CN111969019B - 显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111969019B CN111969019B CN202010859521.8A CN202010859521A CN111969019B CN 111969019 B CN111969019 B CN 111969019B CN 202010859521 A CN202010859521 A CN 202010859521A CN 111969019 B CN111969019 B CN 111969019B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- display panel
- signal line
- display
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施方式涉及显示技术领域，公开了一种显示面板，显示面板具有过渡显示区、以及与过渡显示区相邻的透明显示区，透明显示区具有远离过渡显示区的第一区域、以及与第一区域相邻的第二区域；透明显示区中第一区域的每个第一发光子像素通过一个第一信号线对应连接至过渡显示区的第一像素驱动电路，且每个第一信号线对应连接一第一发光子像素。本发明中显示面板和显示装置，能够提高显示面板透明显示区中第一区域的光线透过率。
Description
技术领域
本发明实施方式涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
电子设备的屏占比一直是用户和制造商家较为关注的焦点，屏占比一般指显示屏面积与电子设备的前面板面积的比例。为了满足大屏占比的需求，全面屏的概念应运而生。为了实现全面屏，在显示面板的透明显示区下方通常对应设置外接的感光元件，因此在感光元件朝向显示面板的一侧不设置像素驱动电路，在与透明显示区相邻的过渡显示区设置像素驱动电路，能够有效地避免像素驱动电路阻挡外界光线射入感光元件，确保了感光元件的光学性能。
然而，发明人发现现有显示面板中通过两层ITO信号线将透明显示区内发光子像素连接至过渡显示区设置的像素驱动电路，导致显示面板光线透过率不高。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板和显示装置，能够提高显示面板透明显示区中第一区域的光线透过率。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：所述显示面板具有过渡显示区、与所述过渡显示区相邻的透明显示区，所述透明显示区具有远离所述过渡显示区的第一区域；所述透明显示区包括：基板、位于所述基板一侧的若干层绝缘层、位于所述绝缘层远离所述基板一侧的多个第一发光子像素；用于驱动所述第一发光子像素发光的第一像素驱动电路设置于所述过渡显示区；所述基板与所述绝缘层之间或者任意两个所述绝缘层之间设置有多个第一信号线，所述第一信号线将位于所述第一区域的所述第一发光子像素和所述第一像素驱动电路电连接，且每个所述第一信号线对应连接一所述第一发光子像素；贯穿所述绝缘层的连接部，所述第一发光子像素通过所述连接部与所述第一信号线电连接。
另外，所述透明显示区还包括：与所述第一区域相邻且靠近所述过渡显示区的第二区域；所述透明显示区还包括：位于所述第二区域、且位于所述绝缘层远离所述基板一侧的多个第二信号线；所述第二信号线将位于所述第二区域的所述第一发光子像素和所述第一像素驱动电路电连接，且每个所述第二信号线对应连接一所述第一发光子像素。
另外，所述第二信号线的宽度在1.5微米至5微米之间；优选地，所述第二信号线的宽度为2微米。
另外，任意相邻两条所述第二信号线的间距，与所述任意相邻两条所述第二信号线中任意一条所述第二信号线的宽度不等。
另外，任意两条所述第二信号线的宽度相等。
另外，所述第二信号线为不规则的信号线。
另外，自所述过渡显示区朝向所述透明显示区的方向上，所述第一信号线的宽度逐渐增大。
另外，任意相邻两个所述第一信号线的间距在2微米至5微米之间。
另外，任意相邻两个所述第一信号线的间距在3微米。
本发明的实施方式还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明实施方式相对于现有技术而言提供了一种显示面板，现有显示面板中透明显示区中第一区域内的每组像素单元中颜色相同的第一发光子像素通过绝缘层上方的信号线连接起来，之后通过绝缘层下方的一条信号线连接至显示面板过渡显示区的像素驱动电路。由于第一区域内包含两层信号线(绝缘层上方的信号线、以及绝缘层下方的信号线)，导致显示面板透明显示区中第一区域的光线透过率不高。本实施方式中通过将显示面板透明显示区中第一区域的每个第一发光子像素通过一个第一信号线对应连接至过渡显示区的第一像素驱动电路，从而无需在绝缘层上形成连接像素单元中颜色相同的第一发光子像素的信号线，提高了显示面板透明显示区中第一区域的光线透过率。
附图说明
一个或多个实施方式通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施方式的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式的显示面板的俯视示意图；
图2是根据本发明第一实施方式的显示面板的第一区域和过渡显示区的剖面结构示意图；
图3是根据本发明第一实施方式的显示面板的第一信号线的俯视示意图；
图4是根据本发明第二实施方式的显示面板透明显示区的剖面结构示意图；
图5是根据本发明第二实施方式的显示面板的第二区域和过渡显示区的剖面结构示意图；
图6是根据本发明第二实施方式的显示面板的第二信号线的俯视示意图。
具体实施方式
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种显示面板，现有显示面板中透明显示区中第一区域内的每组像素单元中颜色相同的第一发光子像素通过绝缘层上方的信号线连接起来，之后通过绝缘层下方的一条信号线连接至显示面板过渡显示区的像素驱动电路。由于第一区域内包含两层信号线(绝缘层上方的信号线、以及绝缘层下方的信号线)，导致显示面板透明显示区中第一区域的光线透过率不高。本实施方式中通过将显示面板透明显示区中第一区域的每个第一发光子像素通过一个第一信号线对应连接至过渡显示区的第一像素驱动电路，从而无需在绝缘层上形成连接像素单元中颜色相同的第一发光子像素的信号线，提高了显示面板透明显示区中第一区域的光线透过率。
下面对本实施方式的显示面板的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
如图1所示，显示面板具有过渡显示区002、与过渡显示区002的透明显示区001。
具体地说，透明显示区001设置有外接的感光元件，过渡显示区002与透明显示区001相邻设置，过渡显示区002内一般不设置外接的感光元件，因此，透明显示区001的光线透过率要高于过渡显示区002的光线透过率。本实施方式附图中以过渡显示区002分别位于透明显示区001的两侧进行说明，但可以理解的是，过渡显示区002仅位于透明显示区001一侧的方案，也属于本实施方式的保护范围之内。在实际应用中，若显示面板内设置多个分隔设置的感光元件时，可根据感光元件的位置来设置透明显示区001以及过渡显示区002。
本实施例中透明显示区001具有远离过渡显示区002的第一区域01。
如图2所示，本实施例透明显示区001包括：基板1、位于基板1一侧的若干绝缘层2、位于绝缘层2远离基板1一侧的多个第一发光子像素3；用于驱动所述第一发光子像素3发光的第一像素驱动电路4设置于过渡显示区002。基板1和绝缘层2之间或者任意两个绝缘层2之间的多个第一信号线5，第一信号线5将位于第一区域01的第一发光子像素3和第一像素驱动电路4电连接，且每个第一信号线5对应连接一第一发光子像素3；贯穿绝缘层2的连接部6，第一发光子像素3通过连接部6与第一信号线5电连接。
具体地说，位于透明显示区001的显示面板具体包括：基板1、位于基板1上的绝缘层2、以及位于绝缘层2远离基板1一侧的多个第一发光子像素3。每个第一发光子像素3包括：依次层叠设置的第一电极图案、发光材料层以及第二电极图案，其中，发光材料层具体包括：空穴注入层(HIL，Hole Inject Layer)、空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)、发光层(EML，Emitting Layer)、电子传输层(ETL，Electron Inject Layer)、电子注入层(EIL，Electron Inject Layer)。
为提高第一区域01的显示面板的透光率，第一区域01的基板1内没有设置第一像素驱动电路4，用于驱动第一发光子像素3发光的第一像素驱动电路4设置于过渡显示区002。本实施方式中位于过渡显示区002的显示面板也包括：基板1、位于基板1上的绝缘层2，还包括：位于绝缘层2远离基板1一侧的多个第二发光子像素。第一像素驱动电路4设置于过渡显示区002的基板1内，第一像素驱动电路4不仅用于驱动第一发光子像素3发光，还用于驱动位于过渡显示区002的第二发光子像素发光。
具体的，第一发光子像素3的第一电极图案与第一像素驱动电路4连接，以实现第一发光子像素3的发光显示。本实施例中第一电极图案可为阳极，阳极的构成材料例如：铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)或银(Ag)等金属元素的单体或合金。另外，第一电极图案也可以包含：由这些金属元素的单体或合金构成的金属膜与具有可见光透射性的导电材料(透明导电膜)的层叠膜。作为透明导电膜，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)类材料等。作为氧化锌类材料，例如添加有铝(Al)的氧化锌(AZO)，和添加有镓(Ga)的氧化锌(GZO)等。
位于过渡显示区002的基板1包括：基底11以及位于基底11上的第一像素驱动电路4。第一像素驱动电路4包括多层膜层结构，具体包括：有源层18；位于有源层18上的栅极结构，该栅极结构包括栅介质层12以及位于栅介质层12上的栅电极层10；位于栅极结构一侧的有源层18内设置有源区(source)，位于栅极结构另一侧的有源层18内设置有漏区(drain)；位于栅介质层12上的第一电容导电层21；覆盖栅极结构、第一电容导电层21以及有源层18的电容介质层13；位于电容介质层13上且与第一电容导电层21位置正对的第二电容导电层22，第一电容导电层21与第二电容导电层22构成存储电容；覆盖电容介质层13以及第二电容导电层22的绝缘介质层14；绝缘介质层14远离基底11的一侧还设置有平坦化层15；平坦化层15远离基底11的一侧还设置有保护层16；贯穿绝缘介质层14、电容介质层13、栅介质层12且与源区电连接的源极17，以及贯穿保护层16、平坦化层15、绝缘介质层14、电容介质层13、栅介质层12且与漏区电连接的漏极19。
本实施方式中绝缘层2以单层示出，绝缘层2位于保护层16远离基底11的一侧，第一信号线5则位于绝缘层2和保护层16之间，第一发光子像素3位于绝缘层2远离基底11的一侧、且位于像素定义层7定义出的开口内。连接部6电连接第一发光子像素3、且贯穿绝缘层2与第一信号线5电连接。本实施方式中第一发光子像素3可通过连接部6和第一信号线5连接至第一像素驱动电路4的源极17或漏极19，附图2中以第一发光子像素3连接至第一像素驱动电路4的漏极19进行图示说明，但不应以此为限。
在实际应用中，设置有多层绝缘层2，第一信号线5也可设置于任意两个绝缘层2之间(附图中并未示出)。
综上，现有显示面板中透明显示区001的每组像素单元中颜色相同的第一发光子像素3通过绝缘层2上方的信号线连接起来，之后通过绝缘层2下方的一条信号线连接至显示面板过渡显示区002的第一像素驱动电路4。由于第一区域01内包含两层信号线(绝缘层上方的信号线、以及绝缘层下方的信号线)，导致显示面板透明显示区001中第一区域01的光线透过率不高。而本实施方式中，透明显示区001的第一区域01内每个第一发光子像素3均通过一个第一信号线5对应电连接至过渡显示区002的第一像素驱动电路4，从而无需在绝缘层2上形成连接像素单元中颜色相同的第一发光子像素3的信号线，进一步提高了显示面板透明显示区001中第一区域01的光线透过率。
本实施例中，第一像素驱动电路4内包括至少一个薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)以及至少一个存储电容，薄膜晶体管可以为低温多晶硅(LTPS，LowTemperature Poly-silicon)薄膜晶体管。可以理解的是，第一像素驱动电路4还可以包括其他膜层结构，上述只是列举了最常见的薄膜晶体管的结构作为示例。其中，薄膜晶体管可以为开关管和/或驱动管。
值得说明的是，为进一步提高显示面板透明显示区001中第一区域01的光线透过率，第一信号线5和连接部6的材料为透明电极材料，例如ITO、IZO；在其他实施例中，第一信号线5和连接部6的材料也可以为Mg/Ag合金、Al、Li、Ca或In的一种或者多种。
附图2中所示的连接部6的结构仅为方便图示说明，不应以此为限，只要能够起到电连接第一发光子像素3和第一信号线4作用的连接部6结构，均在本实施方式的保护范围之内。为方便示例说明，图2中将过渡显示区002与透明显示区001的第一区域01相邻，但在实际应用中，过渡显示区002与第一区域01之间还包括：距离过渡显示区002较近的透明显示区001部分(图2中未示出)。图2中所示的第一信号线4的长度较短，但在实际应用中根据透明显示区001的第一区域01内第一发光子像素3的位置，第一信号线4的长度会相应发生变化。
进一步地，如图3所示，自过渡显示区002朝向透明显示区001的方向上，第一信号线5的宽度逐渐增大。
具体地说，由于透明显示区001中第一区域01内对应第一发光子像素3和过渡显示区002的第一像素驱动电路4连接，距离较远，因此，第一信号线5的电阻大小会影响到第一区域01内第一发光子像素3的显示均一性。若将第一信号线5任意位置的宽度设置相同，则会由于第一信号线5的长度而带来较大的电阻，使得越靠近第一区域01的中间位置，第一发光子像素3的亮度越低。自过渡显示区002朝向透明显示区001的方向上，第一发光子像素3的数目逐渐增多，相应的，第一信号线5的数目逐渐增多，本实施例中，自过渡显示区002朝向透明显示区001的方向上，第一信号线5的宽度逐渐增大，在保证第一信号线5不交叠的情况下，避免了第一信号线5任意位置的宽度设置相同而带来的较大电阻，从而提升了透明显示区001中第一区域01显示面板的显示均一性。
可实现地，任意相邻两个第一信号线5的间距S在2微米至5微米之间。本实施方式中设置相邻两个第一信号线5的间距S在2微米至5微米之间，既能够避免相邻两个第一信号线5的间距过窄而对制备精度要求过高、或形成电信号干扰的情况，又能够避免相邻两个第一信号线5的间距过宽而导致第一信号线5形成较大电阻。
较佳的，相邻两个第一信号线5的间距S在3微米。此时，对于制备第一信号线5的精度要求不高，还能够很好地避免相邻第一信号线5之间形成电信号干扰，确保第一信号线5的正常使用，同时避免第一信号线5形成较大电阻。
与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种显示面板，现有显示面板中透明显示区001第一区域01内的每组像素单元中颜色相同的第一发光子像素3通过绝缘层2上方的信号线连接起来，之后通过绝缘层2下方的一条信号线连接至显示面板过渡显示区002的像素驱动电路。由于第一区域01内包含两层信号线(绝缘层上方的信号线、以及绝缘层下方的信号线)，导致显示面板透明显示区001第一区域01的光线透过率不高。本实施方式中通过将显示面板透明显示区001中第一区域01的每个第一发光子像素3通过一个第一信号线5对应连接至过渡显示区002的第一像素驱动电路4，从而无需在绝缘层2上形成连接像素单元中颜色相同的第一发光子像素3的信号线，提高了显示面板透明显示区001中第一区域01的光线透过率。
本发明的第二实施方式涉及一种显示面板，本实施方式的结构示意图如图4所示，第二实施方式是对第一实施方式的改进，主要改进之处在于，进一步提高了显示面板透明显示区001中第一区域01的分辨率。
需要说明的是，与前一实施例相同或相应的部分，请详细参考上一实施例，本实施方式中将不做详细赘述。
结合第一实施方式中图1所示，本实施例中显示面板透明显示区001还包括：与第一区域01相邻且靠近过渡显示区002的第二区域02。图中可以看出，第一区域01位于透明显示区001的中间部位，第二区域02位于透明显示区001靠近过渡显示区002的边缘位置，且第二区域02分别与第一区域01和过渡显示区002相邻。其中，第一区域01和第二区域02的面积占比可以为6:4、7:3、8:2或9:1等，只要保证透明显示区001感光元件的正常使用以及过渡显示区002中第一像素驱动电路4的正常设置，第一区域01和第二区域02的面积占比可根据实际需求进行设置。另外，当过渡显示区002位于透明显示区001的两侧时，第二区域02位于第一区域01的两侧。为了保证视觉效果的美观，位于第一区域01的两侧的第二区域02可呈轴对称设置。
较佳的，当过渡显示区002位于透明显示区001的两侧时，透明显示区001中第一发光子像素3与距离该第一发光子像素3较近的过渡显示区002内的第一像素驱动电路4电连接，从而避免第一信号线5没有意义地拉长而带来更大的电阻。
如图4和图5所示，位于透明显示区001的显示面板还包括：位于第二区域02、且位于绝缘层2远离基板1一侧的多个第二信号线8；第二信号线8将位于第二区域02的第一发光子像素3和第一像素驱动电路4电连接，且每个第二信号线8对应连接一第一发光子像素3。
具体地说，现有技术中透明显示区001所有的第一发光子像素3均通过绝缘层2下方的一条信号线连接至过渡显示区002的第一像素驱动电路4。由于透明显示区001的面积有限，因此，对于透明显示区001内容置的信号线的数目有限制，从而对于透明显示区001内第一发光子像素3的数目造成限制。本实施例中将透明显示区001划分为靠近过渡显示区002的第二区域02和远离过渡显示区002的第一区域01，且去除第二区域02绝缘层2下方连接第二区域02中第一发光子像素3和第一像素驱动电路4的信号线，将位于第二区域02的第一发光子像素3通过绝缘层2上方的第二信号线8电连接至过渡显示区002的第一像素驱动电路4，第二信号线8不占用第一区域01中第一信号线5的走线空间，因此为第一信号线5的设置留出空间，可在第一区域01内多设置几组第一发光子像素3，以提高显示面板透明显示区001第一区域01的分辨率。且由于第二区域02位于透明显示区001靠近过渡显示区002的边缘位置，对于第二区域02的透光率要求不高，因此，不会影响到第二区域02的使用。
值得说明的是，为方便图示说明，附图4中第一区域01内的第一发光子像素3仅示出两个，第二区域02内的第一发光子像素3以单个示出，但本领域技术人员可以理解，第一区域01和第二区域02内的第一发光子像素3可为多个。附图4中未示出绝缘层下方膜层的结构，但可以理解，图4中绝缘层下方膜层的结构与图5中所示膜层结构大致相同。
可实现地，如图6所示，第二信号线8的宽度L2在1.5微米至5微米之间。本实施例中既能够避免第二信号线8的宽度W较窄而对制备精度要求过高的情况，又能够避免第二信号线8的宽度W过宽而影响到显示面板第二区域02的透光率。
较佳的，第二信号线8的宽度W为2微米。此时，对于第二信号线8的精度要求不高，且尽可能地避免了第二信号线8的宽度W过宽对显示面板第二区域02的透光率的影响。
值得说明的是，任意相邻两条第二信号线8的间距，与任意相邻两条第二信号线8中任意一条第二信号线8的宽度W不等。由于当第二信号线8的宽度W与相邻两条第二信号线8之间的间距相等时，会在显示面板中形成衍射，且满足上述情况的第二信号线8的数目越多，衍射越严重，影响显示面板的显示。为减小显示面板内衍射，本实施例中任意相邻两条第二信号线8的间距，与任意相邻两条第二信号线8中任意一条第二信号线8的宽度W不等。
进一步地，为进一步减小显示面板内衍射，可将第二信号线8设置为不规则的信号线。第二信号线8的走线方式无规律可循，例如:第二信号线8可以为具有多个不同弯折角的曲线，或多个不同弯折角的折线。
进一步地，任意两条第二信号线8的宽度W相等。该方案中将任意两条第二信号线8的宽度W相等，避免由于第二信号线8宽度不同而导致电阻值不同，从而影响透明显示区001中第二区域02的显示均一性。
与现有技术相比，本发明实施方式中提供了一种显示面板，将透明显示区001划分为靠近过渡显示区002的第二区域，且去除第二区域02绝缘层2下方连接第二区域02第一发光子像素3和第一像素驱动电路4的信号线，将位于第二区域02的第一发光子像素3通过绝缘层2远离基板1一侧的第二信号线8电连接至过渡显示区002的第一像素驱动电路4，第二信号线8不占用第一区域01中第一信号线5的走线空间，因此为第一信号线5的设置留出空间，可在第一区域01内多设置几组第一发光子像素3，以提高显示面板第一区域01的分辨率。且由于第二区域02位于透明显示区001靠近过渡显示区002的边缘位置，对于第二区域02的透光率要求不高，因此，不会影响到显示面板第二区域02的使用。
本发明的第三实施方式涉及一种显示装置，包括：上述第一或第二实施方式中的显示面板。显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、数码相框或者导航仪等具有电视功能的产品或者部件。
进一步地，显示装置还包括感光元件，感光元件与第一或第二实施方式中第一区域的位置相对应，感光元件可以为摄像头或者指纹识别芯片等。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有过渡显示区、与所述过渡显示区相邻的透明显示区，所述透明显示区具有远离所述过渡显示区的第一区域；
所述透明显示区包括：基板、位于所述基板一侧的若干绝缘层、位于所述绝缘层远离所述基板一侧的多个第一发光子像素；用于驱动所述第一发光子像素发光的第一像素驱动电路设置于所述过渡显示区；
所述基板与所述绝缘层之间或者任意两个所述绝缘层之间设置有多个第一信号线，所述第一信号线将位于所述第一区域的所述第一发光子像素和所述第一像素驱动电路电连接，且每个所述第一信号线对应连接一所述第一发光子像素；
贯穿所述绝缘层的连接部，每个所述第一发光子像素通过对应的所述连接部直接与所述第一信号线电连接；
自所述过渡显示区朝向所述透明显示区的方向上，所述第一信号线的宽度逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述透明显示区还包括：与所述第一区域相邻且靠近所述过渡显示区的第二区域；
所述透明显示区还包括：位于所述第二区域、且位于所述绝缘层远离所述基板一侧的多个第二信号线；
所述第二信号线将位于所述第二区域的所述第一发光子像素和所述第一像素驱动电路电连接，且每个所述第二信号线对应连接一所述第一发光子像素。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二信号线的宽度在1.5微米至5微米之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二信号线的宽度为2微米。
5.根据权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两条所述第二信号线的间距，与所述任意相邻两条所述第二信号线中任意一条所述第二信号线的宽度不等。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，任意两条所述第二信号线的宽度相等。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二信号线为不规则的信号线。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一信号线的间距在2微米至5微米之间。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，任意相邻两个所述第一信号线的间距在3微米。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：上述权利要求1至9中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010859521.8A CN111969019B (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010859521.8A CN111969019B (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 显示面板和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111969019A CN111969019A (zh) | 2020-11-20 |
| CN111969019B true CN111969019B (zh) | 2024-05-07 |
Family
ID=73390174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010859521.8A Active CN111969019B (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111969019B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4141948A4 (en) * | 2021-02-19 | 2023-10-04 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110890026A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-17 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2020
- 2020-08-24 CN CN202010859521.8A patent/CN111969019B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110890026A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-17 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111969019A (zh) | 2020-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10818740B2 (en) | Organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display apparatus | |
| US11930676B2 (en) | Display panel and display device | |
| CN107579102B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN104885251B (zh) | 透明的有机发光显示装置及其制造方法 | |
| WO2020124940A1 (en) | Oled substrate and oled display apparatus | |
| KR20190132603A (ko) | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
| CN103296052B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR102400302B1 (ko) | 표시 패널 및 이의 점등 검사선 형성 방법 | |
| US20220293706A1 (en) | Display panel having divided area sub-pixel units | |
| US11647657B2 (en) | Display panel and display device | |
| WO2022017020A1 (zh) | 一种显示装置及其制作方法 | |
| US11856821B2 (en) | Display device | |
| US20230284505A1 (en) | Display panel and display device | |
| KR20070020675A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| US20240045541A1 (en) | Display panel, display device and method for fabricating the display panel | |
| US11561634B2 (en) | Display module, fabrication method thereof and display device | |
| CN111969019B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| US20240114743A1 (en) | Display module having increased transmittance and electronic device including the display module | |
| US20190237695A1 (en) | Oled display panel, display device and manufacturing method of oled display panel | |
| KR102407538B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20200102041A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN110047896B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
| US11329194B2 (en) | Display panel and display device | |
| CN112599712A (zh) | 显示装置、显示面板及其制备方法 | |
| CN112802866A (zh) | 背光源制备方法，背光源及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |