CN111934645A - 铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器 - Google Patents
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Abstract
一种铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器，涉及合金膜层制备技术领域。该铝铜合金膜层的制备方法包括：获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，其中，铝铜合金膜层具有目标膜层厚度和目标膜层面积，且铝铜合金膜层的铝元素和铜元素具有预设质量比；根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材；提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，其中，铝铜合金膜层的铝元素和铜元素呈预设质量比。该铝铜合金膜层的制备方法能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
Description
技术领域
本发明涉及合金膜层制备技术领域，具体而言，涉及一种铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器。
背景技术
声表面波双工器器件为改善器件的耐功率性，一般会向铝中掺入微量的铜之类的异种金属以形成铝铜合金膜层。
现有技术中，铝铜合金膜层的制备主要采用磁控溅射机台或者金属真空蒸镀机来完成。其中，磁控溅射机台是采用惰性气体离子撞机靶材，使受撞击而离开靶材主体的靶材分子重新在基板上成膜，其所制备的铝铜合金膜层中铝铜合金的含量比例等于机台靶材中铝铜合金的含量比例，即铝铜合金膜层中合金元素的含量比例比较稳定，但是采用磁控溅射机台的制备成本较高。相比之下，金属真空蒸镀机的机台成本较低，且蒸发材料利用率较高，因此在制备铝铜合金膜层时也是被广泛采用。然而，由于铝铜合金材料中，铝元素和铜元素的熔点和沸点不同，导致随着坩埚内材料的使用次数的增加，采用蒸镀的方式制备的铝铜合金膜层中，铜元素的含量会持续增加，从而使得铝铜合金膜层中合金元素的含量难以稳定。
然而，铜元素的含量会改变线路的电阻，从而影响器件的特性指标，因此如何提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，是目前亟待解决的技术难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器，该铝铜合金膜层的制备方法、声表面波滤波器以及双工器均能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
本发明的实施例是这样实现的：
本发明的一方面，提供一种铝铜合金膜层的制备方法，该铝铜合金膜层的制备方法包括：
获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，其中，铝铜合金膜层具有目标膜层厚度和目标膜层面积，且铝铜合金膜层的铝元素和铜元素具有预设质量比；
根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材；
提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，其中，具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层的铝元素和铜元素呈预设质量比。
该铝铜合金膜层的制备方法能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
可选地，获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，包括：
获取制备前反应基材的质量；
获取制备后反应基材的质量；
计算制备前反应基材的质量与制备后反应基材的质量之间的差值，以得到制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。
可选地，根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，包括：
获取反应基材中铝元素和铜元素的质量比；
分别计算反应基材的消耗量中铝元素的消耗量和铜元素的消耗量。
可选地，添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材，包括：
根据铜元素的消耗量得到铜元素的添加量；
根据铝元素的消耗量得到铝元素的添加量；
根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材。
可选地，根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材，包括：
添加与铜元素的添加量相同质量的纯铜；
添加与铝元素的添加量相同质量的纯铝。
可选地，根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材，包括：
添加铝铜合金，其中，铝铜合金中的铜元素质量与铜元素的添加量相同；
添加纯铝，纯铝的质量为铝元素的添加量与铝铜合金中的铝元素质量的差值。
可选地，在获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量之前，包括：
获取制备第一膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量；
获取制得的第一膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比；
判断制得的第一膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比是否在预设质量比的阈值范围；
若是，第一膜层厚度为目标膜层厚度；
若否，调整第一膜层厚度，并重新获取制备第一膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。
可选地，提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层包括：
在真空蒸镀设备中，以预设反应条件，在基层上制备目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层。
可选地，目标膜层厚度的铝铜合金膜层中铜元素的质量分数在1％至2％之间。
本发明的另一方面，提供一种声表面波滤波器，该声表面波滤波器包括在基层上形成的铝铜合金膜层，铝铜合金膜层采用上述的铝铜合金膜层的制备方法制备而成。该声表面波滤波器能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
本发明的又一方面，提供一种双工器，该双工器包括上述的声表面波滤波器。该双工器能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善器件的耐功率性。
本发明的有益效果包括：
本申请实施例提供一种铝铜合金膜层的制备方法，该铝铜合金膜层的制备方法通过获取制备目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，从而确定在前次制备铝铜合金膜层时反应基材的消耗量。然后对应前次制备铝铜合金膜层时反应基材的消耗量，分别计算反应基材的消耗量中铜元素的消耗量和铝元素的消耗量。然后根据铜元素的消耗量和铝元素的消耗量对应补充反应基材，使得反应基材补充至与初次使用坩埚时添加的反应基材的初始量相同。最后根据预设反应条件，制备目标膜层的铝铜合金膜层。这样一来，本实施例提供的制备方法，通过对应补料的方式，可以使得在制备具有目标膜层面积和目标膜层厚度的铜铝合金膜层时，将反应基材补充至与初次使用坩埚制备膜层时的原料相同，从而使得在本次制备铝铜合金膜层时，相当于处于初次使用坩埚制备铝铜合金膜层的状态。如此，通过采用本申请所提供的铝铜合金膜层的制备方法，在一定程度上可以改善因坩埚多次使用造成的铜元素含量持续增加而导致的铝铜合金膜层中铝元素和铜元素的质量比发生改变的情况，进而改善器件的耐功率性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为温度和蒸汽压的函数关系图；
图2为现有技术中多个补给周期内，沉积次数与原料总重量和膜层中铜的质量分数之间的函数关系图；
图3为本发明实施例提供的铝铜合金膜层的制备流程图之一；
图4为本发明实施例提供的铝铜合金膜层的制备流程图之二；
图5为本发明实施例提供的铝铜合金膜层的制备流程图之三；
图6为本发明实施例提供的铝铜合金膜层的制备流程图之四；
图7为本发明实施例提供的铝铜合金膜层的制备流程图之五；
图8为本发明实施例提供的铝铜合金膜层的制备流程图之六。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图3，本实施例提供一种铝铜合金膜层的制备方法，该铝铜合金膜层的制备方法用于制备具有相对稳定的元素含量的铝铜合金膜层。该铝铜合金膜层的制备方法，包括如下步骤：
S100、获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，其中，铝铜合金膜层具有目标膜层厚度和目标膜层面积，且铝铜合金膜层的铝元素和铜元素具有预设质量比。应理解，本申请是通过前次消耗了多少反应基材，本次制备时则对应补充进去多少反应基材的策略以保障每次制备得到的铝铜合金膜层的铝铜元素含量相对稳定，因此，为了制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，需要对应补充进去在前次制备铝铜合金膜层时消耗掉的反应基材的消耗量。
另外，需要说明的是，在本实施例中，主要针对制备的铝铜合金膜层具有相同的膜层面积(即每次制备的铝铜合金膜层的膜层面积保持一致)，而膜层厚度可以相同也可以不同为例来进行说明的。由于每次制备的铝铜合金膜层的面积均是一致的，因此，下文将主要针对不同的膜层厚度来进行阐述说明。而当在同一个制备设备内需要制备出不同的膜层面积时，本领域技术人员可以根据本申请所提供的补料策略进行适应性调整，本实施例对此将不再细述。
在本实施例中，上述反应基材为铝铜合金。另外，对应地，目标膜层厚度的铝铜合金膜层具有与其目标厚度相对应的预设质量比。
另外，需要说明的是，本申请所用于制备铝铜合金膜层的蒸镀设备，在制备铝铜合金膜层的过程中，其坩埚是处于多次使用的状态的，而在持续多次使用的条件下，加之铜元素具有相对于铝元素而言较高的熔点和沸点，因此，伴随坩埚的使用次数增加，使得处于坩埚内的铜元素含量也会持续增加(可参见图1和图2)。上述步骤获取的制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，即为在本次制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层时，首先需要获取前次制备铝铜合金膜层时所消耗的反应基材(即为铝铜合金)的消耗量。
S200、根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材。
即，在S100步骤中获取到反应基材的消耗量的前提条件下，本申请通过对应补充与反应基材的消耗量中铜元素的消耗量和铝元素的消耗量相同质量的铜元素含量和铝元素含量，从而使得在本次制备时，坩埚内反应基材的含量和初次使用坩埚时反应基材的含量保持相同，进而使得本申请制备的铝铜合金膜层具有较好的稳定性。
S300、提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，其中，具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层的铝元素和铜元素呈预设质量比。为了利于提升器件的稳定性，在本实施例中，所制备的铝铜合金膜层中铜元素的质量分数应当控制在1％至2％之间。
应理解，每一个目标膜层厚度对应具有一个反应条件，该反应条件包括反应温度和反应时间等，由于制备目标膜层厚度的具体反应条件为本领域技术人员的公知常识，故在此不做赘述。
本申请实施例提供一种铝铜合金膜层的制备方法，该铝铜合金膜层的制备方法通过获取制备目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，从而确定在前次制备铝铜合金膜层时反应基材的消耗量。然后对应前次制备铝铜合金膜层时反应基材的消耗量，分别计算反应基材的消耗量中铜元素的消耗量和铝元素的消耗量。然后根据铜元素的消耗量和铝元素的消耗量对应补充反应基材，使得反应基材补充至与初次使用坩埚时添加的反应基材的初始量相同。最后根据预设反应条件，制备目标膜层的铝铜合金膜层。这样一来，本实施例提供的制备方法，通过对应补料的方式，可以使得在制备具有目标膜层面积和目标膜层厚度的铜铝合金膜层时，将反应基材补充至与初次使用坩埚制备膜层时的原料相同，从而使得在本次制备铝铜合金膜层时，相当于处于初次使用坩埚制备铝铜合金膜层的状态。如此，通过采用本申请所提供的铝铜合金膜层的制备方法，在一定程度上可以改善因坩埚多次使用造成的铜元素含量持续增加而导致的铝铜合金膜层中铝元素和铜元素的质量比发生改变的情况，进而改善器件的耐功率性。
示例地，请结合参照图4，在本实施例中，上述步骤S100、获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，包括如下步骤：
S110、获取制备前反应基材的质量。
应理解，此步骤为获取制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。换言之，就是为了获取到坩埚内反应基材在上次制备过程中的消耗量，因此，在此步骤中的制备前和制备后应该是以上次制备铝铜合金膜层为基础的。故，此处获取制备前反应基材的质量，即指在上次制备铝铜合金膜层之前反应基材的质量。
S120、获取制备后反应基材的质量。
同理，此处获取制备后反应基材的质量，即指上次制备铝铜合金膜层之后反应基材的质量(也就是本次制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层之前反应基材的质量)。
S130、计算制备前反应基材的质量与制备后反应基材的质量之间的差值，以得到制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。
可选地，在本实施例中，请结合参照图5，上述步骤S200中根据反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，包括：
S210、获取反应基材中铝元素和铜元素的质量比。应理解，此处的反应基材为在初次制备铝铜合金膜层时，所添加的反应基材的总量，而非本申请中反应基材的消耗量。
S220、分别计算反应基材的消耗量中铝元素的消耗量和铜元素的消耗量。
铝元素的消耗量即为反应基材的总消耗量与反应基材中铝元素的质量分数之积。当然，应理解，在本实施例中，在初次制备铝铜合金膜层时，反应基材中铝元素和铜元素的质量比是与制备的目标膜层厚度的铝铜合金膜层的铝元素和铜元素的预设质量比应该是具有对应关系的。示例地，反应基材中铝元素和铜元素的质量比与制备的目标膜层厚度的铝铜合金膜层的铝元素和铜元素的预设质量比相等，当两者相等时，也可以采用反应基材的总消耗量对应与目标膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素和铜元素的预设质量比计算铝元素的消耗量。同理，计算反应基材的消耗量中铜元素的消耗量。如此，便可以的得到铜元素的消耗量和铝元素的消耗量。
进一步地，在本实施例中，上述步骤S200中添加计算的铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，以补充反应基材，包括：
S230、根据铜元素的消耗量得到铜元素的添加量。
S240、根据铝元素的消耗量得到铝元素的添加量。
应理解，铜元素的消耗量和铝元素的消耗量即为所需添加的铜元素的添加量和铝元素的添加量。
S250、根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材。
如此一来，通过对应添加相同质量的铜元素和铝元素，可以使得在本次制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层时，使得铜元素的质量和铝元素的质量与至初次使用坩埚时添加的铜元素的质量和铝元素的质量保持相同，从而在一定程度上改善由于坩埚多次使用，在制备目标膜层厚度的铜铝合金膜层时，每次蒸镀前，坩埚内的反应基材原料不稳定的情况。
示例地，请结合参照图6，在一种实施例中，上述步骤S250中根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材，包括：
S2511、添加与铜元素的添加量相同质量的纯铜。示例地，在本实施例中，该纯铜的纯度应当大于99.999％。
S2512、添加与铝元素的添加量相同质量的纯铝。示例地，在本实施例中，该纯铝的纯度应当大于99.999％。
示例地，请结合参照图7，在另一种实施例中，上述步骤S260中根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材，包括：
S2521、添加铝铜合金，其中，铝铜合金中的铜元素质量与铜元素的添加量相同。
S2522、添加纯铝，纯铝的质量为铝元素的添加量与铝铜合金中的铝元素质量的差值。
需要说明的是，为了利于提升器件的稳定性，在本实施例中，所制备的铝铜合金膜层中铜元素的质量分数应当控制在1％至2％之间。因此，在采用上述的任一种补料方式时，都应当对应调控铜元素的含量。
在上述步骤S250中，根据铜元素的添加量和铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充反应基材，可以包括多种对应添加补料的方式，在本实施例中，主要通过纯铝和纯铜添加，或者通过纯铝和铝铜合金添加。应理解，通过纯铝和纯铜添加，或者通过纯铝和铝铜合金添加只是本实施例提供的两种示例而已，在此不作限制，只要能够保证在制备铝铜合金膜层时坩埚内的反应基材质量与初次制备使用坩埚时在坩埚内添加的反应基材的质量保持一致，从而使得最终制备得到的目标膜层厚度的铝铜合金膜层的铜元素和铝元素的质量比相对稳定即可。
示例地，在步骤S100中获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量之前，为了便于选定合适的目标膜层厚度，请结合参照图8，本实施例提供的铝铜合金膜层的制备方法还包括如下步骤：
S400、获取制备第一膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。
需要说明的是，上述第一膜层厚度为预设厚度，本申请通过制备预设厚度的铝铜合金膜层，然后通过下述的判断即可得知预设厚度是否可以作为目标膜层厚度。
当然，第一膜层厚度也可以是包括多组(每组的第一膜层厚度各不相同)，即采用多组平行试验获得每一个预设厚度，从而判断每一个预设厚度是否可以作为目标膜层厚度，进而，根据多组实验的测试值，通过合理计算分析可以得到目标膜层厚度的厚度范围值。如此一来，本申请可通过上述计算得到的目标膜层厚度的厚度范围值，加之前期获取到的对应膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，可以得到一组数据对应表(该数据对应表可包含目标膜层厚度和与目标膜层厚度一一对应的所需的反应基材的消耗量)，这样，在后续制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层时，可通过查表的方式对应查询在上次制备时反应基材的消耗量，方便快捷。
本申请的此步骤为获知每个单个离散点是否可以作为目标膜层厚度的具体步骤。由于通过平行试验得知目标膜层厚度的厚度范围值，本领域技术人员可以通过本步骤合理推倒得出，因此，为简要说明，本实施例不做赘述。
S500、获取制得的第一膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比。
S600、判断制得的第一膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比是否在预设质量比的阈值范围。
换言之，判断第一膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素和铜元素的质量比是否在上述预设质量比的预制范围内。
需要说明的是，第一，预设质量比目标膜层厚度的铝铜合金膜层的质量比。
第二，预设质量比的阈值范围可由本领域技术人员根据实际情况而定，例如，在本领域可允许的前提下，以预设质量比为基准，选定允许误差上限值和允许误差下限值，从而得到预设质量比的阈值范围，进而根据该范围判断第一膜层厚度的铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比是否符合要求。
若是，第一膜层厚度为目标膜层厚度。
若否，调整第一膜层厚度，并重新获取制备第一膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。从而重新选取新的第一膜层厚度，直至第一膜层的厚度符合目标膜层厚度要求。
示例地，在本实施例中，步骤S300中提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，包括如下步骤：
在真空蒸镀设备中，以预设反应条件，在基层上制备目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层。
另外，在其他的实施例中，当采用磁控溅射设备镀膜时，为保证铝铜合金膜层中各元素的含量稳定性，依然可以使用本申请提供的上述补料方式或者是判断目标膜层厚度的方式。
本实施例还提供了一种声表面波滤波器，该声表面波滤波器包括在基层上形成的铝铜合金膜层，其中，该铝铜合金膜层采用上述的铝铜合金膜层的制备方法制备而成。由于上述的铝铜合金膜层的制备方法的具体步骤及其有益效果均已在前文做了详细阐述，因此，在此不做赘述。示例地，上述铝铜合金膜层可用作声表面波滤波器的电极薄膜材料。使用该铝铜合金膜层的声表面波滤波器能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善表面波滤波器的耐功率性。
另外，本实施例的声表面波滤波器还可以应用于双工器中。该双工器包括上述的声表面波滤波器，由于上述的声表面波滤波器的结构及其有益效果均已在前文做了详细阐述，因此，在此不做赘述。使用该声表面波滤波器的双工器能够提升铝铜合金膜层中元素含量的稳定性，从而改善表面波滤波器的耐功率性。
典型地，这种双工器可以包含至少两个上述声表面波滤波器、分别连接到上述声表面波滤波器的输入/输出连接部件，以及共同连接到上述声表面波滤波器的天线连接部件。该双工器中的两个声表面波滤波器，一个声表面波滤波器作为发射端，另一个声表面波滤波器可作为接收端。
除此之外，本发明声表面波滤波器可以结合到一种通信设备中，它包含上述双工器、连接到至少一个上述双工器的输入/输出连接部件的发送电路，连接到不同于连接到上述发送电路的上述输入/输出连接部件的另一个输入/输出连接部件的接收电路，以及连接到上述双工器的天线连接部件的天线。
以上所述仅为本发明的可选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
Claims (11)
1.一种铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，包括：
获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，其中，所述铝铜合金膜层具有目标膜层厚度和目标膜层面积，且所述铝铜合金膜层的铝元素和铜元素具有预设质量比；
根据所述反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，添加计算的所述铜元素的消耗量和所述铝元素的消耗量，以补充所述反应基材；
提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层，其中，所述具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层的铝元素和铜元素呈所述预设质量比。
2.根据权利要求1所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量，包括：
获取制备前所述反应基材的质量；
获取制备后所述反应基材的质量；
计算制备前所述反应基材的质量与制备后所述反应基材的质量之间的差值，以得到制备目标膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。
3.根据权利要求1或2所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述根据所述反应基材的消耗量对应计算铜元素的消耗量和铝元素的消耗量，包括：
获取所述反应基材中铝元素和铜元素的质量比；
分别计算所述反应基材的消耗量中铝元素的消耗量和铜元素的消耗量。
4.根据权利要求3所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述添加计算的所述铜元素的消耗量和所述铝元素的消耗量，以补充所述反应基材，包括：
根据所述铜元素的消耗量得到所述铜元素的添加量；
根据所述铝元素的消耗量得到所述铝元素的添加量；
根据所述铜元素的添加量和所述铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充所述反应基材。
5.根据权利要求4所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述根据所述铜元素的添加量和所述铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充所述反应基材，包括：
添加与所述铜元素的添加量相同质量的纯铜；
添加与所述铝元素的添加量相同质量的纯铝。
6.根据权利要求4所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述根据所述铜元素的添加量和所述铝元素的添加量，分别添加相应质量的铜元素和铝元素以补充所述反应基材，包括：
添加铝铜合金，其中，所述铝铜合金中的铜元素质量与所述铜元素的添加量相同；
添加纯铝，所述纯铝的质量为所述铝元素的添加量与所述铝铜合金中的铝元素质量的差值。
7.根据权利要求1所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，在所述获取制备铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量之前，包括：
获取制备第一膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量；
获取制得的第一膜层厚度的所述铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比；
判断所述制得的第一膜层厚度的所述铝铜合金膜层中铝元素与铜元素的质量比是否在预设质量比的阈值范围；
若是，所述第一膜层厚度为所述目标膜层厚度；
若否，调整所述第一膜层厚度，并重新获取制备第一膜层厚度的铝铜合金膜层所需的反应基材的消耗量。
8.根据权利要求1所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述提供预设反应条件，在基层上制备具有目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层包括：
在真空蒸镀设备中，以预设反应条件，在基层上制备目标膜层厚度和目标膜层面积的铝铜合金膜层。
9.根据权利要求1所述的铝铜合金膜层的制备方法，其特征在于，所述目标膜层厚度的铝铜合金膜层中铜元素的质量分数在1％至2％之间。
10.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括在基层上形成的铝铜合金膜层，所述铝铜合金膜层采用如权利要求1至9中任意一项所述的铝铜合金膜层的制备方法制备而成。
11.一种双工器，其特征在于，包括权利要求10所述的声表面波滤波器。
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Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| CN1578131A (zh) * | 2003-07-17 | 2005-02-09 | Tdk株式会社 | 声表面波元件、声表面波设备、声表面波双工器和声表面波元件制造方法 |
| EP1947210A1 (fr) * | 2007-01-16 | 2008-07-23 | ARCELOR France | Procede de revetement d'un substrat, installation de mise en oeuvre du procede et dispositif d'alimentation en metal d'une telle installation |
| JP2013108159A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Showa Shinku:Kk | 蒸着装置 |
| US20140147992A1 (en) * | 2010-11-01 | 2014-05-29 | Antec Solar Gmbh | Method and device for continuously coating substrates |
| JPWO2015033713A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
| CN209545545U (zh) * | 2019-01-21 | 2019-10-25 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种薄膜体声波滤波器 |
-
2020
- 2020-08-13 CN CN202010814063.6A patent/CN111934645B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1578131A (zh) * | 2003-07-17 | 2005-02-09 | Tdk株式会社 | 声表面波元件、声表面波设备、声表面波双工器和声表面波元件制造方法 |
| EP1947210A1 (fr) * | 2007-01-16 | 2008-07-23 | ARCELOR France | Procede de revetement d'un substrat, installation de mise en oeuvre du procede et dispositif d'alimentation en metal d'une telle installation |
| US20140147992A1 (en) * | 2010-11-01 | 2014-05-29 | Antec Solar Gmbh | Method and device for continuously coating substrates |
| JP2013108159A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Showa Shinku:Kk | 蒸着装置 |
| JPWO2015033713A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
| CN209545545U (zh) * | 2019-01-21 | 2019-10-25 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种薄膜体声波滤波器 |
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