CN111916469A - 一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本发明解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底；c.去除InGaAs刻蚀停止层；d.涂覆正光刻胶层；e.刻蚀形成上下贯通的第一窗口；f.湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口；g.去除剩余的正光刻胶层；h.沉积增透膜。本发明适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。
Description
技术领域
本发明涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。
背景技术
双色InGaAs红外焦平面探测器因其在非制冷情况下具有较高的探测率、低功耗和成本，并且具有低暗电流和良好的抗辐射特性，而被广泛应用于航空安全、生物医学、伪装识别、红外夜视等领域。在现有技术条件下，双色InGaAs红外焦平面探测器因其制备方法所限，其像素区域容易残留N型InP金属接触层。在实际应用中，残留的N型InP金属接触层会吸收部分可见光，导致In0.53Ga0.47As吸收层对可见光的吸收率下降，由此导致双色InGaAs红外焦平面探测器的可见光吸收性能较差。基于此，有必要发明一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，以解决现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。
发明内容
本发明为了解决现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题，提供了一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。
本发明是采用如下技术方案实现的：
一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路，并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；
b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底，由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层暴露出来；
c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层，由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层暴露出来；
d.在N型InP金属接触层上涂覆正光刻胶层；
e.在正光刻胶层上刻蚀形成上下贯通的第一窗口，由此使得像素区域的N型InP金属接触层暴露出来；
f.通过第一窗口在像素区域的N型InP金属接触层上湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口，由此使得像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层暴露出来；
g.去除剩余的正光刻胶层，由此使得剩余的N型InP金属接触层暴露出来；
h.在像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层和剩余的N型InP金属接触层上沉积增透膜，由此制得双色InGaAs红外焦平面探测器。
所述InGaAs光电二极管阵列为现有公知结构，其包括InP衬底、InGaAs刻蚀停止层、N型InP金属接触层、In0.53Ga0.47As吸收层、N型InP层、氮化硅层、连接金属层、P型金属层、铟柱、N型金属层。
本发明所述的一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法基于全新的工艺原理，实现了双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。与现有双色InGaAs红外焦平面探测器相比，采用本发明制得的双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域不会残留N型InP金属接触层，由此显著提高了In0.53Ga0.47As吸收层对可见光的吸收率，从而显著提高了双色InGaAs红外焦平面探测器的可见光吸收性能。
本发明有效解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题，适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。
附图说明
图1是本发明中步骤a的示意图。
图2是本发明中步骤b的示意图。
图3是本发明中步骤c的示意图。
图4是本发明中步骤d的示意图。
图5是本发明中步骤e的示意图。
图6是本发明中步骤f的示意图。
图7是本发明中步骤g的示意图。
图8是本发明中步骤h的示意图。
图中：101-InGaAs光电二极管阵列的InP衬底，102-InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层，103-InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层，104-InGaAs光电二极管阵列的In0.53Ga0.47As吸收层，105-InGaAs光电二极管阵列的N型InP层，106-InGaAs光电二极管阵列的氮化硅层，107-InGaAs光电二极管阵列的连接金属层，108-InGaAs光电二极管阵列的P型金属层，109-InGaAs光电二极管阵列的铟柱，110-InGaAs光电二极管阵列的N型金属层，2-读出电路， 3-正光刻胶层，4-增透膜。
具体实施方式
一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路2，并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路2进行倒装互联；
b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底101进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底101，由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层102暴露出来；
c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层102，由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层103暴露出来；
d.在N型InP金属接触层103上涂覆正光刻胶层3；
e.在正光刻胶层3上刻蚀形成上下贯通的第一窗口，由此使得像素区域的N型InP金属接触层103暴露出来；
f.通过第一窗口在像素区域的N型InP金属接触层103上湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口，由此使得像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层104暴露出来；
g.去除剩余的正光刻胶层3，由此使得剩余的N型InP金属接触层103暴露出来；
h.在像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层104和剩余的N型InP金属接触层103上沉积增透膜4，由此制得双色InGaAs红外焦平面探测器。
所述步骤h中，增透膜4为钝化增透膜。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式作出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2），并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2）进行倒装互联；
b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底（101）进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底（101），由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层（102）暴露出来；
c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层（102），由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层（103）暴露出来；
d.在N型InP金属接触层（103）上涂覆正光刻胶层（3）；
e.在正光刻胶层（3）上刻蚀形成上下贯通的第一窗口，由此使得像素区域的N型InP金属接触层（103）暴露出来；
f.通过第一窗口在像素区域的N型InP金属接触层（103）上湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口，由此使得像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层（104）暴露出来；
g.去除剩余的正光刻胶层（3），由此使得剩余的N型InP金属接触层（103）暴露出来；
h.在像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层（104）和剩余的N型InP金属接触层（103）上沉积增透膜（4），由此制得双色InGaAs红外焦平面探测器。
2.根据权利要求1所述的一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤h中，增透膜（4）为钝化增透膜。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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