CN111971788A - 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块 - Google Patents

电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块 Download PDF

Info

Publication number
CN111971788A
CN111971788A CN201980021298.5A CN201980021298A CN111971788A CN 111971788 A CN111971788 A CN 111971788A CN 201980021298 A CN201980021298 A CN 201980021298A CN 111971788 A CN111971788 A CN 111971788A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
electronic component
main surface
radiators
component mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980021298.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111971788B (zh
Inventor
森田幸雄
北住登
森山阳介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN111971788A publication Critical patent/CN111971788A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111971788B publication Critical patent/CN111971788B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
    • H05K3/4608—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated comprising an electrically conductive base or core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0323—Carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04—Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/041—Stacked PCBs, i.e. having neither an empty space nor mounted components in between
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10151—Sensor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

电子元件搭载用基板具有：第1基板，是方形状，具有第1主面，并具有电子元件的一个或者多个搭载部及与所述第1主面相反侧的第2主面，所述搭载部是位于该第1主面的长度区域；第2基板，位于所述第2主面，由金属构成，是方形状，具有与所述第2主面对置的第3主面及与该第3主面的相反侧的第4主面；以及多个散热体，位于该第2基板的内侧，由碳材料构成，具有位于厚度方向上的所述第3主面侧的第5主面及与该第5主面的相反侧的第6主面，在俯视透视时，与多个散热体的沿着一个或者多个搭载部的长度方向以及第2基板的相对的边的方向的热传导相比，多个散热体的与沿着一个或者多个搭载部的长度方向以及第2基板的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导大。

Description

电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块
技术领域
本发明涉及电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块。
背景技术
以往，电子元件搭载用基板具有：绝缘基板，具有第1主面、第2主面和侧面；和电子元件的搭载部及布线层，设置于绝缘基板的第1主面。在电子元件搭载用基板中，在将电子元件搭载到电子元件的搭载部后，搭载于电子元件搭载用封装件而成为电子装置(参照日本特开2013-175508号公报。)。
发明内容
用于解决课题的手段
本公开的电子元件搭载用基板具有：第1基板，是方形状，具有第1主面，并具有电子元件的一个或者多个搭载部及与所述第1主面相反侧的第2主面，所述搭载部是位于该第1主面的长度区域；第2基板，位于所述第2主面，由金属构成，是方形状，具有与所述第2主面对置的第3主面及与该第3主面的相反侧的第4主面；以及多个散热体，位于该第2基板的内侧，由碳材料构成，具有位于厚度方向上的所述第3主面侧的第5主面及与该第5主面的相反侧的第6主面，
在俯视透视时，与所述多个散热体的沿着所述一个或者多个搭载部的长度方向以及所述第2基板的相对的边的方向的热传导相比，所述多个散热体的与沿着所述一个或者多个搭载部的长度方向以及所述第2基板的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导大。
本公开的电子装置具有上述结构的电子元件搭载用基板、被搭载于该电子元件搭载用基板的所述搭载部的电子元件、以及搭载有所述电子元件搭载用基板的布线基板或者电子元件收纳用封装件。
具有本公开的上述结构的电子装置和连接有该电子装置的模块用基板。
附图说明
图1的(a)是表示第1实施方式中的电子元件搭载用基板的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图2是将图1所示的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图3的(a)是图1的(a)所示的电子元件搭载用基板的A-A线处的纵剖视图，(b)是图1的(a)所示的电子元件搭载用基板的B-B线处的纵剖视图。
图4的(a)是表示在图1的(a)所示的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是包含布线基板或电子元件搭载用封装件以及模块用基板的(a)的B-B线处的纵剖视图。
图5是将第2实施方式中的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图6的(a)是表示在第2实施方式中的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图7是将第2实施方式中的电子元件搭载用基板的另一例的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图8的(a)是表示在第2实施方式中的电子元件搭载用基板的另一例中搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图9是将第3实施方式中的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图10的(a)是表示在第3实施方式中的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图11是将第4实施方式中的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图12的(a)是表示在第4实施方式中的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图13是将第5实施方式中的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图14的(a)是表示在第5实施方式中的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图15的(a)是表示第5实施方式中的电子元件搭载用基板的另一例的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图16的(a)是表示第6实施方式中的电子元件搭载用基板的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图17是将图16所示的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图18(a)是图16的(a)所示的电子元件搭载用基板的A-A线处的纵剖视图，(b)是图16的(a)所示的电子元件搭载用基板的B-B线处的纵剖视图。
图19(a)是表示在图16的(a)所示的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图20的(a)是表示在第6实施方式中的电子元件搭载用基板的另一例的俯视图，(b)是(a)的仰视图。
图21是将第7实施方式中的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图22的(a)是表示在第7实施方式中的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
图23是将第8实施方式中的电子元件搭载用基板的第1基板以及第2基板与散热体分解后的立体图。
图24的(a)是表示在第8实施方式中的电子元件搭载用基板搭载电子元件的状态的俯视图，(b)是(a)的B-B线处的纵剖视图。
具体实施方式
参照附图对本公开的几个例示性的实施方式进行说明。
(第1实施方式)
如图1～图4所示的例子那样，第1实施方式中的电子元件搭载用基板1包含第1基板11、第2基板12以及散热体13。电子装置包含电子元件等用基板1、被搭载于电子元件搭载用基板的搭载部11a的电子元件2、以及搭载有电子元件搭载用基板1的布线基板4。电子装置例如使用接合材料7与构成电子模块的模块用基板6上的连接焊盘6a连接。
本实施方式中的电子元件搭载用基板1具有：第1基板11，是方形状，具有第1主面111，且具有电子元件2的一个或者多个搭载部11a及与第1主面111相反侧的第2主面112，所述搭载部位于第1主面111的长度区域；第2基板12，位于第2主面112，由金属构成，是方形状，具有与第2主面112对置的第3主面121及与该第3主面121相反侧的第4主面122；以及多个散热体13，位于第2基板12的内侧，由碳材料构成，具有位于厚度方向上的第3主面121侧的第5主面131及与第5主面131相反侧的第6主面132，在俯视透视时，与多个散热体13的沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向的热传导相比，多个散热体的与沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导大。第1基板11在表面具有金属层14。在图4中，电子元件2安装于虚拟的xyz空间中的xy平面。在图1～图4中，上方向是指虚拟的z轴的正方向。另外，以下的说明中的上下的区别是为了方便，并不限定实际使用电子元件搭载用基板1等时的上下。
在图1所示的例子中，电子元件搭载用基板1的三个散热体13在第2基板12的贯通孔12a内相连地配置，四个金属层14位于第1基板11的第1主面111。
在图1的(b)以及图2所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图1的(a)、图3的(b)、图4所示的例子中，金属层14用阴影表示。在图1以及图4的(a)所示的例子中，第1基板11以虚线来表示俯视透视时与多个散热体13的外表面重叠的区域。在图2所示的例子中，第1基板11以虚线来表示在斜视下变为不可见的第1基板11的外表面。在图2所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与散热体13重叠。
第1基板11构成为包括单层或者多层的绝缘层，具有第1主面111(在图1～图4中为上表面)以及第2主面112(在图1～图4中为下表面)。在图1～图4所示的例子中，第1基板11由单层的绝缘层构成。第1基板11具有在俯视时相对于第1主面111以及第2主面112分别具有两组对置的边(4边)的矩形的板状的形状。在图1～图4所示的例子中，第1基板11在俯视时是在多个电子元件2的排列(多个搭载部11a的排列)的方向上较长的长方形状。第1基板11作为用于支承多个电子元件2的支承体发挥功能，在位于第1基板11的第1主面111的多个搭载部11a上经由接合构件分别粘接固定有多个电子元件2。另外，具有电子元件2的一个或者多个搭载部11a，该搭载部位于第1主面111的长度区域，在图1～图4所示的例子中成为多个搭载部11a。
第1基板11例如能够使用氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等陶瓷。第1基板11例如为氮化铝质烧结体的情况下，在氮化铝(AlN)、氧化铒(Er2O3)、氧化钇(Y2O3)等原料粉末中添加混合适当的有机粘合剂以及溶剂等来制作泥浆物。通过采用以往公知的刮刀法或者压延辊法等将该泥浆物成形为片状，从而制作陶瓷生片。根据需要，层叠多张陶瓷生片，在高温(约1800℃)下对陶瓷生片进行烧制，由此制作包含单层或者多个绝缘层的第1基板11。
第2基板12具有第3主面121(在图1～图3中为上表面)以及第4主面122(在图1～图3中为下表面)。第3主面121和第4主面122位于相对的位置。第2基板12具有在俯视时相对于第3主面121以及第4主面122分别具有两组对置的边(4边)的方形的板状的形状。
第2基板12能够使用例如铜(Cu)、铜-钨(Cu-W)、铜-钼(Cu-Mo)等金属材料。第2基板12具有从第3主面121贯通至第4主面122的贯通孔12a。贯通孔12a是多个散热体13所处的区域。
多个散热体13具有第5主面131(在图1～图3中为上表面)以及第6主面132(在图1～图3中为下表面)。第5主面131与第6主面132位于相对的位置。多个散热体13在俯视时具有相对于第5主面131以及第6主面122分别具有两组对置的边(4边)的方形的板状的形状。
多个散热体13例如包含碳材料，形成为将六元环通过共价键连接而成的石墨烯层叠而成的构造体。各面为以范德华力结合的材料。
如图1～图4所示的例子那样，多个散热体13位于第2基板12的贯通孔12a内。多个散热体13的第5主面131位于第2基板12的第3主面侧121，多个散热体13的第6主面132位于第4主面122侧。
第1基板11适当使用热传导率优异的氮化铝质烧结体。第2基板12适当使用由热传导率优异的Cu构成的基板。第2基板12和多个散热体13通过第2基板12的贯通孔12a的内侧面与多个散热体13的外侧面例如由TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等活性钎料构成的接合材料粘接。接合材料在第2基板12与多个散热体13之间配置为10μm左右的厚度。
第1基板11和第2基板12通过例如包含TiCuAg合金、TiSnAgCu等活性钎料的接合材料来粘接第1基板11的第2主面112和第2基板12的第3主面121，第1基板11与多个散热体13通过例如包含TiCuAg合金、TiSnAgCu等活性钎料的接合材料来粘接第1基板11的第2主面112与多个散热体13的第5主面131。接合材料在第1基板11与第2基板12之间以及第1基板11与多个散热体13之间配置为10μm左右的厚度。
另外，也可以同时接合第1基板11、第2基板12与多个散热体13。例如，也可以使多个散热体13位于第2基板12的贯通孔12a内，并将第1基板11与第2基板12以及多个散热体13接合而形成。在该情况下，例如，通过一边从第1基板11的第1主面111侧以及第2基板12的第4主面122侧施加压力一边进行接合等，能够使第1基板11、第2基板12、多个散热体13良好地接合，成为可靠性优异的电子元件搭载用基板1。
如图1～图4所示的例子那样，第1基板11在俯视时呈方形状。如图1～图4所示的例子那样，第2基板12在俯视时呈方形状。如图1～图4所示的例子那样，多个散热体13在俯视时呈方形状。通过将第1基板11与第2基板12粘接、以及将第1基板11与多个散热体13粘接，形成有方形状的复合基板。另外，方形状是正方形状、长方形状等四边形状。在图1～图3所示的例子中，在俯视时，第1基板11、第2基板12呈长方形状，多个散热体13呈正方形状，由第1基板11、第2基板12、多个散热体13形成长方形状的复合基板。
第1基板11的基板厚度T1例如为50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2例如为100μm～2000μm左右。多个散热体13的基板厚度T3例如为100μm～2000μm左右。第2基板12的基板厚度T2和多个散热体13的基板厚度T3在5％左右的范围内以相同的厚度设置(0.95T2≤T3≤1.05T2)。若第1基板11和第2基板12为T2＞T1，第1基板11与多个散热体13为T3＞T1，则能够将第1基板11的热良好地向多个散热体13散热。
如图2所示的例子那样，第1基板11的热传导率κα在平面方向上的x方向和y方向上大致固定，第1基板11的在厚度方向上z方向也与平面方向上的x方向和y方向相同(καx≈καy≈καz)。例如，在使用氮化铝质烧结体作为第1基板11的情况下，第1基板11使用100～200W/m·K左右的热传导率κα的基板。
如图2所示的例子那样，第2基板12的热传导率κβ在平面方向上的x方向和y方向上大致固定，第1基板11的在厚度方向上z方向也与平面方向上的x方向和y方向相同(κβx≈κβy≈κβz)。例如，在使用铜作为第2基板12的情况下，第2基板12使用400W/m·K左右的热传导率κβ的基板。
多个散热体13的热传导率λ在平面方向上的x方向和y方向上大小不同。图2所示的多个散热体13的各个方向上的热传导率λx、λy、λz的关系为“热传导率λx≈热传导率λz＞＞热传导率λy”。多个散热体13的热传导率λ在平面方向上的x方向与厚度方向上的z方向相同，在平面方向上的y方向不同。例如，多个散热体13的热传导率λx以及热传导率λz为1000W/m·K左右，多个散热体13的热传导率λy为4W/m·K左右。
本实施方式的电子元件搭载用基板1的热传导率例如能够通过激光闪光(laserflash)法等分析方法来测定。此外，在测定多个散热体13的热传导率的情况下，能够除去将第1基板11、多个散热体13以及第2基板12与多个散热体13接合的接合材料，通过激光闪光法等分析方法对多个散热体13进行测定。
对于多个散热体13而言，与沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向的热传导λy相比，与沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导λx大。此外，配置成多个散热体13的厚度方向的热传导率λz比沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向的热传导λy大(热传导率λx，λz＞＞热传导率λy)。
此外，多个散热体13被配置为以多个散热体13相连的方向、即相对于相邻的电子元件2的一个或者多个搭载部11a间的方向的热传导率λy小于与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向的热传导率λx以及多个散热体13的厚度方向的热传导率λz(热传导率λx，λz＞＞热传导率λy)。
金属层14在俯视(俯视透视)时位于第1基板11的第1主面111的多个散热体13的周围。此外，在俯视(俯视透视)中，金属层14和散热体13交替地位于第1基板11的长度方向上。金属层14例如被用作与电子元件2的电极的接合线等与连接构件3的连接部。金属层14用于将电子元件2与布线基板4的布线导体电连接。
金属层14包含薄膜层以及镀层。薄膜层例如具有密接金属层和阻挡层。构成薄膜层的密接金属层形成于第1基板11的第1主面。密接金属层例如是氮化钽、镍-铬、镍-铬-硅、钨-硅、钼-硅、钨、钼、钛、铬等形成，通过采用蒸镀法、离子镀覆法、溅射法等的薄膜形成技术而被第1基板11的第1主面111所覆盖。例如，在使用真空蒸镀法形成的情况下，将第1基板11设置在真空蒸镀装置的成膜室内，在成膜室内的蒸镀源中配置成为密接金属层的金属片，然后，使成膜室内成为真空状态(10-2Pa以下的压力)，并且将配置于蒸镀源的金属片加热并蒸镀，通过将该蒸镀的金属片的分子覆盖于第1基板11，形成成为密接金属层的薄膜金属的层。然后，在形成有薄膜金属层的第1基板11使用光刻法形成抗蚀剂图案后，通过蚀刻除去多余的薄膜金属层，由此形成有密接金属层。在密接金属层的上表面覆盖有阻挡层，阻挡层起到密接金属层与镀层的接合性、润湿性良好，使密接金属层与镀层牢固地接合并且防止密接金属层与镀层的相互扩散的作用。阻挡层例如有镍-铬、白金、钯、镍、钴等构成，通过蒸镀法、离子镀覆法、溅射法等薄膜形成技术而覆盖于密接金属层的表面。
密接金属层的厚度可以为0.01～0.5μm左右。小于0.01μm时，存在难以使密接金属层牢固地紧贴第1基板11上的倾向。在超过0.5μm的情况下，密接金属层的成膜时的内部应力容易产生密接金属层的剥离。此外，阻挡层的厚度可以为0.05～1μm左右。小于0.05μm时，存在产生针孔等缺陷而难以发挥作为阻挡层的功能的倾向。在超过1μm的情况下，由于成膜时的内部应力而容易产生阻挡层的剥离。
镀层通过电解镀覆法或者无电解镀覆法而覆盖于薄膜层的表面。镀层由镍、铜、金或者银等耐腐蚀性、与连接构件的连接性优异的金属构成，例如依次覆盖厚度0.5～5μm左右的镍镀层和0.1～3μm左右的金镀层。由此，能够有效地抑制金属层14的腐蚀，并且能够使金属层14与形成于布线基板4的布线导体的接合牢固。
此外，也可以在阻挡层上配置铜(Cu)、金(Au)等金属层，良好地形成有镀层。这样的金属层通过与薄膜层同样的方法形成。
在第1基板11的第1主面111形成金属层14、以及在金属层14上形成镀层时，在预先露出多个散热体13的第6主面132预先设置由树脂、陶瓷、金属等构成的保护膜，则在制作电子元件搭载用基板1时不会剥落由碳材料构成的多个散热体13，因此能够减少由药品等引起的变质。
在位于电子元件搭载用基板1的第1主面111侧的搭载部11a上搭载电子元件2，将该电子元件搭载用基板1搭载于布线基板4或电子元件搭载用封装件5，由此能够制作电子装置。搭载于电子元件搭载用基板1的电子元件2例如是LD(Laser Diode：激光二极管)、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等发光元件、PD(Photo Diode：光电二极管)等受光元件。例如，电子元件2通过Au-Sn等接合材料固定于搭载部11a上之后，经由接合线等连接构件3将电子元件2的电极与金属层14电连接，由此搭载于电子元件搭载用基板1。搭载有电子元件搭载用基板1的布线基板4或电子元件搭载用封装件5例如与第1基板11同样，能够使用陶瓷等绝缘基体，在表面具有布线导体。而且，电子元件搭载用基板1的金属层14与布线基板4或电子元件搭载用封装件5的布线导体电连接。
根据本实施方式的电子装置，具有上述结构的电子元件搭载用基板1、搭载于电子元件搭载用基板1的搭载部11a的电子元件2、搭载有电子元件搭载用基板1的布线基板4或者电子元件收纳用封装件5。
本实施方式的电子装置经由焊料等接合材料7与布线导体和模块用基板6的连接焊盘6a连接，成为电子模块。
根据本实施方式的电子元件搭载用基板，具有：第1基板11，是方形状，具有第1主面111，且具有电子元件2的一个或者多个搭载部11a及与第1主面111相反侧的第2主面112，所述搭载部位于第1主面111的长度区域；第2基板12，位于第2主面112，由金属构成，是方形状，具有与第2主面112对置的第3主面121及与该第3主面121相反侧的第4主面122；以及多个散热体13，位于第2基板12的内侧，由碳材料构成，具有位于厚度方向上的第3主面121侧的第5主面131及与第5主面131相反侧的第6主面132，在俯视透视时，与多个散热体13的沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向的热传导相比，多个散热体的与沿着一个或者多个搭载部11a的长度方向以及第2基板12的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导大。根据上述结构，例如在电子装置工作时，从电子元件2产生的热容易向第2基板12的相对的边侧大幅且均等地传导，电子元件搭载用基板1的散热变得良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，多个散热体13与第2基板12的内侧相连地配置，在俯视透视时，对于多个散热体13而言，与多个散热体13相连的方向的热传导相比，与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向的热传导大。根据上述结构，能够抑制第1基板11以及第2基板12的多个散热体13向相连的方向的传热，由于能够增大向与第1基板11以及第2基板12中的多个散热体13相连的方向垂直相交的方向的传热，因此能够抑制热滞留于电子元件搭载用基板1，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，若第2基板12的热传导率比第1基板11的热传导率大，且比与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向(在图1～图4中为x方向)上的多个散热体13的热传导率小，则在电子元件2或者金属层14产生的热经由第1基板11向第2基板12侧传热时，使第2基板12内良好地传热而容易散热，并且容易在经由第2基板12相邻的散热体13向多个散热体13的厚度方向扩散并传热时，由于能够在第2基板12与散热体13的边界向与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向良好地传热，因此在使电子元件2动作的情况下，电子元件搭载用基板1的散热良好，抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期动作。此外，由于能够在第2基板12与散热体13的边界向与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向良好地传热，因此，在使电子元件2动作的情况下，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期动作。
此外，若第2基板12的热传导率比多个散热体13相连的方向(在图1～图4中为y方向)上的多个散热体13的热传导率大，且比与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向(在图1～图4中为x方向)上的多个散热体13的热传导率小，即便经由第2基板12向相邻的散热体13传热，在第2基板12与散热体13的边界难以向多个散热体13相连的方向(在图1～图4中为y方向)传热，容易向与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向(在图1～图4中为x方向)传热，因此能够抑制从第2基板12传导的热向电子元件2侧传导，并且能够将第2基板12的热向与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向良好地传热，在使电子元件2动作的情况下，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期动作。此外，能够将从第2基板12传热的热向与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向良好地传热，即便使电子元件2长期连续工作，电子元件搭载用基板1的散热也良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期连续工作。
特别是在搭载LD、LED等光元件作为电子元件2的情况下，通过抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够成为能够高精度地放射光的光学装置用电子元件搭载用基板1。
本实施方式中的电子元件搭载用基板1能够在薄型且高输出的电子装置中适当使用，能够提高电子元件搭载用基板1的可靠性。例如，作为电子元件2，在搭载LD、LED等光元件的情况下，能够作为薄型且指向性优异的光学装置用的电子元件搭载用基板1而优选使用。
如图1～图4所示的例子那样，在俯视透视时，若多个散热体13大于搭载部11a(大于电子元件2)，则电子元件2的热在俯视透视时良好地传导至与电子元件2重叠地配置的散热体13，多个散热体13容易向与相连的方向垂直相交的方向良好地传热，抑制了电子元件2向相邻的多个散热体13相连的方向的传热，因此能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。此外，经由散热体13抑制向一个或者多个搭载部11a的长度方向的传热，因此能够抑制热滞留于电子元件搭载用基板1，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
如图1～图4所示的例子那样，在俯视透视时，金属层14若不与散热体13重叠、即配置得比散热体13的外缘更靠外侧，则电子元件2的热容易传导到比金属层14侧更靠近散热体13侧，电子元件2的热难以经由金属层14传导到与电子元件2相对的位置，能够良好地抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，在俯视(俯视透视)中，若金属层14位于多个散热体13相连的方向上，以使夹着散热体13，则传导到金属层14的热更容易在金属层14中发散，电子元件2经由金属层14向相邻的散热体13相连的方向的传热得到抑制，因此电子元件2的热经由散热体13，向与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向良好地传热，能够更良好地抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，若金属层14与散热体13交替地位于在俯视(俯视透视)中多个散热体13相连的方向上，则传导到金属层14的热容易被金属层14有效地发散，经由金属层14向电子元件2所相邻的散热体13相连的方向的传热得到抑制，因此电子元件2的热经由散热体13，向与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向良好地传热，能够更良好地抑制电子元件搭载用基板1的变形。
在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向的纵剖视时，多个散热体13如图2所示的例子那样，若厚度方向(在图1～图4中为z方向)的热传导大于与厚度方向垂直相交的方向(在图1～图4中为y方向)的热传导，则能抑制多个散热体13向相连的方向的传热，增大向多个散热体13的厚度方向的传热，因此能够抑制热滞留在电子元件搭载用基板1，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
与多个散热体13相连的方向(在图1～图4中为y方向)的热传导相比，与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向(在图1～图4中为x方向)和多个散热体13的厚度方向(在图1～图4中为z方向)的热传导率大，因此能抑制多个散热体13向相连的方向的传热，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，如图1～图4所示的例子那样，在俯视时，多个散热体13在第1基板11的长度方向上相连地配置，通过各个散热体13，能够抑制向第1基板11的长度方向的传热，电子元件2的热经由散热体13，在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向上良好地传热。
根据本实施方式的电子装置，通过具有上述结构的电子元件搭载用基板1、搭载于电子元件搭载用基板1的搭载部11a的电子元件2、搭载有电子元件搭载用基板1的布线基板4或者电子元件收纳用封装件5，能够形成长期可靠性优异的电子装置。
根据本实施方式的电子模块，通过具有上述结构的电子装置和连接有电子装置的模块用基板6，能够使长期可靠性优异。
(第2实施方式)
接下来，参照图5、图6对第2实施方式的电子元件搭载用基板进行说明。
在第2实施方式的电子元件搭载用基板1中，与上述的实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，第3基板16位于第2基板12的第4主面122以及多个散热体13的第6主面132。即，位于第2基板12的贯通孔12a内的散热体13被第1基板11以及第3基板16和第2基板12覆盖而不露出。
在图5、图6所示的例子中，电子元件搭载用基板1的三个散热体13位于在第2基板12的贯通孔12a内相连的位置，四个金属层14位于第1基板11的第1主面111。
在图5所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图6所示的例子中，金属层14以及搭载层15用阴影表示。在图6的(a)所示的例子中，第1基板11以虚线来表示在俯视透视时与散热体13的外表面重叠的区域。在图2所示的例子中，第1基板11以及第3基板16以虚线来表示在斜视下变为不可见的第1基板11的外表面。在图5所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与散热体13重叠。
第3基板16具有与第2基板12的第4主面122及多个散热体13的第6主面132对置的第7主面161(在图5、图6中为上表面)、以及与第7主面161相对的第8主面162(在图5、图6中为下表面)。第3基板16具有在俯视时相对于第7主面161以及第8主面162分别具有两组对置的边(4边)的矩形板状的形状。
由于第3基板16具有与第2基板12的第4主面122及多个散热体13的第6主面132对置的第7主面161、以及与第7主面161相对的第8主面162，因此能够抑制因第1基板11与第2基板12以及多个散热体13的热膨胀不同而导致的电子元件搭载用基板1的变形，电子元件2的位置偏移，或者抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期动作。
第3基板16能够通过与上述的第1基板11同样的材料以及方法来制作。如图6所示的例子那样，第3基板16的热传导率κγ与第1基板11相同，在平面方向上的x方向和y方向上大致一定，第3基板16的在厚度方向上z方向也与平面方向上的x方向和y方向相同(κγx≈κγy≈κγz)。例如，在使用氮化铝质烧结体作为第3基板16的情况下，第3基板16使用100～200W/m·K左右的热传导率κγ的基板。
在第2实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的第2主面112与第2基板12的第3主面121以及多个散热体13的第5主面131通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料接合。此外，第3基板16的第7主面161和第2基板12的第4主面122以及多个散热体13的第6主面132通过包含TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等的活性钎料等接合材料接合。
在第2实施方式的电子元件搭载用基板1中，也与第1实施方式相同，第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16在俯视时呈方形状。通过将第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16粘接，形成有方形状的复合基板。在图5、图6所示的例子中，第1基板11、第2基板12、第3基板16呈长方形状，形成有长方形状的复合基板。
另外，也可以同时接合第1基板11、第2基板12、多个散热体13以及第3基板16。例如，也可以使散热体13位于第2基板12的贯通孔12a内，将第1基板11以及第3基板16接合于第2基板12以及多个散热体13而形成。在该情况下，例如，通过一边从第1基板11的第1主面111侧以及第3基板16的第8主面162侧施加压力一边进行接合等，从而能够使第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16良好地接合，成为可靠性优异的电子元件搭载用基板1。此外，通过同时接合第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16，在制作时，能够抑制多个散热体13的露出，抑制由外部气体引起的变质。
由于第2基板12以及多个散热体13位于第1基板11以及第3基板16之间，因此第1基板11与第2基板12以及多个散热体13的热膨胀不同所导致的电子元件搭载用基板1的变形得到抑制，通过电子元件2的位置偏移、或者抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够良好地放出光。
特别是，第3基板16使用与第1基板11相同材料的基板、即，例如在使用150W/m·K的氮化铝质烧结体作为第1基板11的情况下，使用150W/m·K的氮化铝质烧结体作为第3基板16，则通过更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够容易良好地放出光。
第1基板11的基板厚度T1例如为50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2例如为100μm～2000μm左右。多个散热体13的基板厚度T3例如为100μm～2000μm左右。
此外，第3基板16的基板厚度与第1基板11的基板厚度T1相同，例如为50μm～500μm左右。若第1基板11的基板厚度T1与第3基板16的基板厚度T4在10％左右的范围内以相同的厚度设置(0.90T1≤T4≤1.10T1)，则能够更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，从而能够容易良好地放射光。例如，在第1基板11的基板厚度为100μm的情况下，第3基板16的基板厚度可以为100μm(90μm～110μm)。
第1基板11的基板厚度T1和第3基板16的基板厚度T4可以小于多个散热体13的基板厚度T3(T3＞T1、T3＞T4)。
此外，如图5、图6的例子所示，也可以使搭载层15位于第1基板11的搭载部11a。搭载层15被用作与电子元件2搭载的区域。能够使电子元件搭载用基板1与电子元件2的接合、或者电子元件2向电子元件搭载用基板2的散热良好。搭载层15在俯视透视时也可以比多个散热体13小。搭载层15能够通过与上述的金属层14同样的方法制作。
此外，第3基板16也可以在第8主面162侧配置接合层。位于第3基板16的接合层例如能够用于电子元件搭载用基板1与位于布线基板4或者电子元件搭载用封装件5的导体层的接合等。接合层能够通过与上述的金属层14同样的方法制作。此外，接合层位于第3基板16的下表面的大致整个面，以使得俯视透视时覆盖多个散热体13，能够使从电子元件搭载用基板1向布线基板4或者电子元件搭载用封装件5的散热性良好。
搭载层15以及接合层与金属层14相同，镀层位于表面。
此外，如图7、图8所示的例子那样，多个散热体13在俯视时也可以是圆形状、多边形状等形状。
第2实施方式的电子元件搭载用基板1能够使用与上述实施方式的电子元件搭载用基板1相同的制造方法来制作。
(第3实施方式)
接下来，参照图9、图10对第3实施方式的电子装置进行说明。
在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，散热体13在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向上比多个散热体13相连的方向长。
在图9、图10所示的例子中，电子元件搭载用基板1的三个散热体13位于在第2基板12的贯通孔12a内相连的位置，四个金属层14位于第1基板11的第1主面111。
在图9所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图10所示的例子中，金属层14以及搭载用15用阴影表示。在图10的(a)所示的例子中，第1基板11以虚线来表示在俯视透视时与多个散热体13的外表面重叠的区域。在图9所示的例子中，第1基板11以及第3基板16以虚线来表示在斜视下变为不可见的第1基板11的外表面。在图9所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与散热体13重叠。
在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，若散热体13在与多个散热体13相连的方向相交的方向较长，则能够进一步增大向与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向的传热，因此能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，如图9、图10所示的例子那样，若多个散热体13在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向上延伸至电子元件搭载用基板1的侧面，则向电子元件2间的传热得到抑制，电子元件搭载用基板1的散热变得良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，也可以使热传导率优异的构件与多个散热体13的露出的侧面接触，并提高散热性。
在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的基板厚度T1以及第3基板16的基板厚度T4例如为50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2以及多个散热体T3的基板厚度T3例如为100μm～2000μm左右。
此外，在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，也可以与第2实施方式的电子元件搭载用基板1相同，搭载层15在俯视透视时比散热体13小，位于散热体13的内侧。
此外，在第3实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的基板厚度T1与第3基板16的基板厚度T4在10％左右的范围内也以相同的厚度设置(0.90T1≤T4≤1.10T1)，能够更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，从而能够容易良好地放射光。例如，在第1基板11的基板厚度为100μm的情况下，第3基板16的基板厚度可以为100μm(90μm～110μm)。
第3实施方式的电子元件搭载用基板1能够通过与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样的方法制作。
(第4实施方式)
接下来，参照图11、图12对第4实施方式的电子装置进行说明。
在第4实施方式的电子元件搭载用基板1中，上述实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，多个散热体13的大小在俯视透视时各不相同。
在图11、图12所示的例子中，电子元件搭载用基板1的三个散热体13位于在第2基板12的贯通孔12a内相连的位置，四个金属层14位于第1基板11的第1主面111。
在图11所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图12所示的例子中，金属层14以及搭载用15用阴影表示。在图12的(a)所示的例子中，第1基板11以虚线来表示在俯视透视时多个散热体13的外表面重叠的区域。在图11所示的例子中，第1基板11以及第3基板16以虚线来表示在斜视下变为不可见的第1基板11的外表面。图11所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与散热体13重叠。
如图11、图12所示的例子那样，在俯视透视时，若配置于电子元件搭载用基板1的中央部附近的散热体13的大小大于配置于电子元件搭载用基板1的外周部附近的散热体13的大小，则多个散热体13能够增大向与中央部附近的热的第1基板11的长度方向垂直相交的方向的传热，因此能够抑制热滞留于第1基板11，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
第4实施方式的电子元件搭载用基板1在所搭载的多个电子元件2的大小不同的电子装置中也能够适当使用。此外，如图12所示的例子那样，搭载层14的大小在俯视时也可以不同。
第4实施方式的电子元件搭载用基板1能够使用与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样的制造方法制作。
(第5实施方式)
接下来，参照图13、图14对第5实施方式的电子装置进行说明。
在第5实施方式的电子元件搭载用基板1中，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，在与多个散热体13相连的方向以及与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向分别配置有多个散热体13。
在图13、图14所示的例子中，电子元件搭载用基板1的十二个散热体13位于第2基板12的贯通孔12a内，两个金属层14位于第1基板11的第1主面111。
在图13所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图14所示的例子中，金属层14以及搭载用15用阴影表示。在图14所示的例子中，第1基板11以虚线来表示在俯视透视时多个散热体13的外表面重叠的区域。在图13所示的例子中，第1基板11以及第3基板16以虚线来表示在斜视下变为不可见的第1基板11的外表面。在图13所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与散热体13重叠。
由于能够减少与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向(在图24中为x方向)上的相邻的散热体13的间隔L1大于与多个散热体13相连的方向(在图24中为y方向)相邻的散热体13的间隔L2(L1＞L2)，因此，由于能够进行相对于与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向的传热，因此电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。特别是，在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向相邻的散热体13的间隔L1也可以是在多个散热体13相连的方向相邻的散热体13的间隔L2的2倍以上(L1＞2L2)。
此外，如图15所示的例子那样，在多个散热体13相连的方向(在图15中为y方向)上的配置和与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向(在图15中为x方向)上的配置中，若使散热体13在与多个散热体13的相连的方向错开配置，则使在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向相邻的电子元件2间的距离变长，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
在图13～图15所示的例子中，散热体13在与多个散热体13相连的方向垂直相交的方向上配置三列，但也可以在与多个多个散热体13相连的方向垂直相交的方向上配置两列或四列以上。
(第6实施方式)
接下来，参照图16～图19对第6实施方式的电子装置进行说明。
在第6实施方式的电子元件搭载用基板1中，与上述实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，多个散热体13在第2基板12的内侧纵横地配置。另外，具有位于第1主面111的作为长度区域的电子元件2的一个或者多个搭载部11a，在图16～图20所示的例子中成为一个搭载部11a。此外，一个搭载部11a成为长度方向的一端部位于第1主面111的外缘部的矩形状。
在图16～图19所示的例子中，在电子元件搭载用基板1中，在俯视透视时，具有十二个散热体13。十二个散热体13在搭载部11a的长度方向(在图16～图19中为y方向)并排排列有四个，在与搭载部11a的长度方向垂直相交的方向(在图16～图19中为x方向)并排排列有三个。
第2基板12的贯通孔12a在俯视时呈矩形状等多边形状、圆形状等形状。贯通孔12a在图16～图19所示的例子中，在俯视时为四边形状。第2基板12在俯视时具有纵向或者横向排列配置的多个贯通孔12a。在图16～图19所示的例子中，在长度方向方向(在图16～图19中为y方向)排列有四个贯通孔12a，在与长度方向垂直相交的方向(在图16～图19中为x方向)排列有三个贯通孔12a，在图16～图19所示的例子中，第2基板12在俯视时具有十二个贯通孔12a。散热体13a分别位于十二个贯通孔12a中。另外，在图16～图19所示的例子中，第2基板12包含俯视时纵向或者横向多个位置的格子部。
多个散热体13的第5主面131位于第2基板12的第3主面121侧，多个散热体13的第6主面132位于第4主面122侧。如图16～图19所示的例子那样，多个散热体13的几个在俯视透视时位于与搭载部11a重叠的位置。
在图16～图19所示的例子中，在电子元件搭载用基板1中，在俯视透视时，沿长度方向并排排列四个，在与长度方向垂直相交的方向并排排列三个，合计十二个散热体13位于第2基板12的贯通孔12a内。
位于第1基板11的第1主面111的金属层14被用作电子元件2的搭载部11a、或者接合线等连接构件3的连接部，用于将电子元件2与布线基板4的布线导体电连接。
在一个或者多个搭载部11a的长度方向的纵剖视时，若多个散热体13的厚度方向(在图16～图19中为z方向)的热传导大于与厚度方向垂直相交的方向(在图16～图19中为y方向)，则抑制一个或者多个搭载部11a的向长度方向的传热，热难以滞留于一个或者多个搭载部11a，容易向第2基板12的第4主面122侧以及多个散热体13的第6主面132侧散热，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，对于多个散热体13而言，与一个或者多个搭载部11a的长度方向(在图16～图19中为y方向)的热传导相比，与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向(在图16～图19中为x方向)和多个散热体13的厚度方向(在图16～图19中为z方向)的热传导率大，因此抑制一个或者多个搭载部11a的向长度方向的传热，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，在俯视透视时，多个散热体13纵横地位于第2基板12的内侧，能够抑制一个或者多个搭载部11a的向长度方向的传热，增大向与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向的传热，因此能够抑制热滞留于电子元件搭载用基板1，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，由于多个散热体13良好地保持第3主面121以及侧面，因此能够抑制在第1基板11与多个散热体13之间、第2基板12与多个散热体13之间良好地传热，能够使电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，若第2基板12的热传导率比第1基板11的热传导率大，且比与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向(在图16～图19中为x方向)的热传导率低，则在电子元件2或者金属层14产生的热经由第1基板11向第2基板12侧传热时，使第2基板12内良好传热而容易散热，在经由第2基板12向相邻的散热体13沿多个散热体13的厚度方向扩散并传热时，由于能够在第2基板12与散热体13的边界向与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向良好地传热，因此，即便电子元件2长期连续工作，电子元件搭载用基板1的散热也良好，抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期连续工作。
此外，若第2基板12的热传导率比一个或者多个搭载部11a的长度方向上的多个散热体13的热传导率大，且比与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向上的多个散热体13的热传导率小，则即便经由第2基板12向相邻的散热体13传热，在第2基板12与散热体13的边界向一个或者多个搭载部11a的长度方向也难以传热，向与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向容易传热，则能够抑制从第2基板12传热的热向电子元件2侧传导，能够将第2基板12的热向与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向良好地传热，即便使电子元件2长期连续工作，电子元件搭载用基板1的散热也良好，抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够使电子元件2长期连续工作。
此外，如图20所示的例子那样，在一个或者多个搭载部11a的长度方向(在图20中为y方向)上的配置和与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向(在图20中为x方向)上的配置中，若散热体13与一个或者多个搭载部11a的长度方向偏离配置，则在搭载部11a的任一个区域中，散热体13都位于与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向，在与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向使不配置散热体13的区域消失，在各区域电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
第6实施方式的电子元件搭载用基板1能够使用与上述的实施方式的电子元件搭载用基板1同样的制造方法制作。
(第7实施方式)
接下来，参照图21、图22对第7实施方式的电子元件搭载用基板进行说明。
在第7实施方式中的电子元件搭载用基板1中，与上述第6实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，第3基板16位于第2基板12的第4主面122以及多个散热体13的第6主面132。即，位于第2基板12的贯通孔12a内的散热体13被第1基板11以及第3基板16和第2基板12覆盖而不露出。
在图21、图22所示的例子中，在电子元件搭载用基板1中，在俯视透视时，具有十二个散热体13。十二个散热体13在长度方向(在图21、图22中为y方向)并排排列四个，在与长度方向垂直相交的方向(在图21、图22中为x方向)并排排列三个。
在图21所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图22所示的例子中，金属层14用阴影表示。在图22所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与多个散热体13之中的几个重叠。
由于第3基板16具有与第2基板12的第4主面122及多个散热体13的第6主面132对置的第7主面(在图21、图22中为上表面)、以及与第7主面相对的第8主面(在图21、图22中为下表面)，因此能够抑制因第1基板11与第2基板12以及多个散热体13的热膨胀的不同而导致的电子元件搭载用基板1的变形，电子元件2的位置偏移、或者电子元件搭载用基板1的变形能够使，电子元件2长期动作。第3基板16在俯视时具有相对于第7主面以及第8主面分别具有两组对置的边(4边)的矩形板状的形状。
第3基板16能够通过与上述的第1基板11同样的材料以及方法制作。如图21所示的例子那样，第3基板16的热传导率κγ与第1基板11相同，在平面方向上的x方向和y方向上大致一定，第3基板16的厚度方向上z方向也与平面方向上的x方向和y方向相同(κγx≈κγy≈κγz)。例如，在使用氮化铝质烧结体作为第3基板16的情况下，第3基板16使用100～200W/m·K左右的热传导率κγ的基板。
在第7实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的第2主面112与第2基板12的第3主面121以及多个散热体13的第5主面131通过由TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等构成的活性钎料等接合材料接合。此外，第3基板16的第7主面和第2基板12的第4主面122以及多个散热体13的第6主面132通过由TiCuAg合金、TiSnAgCu合金等构成的活性钎料等接合材料接合。
在第7实施方式的电子元件搭载用基板1中，与上述实施方式相同，第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16在俯视时呈方形状。通过将第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16粘接，形成有方形状的复合基板。在图21、图22所示的例子中，第1基板11、第2基板12、第3基板16呈长方形状，形成有长方形状的复合基板。
另外，也可以同时接合第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16。例如，也可以使散热体13位于第2基板12的贯通孔12a内，将第1基板11以及第3基板16接合于第2基板12以及多个散热体13而形成。在该情况下，例如，通过一边从第1基板11的第1主面111侧以及第3基板16的第8主面侧施加压力一边接合等，能够使第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16良好地接合，成为可靠性优异的电子元件搭载用基板1。此外，通过同时接合第1基板11、第2基板12、多个散热体13、第3基板16，在制作时，能够抑制多个散热体13的露出，抑制由外部气体导致的变质。
由于第2基板12以及多个散热体13位于第1基板11以及第3基板16之间，因此第1基板11与第2基板12以及多个散热体13的热膨胀的不同所导致的电子元件搭载用基板1的变形得到抑制，通过电子元件2的位置偏移、或者抑制电子元件搭载用基板1的变形，能够容易良好地放出光。
特别是，第3基板16使用与第1基板11相同材料的基板，即，例如，在使用150W/m·K的氮化铝质烧结体作为第1基板11的情况下，若使用150W/m·K的氮化铝质烧结体来作为第3基板16，则通过更有效地电子元件搭载用基板1的变形，能够容易良好地放出光。
第1基板11的基板厚度T1例如为50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2例如为100μm～2000μm左右。多个散热体13的基板厚度T3例如为100μm～2000μm左右。
此外，第3基板16的基板厚度与第1基板11的基板厚度T1相同，例如为50μm～500μm左右。若第1基板11的基板厚度T1与第3基板16的基板厚度T4在10％左右的范围内以相同的厚度设置(0.90T1≤T4≤1.10T1)，则能够更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，从而能够容易良好地放出光。例如，在第1基板11的基板厚度为100μm的情况下，第3基板16的基板厚度也可以为100μm(90μm～110μm)。
第1基板11的基板厚度T1与第3基板16的基板厚度T4也可以小于多个散热体13的基板厚度T3(T3＞T1、T3＞T4)。
此外，第3基板16也可以在第8主面侧配置接合层。位于第3基板16的接合层例如能够用于电子元件搭载用基板1与位于布线基板4或者电子元件搭载用封装件5的导体层的接合等。接合层能够通过与上述金属层14同样的方法制作。此外，接合层通过在俯视透视时覆盖多个散热体13地位于第3基板16的下表面的大致整个面，能够使从电子元件搭载用基板1向布线基板4或者电子元件搭载用封装件5的散热性良好。
接合层与金属层14相同，镀层位于表面。
第7实施方式的电子元件搭载用基板1能够使用与上述实施方式的电子元件搭载用基板1同样的制造方法制作。
(第8实施方式)
接下来，参照图23、图24对第8实施方式的电子装置进行说明。
在第8实施方式的电子元件搭载用基板1中，与上述第6、第7实施方式的电子元件搭载用基板1的不同点在于，在长度方向(在图23、图24中为y方向)上较长的散热体13在与长度方向垂直相交的方向(在图23、图24中为x方向)上配置有多个。
在图23所示的例子中，多个散热体13用阴影表示。在图24所示的例子中，金属层14用阴影表示。在图23所示的例子中，第2基板12以虚线来表示在斜视下变为不可见的第2基板12的外表面以及贯通孔12a的内表面。另外，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a被配置为与多个散热体13中的几个重叠。
在图23、图24所示的例子中，在电子元件搭载用基板1中，在俯视透视时，具有三个散热体13。三个散热体13在长度方向(在图23、图24中为y方向)上排列一个，在与长度方向垂直相交的方向(图23、图24中为x方向)上并排排列三个。
在第8实施方式的电子元件搭载用基板1中，在俯视透视时，电子元件2的搭载部11a位于与一个散热体12重叠的区域。此时，多个搭载部11a的长度方向(在图23、图24中为y方向)上的多个散热体13的热传导率λy比与搭载部11a的长度方向垂直相交的方向上的热传导率λx小(λx＞＞λy)。
此外，第8实施方式的电子元件搭载用基板1在多个散热体13在与一个或者多个搭载部11a的长度方向相交的方向上较长时，能够进一步增大向与搭载部11a的长度方向垂直相交的方向的传热，因此能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，如图23、图24所示的例子那样，多个散热体13在一个或者多个搭载部11a的长度方向上向电子元件搭载用基板1的侧面延伸突出，在搭载部11a的长度方向(在图23、图24中为y方向)上，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，多个散热体在与一个或者多个搭载部11a的长度方向垂直相交的方向上延伸突出至电子元件搭载用基板1的侧面，电子元件搭载用基板1的散热良好，能够抑制电子元件搭载用基板1的变形。
此外，也可以使热传导率优异的构件与多个散热体13的露出的侧面接触，提高散热性。
在第8实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的基板厚度T1以及第3基板16的基板厚度T4例如为50μm～500μm左右，第2基板12的基板厚度T2以及多个散热体T3的基板厚度T3例如为100μm～2000μm左右。
此外，在第8实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11的基板厚度T1与第3基板16的基板厚度T4在10％左右的范围内也以相同的厚度设置(0.90T1≤T4≤1.10T1)，能够更有效地抑制电子元件搭载用基板1的变形，从而能够容易良好地放出光。例如，在第1基板11的基板厚度为100μm的情况下，第3基板16的基板厚度可以为100μm(90μm～110μm)。
第8实施方式的电子元件搭载用基板1能够通过与上述实施方式的电子元件搭载用基板1相同的方法制作。
本公开并不限定于上述实施方式的例子，能够进行各种变更。例如，在上述的例子中，位于第1基板11的第1主面111的金属层14通过薄膜法形成，但也可以是以往公知的使用了共烧法或者后火法等的金属层。在使用这样的金属层14的情况下，金属层14在第1基板11与多个散热体13接合前预先位于第1基板11的第1主面111。另外，为了使第1基板11的平面度良好，也可以是在上述的实施方式中记载的方法。
此外，在电子元件搭载用基板1中，也可以在俯视时在电子元件搭载用基板1的角部或者边部具有倒角、缺口等。
在第1实施方式的电子元件搭载用基板1至第8实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11或者第3基板16由单层的绝缘层形成，但绝缘层的层数也可以不同。例如，在第1实施方式的电子元件搭载用基板1中，第1基板11也可以由2层以上的绝缘层形成。
在第1实施方式的电子元件搭载用基板1至第5实施方式的电子元件搭载用基板1中，三个散热体13收纳于第2基板12的三个贯通孔12a，但也可以是在多个散热体13相连的方向上配置有四个以上的贯通孔12a以及散热体13的电子元件搭载用基板1。
此外，也可以组合第1实施方式的电子元件搭载用基板1～第8实施方式的电子元件搭载用基板1。例如，在第1实施方式的电子元件搭载用基板1、第3～第5实施方式的电子元件搭载用基板1等中，如第2实施方式的电子元件搭载用基板1那样，多个散热体13在俯视时也可以是圆形状。

Claims (10)

1.一种电子元件搭载用基板，其特征在于，具有：
第1基板，是方形状，具有第1主面，并具有电子元件的一个或者多个搭载部及与所述第1主面相反侧的第2主面，所述搭载部是位于该第1主面的长度区域；
第2基板，位于所述第2主面，由金属构成，是方形状，具有与所述第2主面对置的第3主面及与该第3主面相反侧的第4主面；以及
多个散热体，位于该第2基板的内侧，由碳材料构成，具有位于厚度方向上的所述第3主面侧的第5主面及与该第5主面相反侧的第6主面，
在俯视透视时，与所述多个散热体的沿着所述一个或者多个搭载部的长度方向以及所述第2基板的相对的边的方向的热传导相比，所述多个散热体的与沿着所述一个或者多个搭载部的长度方向以及所述第2基板的相对的边的方向垂直相交的方向的热传导大。
2.根据权利要求1所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述多个散热体与所述第2基板的内侧相连地配置，
在俯视透视时，所述多个散热体的与所述多个散热体相连的方向垂直相交的方向的热传导大于所述多个散热体相连的方向的热传导。
3.根据权利要求2所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
在与所述多个散热体相连的方向垂直相交的方向的纵剖视时，所述多个散热体的厚度方向的热传导大于与厚度方向垂直相交的方向的热传导。
4.根据权利要求2或3所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
所述第1基板为矩形状，
在俯视时，所述多个散热体在所述第1基板的长度方向上相连地配追。
5.根据权利要求1所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
在所述一个或者多个搭载部的长度方向的纵剖视时，所述多个散热体的厚度方向的热传导大于与厚度方向垂直相交的方向的热传导。
6.根据权利要求5所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
在俯视透视时，所述多个散热体在所述第2基板的内侧纵横地配置。
7.根据权利要求5所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
在俯视透视时，所述多个散热体在所述一个或者多个搭载部的长度方向上长。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的电子元件搭载用基板，其特征在于，
具有第3基板，该第3基板位于所述第4主面以及所述第6主面，具有与所述第4主面及所述第6主面对置的第7主面、以及与该第7主面相对的第8主面。
9.一种电子装置，其特征在于，具有：
权利要求1～8中任一项所述的电子元件搭载用基板；
电子元件，被搭载在该电子元件搭载用基板的搭载部，
布线基板或者电子元件收纳用封装件，搭载有所述电子元件搭载用基板。
10.一种电子模块，其特征在于，具有：
权利要求9所述的电子装置；以及
连接有该电子装置的模块用基板。
CN201980021298.5A 2018-03-28 2019-03-28 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块 Active CN111971788B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018062279 2018-03-28
JP2018-062279 2018-03-28
JP2018-101617 2018-05-28
JP2018101617 2018-05-28
PCT/JP2019/013685 WO2019189612A1 (ja) 2018-03-28 2019-03-28 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111971788A true CN111971788A (zh) 2020-11-20
CN111971788B CN111971788B (zh) 2024-03-05

Family

ID=68060284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980021298.5A Active CN111971788B (zh) 2018-03-28 2019-03-28 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11570882B2 (zh)
EP (1) EP3780080A4 (zh)
JP (1) JP7082188B2 (zh)
CN (1) CN111971788B (zh)
WO (1) WO2019189612A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7025545B2 (ja) * 2018-06-26 2022-02-24 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JPWO2022255048A1 (zh) * 2021-06-02 2022-12-08

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200411699A (en) * 2002-12-25 2004-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Plasma display
JP2008091432A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Kodenshi Corp 電子部品
CN101499465A (zh) * 2008-01-29 2009-08-05 京瓷株式会社 热电模块及其制造方法
JP2011159662A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
JP2015191950A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 ウシオ電機株式会社 半導体装置
JP2016157928A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 回路基板および回路基板の製造方法
JP2017139325A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 株式会社村田製作所 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
CN206893999U (zh) * 2017-02-24 2018-01-16 华星光通科技股份有限公司 半导体及高导热散热基板的组合结构

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5494753A (en) * 1994-06-20 1996-02-27 General Electric Company Articles having thermal conductors of graphite
US5958572A (en) * 1997-09-30 1999-09-28 Motorola, Inc. Hybrid substrate for cooling an electronic component
US20080180014A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Tennrich International Corp. LED heat sink
TWI437930B (zh) * 2011-05-03 2014-05-11 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及其製作方法
JP5930604B2 (ja) 2011-05-12 2016-06-08 株式会社サーモグラフィティクス 異方性熱伝導素子の製造方法
JP5944690B2 (ja) 2012-02-23 2016-07-05 京セラ株式会社 配線基板の製造方法
TWI489918B (zh) * 2012-11-23 2015-06-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板
EP2894950B1 (en) * 2013-05-31 2020-07-29 Dialog Semiconductor GmbH Embedded heat slug to enhance substrate thermal conductivity
KR102262906B1 (ko) * 2014-11-13 2021-06-09 삼성전기주식회사 회로기판
JP2016171119A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 イビデン株式会社 回路基板及びその製造方法
JP6738193B2 (ja) * 2016-05-09 2020-08-12 昭和電工株式会社 伝熱構造体、絶縁積層材、絶縁回路基板およびパワーモジュール用ベース
JP6446489B2 (ja) 2017-03-10 2018-12-26 東芝電波プロダクツ株式会社 ヒートスプレッダ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200411699A (en) * 2002-12-25 2004-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Plasma display
JP2008091432A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Kodenshi Corp 電子部品
CN101499465A (zh) * 2008-01-29 2009-08-05 京瓷株式会社 热电模块及其制造方法
JP2011159662A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
JP2015191950A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 ウシオ電機株式会社 半導体装置
JP2016157928A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 回路基板および回路基板の製造方法
JP2017139325A (ja) * 2016-02-03 2017-08-10 株式会社村田製作所 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
CN206893999U (zh) * 2017-02-24 2018-01-16 华星光通科技股份有限公司 半导体及高导热散热基板的组合结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20230156904A1 (en) 2023-05-18
US11570882B2 (en) 2023-01-31
EP3780080A4 (en) 2021-12-29
EP3780080A1 (en) 2021-02-17
JP7082188B2 (ja) 2022-06-07
JPWO2019189612A1 (ja) 2021-03-11
WO2019189612A1 (ja) 2019-10-03
US20210007212A1 (en) 2021-01-07
CN111971788B (zh) 2024-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230156904A1 (en) Substrate for mounting electronic element, electronic device, and electronic module
JP7460704B2 (ja) 複合基板および電子装置
JP7425130B2 (ja) 基板
CN112313794A (zh) 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块
JP6983178B2 (ja) 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
CN110495258B (zh) 电子元件搭载用基板、电子装置以及电子模块
JP7358525B2 (ja) 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP7174046B2 (ja) 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
US12004293B2 (en) Substrate for mounting electronic element, electronic device, and electronic module
KR20220140846A (ko) 전자부품 탑재용 기판 및 전자 장치
JP2019114752A (ja) 電子素子搭載用基板および電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant