CN111952359B - 显示面板及显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及显示面板及显示设备,显示面板包括基板、第一栅极驱动电路、第二栅极驱动电路、若干薄膜晶体管、第一扫描信号线和第二扫描信号线,第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路分别设置于基板不同位置;每一薄膜晶体管均包括第一栅电极、第二栅电极和有源层,有源层设置于第一栅电极和第二栅电极之间;第一扫描信号线一端连接第一栅极驱动电路,另外一端依序连接若干薄膜晶体管的第一栅电极,第二扫描信号线一端连接第二栅极驱动电路,另外一端沿第一扫描信号线连接第一栅电极的反向顺序,依序连接若干薄膜晶体管的第二栅电极,本申请能够改善显示面板发光不均。

Description

显示面板及显示设备
技术领域
本申请涉及半导体器件技术领域,特别是涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
近年来,在诸如液晶显示器、有机电致发光显示器和无机电致发光显示器之类的显示终端中,薄膜晶体管(TFT)用作控制每个发光单元的操作的开关器件和用作驱动发光单元的驱动器件。其中,有源矩阵有机发光显示器(Active Matrix Organic LightingEmitting Display,简称AMOLED),利用薄膜晶体管(TFT)控制有机发光二极管(OrganicLighting Emitting Diode,简称OLED)的亮度和灰阶表现,从而显示图像。随着源矩阵有机发光显示器的尺寸越来越大,扫描信号线越来越长,从起点到终点的压降越明显,从而导致因薄膜晶体管压降,带来源矩阵有机发光显示器亮度不均(mura)风险越大。
发明内容
有鉴于此,本申请主要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示设备,能够改善显示面板亮度不均。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:一种显示面板,包括基板、第一栅极驱动电路、第二栅极驱动电路、若干薄膜晶体管、第一扫描信号线和第二扫描信号线,第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路分别设置于基板不同位置;每一薄膜晶体管均包括第一栅电极、第二栅电极和有源层,有源层设置于第一栅电极和第二栅电极之间;第一扫描信号线一端连接第一栅极驱动电路,另外一端依序连接若干薄膜晶体管的第一栅电极,第二扫描信号线一端连接第二栅极驱动电路,另外一端沿第一扫描信号线连接第一栅电极的反向顺序,依序连接若干薄膜晶体管的第二栅电极。
其中,第一栅极驱动电路能够输出第一扫描信号,第二栅极驱动电路能够输出第二扫描信号,并且在所有薄膜晶体管中第一栅电极和第二栅电极之间产生的栅电极压降均相同或误差在允许范围内。
作为其中一优选方案,第一栅电极和第二栅电极的材质、厚度及面积均相同,第一扫描信号线和第二扫描信号线的电阻相同。
作为其中另一优选方案,第一栅电极和第二栅电极的材质、面积、厚度至少一种不同,第一栅电极和第二栅电极的电阻相同,第一扫描信号线和第二扫描信号线的电阻相同。
其中,第一栅电极在基板上的投影位于有源层在基板的投影内,第二栅电极在基板上的投影位于有源层在基板的投影内。
其中,第一栅电极和第二栅电极在基板上的投影重叠,或第一栅电极和第二栅电极在基板上的投影部分重叠。
其中,薄膜晶体管包括栅绝缘层,栅绝缘层包括第一子栅绝缘层和第二子栅绝缘层,有源层设置于第一子栅绝缘层和第二子栅绝缘层之间,第一子栅绝缘层设置于第一栅电极和有源层之间,第二子栅绝缘层设置于有源层与第二栅电极之间;薄膜晶体管包括:源极层和漏极层,源极层与有源层的一端连接,有源层远离源极层的一端与漏极层连接。
其中,第一栅电极的材料包括钼、钕或铝钕合金的任意一种,第二栅电极的材料包括钼、钕或铝钕合金的任意一种。
其中,显示面板还包括若干发光单元,薄膜晶体管与发光单元对应连接。
本申请还包括第二种技术方案,一种显示设备,包括面板驱动电路和上述的显示面板,面板驱动电路用于驱动显示面板。
其中,显示面板为柔性显示面板。
本申请的有益效果是:区别于现有技术,本申请的显示面板通过将薄膜晶体管设置成在有源层两侧具有第一栅电极和第二栅电极,采用两端对薄膜晶体管输送扫描电压,通过设置第一扫描信号线和第二扫描信号线,并通过控制第二扫描信号线与第一扫描信号连连接的若干薄膜晶体管的第一栅电极和第二栅电极的顺序相反,以使得第一栅极驱动电路输出至第一扫描信号线上的电流流向与第二栅极驱动电路输出至第二扫描信号线上电流流向相反,从而可以改善同时连接在第一扫描信号线和第二扫描信号线之间的若干薄膜晶体管之间的压降,使得若干薄膜晶体管之间的扫描电压趋于一致,从而可以改善显示面板出现亮度不均的现象,改善显示面板因显示面板过大而出现显示面板亮度存在亮度不均的现象。
附图说明
图1是本申请显示面板一实施例的结构框图;
图2是本申请薄膜晶体管一实施例的结构示意图;
图3是本申请显示面板另一实施例的结构框图;
图4是本申请薄膜晶体管另一实施例的结构示意图;
图5是本申请薄膜晶体管的栅电极压差图。
其中,10、基板;20、第一栅极驱动电路;30、第二栅极驱动电路;40、第一扫描信号线;50、第二扫描信号线;60、薄膜晶体管;70、发光单元;61、第一栅电极;62、第二栅电极;63、栅绝缘层;64、有源层;631、第一子栅绝缘层;632、第二子栅绝缘层;65、源极层;66、漏极层;67、无机层;68、引线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
如图1所示,本申请提供一种显示面板,包括基板10、第一栅极驱动电路20、第二栅极驱动电路30、若干薄膜晶体管60、第一扫描信号线40和第二扫描信号线50。第一栅极驱动电路20和第二栅极驱动电路30分别设置于基板10不同位置。图2所示,每一薄膜晶体管60均包括第一栅电极61、第二栅电极62和有源层64,其中,有源层64位于第一栅电极61和第二栅电极62之间。
第一扫描信号线40一端连接第一栅极驱动电路20,另外一端依序连接若干薄膜晶体管60的第一栅电极61。
第二扫描信号线50一端连接第二栅极驱动电路30,另外一端沿第一扫描信号线40连接第一栅电极61的反向顺序,依序连接若干薄膜晶体管60的第二栅电极62。
本申请实施例中,第一扫描信号线40的另外一端依序连接若干薄膜晶体管60的第一栅电极61,其中,“依序”是按照若干薄膜晶体管60的排列顺序。本申请一实施例中,“依序”是按照若干薄膜晶体管60的横向排列顺序。
本申请实施例的显示面板,通过将薄膜晶体管60设置成在有源层64两侧具有第一栅电极61和第二栅电极62的薄膜晶体管60,采用两端对薄膜晶体管60输送扫描电压,同时通过设置第一扫描信号线40和第二扫描信号线50,并通过控制第二扫描信号线50与第一扫描信号连连接的若干薄膜晶体管60的第一栅电极61和第二栅电极62的顺序相反,使得第一栅极驱动电路20输出至第一扫描信号线40上的电流流向与第二栅极驱动电路30输出至第二扫描信号线50上电流流向相反。每个薄膜晶体管60在第一扫描信号线40、第二扫描信号线50的位置形成互补关系,也就是说薄膜晶体管60离连接第一扫描信号线40的第一栅极驱动电路20越远,就离连接第二扫描信号线50的第二栅极驱动电路30越近,第一栅极驱动电路20和第二栅极驱动电路30分别施加到同一个薄膜晶体管60的电压也就形成互补关系,从而可以改善同时连接在第一扫描信号线40和第二扫描信号线50之间的若干薄膜晶体管60之间的压降,克服扫描信号线较长、阻抗较大所造成的薄膜晶体管60之间存在压降的情况,改善不同位置的电流出现差异。使得若干薄膜晶体管60之间的扫描电压趋于一致,使得不同位置的电流趋向一致,从而可以改善显示面板出现亮度不均的现象,改善显示面板因显示面板过大而出现亮度不均的现象。
本申请实施例中,如图3所示,显示面板包括发光单元70,薄膜晶体管60与发光单元70对应连接。具体地,本申请实施例中,每个薄膜晶体管60对应连接一个发光单元70,使得每个薄膜晶体管60控制一个发光单元70,以便于控制每个发光单元70的亮度。发光单元70包括阳极层、有机发光层和阴极层等,本申请实施例中对发光单元70的具体结构、材料不做限定,可根据显示面板的显示方式设置。
具体地,为方便描述,以三个薄膜晶体管60数量为例进行说明,为了便于区分,三个薄膜晶体管60分别为第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602和第三薄膜晶体管603;如图3所示,从左至右第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602和第三薄膜晶体管603依次排布,第一扫描信号线40自第一栅极驱动电路20引出,向右延伸,延伸过程中依序和第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603的各个第一栅电极61连接,第二扫描信号线50自第二栅极驱动电路30引出,向左延伸,延伸过程中依序和第三薄膜晶体管603、第二薄膜晶体管602、第一薄膜晶体管601的第二栅电极62连接。
其中,本申请实施例中,第一栅极驱动电路20输出的电压为U,第一薄膜晶体管601的第一栅电极61一端的电压为U1,第二薄膜晶体管602的第一栅电极61一端的电压为U2,第三薄膜晶体管603的第一栅电极61一端的电压为U3;第二栅极驱动电路30输出的电压为U’,第一薄膜晶体管601的第二栅电极62一端的电压为U3’,第二薄膜晶体管602的第二栅电极62一端的电压为U2’,第三薄膜晶体管603的第二栅极一端的电压为U1’。本申请实施例中,第一薄膜晶体管601第一栅电极61和第二栅电极62之间的栅电极压差为U1-U3’=Ug1,第二薄膜晶体管602第一栅电极61和第二栅电极62之间的栅电极压差为U2-U2’=Ug2,第三薄膜晶体管603第一栅电极61和第二栅电极62之间的栅电极压差为U3-U1’=Ug3。本申请实施例中,第一栅极驱动电路20输出的电压流经第一扫描信号线40时,第一扫描信号线40存在压降,使得U1、U2、U3依次减小;第二栅极驱动电路30输出的电压流经第二扫描信号线50时,第二扫描信号线50存在压降,使得U1’、U2’、U3’的绝对值依次减小;因此,Ug1、Ug2、Ug3相互之间相差减小。具体地,例如,当第一栅极驱动电路20的U=5V,第二栅极驱动电路30输出的电压U’=-4V,若第一扫描信号线40在第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603之间的压降均为1V,则U1=4V,U2=3V,U3=2V;若第二扫描信号线50在第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603之间的压降均为0.8V,则U1’=-3.2V,U2’=-2.4V,U3’=-1.6V;因此,Ug1=U1-U3’=4V-(-1.6V)=5.6V;Ug2=U2-U2’=3V-(-2.4V)=5.4V;Ug3=U3-U1’=2V-(-3.2V)=5.2V。由此可见,Ug1、Ug2、Ug3的栅电极压差依次为5.6V、5.4V和5.2V,相对于第一扫描信号线40的1V的压降或相对于第二扫描信号线50的0.8V的压降,本申请实施第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603之间的0.2V的压降显著减小,可以提高显示面板的亮度的均匀性。
上述一实施例中,第一扫描信号线40在第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603之间的压降1V,与第一扫描信号线40在第三薄膜晶体管603、第二薄膜晶体管602、第一薄膜晶体管601之间的压降的0.8V不同。其中,第一栅极驱动电路20和第二栅极驱动电路30能够分别输出第一扫描信号和第二扫描信号,并且在所有薄膜晶体管60中第一栅电极61和第二栅电极62之间产生的栅电极压差均不同。为了进一步提高显示面板亮度的均匀性,本申请实施例采用下述技术方案。
具体地,本申请实施例中,第一栅极驱动电路20能够输出第一扫描信号,第二栅极驱动电路30能够输出第二扫描信号,并且在所有薄膜晶体管60中第一栅电极61和第二栅电极62之间产生的栅电极压差均相同或误差在允许范围内。若所有薄膜晶体管60中,第一栅电极61和第二栅电极62之间产生的栅电极压差均相同,则可以实现显示面板控制发光单元70发光亮度均匀。若所有薄膜晶体管60中第一栅电极61和第二栅电极62之间产生的栅电极压差趋向于相同,存在一定误差,误差是允许范围内,例如是显示面板显示效果差异允许的范围内,可以实现显示面板显示趋于均匀。例如,如图5所示,随着第一扫描信号线40长度的延伸,若第一扫描信号线40在第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603之间的压降相同、均为1V;随着第二扫描信号线50长度的延伸,第二扫描信号线50在第一薄膜晶体管601、第二薄膜晶体管602、第三薄膜晶体管603之间的压降也均为1V,当第一栅极驱动电路20的U=5V,则U1=4V,U2=3V,U3=2V;第二栅极驱动电路30输出的电压U’=-4V,则U1’=-3V,U2’=-2V,U3’=-1V;因此,Ug1=U1-U3’=4V-(-1V)=5V;Ug2=U2-U2’=3V-(-2V)=5V;Ug3=U3-U1’=2V-(-3V)=5V。由此可见,Ug1、Ug2、Ug3的压差均为5V,本申请实施例的若干薄膜晶体管60的栅电极压差Ug均相等,薄膜晶体管60之间无压降,可以使得显示面板的亮度均匀。
在更多的实施例中,薄膜晶体管60可以是矩阵式排列,每行/列均有一对第一扫描信号线40、第二扫描信号线50进行驱动,每行/列薄膜晶体管60数量依实际需要设定,不再赘述。
作为本申请一优选方案,第一栅电极61和第二栅电极62的材质、面积、厚度均相同,第一扫描信号线40和第二扫描信号线50的电阻相同。本申请实施例中,通过控制第一栅电极61和第二栅电极62材质、面积、厚度相同,使得第一栅电极61和第二栅电极62所消耗的电压相同,以促使发光单元70获得的电压差相同。本申请实施例通过控制第一扫描信号线40和第二扫描信号线50的电阻相同,使得在第一扫描信号线40和第二扫描信号线50长度相同的情况下,第一驱动电路流经第一扫描信号线40所形成的压降和第二驱动电路流经第二扫描信号线50所形成的压降相同,由于本申请实施例中,所有第一栅电极61同时依次连接第一扫描信号线40,所有第二栅电极62同时依次连接第二扫描信号线50且与第一扫描信号线40连接第一栅电极61的方向相反,从而易使得发光单元70获得的压差相同。
作为其中另一优选方案,第一扫描信号线40和第二扫描信号线50的电阻相同,使得在第一扫描信号线40和第二扫描信号线50长度相同的情况下,第一驱动电路流经第一扫描信号线40所形成的压降和第二驱动电路流经第二扫描信号线50所形成的压降相同。本实施例中,第一栅电极61在基板10上的投影位于有源层64在基板10的投影内,第二栅电极62在基板10上的投影位于有源层64在基板10的投影内,第一栅电极61和第二栅电极62的材质、面积、厚度至少一种不同,第一栅电极61和第二栅电极62的电阻相同。第一栅电极61和第二栅电极62通过控制电阻相同,使得第一栅电极61和第二栅电极62在流经电流相同的情况下,第一栅电极61和第二栅电极62之间产生的栅电极压差均相同,则可以实现显示面板控制发光单元70发光亮度均匀。本申请实施例中,通过控制第一栅电极61和第二栅电极62的材质不同,并控制第一栅电极61和第二栅电极62的厚度和面积使得第一栅电极61和第二栅电极62的电阻相同。本申请实施例中,第一栅电极61和第二栅电极62的面积相同,通过控制第一栅电极61和第二栅电极62的厚度以实现控制第一栅电极61和第二栅电极62的电阻相同。通过控制第一栅电极61和第二栅电极62材质不同,可以根据材质的属性及工艺制作条件,使得薄膜晶体管60在进行制作(例如采用蒸镀PVD法)时,若有倾斜的坡度的区域,可以较好的在倾斜的坡度上制作出相应的材质,使得第一栅电极61和/或第二栅电极62能够较好的附着于倾斜的坡度上,或使得其他材质能够较好的附着于倾斜的第一栅电极61和/或第二栅电极62上,使得在坡度位置处的第一栅电极61、第二栅电极62或其他材质不会存在空隙,提高薄膜晶体管60的良率。
在再一实施例中,第一扫描信号线40和第二扫描信号线50的电阻不相同,第一栅电极61和第二栅电极62不同,通过控制第一扫描信号线40和第一栅电极61所形成压降之和与第二扫描信号线50和第二栅电极62所形成的压降之和相同,例如,第一扫描信号线40的电阻大于第二扫描信号线50的电阻,则控制第一栅电极61的电阻小于第二栅电极62的电阻。即到达第一驱动电路流经第一扫描信号线40所形成的压降和第二驱动电路流经第二扫描信号线50所形成的压降相同即可。
本申请实施例中,第一栅电极61的材料包括钼、钕或铝钕合金的任意一种,第二栅电极62的材料包括钼、钕或铝钕合金的任意一种。例如,本申请实施例中,第一栅电极61和第二栅电极62的材料均为钼,在其他实施例中,第一栅电极61和第二栅电极62的材料均为钕或均为铝钕合金。在另一优选实施例中,第一栅电极61的材质为钼,第二栅电极62的材质为铝钕合金;或第二栅电极62为铝钕合金,第二栅电极62为钕;第一栅电极61和第二栅电极62的材质不同,可以提高薄膜晶体管60的良率。
其中,第一栅电极61和第二栅电极62在基板10上的投影重叠,具体地,本申请实施例中,第一栅电极61、第二栅电极62和有源层64在基板10上的投影均重叠;使得薄膜晶体管60的横向尺寸较小,占据面积较小,提高显示面板的集成效果。
其中,在本申请另一实施例中,第一栅电极61和第二栅电极62在基板10上的投影部分重叠,第一栅电极61和第二栅电极62的面积小于有源层64的面积,仅第一栅电极61和第二栅电极62在基板10上的投影部分重叠,有源层64在基板10上的投影覆盖第一栅电极61和第二栅电极62在基板10上的投影。在另一实施例中,也可以是第一栅电极61和第二栅电极62在基板10上的投影不重叠,实现完全错位。
本申请实施例中,薄膜晶体管60包括栅绝缘层63,栅绝缘层63包括第一子栅绝缘层631和第二子栅绝缘层632,有源层64设置于第一子栅绝缘层631和第二子栅绝缘层632之间,第一子栅绝缘层631设置于第一栅电极61和有源层64之间,第二子栅绝缘层632设置于有源层64与第二栅电极62之间;薄膜晶体管60包括:源极层65和漏极层66,源极层65与所述有源层64的一端连接,所述有源层64远离所述源极层65的一端与所述漏极层66连接。本申请实施例中,薄膜晶体管60的源极层65与发光单元70连接;漏极层66用于与数据线连接,用于为发光单元70输入数据信号。
本申请一实施例中,如图2所示,在基板10层一侧依次设置第一栅电极61、第一子栅绝缘层631,第一子栅绝缘层631覆盖第一栅电极61并与基板10层接触,第一子栅绝缘层631远离基板10层一侧设置源极层65、漏极层66和有源层64,其中,源极层65、漏极层66分别位于有源层64两侧并与有源层64连接;源极层65、漏极层66和有源层64远离基板10一侧设置第二子栅绝缘层632,第二子栅绝缘层632远离基板10一侧设置第二栅电极62,其中,第二栅电极62、第一栅电极61和有源层64正对设置,且面积相等;第二子栅绝缘层632上设置两个开孔,每个开孔对应源极层65和漏极层66,并在开孔工设置引线68,以便于将源极层65和漏极层66连接入电路中。在其他实施例中,显示面板还包括缓冲层,缓冲层设置于第一栅电极61与第一子栅绝缘层631之间,和/或缓冲层设置于第二子栅绝缘层632与第二栅电极62之间。
在另一实施例中,如图4所示,在基板10层一侧依次设置第一栅电极61、第一子栅绝缘层631、有源层64、第二子栅绝缘层632、第二栅电极62和无机层67,位于无机层67上的源极层65和漏极层66,其中,在有源层64的两侧的无机层67及第二子栅绝缘层632上设置通孔,使得源极层65和漏极层66分别连接至有源层64的两侧。本申请实施例中,第一栅电极61设置于第一子栅绝缘层631顶端,第二栅电极62设置于第二子栅绝缘层632顶端,第一栅电极61和第二栅电极62的面积小于有源层64的面积,且第一栅电极61和第二栅电极62正对设置。本申请实施例中,第一栅电极61和第二栅电极62的材质不同,可以根据不同栅电极性质不同,使得第一栅电极61、第二子栅绝缘层632和无机层67能够较好的附着于倾斜的坡度上,避免制作过程中第一栅电极61、第二子栅绝缘层632和无机层67在倾斜的坡度上无法完全沉积连续的第一栅电极61、第二子栅绝缘层632或无机层67,从而提高显示面板的良率。
本申请还包括第二种技术方案,一种显示设备,包括面板驱动电路和上述的显示面板,面板驱动电路用于驱动显示面板。作为优选,显示面板为柔性显示面板。本申请实施例中的显示设备可以改善显示面板出现亮度不均的现象,改善显示面板因显示面板大小差异而出现显示面板存在亮度不均的现象。本申请实施例的显示设备包括柔性显示面板,柔性显示面板制作较大面积时,其仍然可以发光亮度均匀,显示设备可以是静态曲面显示设备也可以是柔性设备。
以上仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路,分别设置于所述基板不同位置;
若干薄膜晶体管,每一所述薄膜晶体管均包括第一栅电极、第二栅电极和有源层,所述有源层设置于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间;
第一扫描信号线和第二扫描信号线,所述第一扫描信号线一端连接所述第一栅极驱动电路,另外一端依序连接所述若干薄膜晶体管的所述第一栅电极,所述第二扫描信号线一端连接所述第二栅极驱动电路,另外一端沿所述第一扫描信号线连接所述第一栅电极的反向顺序,依序连接所述若干薄膜晶体管的所述第二栅电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅极驱动电路能够输出第一扫描信号,所述第二栅极驱动电路能够输出第二扫描信号,并且在所有所述薄膜晶体管中所述第一栅电极和所述第二栅电极之间产生的栅电极压差均相同或误差在允许范围内。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅电极和所述第二栅电极的材质、厚度及面积均相同,所述第一扫描信号线和所述第二扫描信号线的电阻相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅电极和所述第二栅电极的材质、面积、厚度至少一种不同,所述第一栅电极和所述第二栅电极的电阻相同,所述第一扫描信号线和所述第二扫描信号线的电阻相同。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅电极在所述基板上的投影位于所述有源层在所述基板的投影内,所述第二栅电极在所述基板上的投影位于所述有源层在所述基板的投影内。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述基板上的投影重叠,或所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述基板上的投影部分重叠。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅绝缘层,所述栅绝缘层包括第一子栅绝缘层和第二子栅绝缘层,所述有源层设置于所述第一子栅绝缘层和所述第二子栅绝缘层之间,所述第一子栅绝缘层设置于所述第一栅电极和所述有源层之间,所述第二子栅绝缘层设置于所述有源层与所述第二栅电极之间;
所述薄膜晶体管包括:源极层和漏极层,所述源极层与所述有源层的一端连接,所述有源层远离所述源极层的一端与所述漏极层连接。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅电极的材料包括钼、钕或铝钕合金的任意一种,所述第二栅电极的材料包括钼、钕或铝钕合金的任意一种。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,包括若干发光单元,所述薄膜晶体管与所述发光单元对应连接。
10.一种显示设备,其特征在于,包括面板驱动电路和权利要求1-9任一项所述的显示面板,所述面板驱动电路用于驱动显示面板。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其特征在于,所述显示面板为柔性显示面板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5600155A (en) * 1995-01-03 1997-02-04 Xerox Corporation Array with metal scan lines controlling semiconductor gate lines
CN104730792A (zh) * 2015-04-08 2015-06-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN106873273A (zh) * 2017-02-23 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其分区驱动方法、显示模组和显示装置
CN109064986A (zh) * 2018-08-29 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666655B2 (en) * 2015-05-05 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5600155A (en) * 1995-01-03 1997-02-04 Xerox Corporation Array with metal scan lines controlling semiconductor gate lines
CN104730792A (zh) * 2015-04-08 2015-06-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN106873273A (zh) * 2017-02-23 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其分区驱动方法、显示模组和显示装置
CN109064986A (zh) * 2018-08-29 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置

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