CN111918187A - Mems扬声器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了MEMS扬声器,包括具有声腔的基底和固定于基底的至少两个电声换能器,电声换能器的声波传播方向均朝向声腔,基底贯穿开设有与声腔连通的出声孔;至少两个电声换能器的声波传播方向相交。由于本实施例中的MEMS扬声器至少包括两个电声换能器,两个电声换能器发出的声波的传播方向相交,从而能够使两个电能换声器的声波相叠加,进而能够增高音频的输出水平,使本实施例中的MEMS扬声器的整体的声学性能大大提高。

Description

MEMS扬声器
【技术领域】
本发明涉及声学技术领域,尤其涉及一种MEMS扬声器。
【背景技术】
MEMS扬声器相比传统扬声器,具有一致性好、功耗低、尺寸小、价格低等优势,市场前景广阔。
相关技术中的MEMS扬声器(或概念机)的声音输出水平较低,影响了MEMS扬声器的声学性能,一定程度上阻碍了MEMS扬声器的发展。
因此,有必要提供一种新型的MEMS扬声器来解决上述问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种MEMS扬声器,该MEMS扬声器声学性能更好。
本发明的技术方案如下:一种MEMS扬声器,包括具有声腔的基底和固定于所述基底的至少两个电声换能器,所述电声换能器的声波传播方向均朝向所述声腔,所述基底贯穿开设有与所述声腔连通的出声孔;至少两个所述电声换能器的声波传播方向相交。
作为本发明的一个实施例,至少两个所述电声换能器的振动方向相互正交。
作为本发明的一个实施例,所述出声孔与其中一个所述电声换能器正对。
作为本发明的一个实施例,所述基底包括层叠设置的上基底与下基底,所述声腔包括由所述上基底围成的上声腔以及由所述下基底围成并与所述上声腔连通的下声腔,所述电声换能器包括固定于所述上基底上的至少一个用于向所述上声腔内发送声波的第一电声换能器,以及固定于所述下基底上的至少一个用于向所述下声腔内发送声波的第二电声换能器;其中一个所述第二电声换能器的声波传播方向与所述第一电声换能器的声波传播方向相交。
作为本发明的一个实施例,所述上基底呈环状,所述基底还包括盖设在盖设于所述上基底远离所述下基底一侧的盖板,所述出声孔开设于所述盖板,所述第二电声换能器与所述盖板正对。
作为本发明的一个实施例,所述电声换能器为压电换能器、静电换能器和电磁换能器中的至少一种。
作为本发明的一个实施例,所述第一电声换能器包括自所述上基底朝所述上声腔内延伸形成的静电极梳齿、与所述静电极梳齿间隔设置的振膜以及设置在所述振膜靠近所述静电极梳齿一侧的动电极梳齿,所述静电极梳齿与所述动电极梳齿交叉耦合,所述振膜包括相对两侧分别与所述上基底固定。
作为本发明的一个实施例,所述上基底包括相对设置的第一侧壁以及连接在所述第一侧壁之间的第二侧壁,所述第一侧壁与所述第二侧壁围合形成所述上声腔,所述静电极梳齿自所述第一侧壁延伸,所述振膜的相对两侧固定于所述第二侧壁。
作为本发明的一个实施例,所述第二电声换能器包括振膜层以及耦合在所述振膜层上并用于驱动所述振膜层振动的驱动器,所述下基底呈环状,且所述下基底远离所述盖板的一侧形成与所述下声腔连通的通孔,所述振膜层盖设在所述下基底远离所述盖板的一侧并覆盖所述通孔,所述振膜层的振动方向正对所述通孔。
作为本发明的一个实施例,其特征在于:至少两个所述电声换能器的固有频率不同。
本发明的有益效果在于:由于本实施例中的MEMS扬声器至少包括两个电声换能器,两个电声换能器发出的声波的传播方向相交,从而能够使两个电能换声器的声波相叠加,进而能够增高音频的输出水平,使本实施例中的MEMS扬声器的整体的声学性能大大提高。
【附图说明】
图1为本发明一实施例的MEMS扬声器的整体结构示意图;
图2为图1的分解示意图;
图3为图1中的部分结构示意图;
图4为图2中的第一电声换能器的结构示意图;
图5为本发明另一实施例的MEMS扬声器的示意简图;
图6为本发明又一实施例的MEMS扬声器的示意简图;
图7为图6中的MEMS扬声器的性能折线图;
图8为电声换能器的一种结构示意图;
图9为电声换能器的另一种结构示意图;
图中:100、基底;101、声腔;1011、上声腔;1012、下声腔;102、出声孔;110、上基底;111、第一侧壁;112、第二侧壁;120、下基底;121、通孔;130、盖板;140、隔板;141、连接孔;200、电声换能器;210、第一电声换能器;211、静电极梳齿;212、振膜;213、动电极梳齿;220、第二电声换能器;221、振膜层;222、驱动器;230、振动组件;240、执行器;250、传动件。
【具体实施方式】
为进一步说明各实施例,本发明提供有附图。这些附图为本发明揭露内容的一部分,其主要用以说明实施例,并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容,本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。图中的组件并未按比例绘制,而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
请参照图1-图9,本发明一实施例提供了一种MEMS扬声器,本实施例中的MEMS扬声器包括具有声腔的基底100和至少两个电声换能器200,所述电声换能器200固定于在所述基底100上,所述电声换能器200发出的声波传播方向均朝向声腔101,所述基底100上贯穿开设有与所述声腔101连通的出声孔102,至少两个电声换能器200的声波传播方向相交。由于至少两个电声换能器200发出的声波的传播方向相交,从而能够使两个电能换声器200的声波相叠加,进而能够增高音频的输出水平,使本实施例中的MEMS扬声器的整体的声学性能大大提高。
优选地,至少两个电声换能器200的声波传播方向正交,因此,两个相互正交电声换能器200发出的声波的叠加效果更好,使本实施例中的MEMS扬声器的整体的声学性能更佳。
请参照图1-图6,本实施例中,至少两个所述电声换能器200的固有频率不同,由于至少具有两个不同固有频率的电声换能器200,从而使本实施例中的MEMS扬声器能够在多个频段具有高品质的声学性能,从而使本实施例中的MEMS扬声器的整体的声学性能大大提高。
具体地,提供以下两个实施例。
实施例一
请参照图5,本实施例中的MEMS扬声器中包括两个所述电能换声器,其中一个设置在所述基底100的底部,其中另一个设置在所述基底100的上部,且两个所述电声换能器200发出的声波的传播方向正交,且两个所述电能换声器发出的声波传播方向朝向所述声腔101。
实施例二
请参照图6,本实施例中的MEMS扬声器中包括三个所述电能换声器,其中一个设置在所述基底100的底部,其中另外两个设置在所述基底100的上部,且设置在所述基底100的上部两个所述电声换能器200与设置在所述基底100的底部的所述电声换能器200发出的声波的传播方向正交,且三个所述电能换声器发出的声波传播方向朝向所述声腔101。
图7为本实施例中的三个MEMS扬声器的仿真实验折现图,由折线图可知,在人耳可听频域内,采用三个电声换能器200正交组合的MEMS扬声器的声压输出在各频段均优于单换能器扬声器,且证明在基底100的水平面积不变的情况下,本实施例能有效提升MEMS扬声器的声压输出;与此同时,由于各个换能器在空间上彼此去耦合,不会由于各自固有频率间的差异而引发相互干涉影响,不会对MEMS扬声器的音质产生不利影响。
需要说明的是,本实施例中的电声换能器200的数量并不做限定,还可以是4个、5个或其它数量。
本实施例中的所述电声换能器200为压电换能器、静电换能器、电磁换能器中的至少一种。
请参照图3,本实施例中的所述基底100包括层叠设置的上基底110与下基底120,所述声腔101包括由所述上基底110围成的上声腔1011以及由所述下基底120围成并与所述上声腔1011连通的下声腔1012;所述电声换能器200包括固定于所述下基底120上的至少一个向所述下声腔1012内发送声波的第一电声换能器210,以及固定于所述下基底120上的至少一个向所述下声腔1012内发送声波的第二电声换能器220;其中一个所述第二电声换能器220的声波传播方向与所述第一电声换能器210的声波传播方向相交;从而所述第一电声换能器210和所述第二电声换能器220可实现空间上的解耦,避免其相互干涉。通过将上基底110与下基底120层叠设置,第一电声换能器210和第二电声换能器220分别固定于上基底110和下基底120上,进而在MEMS扬声器的底面积不变的情况下,即能够安装多个所述电声换能器200,从而实现声波的叠加,使MEMS扬声器的整体的声学性能大大提高。
请参照图2以及图3,本实施例中的所述上基底110呈环状,所述基底100还包括盖设于所述上基底110远离所述下基底120一侧的盖板130,所述出声孔102开设于所述盖板130,所述第二电声换能器220与所述盖板130正对。具体地,所述上基底110包括相对设置的第一侧壁111以及连接在所述第一侧壁111之间的第二侧壁112,所述第一侧壁111与所述第二侧壁112围合形成所述上声腔1011。
请参照图4,本实施例中的所述第一电声换能器210为静电换能器,具体地,所述第一电声换能器210包括自所述上基底110朝所述上声腔1101内延伸形成的静电极梳齿211、与所述静电极梳齿211间隔设置的振膜212以及设置在所述振膜212靠近所述静电极梳齿211一侧的动电极梳齿213,所述静电极梳齿211与所述动电极梳齿213交叉耦合,所述振膜212包括相对两侧分别与所述上基底110固定。
具体地,所述静电极梳齿211自所述第一侧壁111延伸,所述振膜212的相对两侧固定于所述第二侧壁112。
本实施例中的所述基底100还包括盖设于所述下基底120远离所述第二电声换能器220一侧的隔板140,所述隔板140夹设于所述上基底110与所述下基底120之间;所述隔板140上贯穿开设有连通所述上声腔1011和所述下声腔1012的连接孔141,所述第二电声换能器220与所述盖板130正对,通过所述隔板140将所述声腔101分隔为上声腔1011和下声腔1012。
请参照图2以及图3,本实施例中的所述第二电声换能器220为压电换能器,具体地,所述第二电声换能器220包括振膜层221以及耦合在所述振膜层221上并用于驱动所述振膜层221振动的驱动器222,所述下基底120呈环状,且所述下基底120远离所述盖板130的一侧形成与所述下声腔1012连通的通孔121,所述振膜层221盖设在所述下基底120远离所述盖板130的一侧并覆盖所述通孔121,所述振膜层的振动方向正对所述通孔。
优选地,所述通孔121、所述连接孔141以及所述出声孔102的轴线为同一直线。
优选地,所述通孔121的直径大于所述连接孔111的直径,所述连接孔111的直径大于所述出声孔102的直径。
需要说明的是,本实施例中的所述第一电声换能器210不仅可以是静电换能器,还可以是压电换能器和电磁换能器,所述第二电声换能器220不仅可以是压电换能器,还可以是静电换能器和电磁换能器。
还需要说明的是,本实施例中的电声换能器200的结构除上述实施例中的所述第一电声换能器210和所述第二电声换能器220的结构之外,还具有其它类型的结构。具体结构如以下各实施例。
实施例一
请参照图8,本实施例中的所述电声换能器200包括振动组件230和驱动所述振动组件230振动的执行器240,所述执行器240耦合在所述振动组件230上。执行器240优选为压电致动器。
实施例二
请参照图9,本实施例中的所述电声换能器200包括振动组件230、驱动所述振动组件230振动的执行器240以及用于传递执行器240发出的振动的传动件250,所述传动件250的两端分别与所述振动组件230和所述执行器240耦合连接。执行器240优选为压电致动器。
以上所述的仅是本发明的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种MEMS扬声器,其特征在于:包括具有声腔的基底和固定于所述基底的至少两个电声换能器,所述电声换能器的声波传播方向均朝向所述声腔,所述基底贯穿开设有与所述声腔连通的出声孔;至少两个所述电声换能器的声波传播方向相交。
2.根据权利要求1所述的MEMS扬声器,其特征在于:至少两个所述电声换能器的振动方向相互正交。
3.根据权利要求1所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述出声孔与其中一个所述电声换能器正对。
4.根据权利要求1所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述基底包括层叠设置的上基底与下基底,所述声腔包括由所述上基底围成的上声腔以及由所述下基底围成并与所述上声腔连通的下声腔,所述电声换能器包括固定于所述上基底上的至少一个用于向所述上声腔内发送声波的第一电声换能器,以及固定于所述下基底上的至少一个用于向所述下声腔内发送声波的第二电声换能器;其中一个所述第二电声换能器的声波传播方向与所述第一电声换能器的声波传播方向相交。
5.根据权利要求4所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述上基底呈环状,所述基底还包括盖设在盖设于所述上基底远离所述下基底一侧的盖板,所述出声孔开设于所述盖板,所述第二电声换能器与所述盖板正对。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述电声换能器为压电换能器、静电换能器和电磁换能器中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述第一电声换能器包括自所述上基底朝所述上声腔内延伸形成的静电极梳齿、与所述静电极梳齿间隔设置的振膜以及设置在所述振膜靠近所述静电极梳齿一侧的动电极梳齿,所述静电极梳齿与所述动电极梳齿交叉耦合,所述振膜包括相对两侧分别与所述上基底固定。
8.根据权利要求7所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述上基底包括相对设置的第一侧壁以及连接在所述第一侧壁之间的第二侧壁,所述第一侧壁与所述第二侧壁围合形成所述上声腔,所述静电极梳齿自所述第一侧壁延伸,所述振膜的相对两侧固定于所述第二侧壁。
9.根据权利要求8所述的MEMS扬声器,其特征在于:所述第二电声换能器包括振膜层以及耦合在所述振膜层上并用于驱动所述振膜层振动的驱动器,所述下基底呈环状,且所述下基底远离所述盖板的一侧形成与所述下声腔连通的通孔,所述振膜层盖设在所述下基底远离所述盖板的一侧并覆盖所述通孔,所述振膜层的振动方向正对所述通孔。
10.根据权利要求1-5中任一项所述的MEMS扬声器,其特征在于:至少两个所述电声换能器的固有频率不同。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040263938A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical scanner with curved mirror and method of manufacturing the same
JP2010212868A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Nec Corp 立体配列型送受波器、及び、立体配列型送受波器を備えた装置
US20100246863A1 (en) * 2007-11-12 2010-09-30 Yasuharu Onishi Piezoelectric acoustic device and electronic apparatus
JP2011228966A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Nec Corp 電気音響変換器及びそれを用いた電子機器
CN103124389A (zh) * 2011-11-14 2013-05-29 英飞凌科技股份有限公司 具有相互交叉的第一组梳齿和第二组梳齿的声换能器
CN203775405U (zh) * 2014-03-19 2014-08-13 宁波兴隆电子有限公司 一种传声器改进结构
US20150245118A1 (en) * 2010-12-10 2015-08-27 Infineon Technologies Ag Micromechanical Digital Loudspeaker
US20150256924A1 (en) * 2012-09-24 2015-09-10 Cirrus Logic International (Uk) Ltd. Mems device and process
US20170094418A1 (en) * 2014-05-14 2017-03-30 USound GmbH MEMS Loudspeaker Having an Actuator Structure and a Diaphragm Spaced Apart Therefrom
WO2017055384A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 USound GmbH Flexible mems-leiterplatteneinheit sowie schallwandleranordnung
US20180332384A1 (en) * 2014-02-14 2018-11-15 Sonic Blocks, Inc. Modular quick-connect a/v system and methods thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009016587A1 (en) * 2007-08-02 2009-02-05 Nxp B.V. Electro-acoustic transducer comprising a mems sensor
US20180146302A1 (en) * 2014-07-31 2018-05-24 Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. Mems microphone package structure and method for manufacturing the mems microphone package structures
CN205213033U (zh) * 2015-11-04 2016-05-04 瑞声光电科技(常州)有限公司 长冲程扬声器

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040263938A1 (en) * 2003-06-24 2004-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical scanner with curved mirror and method of manufacturing the same
US20100246863A1 (en) * 2007-11-12 2010-09-30 Yasuharu Onishi Piezoelectric acoustic device and electronic apparatus
JP2010212868A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Nec Corp 立体配列型送受波器、及び、立体配列型送受波器を備えた装置
JP2011228966A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Nec Corp 電気音響変換器及びそれを用いた電子機器
US20150245118A1 (en) * 2010-12-10 2015-08-27 Infineon Technologies Ag Micromechanical Digital Loudspeaker
CN103124389A (zh) * 2011-11-14 2013-05-29 英飞凌科技股份有限公司 具有相互交叉的第一组梳齿和第二组梳齿的声换能器
US20150256924A1 (en) * 2012-09-24 2015-09-10 Cirrus Logic International (Uk) Ltd. Mems device and process
US20180332384A1 (en) * 2014-02-14 2018-11-15 Sonic Blocks, Inc. Modular quick-connect a/v system and methods thereof
CN203775405U (zh) * 2014-03-19 2014-08-13 宁波兴隆电子有限公司 一种传声器改进结构
US20170094418A1 (en) * 2014-05-14 2017-03-30 USound GmbH MEMS Loudspeaker Having an Actuator Structure and a Diaphragm Spaced Apart Therefrom
WO2017055384A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 USound GmbH Flexible mems-leiterplatteneinheit sowie schallwandleranordnung

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