CN111969965A - 一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法 - Google Patents

一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法 Download PDF

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CN111969965A CN202010641999.3A CN202010641999A CN111969965A CN 111969965 A CN111969965 A CN 111969965A CN 202010641999 A CN202010641999 A CN 202010641999A CN 111969965 A CN111969965 A CN 111969965A
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苏强
李咏乐
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Abstract

本申请公开了一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法，所述温度补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号，利用所述第一电信号对电信号输入端接收到的第二电信号进行调整，得到第三电信号；输出所述第三电信号到所述功率控制电路；所述功率控制电路，用于将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；所述第四电信号，用于控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。如此，通过在功率放大电路中增加上述温度补偿电路，保证功率放大器增益的稳定性以及输出功率的稳定性，使功率放大器的性能不受温度变化的影响。

Description

一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法
技术领域
本申请涉及电子技术，尤其涉及一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法。
背景技术
功率放大器(简称“功放”)在饱和工作模式下，为了满足第三代合作伙伴计划(3rdGeneration Partnership Project，3GPP)协议对全球移动通信系统(Global System forMobile Communication，GSM)输出功率在时域上功率时间模板(PVT)要求，功率放大器输出功率是受外部电压Vramp控制的。
功放电路工作在高低温状态时，由于电路器件参数会随着温度变化，在高温下，功放的增益及输出功率会减小；相反，在低温下，功放的增益及输出功率会增大。在这种情况下，高低温的变化会使功放的增益及输出功率较常温有较大的变化，从而很难满足行业指标的需求。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请实施例期望提供一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法。
第一方面，本申请提供了一种所述温度补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号，利用所述第一电信号对电信号输入端接收到的第二电信号进行调整，得到第三电信号；输出所述第三电信号到所述功率控制电路；
所述功率控制电路，用于将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；其中，所述第四电信号，用于控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
上述方案中，所述温度补偿电路包括：电流补偿电路和电流电压转换电路；所述电流补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号；所述电流补偿电路输出所述第一电信号对所述第二电信号进行调整，得到中间电信号；所述第一电信号、所述第二电信号和所述中间电信号为电流信号；所述电流电压转换电路，用于将所述中间电信号转化为所述第三电信号输出；其中，所述第三电信号为电压信号。
上述方案中，所述电流补偿电路包括：温控电流源和电流调整电路；所述温控电流源，用于提供随温度变化的电流信号；所述电流调整电路，用于将所述温控电流源提供的电流信号调整为所述第一电信号。
上述方案中，所述电流调整电路包括：稳态电流源、第一场效应管和第二场效应管；所述稳态电流源的一端连接第一电压源，所述稳态电流源的另一端与温控电流源相连，所述稳态电流源和所述温控电流源的中间连接节点与所述第一场效应管的栅极和漏极相连；所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极连接第二电压源；所述第二场效应管的漏极作为所述电流补偿电路的输出端，输出所述第一电信号。
上述方案中，所述电流电压转换电路包括：第一电阻；所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻的另一端与所述电流补偿电路的输出端以及所述功率控制电路的输入端相连。
上述方案中，所述电流电压转换电路还包括：第一电容；所述第一电容并联在所述第一电阻的两端。
上述方案中，所述预设的变化规律为所述功率放大器的增益随着温度的升高而增大，随着温度的降低而减小。
上述方案中，所述温度补偿电路为电压补偿电路；所述第一电信号和所述第二电信号为电压信号；其中，所述电压补偿电路包括：温控电压源和电压调整电路；所述温控电压源，用于提供随温度变化的电压信号；所述电压调整电路，用于将所述温控电压源提供的电压信号调整为所述第一电信号。
上述方案中，所述功率控制电路至少包括低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的正向输入端作为所述功率控制电路的输入端接收所述第三电信号。
第二方面，提供了一种功率放大器的温度补偿方法，所述方法包括：
控制温度补偿电路产生与当前环境温度相对应的第一电信号；
利用所述第一电信号对第二电信号进行调整，得到第三电信号；
控制功率控制电路将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；
利用所述第四电信号控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
本申请实施例提供的一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法，所述温度补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号，利用所述第一电信号对电信号输入端接收到的第二电信号进行调整，得到第三电信号；输出所述第三电信号到所述功率控制电路；所述功率控制电路，用于将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；所述第四电信号，用于控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。如此，通过在功率放大电路中增加上述温度补偿电路，保证功率放大器增益的稳定性以及输出功率的稳定性，使功率放大器的性能不受温度变化的影响。
附图说明
图1为本申请实施例中温度补偿电路的第一组成结构示意图；
图2为本申请实施例中功率控制电路的组成结构示意图；
图3为本申请实施例中温度补偿电路的第二组成结构示意图；
图4为本申请实施例中电流和温度的线性关系示意图；
图5为本申请实施例中电压和电流的线性关系示意图；
图6为本申请实施例中温度补偿电路的第三组成结构示意图；
图7为本申请实施例中功率放大器的温度控制方法的流程示意图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。
图1为本申请实施例中温度补偿电路的第一组成结构示意图，如图1所示，
所述温度补偿电路11，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号，利用所述第一电信号对电信号输入端接收到的第二电信号进行调整，得到第三电信号；输出所述第三电信号到所述功率控制电路12；
所述功率控制电路12，用于将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器13；其中，所述第四电信号，用于控制所述功率放大器13的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
这里，所述温度补偿电路11能够根据当前环境温度的变化自适应调整第三电信号，保证功率放大器12增益的稳定性以及输出功率的稳定性，使功率放大器的性能不受温度变化的影响。
功率放大器工作在高低温状态时，由于电路器件参数会随着温度变化，在高温下，功率放大器的增益及输出功率会减小；相反，在低温下，功率放大器的增益及输出功率会增大。因此，可以通过对第四电信号进行调整来保证功率放大器增益的稳定性。
实际应用中，温度补偿电路可以对外部输入电压Vramp转换的电流信号进行补偿，也可以对外部输入电压Vramp信号进行直接补偿。即电信号输入端接收的第二电信号为电流信号或电压信号。
图2为本申请实施例中功率控制电路的组成结构示意图，如图2所示，温度补偿电路21对电信号输入端的电信号进行温度补偿后，输入到功率控制电路22，功率控制电路22对输入到V+端的电压信号进行调整，得到电压信号Vout(即Vcc)供给功率放大电路23。
功率控制电路22包括：低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator，LDO)、电阻R1和R2、电容C1，LDO的正向输入端V+接收温度补偿电路21输出的电压信号，电阻R1和R2串联后一端连接LDO的输出端另一端接地，LDO的负向输入端连接R1和R2的中间节点，电容C1一端连接LDO的输出端另一端接地，LDO的输出端通过RF choke与功率放大器的集电极相连。通常可以通过控制PA的集电极电压来实现RFOUT输出功率随Vcc的变化，Vcc越大，由于功率放大器的输出功率正比于Vcc^2，所以功率放大器的输出功率也会越大；Vcc越小，功率放大器的输出功率也会越小。
功率放大电路23包括：功率放大器(Power Amplifier，PA)和射频扼流圈(RadioFrequency choke，RF choke)，PA射频输入端(RFIN)输入放大前射频信号，射频输出端(RFOUT)输出放大后的射频信号，RF choke用于消除PA的射频信号对功率控制电路22的电信号的影响。
在上述应用电路的基础上，对温度补偿电路的组成结构进行示例性举例说明。当温度补偿电路对电流信号进行温度补偿时，即第二电信号为电流信号，所述温度补偿电路对外部输入电压Vramp转换的电流进行温度补偿、或者对外部输入电压Vramp进行直接温度补偿。
如图2所示，外部输入电压Vramp时，实际应用电路中还包括电压电流转换电路24，电压电流转换电路24将电压Vramp转换为电流，温度补偿电路对电流进行温度补偿。
在一些实施例中，所述温度补偿电路包括：电流补偿电路和电流电压转换电路；所述电流补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号；所述电流补偿电路输出所述第一电信号对所述第二电信号进行调整，得到中间电信号；所述第一电信号、所述第二电信号和所述中间电信号为电流信号；所述电流电压转换电路，用于将所述中间电信号转化为所述第三电信号输出；其中，所述第三电信号为电压信号。
也就是说，在对电流进行补偿时，电流补偿电路产生与当前环境温度相对应的第一电信号，由于LDO只能接收电压信号的特点，再利用电流电压转换电路对将中间电流信号转化为电压信号输入到LDO的正向输入端V+。
具体的，所述电流补偿电路包括：温控电流源和电流调整电路；所述温控电流源，用于提供随温度变化的电流信号；所述电流调整电路，用于将所述温控电流源提供的电流信号调整为第一电信号。
温控电流源，用于向电流调整电路提供随温度改变的电流信号；温控电流源输出的电流信号与绝对温度成正比。
电流调整电路具有电流放大、缩小等作用，能够为后续电路提供准确的电流信号，电流调整电路可以由电阻、电容、晶体管等器件组合而成。
比如，所述电流调整电路包括：稳态电流源、第一场效应管和第二场效应管；所述稳态电流源的一端连接第一电压源，所述稳态电流源的另一端与温控电流源相连，所述稳态电流源和所述温控电流源的中间连接节点与所述第一场效应管的栅极和漏极相连；所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极连接第二电压源；所述第二场效应管的漏极作为所述电流补偿电路的输出端，输出所述第一电信号。这里，第一场效应管和第二场效应管为P型场效应管。
电流电压转换电路顾名思义将电流补偿电路补偿后的中间电流信号转化电压信号(即第三电信号)输入到LDO的正向输入端V+。
示例性的，所述电流电压转换电路包括：第一电阻；所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻的另一端与所述电流补偿电路的输出端以及所述功率控制电路的输入端相连。
还可以在第一电阻两端并联一个电容，来保证输出电压的稳定性。
图3为本申请实施例中温度补偿电路的第二组成结构示意图，如图3所示，温度补偿电路包括：电流补偿电路31和电流电压转换电路32。
电流补偿电路31包括温控电流源IPTAT、稳态电流源Iref、第一场效应管M1和第二场效应管M2，这里，稳态电流源，用于提供固定的电流信号，稳态电源的电信号不随温度的变化而变化，M1和M2为P型场效应管，Iref一端连接电压源Vbat1另一端连接IPTAT，IPTAT的另一端接地，IPTAT和Iref的中间节点连接M1的栅极和漏极，M1和M2的源极连接电压源Vbat2，M2的漏极输出第一电信号I1。
电流电压转换电路32由电阻R3和电容C2并联组成，R3执行电流电压转换，电容C2用于稳定R3两端的电压。
当温度上升时，IPTAT电流增大，Iref不变，此时IPTAT-Iref增大，并流入M1，M1将电流IPTAT-Iref镜像到M2，经M2放大之后输出电流I1，与电信号输入端的电流I2在A点汇聚得到电流I3，A点为电流补偿电路31与LDO V+的连接点。电流补偿电路31的输出电流I3流入R1，使得R1上的电压从I2*R1增大为(I1+I2)*R1，即使图2中LDO的输入电压V+增大，进而使LDO的输出电压Vout增大，即功放的集电极电压Vcc增大。由于功率放大器的增益及输出功率正比于Vcc^2，所以功放的增益及输出功率也会越大。从而使得和常温相比，功率放大器在高温的增益及输出功率变化不大或保持一致。
相反的，当温度下降时，IPTAT电流减小，Iref不变，此时IPTAT-Iref减小，并流入M1，M1将电流IPTAT-Iref镜像到M2，经M2放大之后输出电流I1，与电信号输入端的电流I2在A点交汇得到电流I3，A点为电流补偿电路31与LDO V+的连接点。电流补偿电路31的输出电流I3流入R1，使得R1上的电压从I2*R1减小为(I2-I1)*R1，即使图2中LDO的输入电压V+减小，进而使LDO的输出电压Vout减小，即功放的集电极电压Vcc减小。由于功率放大器的增益及输出功率正比于Vcc^2，所以功放的增益及输出功率也会减小。从而使得和常温相比，功率放大器在低温的增益及输出功率变化不大或保持一致。
IPTAT为与绝对温度成正比的电流源，Iref用来调整温度补偿的斜率。图4为本申请实施例中电流和温度的线性关系示意图，横坐标为温度，纵坐标为电流补偿电路31输出的第一电流I1，电流I1与温度Temp正线性相关，T0为IPTAT-Iref＝0时的温度。
实际应用中，温度补偿电路对外部输入电压Vramp转换为电流进行温度补偿时，温度补偿电路前端需加入电压电流转换电路，电压电流呈线性正相关。图5为本申请实施例中电压和电流的线性关系示意图，横坐标为电压(Vramp)，纵坐标为电流I2，当电压(Vramp)小于V1时，电流I2为0，用于改善PA off态的前向隔离度，当电压(Vramp)大于V1时，电流I2与电压(Vramp)成正比。
上述温控电流源IPATA和稳态电流源Iref可以以各种形式实现，功率放大器的晶体管可以为金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor，MOS)场效应管、异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，HBT)、双极结型晶体管(Bipolar JunctionTransistor，BJT)等具有射频功率放大功能的电路元件。
功率放大器可以由多个晶体管组成，比如，多个晶体管串联，功率放大器的增益为多个晶体管串联之后总的增益。
本申请实施例中，温度补偿电路中第一场效应管和第二场效应管组成电流镜像电路，第一场效应管和第二场效应管还可以为N型场效应管。
具体的，所述电流调整电路包括：稳态电流源、第一场效应管和第二场效应管；所述稳态电流源的一端连接第一电压源，所述稳态电流源的另一端与温控电流源相连，所述稳态电流源和所述温控电流源的中间连接节点与所述第一场效应管的栅极和源极相连；所述第一场效应管的栅极和所述第二场效应管的栅极相连；所述第一场效应管的漏极和所述第二场效应管的漏极连接第二电压源；所述第二场效应管的源极作为所述电流补偿电路的输出端，输出所述第一电信号。
采用上述方案，通过在功率放大电路中增加上述温度补偿电路，对用于进行功率控制的外部输入电压Vramp转换得到的电流信号进行温度补偿，保证功率放大器增益的稳定性以及输出功率的稳定性，使功率放大器的性能不受温度变化的影响。
在上述应用电路的基础上，对温度补偿电路的组成结构进行示例性举例说明。当温度补偿电路对电压信号进行温度补偿时，所述第一电信号和所述第二电信号为电压信号，所述温度补偿电路对外部输入电压Vramp直接进行补偿。
图6为本申请实施例中温度补偿电路的第三组成结构示意图，如图6所示，温度补偿电路11还可以为电压补偿电路，电压补偿电路具体可以包括：温控电压源61和电压调整电路62。
所述温控电压源61，用于提供随温度变化的电压信号；所述电压调整电路62，用于将所述温控电压源提供的电压信号调整为所述第一电信号。
也就是说，在对电压进行补偿时，电压补偿电路产生与当前环境温度相对应的第一电信号，利用所述第一电信号对电信号输入端接收到的第二电信号进行调整，得到第三电信号；输出所述第三电信号到所述功率控制电路12。
所述功率控制电路12，用于将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器13；其中，所述第四电信号，用于控制所述功率放大器13的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
具体的，温控电压源，用于向电压调整电路提供随温度改变的电压信号；温控电压源输出的电压信号与绝对温度成正比。电压调整电路具有电压放大、缩小等作用，能够为后续电路提供准确的电压信号，电压调整电路可以由电阻、电容、晶体管等器件组合而成。
采用上述方案，通过在功率放大电路中增加上述温度补偿电路，对用于进行功率控制的外部输入电压Vramp进行温度补偿，保证功率放大器增益的稳定性以及输出功率的稳定性，使功率放大器的性能不受温度变化的影响。
基于上述功率放大器的温度控制电路，本申请实施例还提供了一种功率放大器的温度控制方法的实施例，图7为本申请实施例中功率放大器的温度控制方法的流程示意图，如图7所示，该方法包括：
步骤701：控制温度补偿电路产生与当前环境温度相对应的第一电信号；
步骤702：利用所述第一电信号对第二电信号进行调整，得到第三电信号；
步骤703：控制功率控制电路将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；
步骤704：利用所述第四电信号控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
在一些实施例中，所述温度补偿电路包括：电流补偿电路和电流电压转换电路；
所述电流补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号；
所述电流补偿电路输出所述第一电信号对所述第二电信号进行调整，得到中间电信号；所述第一电信号、所述第二电信号和所述中间电信号为电流信号；
所述电流电压转换电路，用于将所述中间电信号转化为所述第三电信号输出；其中，所述第三电信号为电压信号。
在一些实施例中，所述电流补偿电路包括：温控电流源和电流调整电路；
所述温控电流源，用于提供随温度变化的电流信号；
所述电流调整电路，用于将所述温控电流源提供的电流信号调整为所述第一电信号。
在一些实施例中，所述电流调整电路包括：稳态电流源、第一场效应管和第二场效应管；
所述稳态电流源的一端连接第一电压源，所述稳态电流源的另一端与温控电流源相连，所述稳态电流源和所述温控电流源的中间连接节点与所述第一场效应管的栅极和漏极相连；
所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极连接第二电压源；
所述第二场效应管的漏极作为所述电流补偿电路的输出端，输出所述第一电信号。这里，所述第一场效应管和所述第二场效应管为P型场效应管。
在一些实施例中，所述电流电压转换电路包括：第一电阻；
所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻的另一端与所述电流补偿电路的输出端以及所述功率控制电路的输入端相连。
在一些实施例中，所述电流电压转换电路还包括：第一电容；
所述第一电容并联在所述第一电阻的两端。
在一些实施例中，所述预设的变化规律为所述功率放大器的增益随着温度的升高而增大，随着温度的降低而减小。
在一些实施例中，所述温度补偿电路为电压补偿电路；所述第一电信号和所述第二电信号为电压信号；
其中，所述电压补偿电路包括：温控电压源和电压调整电路；
所述温控电压源，用于提供随温度变化的电压信号；
所述电压调整电路，用于将所述温控电压源提供的电压信号调整为所述第一电信号。
在一些实施例中，所述功率控制电路至少包括低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的正向输入端作为所述功率控制电路的输入端接收所述第三电信号。
采用上述方案，通过在功率放大电路中增加上述温度补偿电路，保证功率放大器增益的稳定性以及输出功率的稳定性，使功率放大器的性能不受温度变化的影响。
本申请实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，以上所描述的温度补偿电路实施例仅仅是示意性的，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种功率放大器的温度补偿电路，其特征在于，
所述温度补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号，利用所述第一电信号对电信号输入端接收到的第二电信号进行调整，得到第三电信号；输出所述第三电信号到所述功率控制电路；
所述功率控制电路，用于将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；其中，所述第四电信号，用于控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
2.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路包括：电流补偿电路和电流电压转换电路；
所述电流补偿电路，用于产生与当前环境温度相对应的第一电信号；
所述电流补偿电路输出所述第一电信号对所述第二电信号进行调整，得到中间电信号；所述第一电信号、所述第二电信号和所述中间电信号为电流信号；
所述电流电压转换电路，用于将所述中间电信号转化为所述第三电信号输出；其中，所述第三电信号为电压信号。
3.根据权利要求2所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电流补偿电路包括：温控电流源和电流调整电路；
所述温控电流源，用于提供随温度变化的电流信号；
所述电流调整电路，用于将所述温控电流源提供的电流信号调整为所述第一电信号。
4.根据权利要求3所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电流调整电路包括：稳态电流源、第一场效应管和第二场效应管；
所述稳态电流源的一端连接第一电压源，所述稳态电流源的另一端与温控电流源相连，所述稳态电流源和所述温控电流源的中间连接节点与所述第一场效应管的栅极和漏极相连；
所述第一场效应管的栅极和所述第二场效应管的栅极相连；
所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极连接第二电压源；
所述第二场效应管的漏极作为所述电流补偿电路的输出端，输出所述第一电信号。
5.根据权利要求2所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电流电压转换电路包括：第一电阻；
所述第一电阻的一端接地，所述第一电阻的另一端与所述电流补偿电路的输出端以及所述功率控制电路的输入端相连。
6.根据权利要求5所述的温度补偿电路，其特征在于，所述电流电压转换电路还包括：第一电容；
所述第一电容并联在所述第一电阻的两端。
7.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述预设的变化规律为所述功率放大器的增益随着温度的升高而增大，随着温度的降低而减小。
8.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路为电压补偿电路；所述第一电信号和所述第二电信号为电压信号；
其中，所述电压补偿电路包括：温控电压源和电压调整电路；
所述温控电压源，用于提供随温度变化的电压信号；
所述电压调整电路，用于将所述温控电压源提供的电压信号调整为所述第一电信号。
9.根据权利要求1所述的温度补偿电路，其特征在于，所述功率控制电路至少包括低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器的正向输入端作为所述功率控制电路的输入端接收所述第三电信号。
10.一种功率放大器的温度补偿方法，其特征在于，所述方法包括：
控制温度补偿电路产生与当前环境温度相对应的第一电信号；
利用所述第一电信号对第二电信号进行调整，得到第三电信号；
控制功率控制电路将所述第三电信号转化为第四电信号，输出所述第四电信号到功率放大器；
利用所述第四电信号控制所述功率放大器的增益随温度变化呈现预设的变化规律。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022007744A1 (zh) * 2020-07-06 2022-01-13 广州慧智微电子有限公司 一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法
CN116094476A (zh) * 2023-04-11 2023-05-09 上海安其威微电子科技有限公司 具有增益补偿的电路结构
CN118100816A (zh) * 2024-04-22 2024-05-28 基合半导体（宁波）有限公司 运放结构及集成电路

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1671043A (zh) * 2004-03-19 2005-09-21 松下电器产业株式会社 高频功率放大器和通信设备
CN101447770A (zh) * 2007-11-27 2009-06-03 锐迪科微电子（上海）有限公司 射频功率放大器温度补偿电路和方法
CN101908860A (zh) * 2009-06-05 2010-12-08 联发科技股份有限公司 增益补偿装置以及根据温度补偿放大器的增益的方法
CN104821794A (zh) * 2014-02-04 2015-08-05 株式会社村田制作所 功率放大模块
CN110808718A (zh) * 2018-08-06 2020-02-18 锐迪科创微电子（北京）有限公司 一种高稳定性的射频功率放大器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5590154B2 (ja) * 2011-01-17 2014-09-17 日本電気株式会社 温度補償機能を有する自動利得制御回路を用いたディジタル復調回路
US10230335B2 (en) * 2016-09-30 2019-03-12 Skyworks Solutions, Inc. Temperature compensated power amplifier gain
CN107147366B (zh) * 2017-06-12 2023-08-29 广州慧智微电子股份有限公司 一种射频功率放大器的温度补偿电路
CN111969965A (zh) * 2020-07-06 2020-11-20 广州慧智微电子有限公司 一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1671043A (zh) * 2004-03-19 2005-09-21 松下电器产业株式会社 高频功率放大器和通信设备
CN101447770A (zh) * 2007-11-27 2009-06-03 锐迪科微电子（上海）有限公司 射频功率放大器温度补偿电路和方法
CN101908860A (zh) * 2009-06-05 2010-12-08 联发科技股份有限公司 增益补偿装置以及根据温度补偿放大器的增益的方法
CN104821794A (zh) * 2014-02-04 2015-08-05 株式会社村田制作所 功率放大模块
CN110808718A (zh) * 2018-08-06 2020-02-18 锐迪科创微电子（北京）有限公司 一种高稳定性的射频功率放大器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022007744A1 (zh) * 2020-07-06 2022-01-13 广州慧智微电子有限公司 一种功率放大器的温度补偿电路及温度补偿方法
CN116094476A (zh) * 2023-04-11 2023-05-09 上海安其威微电子科技有限公司 具有增益补偿的电路结构
CN118100816A (zh) * 2024-04-22 2024-05-28 基合半导体（宁波）有限公司 运放结构及集成电路

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