CN111934279B - 一种快速响应的过压保护电路和充电器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种快速响应的过压保护电路和充电器。该快速响应的过压保护电路包括：电压采集模块、比较模块、电平转换模块、快速响应模块和开关模块；电压采集模块用于采集检测电压；比较模块用于比较检测电压和参考电压，并输出状态信号；电平转换模块用于根据状态信号输出转换信号；快速响应模块的第一输入端与比较模块的输出端电连接，第二输入端与电压采集模块的第一输入端和开关模块的第一输入端电连接，输出端与电平转换模块的输出端和开关模块的第二输入端电连接；快速响应模块在输入电压突变超过阈值时工作，在比较模块输出的状态信号变化之前，输出关断开关模块的控制信号。本发明可以提高过压保护电路的响应速度。

Description

一种快速响应的过压保护电路和充电器

技术领域

本发明实施例涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种快速响应的过压保护电路和充电器。

背景技术

目前很多充电芯片充电时都需要固定的电源电压。当充电芯片与适配器或者其他直流电源接触的瞬间，有可能在芯片的输入端产生一个尖峰电压，从而导致充电芯片的失效；严重的会使锂电池产生高温大电流，引起锂电池的燃烧甚至爆炸。并且适配器或者直流电源的性能各异，有些产品由于质量问题或误接等操作会产生高电压，这些都给充电芯片造成了极大的安全隐患。因此，有必要设计过压保护电路。

现有的过压保护电路，通常是采集充电电压，利用比较器比较充电电压和参考电压的大小，当充电电压过大时，通过电平转换电路切断芯片的充电线路，以保护充电芯片。但现有的过压保护方案中，比较器与电平转换电路均存在过大的延时。因此，现有的过压保护电路存在响应速度慢的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种快速响应的过压保护电路和充电器，以提高过压保护电路的响应速度。

第一方面，本发明实施例提供了一种快速响应的过压保护电路，所述快速响应的过压保护电路包括：电压采集模块、比较模块、电平转换模块、快速响应模块和开关模块；

所述电压采集模块的第一输入端接入输入电压，所述电压采集模块的第二输入端接地；所述电压采集模块用于采集检测电压；

所述比较模块的第一输入端与所述电压采集模块的输出端电连接，所述比较模块的第二输入端接入参考电压；所述比较模块用于比较所述检测电压和所述参考电压的大小，并输出状态信号；

所述电平转换模块的输入端与所述比较模块的输出端电连接；所述电平转换模块用于根据所述状态信号输出转换信号；

所述快速响应模块的第一输入端与所述比较模块的输出端电连接，所述快速响应模块的第二输入端与所述电压采集模块的第一输入端和所述开关模块的第一输入端电连接，并作为所述快速响应的过压保护电路的输入端；所述快速响应模块的输出端与所述电平转换模块的输出端和所述开关模块的第二输入端电连接，所述开关模块的输出端作为所述快速响应的过压保护电路的输出端；所述快速响应模块在所述输入电压突变超过阈值时工作，在所述比较模块输出的状态信号变化之前，输出关断所述开关模块的控制信号。

可选地，所述开关模块包括：第一晶体管；

所述第一晶体管的第二极为所述开关模块的第一输入端，所述第一晶体管的栅极为所述开关模块的第二输入端，所述第一晶体管的第一极为所述开关模块的输出端。

可选地，所述快速响应模块包括：第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻和第一电容；

所述第一电阻的第一端和所述第二晶体管的第二极电连接，并作为所述快速响应模块的第二输入端；所述第三晶体管的第一极与所述第一电容的第一端、所述第一电阻的第二端和所述第二晶体管的栅极电连接；所述第三晶体管的栅极为所述快速响应模块的第一输入端；所述第三晶体管的第二极与所述第二电阻的第一端电连接；所述第二电阻的第二端接地；所述第一电容的第二端接地；所述第二晶体管的第一极为所述快速响应模块的输出端。

可选地，所述快速响应模块还包括：钳位电路；

所述钳位电路的第一端与所述第一电阻的第一端电连接，所述钳位电路的第二端与所述第一电阻的第二端电连接。

可选地，所述钳位电路包括至少一个第四晶体管；每个所述第四晶体管的栅极与第一极电连接；第一个所述第四晶体管的第二极为所述钳位电路的第一端，最后一个所述第四晶体管的第一极为所述钳位电路的第二端，每个所述第四晶体管的第一极和与其相邻的所述第四晶体管的第二极电连接。

可选地，所述第一电阻与所述第一电容产生的时间常数为t=R*C；其中，t为所述时间常数，R为所述第一电阻的电阻值，C为所述第一电容的电容值；

所述比较模块的延时时间小于所述时间常数。

可选地，所述比较模块的延时时间小于所述时间常数的一半。

可选地，所述电压采集模块包括：第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻的第一端为所述电压采集模块的第一输入端；所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端电连接，并作为所述电压采集模块的输出端；所述第四电阻的第二端为所述电压采集模块的第二输入端。

可选地，所述快速响应的过压保护电路还包括：参考电压生成模块；

所述参考电压生成模块与所述比较模块的第二输入端电连接；所述参考电压生成模块用于生成所述参考电压。

第二方面，本发明实施例还提供了一种充电器，所述充电器包括如本发明任意实施例所提供的快速响应的过压保护电路；

所述快速响应的过压保护电路的输入端接入输入电压，所述快速响应的过压保护电路的输出端与充电芯片电连接。

本发明实施例提供的快速响应的过压保护电路中，通过比较模块比较检测电压和参考电压的大小，当检测电压过大时，比较模块输出代表检测电压过大的状态信号，控制电平转换模块输出控制开关模块关断的转换信号。在此基础上，增设快速响应模块。快速响应模块与比较模块、电平转换模块和开关模块均连接，在输入电压突变超过阈值时工作，在比较模块输出的状态信号变化之前，能够快速反应并输出关断开关模块的控制信号。因此该快速响应的过压保护电路在输入电压突然升高时，不必经过比较模块和电平转换模块的信号处理传输过程，直接通过快速响应模块即可控制开关模块关断；且在输入电压正常时，快速响应模块不工作，不影响开关模块的正常开通。因此，与现有技术相比，本发明实施例可以提高过压保护电路的响应速度。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种快速响应的过压保护电路的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种快速响应模块的电路示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种快速响应模块的电路示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种快速响应的过压保护电路的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种快速响应的过压保护电路工作时的时序示意图；

图6是本发明实施例提供的一种充电器的连接方式示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

现有技术中的过压保护电路通常是采集芯片的充电电压，利用比较器比较充电电压和参考电压的大小，当充电电压过大时，通过电平转换电路切断芯片的充电线路，以保护充电芯片。

但现有技术中最大的问题是比较器和电平转换电路都会带来延时，如果充电电压出现一个高速高压短脉冲，比较器和电平转换电路来不及切断芯片的充电线路，这样电路就无法阻挡高压短脉冲的冲击，会引起充电芯片中部分电路的失效，甚至彻底损坏芯片。发明人发现，通过增加比较器和电平转换电路的电流可以减小延时，但是也很难把电路的延时做到几个纳秒之内，而且大电流会增加整个芯片的功耗。同时，若比较器的速度过快，会引起误动作的问题。

对上述过程，发明人发现过压保护电路存在响应慢的问题，并且功耗及动作准确率与响应速度间存在矛盾关系。

基于上述研究，本发明实施例提供了一种快速响应的过压保护电路。图1是本发明实施例提供的一种快速响应的过压保护电路的结构示意图。如图1所示，该快速响应的过压保护电路包括：电压采集模块110、比较模块120、电平转换模块130、快速响应模块140和开关模块150。

电压采集模块110的第一输入端111接入输入电压Vin，电压采集模块110的第二输入端112接地；电压采集模块110用于采集检测电压。比较模块120的第一输入端121与电压采集模块110的输出端113电连接，比较模块120的第二输入端122接入参考电压Vref；比较模块120用于比较检测电压和参考电压Vref的大小，并输出状态信号。电平转换模块130的输入端131与比较模块120的输出端123电连接；电平转换模块130用于根据状态信号输出转换信号。快速响应模块140的第一输入端141与比较模块120的输出端123电连接，快速响应模块140的第二输入端142与电压采集模块110的第一输入端111和开关模块150的第一输入端151电连接，并作为快速响应的过压保护电路的输入端；快速响应模块140的输出端143与电平转换模块130的输出端132和开关模块150的第二输入端152电连接，开关模块150的输出端153作为快速响应的过压保护电路的输出端；快速响应模块140在输入电压突变超过阈值时工作，在比较模块120输出的状态信号变化之前，输出关断开关模块150的控制信号。

其中，参考电压Vref可在实际应用时，根据电压采集模块110采集到的检测电压和保护的电压范围相应的进行设置。

电压采集模块110根据输入电压Vin得到检测电压。当输入电压Vin发生抖动或突变时，电压采集模块110应及时采集到输入电压Vin的变化，使检测电压的变化规律与输入电压Vin相同。尤其是当输入电压Vin突然增加或产生快速高压短脉冲时，会对接入输入电压Vin的元件或设备产生影响，此时电压采集模块110需保证能采集到输入电压Vin的变化并将检测电压传递至比较模块120。

本发明实施例提供的快速响应的过压保护电路的工作原理如下：

为方便解释，假设输入电压Vin突增时，检测电压大于参考电压Vref；当输入电压Vin在正常工作范围内时，检测电压小于参考电压Vref。

当输入电压Vin在正常工作范围内时，电压采集模块110采集到的检测电压小于参考电压Vref，比较模块120输出表示检测电压小的状态信号，比如输出0。此时电平转换模块130产生的电平转换信号相当于钳位电压，以保证开关模块150稳定开通，开关模块150将输入电压Vin通过SW端输出。并且此时在状态信号的控制下，快速响应模块140并不参与工作，从而不会因输入电压Vin有小的波动而导致开关模块150发生误关断，保证电路的正常工作。

当输入电压Vin突增时，电压采集模块110采集到的检测电压突增，输入电压Vin超过了正常工作范围，使检测电压超过了阈值，检测电压大于参考电压Vref。但由于比较模块120存在延时，比较模块120输出的状态信号并未发生变化。此时快速响应模块140在输入电压Vin的作用下开始工作，在比较模块120输出的状态信号变化之前，即可输出关断开关模块150的控制信号，使开关模块150的SW端无输出电压。由此，可以避免因比较模块120的延时影响过压保护电路的响应速度。因此，比较模块120可以选用一般精度的比较器，从而降低过压保护电路的成本。

在比较模块120输出的状态信号发生变化，表示检测电压大，比如输出1时，电平转换模块130产生的电平转换信号等于输入电压Vin，在电平转换模块130和快速响应模块140的共同作用下，保证开关模块150有效关断。

示例性地，电平转换模块130可以由晶体管、逻辑电路或专用的电平转换芯片等构成。电平转换模块130需满足在比较模块120输出不同的状态信号时输出不同的转换信号（即在状态信号表示检测电压小时输出小于输入电压Vin的低电平以保证开关模块150开通；在状态信号表示检测电压大时输出大于等于输入电压Vin的高电平以保证开关模块150关断）。

本发明实施例提供的快速响应的过压保护电路中，通过比较模块120比较检测电压和参考电压Vref的大小，当检测电压过大时，比较模块120输出代表检测电压过大的状态信号，控制电平转换模块130输出控制开关模块150关断的转换信号。在此基础上，增设快速响应模块140。快速响应模块140与比较模块120、电平转换模块130和开关模块150均连接，在输入电压突变超过阈值时工作，在比较模块120输出的状态信号变化之前，能够快速反应并输出关断开关模块150的控制信号。因此该快速响应的过压保护电路在输入电压突然升高时，不必经过比较模块120和电平转换模块130的信号处理传输过程，直接通过快速响应模块140即可控制开关模块关断；且在输入电压正常时，快速响应模块140不工作，不影响开关模块150的正常开通。因此，本发明实施例可以提高过压保护电路的响应速度。

在上述各实施方式的基础上，本实施例提供快速响应模块的示例性结构。图2是本发明实施例提供的一种快速响应模块的电路示意图。如图2所示，快速响应模块包括：第二晶体管M2、第三晶体管M3、第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1。

第一电阻R1的第一端和第二晶体管M2的第二极电连接，并作为快速响应模块的第二输入端；第三晶体管M3的第一极与第一电容C1的第一端、第一电阻R1的第二端和第二晶体管M2的栅极电连接；第三晶体管M3的栅极为快速响应模块的第一输入端；第三晶体管M3的第二极与第二电阻R2的第一端电连接；第二电阻R2的第二端接地；第一电容C1的第二端接地；第二晶体管M2的第一极为快速响应模块的输出端。

其中，第一电阻R1的第一端接入输入电压Vin。第三晶体管M3的栅极接入比较模块输出的状态信号Vsig。可选地，第二晶体管M2可以是PMOS晶体管，第三晶体管M3可以是NMOS晶体管。

该快速响应模块的工作原理如下：

当输入电压Vin在正常工作范围内时，状态信号Vsig为低电平。此时在状态信号Vsig的控制下，第三晶体管M3截止。第二晶体管M2的第二极电压等于输入电压Vin。在第一电容C1的作用下，第二晶体管M2的栅极电压也等于输入电压Vin，因此第二晶体管M2截止，不输出控制信号Vctl，即此时快速响应模块不工作。

记输入电压Vin正常时的值为V1，超过正常值为V2。当输入电压Vin从V1快速的上升至V2，且控制模块还未来得及反应时，Vin已经增加，但状态信号Vsig仍为低电平。此时在状态信号Vsig的控制下，第三晶体管M3仍截止。第二晶体管M2的第二极电压等于输入电压Vin。但由于第一电容C1的存在，其两端电压不能突变，第二晶体管M2的栅极电压仍等于V1，此时第二晶体管M2的栅极和第二极之间的电压差使得第二晶体管M2导通，输出的控制信号Vctl等于输入电压Vin。随着输入电压Vin上升到V2的过程，输入电压V1通过第一电阻R1给第一电容C1缓慢充电，使得第二晶体管M2的栅极电压始终低于第二极电压，从而使第二晶体管M2一直处于导通状态，控制信号Vctl始终等于输入电压Vin。

进一步地，第一电阻R1与第一电容C1产生的时间常数为t=R*C；其中，t为时间常数，R为第一电阻R1的电阻值，C为第一电容C1的电容值；比较模块的延时时间小于时间常数。

这样设置是因为在第一电容C1充电完成时，若比较模块输出的状态信号仍无变化，第二晶体管M2的栅极电压等于输入电压Vin，会将第二晶体管M2截止。此种状况下，状态信号未变，同时快速响应模块停止工作，会中断控制开关模块关断的控制信号的输出，使得开关模块误导通，这种情况是不被允许的。因此，比较模块的延时时间应小于时间常数t，以保证在第一电容C1充电完成前，比较模块就已经做出了反应，输出了代表正确的比较结果的状态信号。

进一步地，为了保证留下足够的响应余量，可以设置比较模块的延时时间小于时间常数的一半。

当输入电压Vin从V1快速的上升至V2，且控制模块已经做出反应时，Vin已经增加，且状态信号Vsig变为高电平。此时，第三晶体管M3在状态信号Vsig的作用下导通，第二电阻R2用来控制第三晶体管M3的下拉电流，以减少功耗。第二晶体管M2的栅极与第二极之间的电压差为第一电阻R1上的分压，第三晶体管M3用来控制第二晶体管M2的栅极电压，第一电容C1用来保持第二晶体管M2的栅极的电位，使得第二晶体管M2导通，输出的控制信号Vctl等于输入电压Vin。同时，由于状态信号Vsig变为高电平，电平转换模块输出的转换信号也等于输入电压Vin。

本实施方式中，快速响应模块在输入电压突变超过阈值时工作，在比较模块输出的状态信号变化之前，能够快速反应并输出关断开关模块的控制信号。在第一电容充电完成前，比较模块就已经输出了正确的状态信号，保证开关模块有效稳定的关断。

在上述各实施方式的基础上，本实施例对快速响应模块的结构进行了进一步改进。图3是本发明实施例提供的另一种快速响应模块的电路示意图。如图3所示，快速响应模块还包括：钳位电路210。

钳位电路210的第一端与第一电阻R1的第一端电连接，钳位电路210的第二端与第一电阻R1的第二端电连接。

其中，钳位电路210用于钳制第二晶体管M2的栅极与第二极间的电压差，防止第二晶体管M2的栅极被击穿。

进一步地，钳位电路210包括N个第四晶体管，其中：N为大于或等于1的整数。每个第四晶体管的栅极与第一极电连接；第一个第四晶体管的第二极为钳位电路210的第一端，最后一个（第N个）第四晶体管的第一极为钳位电路210的第二端。从第一个第四晶体管到第N-1个第四晶体管，每个第四晶体管的第一极都和与其相邻的下一个第四晶体管的第二极电连接；第N个第四晶体管的第一极为钳位电路210的第二端，与第三晶体管M3的第一极电连接。

图3中以包含两个第四晶体管为例进行描述，分别为第一个第四晶体管M41和第二个第四晶体管M42。第一个第四晶体管M41的栅极与第一极电连接；第二个第四晶体管M42的栅极与第一极电连接。第一个第四晶体管M41的第二极接入输入电压Vin，第一个第四晶体管M41的第一极与第二个第四晶体管M42的第二极电连接，第二个第四晶体管M42的第一极与第三晶体管M3的第一极电连接。第一个第四晶体管M41和第二个第四晶体管M42采用串联连接来钳制第二晶体管M2的栅极与第二极间的电压差。

可选地，第四晶体管可以是PMOS晶体管，第四晶体管的栅极与第一极电连接相当于MOS管的二极管接法。至少一个第四晶体管的存在可以钳制第二晶体管M2的栅极与第二极间的电压差，当含有两个及以上第四晶体管时，可以保证第二晶体管M2稳定导通。

图4是本发明实施例提供的另一种快速响应的过压保护电路的结构示意图。如图4所示，在上述各实施方式的基础上，可选地，开关模块150包括：第一晶体管M1。第一晶体管M1的第二极为开关模块150的第一输入端，第一晶体管M1的栅极为开关模块150的第二输入端，第一晶体管M1的第一极为开关模块150的输出端。

当第一晶体管M1的栅极电压等于输入电压Vin时，第一晶体管M1截止，第一晶体管M1的第一极不输出信号，即SW端无输出电压。当第一晶体管M1的栅极电压小于输入电压Vin时，第一晶体管M1导通，其第一极的输出信号等于输入电压Vin，即输入电压Vin通过SW端输出。可选地，第一晶体管M1可以是PMOS晶体管。

可选地，比较模块120可以是比较器CMP。

可选地，电压采集模块110包括：第三电阻R3和第四电阻R4。第三电阻R3的第一端为电压采集模块110的第一输入端；第三电阻R3的第二端与第四电阻R4的第一端电连接，并作为电压采集模块110的输出端；第四电阻R4的第二端为电压采集模块110的第二输入端。

其中，输入电压Vin通过第三电阻R3和第四电阻R4的分压使电压采集模块110输出检测电压。

可选地，该快速响应的过压保护电路还包括：参考电压生成模块160。参考电压生成模块160与比较模块120的第二输入端电连接；参考电压生成模块160用于生成参考电压。

其中，电压采集模块110的输出端接在比较器CMP的正输入端，参考电压生成模块160接在比较器CMP的负输入端。当检测电压大于参考电压时，比较器CMP输出1；当检测电压小于参考电压时，比较器CMP输出0。

为了直观的展现本快速响应的过压保护电路的工作原理，本发明实施例对工作时序进行分析解释。图5是本发明实施例提供的一种快速响应的过压保护电路工作时的时序示意图。如图5所示，图5给出了在输入电压Vin由V1快速上升至V2时，第二晶体管的栅极电压VG2和第一晶体管的栅极电压VG1的变化。在第二晶体管的栅极电压VG2和第一晶体管的栅极电压VG1的变化曲线图中，虚线表示输入电压Vin。

其中，tdcmp代表比较模块的延时时间，其小于第一电容充电的时间常数。Tdp表示第一晶体管的动作延迟时间，其由第二晶体管的内阻R_dson2和第一晶体管的寄生电容C_g决定，Tdp=R_dson2*C_g，通过调节第二晶体管的内阻的大小可以很容易使得Tdp小于1ns。

观察第二晶体管的栅极电压VG2的变化曲线，在第二晶体管的栅极电压VG2还未上升至V2时，即第一电容充电过程还未完成时，已经达到了比较模块的延时时间。经过tdcmp后，比较模块输出正确的状态信号，第二晶体管的栅极电压VG2迅速被拉低至V2-Vclmp。其中，Vclmp表示钳位电路的钳位电压。

观察第一晶体管的栅极电压VG1的变化曲线，当输入电压Vin维持在V1时，第一晶体管的栅极电压VG1为V1-Vclmp2。其中Vclmp2为当状态信号为低电平时电平转换模块的转换信号（钳位电压）。经过Tdp后，第一晶体管的栅极电压VG1增长到与输入电压Vin相同，第一晶体管随即截止。之后第一晶体管的栅极电压VG1的增长趋势与输入电压Vin相同，第一晶体管保持在截止状态。

本发明实施例还提供了一种充电器。图6是本发明实施例提供的一种充电器的连接方式示意图。如图6所示，该充电器610包括如本发明任意实施例所提供的快速响应的过压保护电路611，具有相应的有益效果。

快速响应的过压保护电路611的输入端接入输入电压Vin，快速响应的过压保护电路611的输出端与充电芯片620电连接。

上述快速响应的过压保护电路611不但可以用于低压充电器电路，还可以广泛的应用于各种需要过压保护的电压电路。可以使得低压电路抵抗各种高速或者低速高压脉冲。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (9)

1.一种快速响应的过压保护电路，其特征在于，包括：电压采集模块、比较模块、电平转换模块、快速响应模块和开关模块；

所述电压采集模块的第一输入端接入输入电压，所述电压采集模块的第二输入端接地；所述电压采集模块用于采集检测电压；

所述比较模块的第一输入端与所述电压采集模块的输出端电连接，所述比较模块的第二输入端接入参考电压；所述比较模块用于比较所述检测电压和所述参考电压的大小，并输出状态信号；

所述电平转换模块的输入端与所述比较模块的输出端电连接；所述电平转换模块用于根据所述状态信号输出转换信号；

所述快速响应模块的第一输入端与所述比较模块的输出端电连接，所述快速响应模块的第二输入端与所述电压采集模块的第一输入端和所述开关模块的第一输入端电连接，并作为所述快速响应的过压保护电路的输入端；所述快速响应模块的输出端与所述电平转换模块的输出端和所述开关模块的第二输入端电连接，所述开关模块的输出端作为所述快速响应的过压保护电路的输出端；所述快速响应模块在所述输入电压突变超过阈值时工作，在所述比较模块输出的状态信号变化之前，输出关断所述开关模块的控制信号；

所述快速响应模块包括：第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻和第一电容；

所述第一电阻的第一端和所述第二晶体管的第二极电连接，并作为所述快速响应模块的第二输入端；所述第三晶体管的第一极与所述第一电容的第一端、所述第一电阻的第二端和所述第二晶体管的栅极电连接；所述第三晶体管的栅极为所述快速响应模块的第一输入端；所述第三晶体管的第二极与所述第二电阻的第一端电连接；所述第二电阻的第二端接地；所述第一电容的第二端接地；所述第二晶体管的第一极为所述快速响应模块的输出端。

2.根据权利要求1所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，所述开关模块包括：第一晶体管；

所述第一晶体管的第二极为所述开关模块的第一输入端，所述第一晶体管的栅极为所述开关模块的第二输入端，所述第一晶体管的第一极为所述开关模块的输出端。

3.根据权利要求1所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，所述快速响应模块还包括：钳位电路；

所述钳位电路的第一端与所述第一电阻的第一端电连接，所述钳位电路的第二端与所述第一电阻的第二端电连接。

4.根据权利要求3所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括至少一个第四晶体管；每个所述第四晶体管的栅极与第一极电连接；第一个所述第四晶体管的第二极为所述钳位电路的第一端，最后一个所述第四晶体管的第一极为所述钳位电路的第二端，每个所述第四晶体管的第一极和与其相邻的所述第四晶体管的第二极电连接。

5.根据权利要求1所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，所述第一电阻与所述第一电容产生的时间常数为t=R*C；其中，t为所述时间常数，R为所述第一电阻的电阻值，C为所述第一电容的电容值；

所述比较模块的延时时间小于所述时间常数。

6.根据权利要求5所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，所述比较模块的延时时间小于所述时间常数的一半。

7.根据权利要求1所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，所述电压采集模块包括：第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻的第一端为所述电压采集模块的第一输入端；所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端电连接，并作为所述电压采集模块的输出端；所述第四电阻的第二端为所述电压采集模块的第二输入端。

8.根据权利要求1所述的快速响应的过压保护电路，其特征在于，还包括：参考电压生成模块；

所述参考电压生成模块与所述比较模块的第二输入端电连接；所述参考电压生成模块用于生成所述参考电压。

9.一种充电器，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述的快速响应的过压保护电路；

所述快速响应的过压保护电路的输入端接入输入电压，所述快速响应的过压保护电路的输出端与充电芯片电连接。

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