CN111933592B - 一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法，包括散热板、多层微米级网状结构、多层骨架。散热板上设置有若干层微米级网状结构，且相邻的两层微米级网状结构之间设置有骨架层，所述微米级网状结构上修饰有纳米级微结构，所述散热板、微米级网状结构以及骨架层的材质均为铜。本发明在微观层面上，能够提高液体的补充能力，有助于气泡脱离；在宏观层面上，能够增加换热面积，增强换热能力。

Description

一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法
技术领域
本发明属于高热流密度沸腾强化换热技术，涉及一种适用于高热流密度微电子器件高效冷却技术，具体涉及一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法。
背景技术
随着电子器件集成化程度不断提高，特征尺寸逐渐减小的同时导致芯片的热流密度越来越高，芯片的耗能和散热将深刻影响整个信息产业甚至全球经济。芯片的热控制问题直接影响了电子器件可靠性的改善与集成化的提高，因热导致的失效已经成为微电子器件失效的主要形式。沸腾换热是通过大量汽泡的生成、成长和脱离将工质由液态转换到汽态的一种剧烈汽化过程，是一种非常有效的散热方式。由于相变过程中存在大量的潜热，沸腾换热作为一种高效的热传递方式已经被广泛应用在电子器件冷却领域并取得显著成效。
沸腾过程中，会产生大量气体，在高热流区域，由于液体不能及时补充，也会造成传热性能的恶化，因而也就难以进一步实现超高热流密度的散热。近年来国内外大量学者通过强化表面结构对沸腾传热进行了研究，现有的大多数采用强化沸腾换热的方法是使用增大比表面积、提高汽化核心数目的强化表面，具体的强化表面包括粗糙表面、烧结表面、电镀表面、喷涂表面，微机械加工表面等。其中方柱微结构表面利用相互连通的微通道，可以显著地提高临界热流密度值，并且在高热流密度区沸腾曲线非常陡直，壁面温度较稳定，达到临界热流密度时壁面温度远低于芯片工作的上限温度。但是，这种方柱微结构受其自身微柱的形状以及排列方式所限，使得微结构方柱之间微通道数量有限，增加的换热面积有限，导致其在高热流密度区的补液比较困难。
发明内容
针对现有强化表面结构对高热流密度电子器件冷却存在的不足和缺陷，本发明提供一种具有立体网状结构的电子器件散热结构及制造方法。本发明在微观层面上，能够提高液体的补充能力，有助于气泡脱离；在宏观层面上，能够增加换热面积，增强换热能力。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，包括散热板，散热板上设置有若干层微米级网状结构，且相邻的两层微米级网状结构之间设置有骨架层，所述微米级网状结构上修饰有纳米级微结构，所述散热板、微米级网状结构以及骨架层的材质均为铜。
进一步地，所述散热板的长度和宽度均为L1，L1的取值为5-50mm。
进一步地，所述微米级网状结构的长度和宽度均为L2，L2的取值为5-50mm。
进一步地，所述骨架层是丝径500μm，32目的铜网。
进一步地，所述微米级网状结构是丝径120-250μm，60-120目的铜网，且从下层至上层，微米级网状结构的丝径逐渐增大，目数逐渐减小。
进一步地，微米级网状结构上修饰纳米级微结构具体为：将由散热板、微米级网状结构以及骨架层共同形成的具有立体网状结构的换热板放入修饰液中，在微米级网状结构上生长纳米级微结构。
进一步地，所述微米级网状结构为N层，且3≤N≤6。
进一步地，当N＝3时，散热板上依次设置有下层微米级网状结构、第一骨架层、中层微米级网状结构、第二骨架层以及上层微米级网状结构；
其中下层微米级网状结构是丝径120μm、120目的铜网，中层微米级网状结构是丝径180μm、80目的铜网，上层微米级网状结构是丝径250μm、60目的铜网；
第一骨架层和第二骨架层均为丝径500μm，32目的铜网。
一种具有立体网状结构的电子器件散热结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤一：将第一层微米级网状结构烧结在散热板上方；
步骤二：将第一骨架层烧结在第一层微米级网状结构上方；
步骤三：将第二层微米级网状结构烧结在第一骨架层上方；
步骤四：将第二骨架层烧结在第二层微米级网状结构上方；
步骤五：将第三层微米级网状结构烧结在第二骨架层上方；
步骤六：以此类推，形成具有立体网状结构的换热板；
步骤七：将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中，在微米级网状结构中生长出纳米级微结构，最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
以包含三层微米级网状结构为例，具体包括以下步骤：
步骤一：将丝径120μm、120目的铜网作为下层微米级网状结构，烧结在散热板上方；
步骤二：将丝径500μm、32目的铜网作为第一骨架层，烧结在下层微米级网状结构上方；
步骤三：将丝径180μm、80目的铜网作为中层微米级网状结构，烧结在第一骨架层上方；
步骤四：将丝径500μm、32目的铜网作为第二骨架层，烧结在中层微米级网状结构上方；
步骤五：将丝径250μm、60目的铜网作为上层微米级网状结构，烧结在第二骨架层上方；形成具有立体网状结构的换热板；
步骤六：将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中，在微米级网状结构中生长出纳米级微结构，最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明具有的立体网状结构由多层微米级网状结构组成，能够在3mm的高度内，将换热面积提高到光滑表面的10-20倍，能够大幅度增加换热面积，另外本发明中，散热板、各层微米级网状结构和各层骨架的材料都是铜，利用铜的高导热率和热扩散系数，及时将热量传导至散热面，可以将热量迅速传到热边界层以外，增加有效换热面积，提高换热效率；各层微米级网状结构之间的骨架可以作为补液通道。这些骨架能够将各层微米级网状结构隔开，减小不同微米级网状结构之间网孔的相互堵塞，这种结构有利于新鲜液体及时补充到换热表面，本发明在立体网状结构上修饰有纳米级的微结构，修饰的纳米结构可以促进气泡成核，进一步增加了换热面积，提高临界热流密度。
进一步地，若干层微米级网状结构，能够在3mm的高度内，将换热面积提高到光滑表面的10-20倍，能够大幅增大换热面积；各层微米级网状结构之间的骨架可以作为补液通道。这些骨架能够将各层微米级网状结构隔开，减小不同微米级网状结构之间网孔的相互堵塞，这种结构有利于新鲜液体及时补充到换热表面；立体网状结构上修饰有纳米级的微结构，修饰的纳米结构可以促进气泡成核，进一步增加了换热面积，提高临界热流密度。
进一步地，散热板和若干层微米级网状结构的长度和宽度可以根据不同的散热要求进行调节，以满足不同的散热需求。
进一步地，骨架所用丝网的目数比若干层微米级网状结构的目数小，骨架所用的丝网更加稀疏，能够减小液体补充过程中的阻力，利于新鲜液体及时补充到换热表面。同时，这些骨架能够将各层微米级网状结构隔开，减小不同微米级网状结构之间网孔的相互堵塞，有利于新鲜液体及时补充到换热表面。
进一步地，在沸腾过程中，液体中会产生大量气泡，气泡形成于汽化核心处，随后气泡生长、合并、脱离换热面。在这个过程中，气泡的直径随着气泡距离换热面距离的增大而增大。本发明的这种从下层到上层逐渐稀疏的立体网状结构正好能够满足气泡在脱离换热面过程中的特征，因而有助于气泡脱离换热面。
进一步地，立体网状结构上修饰有纳米级的微结构，可以促进气泡成核，进一步增加了换热面积，提高临界热流密度。
进一步地，若干层微米级网状结构的层数范围在3层和6层之间。如果层数过少，提高换热面积的幅度有限，同时，增加的换热面积也不能突破热边界处，即是增加的换热面积也不是有效换热面积，不能够高效换热。如果层数过多，换热面上的热量经过各层微米级网状结构的层层传导，热阻不断增加，换热效率逐渐降低。此时，最后的几层微米级网状结构的换热效果不佳。基于上述考虑，最终将若干层微米级网状结构的层数范围定在3层和6层之间。
进一步地，若干层微米级网状结构和多层骨架通过烧结结合在散热板上，为了保证立体网状结构的强化沸腾换热结构的整体完成度，采用各层分步烧结的方法。通过保证各层结构烧结的质量，进而保证整个结构的烧结质量。
附图说明
图1是本发明的具有立体网状结构(三层结构)的电子器件散热结构的示意图；
图2是本发明的具有立体网状结构(三层结构)的电子器件散热结构的俯视图；
图3是本发明的具有立体网状结构(三层结构)的电子器件散热结构的侧视图；
图4是本发明的具有立体网状结构(三层结构)的电子器件散热结构的分解图。
其中，1、散热板；2、下层微米级网状结构；3、第一骨架层；4、中层微米级网状结构；5、第二骨架层；6、上层微米级网状结构。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细描述：
一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，包括散热板1、多层微米级网状结构、多层骨架。散热板1上设置有多层微米级网状结构，在多层微米级网状结构上修饰有纳米级微结构(将立体网状结构的电子器件散热结构放入修饰液中，在多层微米级网状结构上生长纳米级微结构)。其中，散热板1和多层微米级网状结构的材质是铜，具有良好的导热性能。散热板1的长度宽度都为L1，取值为5-50mm；将多层微米级网状结构烧结在散热板1上，多层微米级网状结构的长度和宽度都为L2，取值为5-50mm，多层微米级网状结构分为N(3≤N≤6)层结构，每层结构之间有起到支撑作用的骨架层存在。
以3层结构为例，多层的微米级网状结构各层之间的参数不同，位于最下层的微米级网状结构是丝径120μm、120目的铜网，位于中层的微米级网状结构是丝径180μm、80目的铜网，位于上层的微米级网状结构是丝径250μm、60目的铜网；多层微米级网状结构之间由骨架层隔开，骨架是丝径500μm，32目的铜网。
本发明涉及到的立体网状结构由多层微米级网状结构烧结而成，能够在3mm的高度内，将换热面积提高到光滑表面的10-20倍，能够大幅增加换热面积。本发明中，散热板、各层微米级网状结构和各层骨架的材料都是铜，利用铜的高导热率和热扩散系数，可以将热量迅速传到热边界层以外，提高换热效率。各层微米级网状结构之间的骨架可以作为补液通道，这些骨架能够将各层微米级网状结构隔开，减小不同微米级网状结构之间网孔的相互堵塞，这种结构有利于新鲜液体及时补充到换热表面。同时，本发明的这种从下层到上层逐渐稀疏的立体网状结构也有助于气泡脱离换热面。立体网状结构上修饰有纳米级的微结构，进一步增加了换热面积，修饰的纳米结构可以促进气泡成核，提高临界热流密度。
下面结合附图对本发明实施例做详细描述：
参见图1至图3，以三层结构为例，本发明的原理是，通过由多层微米级网状结构烧结而成的立体网状结构，能够大幅增加换热面积，增加液体的补充通道可以增强换热表面的补液。各层微米级网状结构之间的骨架层可以作为补液通道，这些骨架层能够将各层微米级网状结构隔开，减小不同微米级网状结构之间网孔的相互堵塞，这种结构有利于新鲜液体及时补充到换热表面。同时，本发明的这种从下层到上层逐渐稀疏的立体网状结构也有助于气泡脱离换热面。本发明所涉及到的强化换热表面包括散热板1(长度和宽度都为10mm，厚度为0.5mm的铜薄片)，下层微米级网状结构2(丝径120μm，120目的铜网)，第一骨架层3(丝径500μm，32目的铜网)，中层微米级网状结构4(丝径180μm，80目的铜网)，第二骨架层5(丝径500μm，32目的铜网)，上层微米级网状结构6(将丝径250μm，60目的铜网)。通过将上述的多个结构一层一层地烧结在一起，能够得到具有立体网状的电子器件散热结构。本发明的具有立体网状的电子器件散热结构能够在3mm的高度内，将换热面积提高到光滑表面的10-20倍，能够大幅增加换热面积。本发明中，散热板、各层微米级网状结构和各层骨架的材料都是铜，利用铜的高导热率和热扩散系数，能够及时将热量传导至散热面上，将热量迅速传到热边界层以外，提高换热效率。然后将此具有立体网状结构的电子器件散热结构放入修饰液中，在网状结构上生成纳米级别的微结构，最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
一种具有立体网状结构(三层结构)的电子器件散热结构的制造方法，包括如下步骤：
第一步：将丝径120μm，120目的铜网作为下层微米级网状结构，烧结在散热板上方。
第二步：将丝径500μm，32目的铜网作为第一层骨架，烧结在下层微米级网状结构上方。
第三步：将丝径180μm，80目的铜网作为中层微米级网状结构，烧结在第一层骨架上方。
第四步：将丝径500μm，32目的铜网作为第二层骨架，烧结在中层微米级网状结构上方。
第五步：将丝径250μm，60目的铜网作为上层微米级网状结构，烧结在第二层骨架上方。
第六步：将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中，在立体网状结构中生长出纳米级的微结构，最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
微观层面上，本发明具有的立体网状结构能够提供更多的液体补充通道，这种结构有利于新鲜液体及时补充到换热表面，能够提高换热表面的液体补充能力；本发明中的骨架能够将相邻两层微米级网状结构隔开，减小不同微米级网状结构之间网孔的相互堵塞，有利于新鲜液体及时补充到换热表面；本发明的这种从下层到上层逐渐稀疏的立体网状结构也有助于气泡脱离换热面，提高换热能力。宏观层面上，本发明通过多层微米级网状结构，能够在3mm的高度内，将换热面积提高到光滑表面的10-20倍，能够大幅增加换热面积；本发明通过在微米级网状结构上生长的纳米级微结构，进一步增加了换热面积，也能够增加汽化核心，可以促进气泡成核，提高了芯片沸腾换热的临界热流密度，能够满足具备高临界热流密度芯片的散热需求。

Claims (8)

1.一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，其特征在于，包括散热板(1)，散热板(1)上设置有若干层微米级网状结构，且相邻的两层微米级网状结构之间设置有骨架层，所述微米级网状结构上修饰有纳米级微结构，所述散热板、微米级网状结构以及骨架层的材质均为铜；所述骨架层是丝径500μm，32目的铜网，所述微米级网状结构是丝径120-250μm，60-120目的铜网，且从下层至上层，微米级网状结构的丝径逐渐增大，目数逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，其特征在于，所述散热板(1)的长度和宽度均为L1，L1的取值为5-50mm。
3.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，其特征在于，所述微米级网状结构的长度和宽度均为L2，L2的取值为5-50mm。
4.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，其特征在于，微米级网状结构上修饰纳米级微结构具体为：将由散热板(1)、微米级网状结构以及骨架层共同形成的具有立体网状结构的换热板放入修饰液中，在微米级网状结构上生长纳米级微结构。
5.根据权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，其特征在于，所述微米级网状结构为N层，且3≤N≤6。
6.根据权利要求5所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构，其特征在于，当N＝3时，散热板(1)上依次设置有下层微米级网状结构(2)、第一骨架层(3)、中层微米级网状结构(4)、第二骨架层(5)以及上层微米级网状结构(6)；
其中下层微米级网状结构(2)是丝径120μm、120目的铜网，中层微米级网状结构(4)是丝径180μm、80目的铜网，上层微米级网状结构(6)是丝径250μm、60目的铜网；
第一骨架层(3)和第二骨架层(5)均为丝径500μm，32目的铜网。
7.权利要求1所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将第一层微米级网状结构烧结在散热板(1)上方；
步骤二：将第一骨架层烧结在第一层微米级网状结构上方；
步骤三：将第二层微米级网状结构烧结在第一骨架层上方；
步骤四：将第二骨架层烧结在第二层微米级网状结构上方；
步骤五：将第三层微米级网状结构烧结在第二骨架层上方；
步骤六：以此类推，形成具有立体网状结构的换热板；
步骤七：将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中，在微米级网状结构中生长出纳米级微结构，最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
8.根据权利要求7所述的一种具有立体网状结构的电子器件散热结构的制造方法，其特征在于，共包含三层微米级网状结构，具体包括以下步骤：
步骤一：将丝径120μm、120目的铜网作为下层微米级网状结构(2)，烧结在散热板(1)上方；
步骤二：将丝径500μm、32目的铜网作为第一骨架层(3)，烧结在下层微米级网状结构(2)上方；
步骤三：将丝径180μm、80目的铜网作为中层微米级网状结构(4)，烧结在第一骨架层(3)上方；
步骤四：将丝径500μm、32目的铜网作为第二骨架层(5)，烧结在中层微米级网状结构(4)上方；
步骤五：将丝径250μm、60目的铜网作为上层微米级网状结构(6)，烧结在第二骨架层(5)上方；形成具有立体网状结构的换热板；
步骤六：将具有立体网状结构的换热板放置到修饰液中，在微米级网状结构中生长出纳米级微结构，最终得到具有微纳复合立体网状结构的电子器件散热结构。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114131018A (zh) * 2021-12-10 2022-03-04 中国矿业大学 一种压网铜纳米堆积床散热材料的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016183390A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 日立化成株式会社 金属多孔質体
CN110267493A (zh) * 2019-06-12 2019-09-20 华南理工大学 一种具有分级多孔结构的柔性超薄吸液芯及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016183390A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 日立化成株式会社 金属多孔質体
CN110267493A (zh) * 2019-06-12 2019-09-20 华南理工大学 一种具有分级多孔结构的柔性超薄吸液芯及其制造方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HEAT SINK WITH MULTILAYER OF POROUS MEDIA;Arun Karunanithi;《Journal of Porous Media》;20160313;第19卷(第8期);659-667 *
内插多孔介质微通道热沉的数值模拟;隆瑞等;《水电能源科学》;20111125;第29卷(第11期);205-208 *
复合金属丝网表面强化沸腾传热的研究进展;谭华玉等;《石油化工设备技术》;20050915;第26卷(第05期);38-42 *
芯片冷却用微通道散热结构热流耦合场数值研究;徐尚龙等;《中国机械工程》;20111210;第22卷(第23期);2863-2866 *

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