CN101644604A - 一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，其中，包括下列步骤：步骤A：在宝石衬底上形成一封闭的金薄膜，所述金薄膜环绕在探测器周围；步骤B：将挝成与所述金薄膜形状相应的铟丝放在金薄膜上；步骤C：将窗口压在所述铟丝上，并施加一定压力，使探测器和窗口成为一整体器件；步骤D：将所述整体器件放入回流炉中，抽真空同时快速升温至设定温度，并保持一定时间，然后再降温。本发明能够实现器件与窗口通过铟金合金的真空密封，连接牢固，结构简单。
Description
技术领域
本发明涉及非制冷红外焦平面探测器技术领域，特别涉及一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法。
背景技术
目前，非制冷红外焦平面探测器从原理上可以分为两种：一种是电读出非制冷红外探测器；另一种是光读出非制冷红外探测器。
光学读出非制冷红外探测是一种基于材料热光效应的红外探测技术，即由于红外辐射的作用引起探测器温度的升高，从而导致探测材料的光学特性发生改变，利用商用Si CCD来探测其光学性能的改变来实现对红外辐射的探测。与传统电读出非制冷红外探测器不同，这种光学读出非制冷红外探测技术不需要设计专用读出电路，而可采用商用Si CCD进行信号的读出，因此在成本上相对电读出非制冷红外探测器更低，有利用红外探测技术在民用领域中的推广。见参考文献“Novel Low-Cost Uncooled Infrared Camera，Proc.of SPIE5783，496-505”。
因为不需要设计专用读出电路，因此在装配上也与电读出非制冷红外探测器有很大不同，光读出非制冷红外探测器只需要探测器跟窗口进行耦合即可。但是，如何实现光读出非制冷红外探测器与窗口的牢固连接是需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，能够实现器件与窗口通过铟金合金的真空密封，连接牢固，结构简单。
本发明的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，包括下列步骤：
步骤A：在宝石衬底上形成一封闭的金薄膜，所述金薄膜环绕在探测器周围；
步骤B：将挝成与所述金薄膜形状相应的铟丝放在金薄膜上；
步骤C：将窗口压在所述铟丝上，并施加一定压力，使探测器和窗口成为一整体器件；
步骤D：将所述整体器件放入回流炉中，抽真空同时快速升温至设定温度，并保持一定时间，然后再降温。
其中，在所述步骤A中，在宝石衬底上通过光刻和沉积工艺形成所述封闭的金薄膜。
其中，在所述步骤D中，所述快速升温至设定温度为，在5分钟之内，升温至200度至300度。
另外，在所述步骤D中，保持一定时间为保持1至5分钟。
本发明的有益效果是：依照本发明的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，实现了器件与窗口通过铟金合金的真空密封，连接牢固，结构简单。
附图说明
图1为本发明器件装配前结构示意图；
图2为装配窗口前的剖面示意图；
图3为装配窗口时的剖面示意图；
图4为装配完窗口的剖面示意图。
具体实施方式
以下，参考附图1～4详细描述本发明的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法。
图1为本发明器件装配前结构示意图。如图1所示，包括下列步骤：
步骤100：在宝石衬底1上通过光刻和沉积工艺形成的金薄膜2环绕在探测器3周围；
步骤200：将挝成与金薄膜2形状相应的铟丝6放在金薄膜2上，如图2所示；
步骤300：将窗口4压在铟丝6上，如图3所示，并施加一定压力，使探测器和窗口成为一个整体；
步骤400：将步骤300中该整体放入回流炉中，抽真空同时快速升温至预定温度，并保持一定时间，然后再快速降温。
其中，在步骤400中，快速升温到预定温度为在5分钟之内升温到200度到300度，保持一定时间为保持1至5分钟。
在步骤400工艺过后，探测器3周围形成了真空5状态，并且铟丝6由于高温熔化和金薄膜2形成了铟金合金7，如图4所示。
综上所述，依照本发明的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，实现了器件与窗口通过铟金合金的真空密封，连接牢固，结构简单。
以上是为了使本领域普通技术人员理解本发明，而对本发明所进行的详细描述，但可以想到，在不脱离本发明的权利要求所涵盖的范围内还可以做出其它的变化和修改，这些变化和修改均在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤A：在宝石衬底上形成一封闭的金薄膜，所述金薄膜环绕在探测器周围；
步骤B：将挝成与所述金薄膜形状相应的铟丝放在金薄膜上；
步骤C：将窗口压在所述铟丝上，并施加一定压力，使探测器和窗口成为一整体器件；
步骤D：将所述整体器件放入回流炉中，抽真空同时快速升温至设定温度，并保持一定时间，然后再降温。
2.如权利要求1所述的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，其特征在于，在所述步骤A中，在宝石衬底上通过光刻和沉积工艺形成所述封闭的金薄膜。
3.如权利要求1所述的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，其特征在于，在所述步骤D中，所述快速升温至设定温度为，在5分钟之内，升温至200度至300度。
4.如权利要求1所述的光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法，其特征在于，在所述步骤D中，保持一定时间为保持1至5分钟。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN200910092191A CN101644604A (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法 |
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| CN101644604A true CN101644604A (zh) | 2010-02-10 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN200910092191A Pending CN101644604A (zh) | 2009-09-04 | 2009-09-04 | 一种光读出型非制冷红外焦平面探测器的装配方法 |
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| CN (1) | CN101644604A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101893483A (zh) * | 2010-05-04 | 2010-11-24 | 电子科技大学 | 一种非制冷红外焦平面阵列器件的封装工艺及封装装置 |
| CN111916469A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-10 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法 |
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2009
- 2009-09-04 CN CN200910092191A patent/CN101644604A/zh active Pending
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| CN101893483A (zh) * | 2010-05-04 | 2010-11-24 | 电子科技大学 | 一种非制冷红外焦平面阵列器件的封装工艺及封装装置 |
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| CN111916469B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-06-28 | 山西国惠光电科技有限公司 | 一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法 |
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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