述导料件上的物料,
在所述下料导管加料过程中,所述下料通道的中心轴线竖直设置,所述下料通道的上端形成为进料口,所述下料通道的下端形成为出料口,所述导料件具有第一导料面,所述第一导料面均与基准面成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动,其中所述基准面与所述下料通道的中心轴线垂直,所述缓冲槽由所述第一导料面的一部分凹入形成。
2.根据权利要求1所述的用于加料装置的下料导管,其特征在于,所述管体包括:
多个连接管段,多个所述连接管段沿所述下料导管的轴向依次排布,相邻两个所述连接管段相连,至少两个所述连接管段内设有所述导料件。
3.根据权利要求2所述的用于加料装置的下料导管,其特征在于,相邻两个所述连接管段之间螺纹连接。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于加料装置的下料导管,其特征在于,至少一个所述导料件形成为楔形件。
5.根据权利要求4所述的用于加料装置的下料导管,其特征在于,所述楔形件在所述基准面上的正投影为弓形,
多个所述导料件包括第一导料件和第二导料件,所述第一导料件位于所述第二导料件的上方,最下方的所述导料件为所述第二导料件,所述第一导料件形成为楔形件,所述第二导料件还具有第二导料面,所述第二导料面与所述第一导料面相交,且与所述基准面成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动。
6.一种下料导管的加工方法,其特征在于,所述下料导管为根据权利要求1-5中任一项所述的用于加料装置的下料导管,所述加工方法包括以下步骤:
对硅件进行成型处理,形成硅材料的下料导管。
7.根据权利要求6所述的下料导管的加工方法,其特征在于,所述管体包括多个连接管段,多个所述连接管段沿所述下料导管的轴向依次排布,相邻两个所述连接管段相连,至少两个所述连接管段内设有所述导料件,所述对硅件进行成型处理,形成所述下料导管包括以下步骤:
对多个硅件依次进行成型处理,形成所述连接管段和所述导料件,使得所述连接管段和对应所述导料件为一体件;
将多个所述连接管段相连,并使得多个所述导料件沿所述下料通道限定的下料路径交错设置。
8.一种加料装置,其特征在于,所述加料装置适于向炉体添加物料且包括:
储料桶,所述储料桶内限定出储料空间,所述储料桶上形成有与储料空间连通的物料出口,所述物料出口处设有出料管;
下料导管,所述下料导管为根据权利要求1-5中任一项所述的用于加料装置的下料导管,所述下料导管位于所述储料桶的下侧,所述出料管连通所述储料桶和所述下料导管。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114717645B (zh) * 2022-03-31 2023-08-18 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 加料管、加料方法和晶体生长设备
CN114717646B (zh) * 2022-03-31 2023-11-28 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 加料管、加料方法及晶体生长设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012037166A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Sinfonia Technology Co Ltd 被処理物投入装置
CN105804846A (zh) * 2016-04-11 2016-07-27 青岛立博汽车零部件精密铸造有限公司 一种出气管部件及其加工方法
CN108673063A (zh) * 2018-05-28 2018-10-19 张化机(苏州)重装有限公司 一种气化炉接管与法兰的加工方法
CN109306510A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 隆基绿能科技股份有限公司 物料输送通路、物料供给装置及晶体生长系统
CN209427527U (zh) * 2018-12-24 2019-09-24 常州常京化学有限公司 造粒下料管
CN209890758U (zh) * 2019-01-23 2020-01-03 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 直拉单晶炉加料装置
CN110869541A (zh) * 2017-07-07 2020-03-06 信越半导体株式会社 再装填管及单晶的制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012037166A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Sinfonia Technology Co Ltd 被処理物投入装置
CN105804846A (zh) * 2016-04-11 2016-07-27 青岛立博汽车零部件精密铸造有限公司 一种出气管部件及其加工方法
CN110869541A (zh) * 2017-07-07 2020-03-06 信越半导体株式会社 再装填管及单晶的制造方法
CN109306510A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 隆基绿能科技股份有限公司 物料输送通路、物料供给装置及晶体生长系统
CN108673063A (zh) * 2018-05-28 2018-10-19 张化机(苏州)重装有限公司 一种气化炉接管与法兰的加工方法
CN209427527U (zh) * 2018-12-24 2019-09-24 常州常京化学有限公司 造粒下料管
CN209890758U (zh) * 2019-01-23 2020-01-03 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 直拉单晶炉加料装置

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