CN111969068A - 一种特优双全应用的硅象限光电探测器 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 229910005171 Si3O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
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- Electromagnetism (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种特优双全应用的硅象限光电探测器，包括超高精度的硅象限光电探测器和光学玻璃片，所述超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面和光学玻璃片的抛光表面各溅射一层单色滤光膜，本发明通过在无光电串扰、无电气干扰、光动态范围大的芯片基础上，再对芯片或探测器增设自滤光的功能；使得其对中心波长的透过率≥88％，背景光的抑制度≤1％，再加之制导系统的滤光功能，从而使得整个制导系统对背景光的抑制度小于万分之一，进而使得设备可以在全天候、全方位的条件下，仍然具有精控和深控的本领，实现更加精准的打击，保证制导系统不受任何背景光的限制，从而获得广泛应用。
Description
技术领域
本发明属于硅象限光电探测器领域，具体为一种特优双全应用的硅象限光电探测器。
背景技术
在现有的光电武器中，用于制导的硅象限光电探测器，因其光灵敏度不够高，抗光干扰的能力有限，虽然制导系统本身具有滤光功能，但是在较强的背景光干扰的环境下，如艳阳天中午、下午阳光较强或夜间灯光明亮的时候或沙漠区反射光强烈的地方或在光线直射或与光线夹角较小等，均不能正常应用，其缺乏抗背景光的能力，因此无法全天候、全方位的进行工作，从而导致其应用存在一定的局限性。
发明内容：
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种特优双全应用的硅象限光电探测器，解决了背景技术中提到的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种技术方案：
一种特优双全应用的硅象限光电探测器，包括超高精度的硅象限光电探测器和光学玻璃片，所述超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面和光学玻璃片的抛光表面各溅射一层单色滤光膜；并且在溅射滤光膜的芯片表面通过光刻技术刻出各象限光敏元，然后烧结压焊调配前放电路即可；而在溅射滤光膜的光学玻璃片上，用激光技术刻出十字叉中心对位线，最后用高温透明胶粘合、固定在未溅射滤光膜的超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面或封装管帽光学玻璃片的下表面。
作为优选，所述超高精度的硅象限光电探测器自身具有滤光功能。
作为优选，所述超高精度的硅象限光电探测器滤光膜透过光的中心波长为1.064微米，透过率≥88％，抑制度≤1％，短波截止于≤0.5微米，长波段不截止且半宽度的一半约为0.064微米。
作为优选，所述光学玻璃抛光片的厚度为0.5-0.6mm，而直径大于芯片管芯尺寸或者小于标准TO-25圆形封装管帽内径。
作为优选，所述滤光膜均为氧化钛滤光膜。
本发明的有益效果是：本发明通过在无光电串扰、无电气干扰、光动态范围大的芯片基础上，再对芯片或探测器增设自滤光的功能；使得其对中心波长的透过率≥88％，背景光的抑制度≤1％，再加之制导系统的滤光功能，从而使得整个制导系统对背景光的抑制度小于万分之一，进而使得设备可以在全天候、全方位的条件下，仍然具有精控和深控的本领，实现更加精准的打击，保证制导系统不受任何背景光的限制，从而获得广泛应用。
附图说明：
为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1是本发明一种特优双全应用的双四硅光探管芯结构正视图；
图2为图1双四硅光探管芯未溅射滤光膜结构正视图；
图3为图1双四硅光探管芯溅射滤光膜之后的结构剖视图；
图4为图2双四硅光探管芯粘贴滤光片结构剖视图。
图1、2、3中：【1】SiO2；【2】Si3O4；【3】Al；【4】滤光膜；【5】电位线；
图4中：【4】电位线；【5】玻璃滤光片；【6】玻璃片下表面滤光膜。
具体实施方式：
如图1-4所示，本具体实施方式采用以下技术方案：
实施例：
一种特优双全应用的硅象限光电探测器，包括超高精度的硅象限光电探测器和光学玻璃片，所述超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面和光学玻璃片的抛光表面各溅射一层单色滤光膜；并且在溅射滤光膜的芯片表面通过光刻技术刻出各象限光敏元，然后烧结压焊调配前放电路即可；而在溅射滤光膜的光学玻璃片上，用激光技术刻出十字叉中心对位线，最后用高温透明胶粘合、固定在超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面或封装管帽光学玻璃片的下表面，一种特优双全应用的硅象限光电探测器，就是在一种超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面或光学玻璃片的表面上溅射一层滤光膜，且通过光刻技术在芯片滤光膜上刻出各象限光敏元的金属电极图案和管芯中心的微形十字叉对位线，便于更好的对芯片进行键合以及组装；用激光技术在光学玻璃滤光片上刻出中心十字叉标志线后，用高温用透明胶粘合且固定在未溅射滤光膜的超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面或封装管帽光学玻璃片的下表面，而该十字叉标志线便于系统组装定位。
其中，所述超高精度的硅象限光电探测器自身具有滤光功能，更好地增加了系统的滤光作用。
其中，所述超高精度的硅象限光电探测器滤光膜透过光的中心波长为1.064微米，透过率≥88％，抑制度≤1％，短波截止于≤0.5微米，长波段不截止且半宽度的一半约为0.064微米，适用激光制导系统，便于更好的限制可见光和近红外光的影响。
其中，所述光学玻璃抛光片的厚度为0.5-0.6mm，而直径大于芯片管芯尺寸或者小于标准TO-25圆形封装管帽内径，便于更好的与超高精度的硅象限光电探测器进行组装使用。
其中，所述滤光膜均为氧化钛滤光膜，便于更好地制作限制滤光膜的特性。
本发明的制作工艺过程为：将超高精度的硅象限光电探测器芯片的大园晶片，即未分离管芯的大园片，置于溅射台，用氧化钛材料直接溅射中心波长为1.064微米的单色滤光膜，用光刻技术刻出各象限的金属电极焊接窗口和芯片中心微形十字叉对位标志，通过该标志射入的少许背景光，只在芯片的高低结处的电子势垒区，因光生载流子产生与复合而消失掉；然后再划片、分离管芯后与集成电路烧压、封装即可；另外在直径为11.5mm、厚度为0.5-0.6mm的光学玻璃抛光片上，同样溅射上述中心波长为1.064微米的单色滤光膜，再用激光技术在滤光片中心处刻划出线宽≤20微米，长约1300微米的微形十字叉对位标志，最终在视频显微仪下，用高温透明胶粘合、固定在光探芯片表面或封装管帽光窗玻璃的下表面即可。对滤光膜的技术要求为：透射波长的中心波长为1.064微米，中心波长的透过率为≥88％，抑制度0.5％-1％，短波截止波长≤0.5微米，长波段不截止，因为硅的长波吸收到1.1微米时就截止了，半宽度为0.064微米，由于长波不截止，所以这里只有短波方面与中心波长的宽度，实际只是半宽度的一半。如图1～图3所示，n是高阻n型硅n-Si衬底，P+是硼扩散层，1P+是芯片光敏元周边的环形“隔离二极管”的P+层；n+是磷扩散层，其中1n+是光探芯片周边双四的外四周边的环极n+层，2n+是双四象限光电探测器的内四和外四各四个象限光敏元之间的环极n+层，3n+是芯片背面硅衬底表面n+层；图1、2、3中：【1】是SiO2层，【2】是Si3N4层，【3】是金属Al层，【4】是滤光膜层，【5】是电位线。图4中，因芯片未溅射滤光膜，而是粘贴的滤光片，所以【4】是电位线，【5】是玻璃滤光片，【6】是玻璃下表面滤光膜。
以芯片溅射滤光膜为例的工艺流程：
a、在n-Si衬底抛光的晶圆片表面上，热氧化生长SiO2层；b、光刻内四、外四各象限光敏元和环形隔离二极管的硼扩散窗口P+区；c、硼扩散形成各光敏元及环形隔离二极管的P+n结，随即进行轻微的氧化，生长极薄的SiO2层，立即沉积Si3N4膜并光刻出环极图案的窗口；d、对衬底芯片背面进行减薄抛光；e、将芯片的正面，背面同时进行磷扩散形成n+n高低结后立即进行氧化生长SiO2层；f、在各象限光敏元、环形隔离二极管、及环极1n+中光刻电极窗口和芯片衬底背面上的SiO2层；g、对芯片正面和背面分别蒸镀金属铝层；h、反光刻，将上述电极窗口和芯片背面的铝保护起来，其余的铝全部腐蚀掉并合金；i、将整个大晶园片置入溅射台，将氧化钛材料溅射到芯片的表面，即Si3N4膜表面，形成中心波长为1.064微米的单色滤光膜；j、进行光刻，将铝电极上面的滤光膜腐蚀掉，露出电极铝，其余的滤光膜保留起来，并在芯片的中心处刻出微形的十字叉对位标志线，最后去掉芯片表面上的光刻掩蔽胶即可。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种特优双全应用的硅象限光电探测器，其特征在于，包括超高精度的硅象限光电探测器和光学玻璃片，所述超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面和光学玻璃片的抛光表面各溅射一层单色滤光膜；并且在溅射滤光膜的芯片表面通过光刻技术刻出各象限光敏元，然后烧结压焊调配前放电路即可；而在溅射滤光膜的光学玻璃片上，用激光技术刻出十字叉中心对位线，最后用高温透明胶粘合、固定在未溅射滤光膜的超高精度的硅象限光电探测器的芯片表面或封装管帽光学玻璃片的下表面。
2.根据权利要求1所述的一种特优双全应用的硅象限光电探测器，其特征在于，所述超高精度的硅象限光电探测器自身具有滤光功能。
3.根据权利要求1所述的一种特优双全应用的硅象限光电探测器，其特征在于，所述超高精度的硅象限光电探测器滤光膜透过光的中心波长为1.064微米，透过率≥88％，抑制度≤1％，短波截止于≤0.5微米，长波段不截止且半宽度的一半约为0.064微米。
4.根据权利要求1所述的一种特优双全应用的硅象限光电探测器，其特征在于，所述光学玻璃抛光片的厚度为0.5-0.6mm，而直径大于芯片管芯尺寸或者小于标准TO-25圆形封装管帽内径。
5.根据权利要求1所述的一种特优双全应用的硅象限光电探测器，其特征在于，所述滤光膜均为氧化钛滤光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010712317.3A CN111969068A (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 一种特优双全应用的硅象限光电探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010712317.3A CN111969068A (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 一种特优双全应用的硅象限光电探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111969068A true CN111969068A (zh) | 2020-11-20 |
Family
ID=73362438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010712317.3A Pending CN111969068A (zh) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 一种特优双全应用的硅象限光电探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111969068A (zh) |
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-
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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