CN111902904A - 离子植入箔片组合件 - Google Patents

Abstract

公开一种包括多个箔层的箔衬垫。所述箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。

Description

离子植入箔片组合件

技术领域

本发明的实施例涉及用作间接加热式阴极(indirectly heated cathode，IHC)离子源中的衬垫的箔片组合件。

背景技术

间接加热式阴极(IHC)离子源通过将电流供应至设置于阴极后面的细丝来运作。所述细丝会发出朝阴极加速并对阴极进行加热的热离子电子(thermionic electron)，此转而会使阴极向离子源室中发出电子。阴极设置于离子源室的一个端部处。在离子源室的与阴极相对的端部上通常设置有斥拒极(repeller)。可对斥拒极施加偏压以斥拒电子，从而将电子朝离子源室的中心向回引导。在一些实施例中，使用磁场来进一步将电子局限于离子源室内。电子会使得生成等离子体。接着，经由提取孔从离子源室提取离子。

离子源室通常由具有良好的导电率及高熔点的导电材料制成。离子源室可保持处于某一电势(electrical potential)下。另外，阴极及斥拒极设置在离子源室内，且通常保持在与离子源室不同的电势下。

常常对离子源室进行加衬以延长离子源的寿命。举例来说，通常将钨衬垫安装在离子源室中。这些钨衬垫经受离子轰击及极端温度。当这些钨衬垫腐坏时，可更换这些钨衬垫，而不必更换整个离子源室。常常因其导电性而选择钨或其它高温耐火金属。

钨衬垫也是导热的，因此等离子体的热量通常被传递到离子源室。然而，在某些实施例中，保持等离子体与离子源室之间的温度差可能是有利的。具体来说，离子源室温度是一个关键参数，尤其是对于例如碳及三氟化硼等物质来说，其中在表面上产生不需要的材料的沉积，从而影响均匀性、寿命及成本。

因此，如果存在允许在等离子体与离子源室之间引入温度梯度的衬垫，则此将为有益的。此外，如果这些衬垫成本低且易于更换，则此将为有利的。

发明内容

公开一种包括多个箔层的箔衬垫。箔层可各自为堆叠在彼此顶部的导电材料。相邻箔层之间的间隔可生成热梯度，使得等离子体的温度比离子源室的温度热。在其他实施例中，可组装箔层以吸收来自等离子体的热量，使得等离子体比离子源室的温度冷。在一些实施例中，在一个或多个箔层上设置间隙或突起以影响热梯度。在某些实施例中，一个或多个箔层可由绝缘材料构成以进一步影响热梯度。箔衬垫可易于在离子源室内组装、安装及更换。

根据一个实施例，公开一种离子源。所述离子源包括：离子源室，用于生成等离子体；以及箔衬垫，包括设置在所述离子源室内的多个堆叠箔层，箔衬垫设置在所述离子源室的内表面与所述等离子体之间。在某些实施例中，所述箔衬垫是“U”形的，以便接近所述离子源室的侧面及底部设置。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层各自包含钨箔。在某些实施例中，所述箔衬垫包括第一箔层及第二箔层，其中所述第一箔层及所述第二箔层是由不同的耐火金属制成的。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层中的一者包括突起，以增加相邻箔层之间的间隔。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层中的一者包含绝缘材料，所述绝缘材料可为云母、石英、石英毛或其他挠性绝缘体。

根据另一个实施例，公开一种用于离子源室内的箔衬垫。所述箔衬垫包括多个堆叠箔层。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层中的一者包括间隔层，其中所述间隔层具有比另一箔层的表面积小的表面积。在某些实施例中，所述间隔层可包括间隙、多个垂直条带或多个水平条带。在某些实施例中，所述间隔层被配置成根据期望路径远离所述离子源室的中心引导热量。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层中的一者包含绝缘材料。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层中的一者包括突起，以增加相邻箔层之间的间隔。

根据另一个实施例，公开一种离子源。所述离子源包括：离子源室，用于生成等离子体；以及箔衬垫，包括设置在所述离子源室内的多个堆叠箔层，箔衬垫设置在所述离子源室的内表面与所述等离子体之间，其中所述多个堆叠箔层包括最内层、最外层及一个或多个中间层，且其中所述最内层是由耐火金属构成的。在某些实施例中，所述多个堆叠箔层中的一者由绝缘材料构成，且所述离子源还包括连接器，其中所述连接器将所述最内层电连接到所述离子源室。在某些实施例中，所述最内层包含钨，且所述多个堆叠箔层中的一者包含不同的耐火金属。

附图说明

为更好地理解本公开，请参照附图，所述附图并入本文供参考且在所述附图中：

图1是根据一个实施例的离子源。

图2是具有箔衬垫的图1所示离子源的端视图。

图3A到3B示出根据一个实施例的箔衬垫。

图4是根据第二实施例的箔衬垫。

图5是根据第三实施例的箔衬垫。

图6是根据第四实施例的箔衬垫。

图7是根据第五实施例的箔衬垫。

图8示出将最内层电连接到离子源室的机构。

具体实施方式

如上所述，间接加热式阴极离子源常常与衬垫一起使用。衬垫用于保护位于下方的离子源室。来自等离子体的离子撞击衬垫，使得衬垫随时间推移而腐坏或受损。然后用新的衬垫更换所述衬垫。在操作过程中，离子源室的壁受衬垫保护且不受影响。这些衬垫通常基于用于制造衬垫的材料而具有一定的导热性。因此，难以在不影响离子源室的温度的情况下改变等离子体的温度。然而，如上所述，在某些实施例中，保持等离子体与离子源室之间的温度差可能是有利的。具体来说，离子源室温度可为一个关键参数，尤其是对于例如碳及三氟化硼等物质来说，其中在表面上产生不需要的材料的沉积，从而影响均匀性、寿命及成本。

图1示出克服这些问题的间接加热式阴极离子源10的第一实施例。间接加热式阴极离子源10包括离子源室100，离子源室100具有底部101、两个相对的端部以及连接到这些端部的侧面102及103。离子源室100可由导电材料(例如，石墨、钨或其他高温材料)构成。电源170可用于对离子源室100施加偏压。在其他实施例中，离子源室100可接地。箔衬垫200设置在离子源室100内，且可覆盖连接离子源室100的相对端部的侧面102及103。箔衬垫200还可覆盖离子源室100的底部101。在离子源室100内部，在离子源室100的两个相对端部中的一者处设置有阴极110。此阴极110与用于相对于离子源室100而对阴极110施加偏压的阴极电源115连通。在某些实施例中，阴极电源115可相对于离子源室100而对阴极110施加负偏压。举例来说，阴极电源115可具有处于0V至-150V范围内的输出，当然也可使用其他电压。在某些实施例中，相对于离子源室100而对阴极110施加介于0V与-40V之间的偏压。在阴极110后面设置有细丝160。细丝160与细丝电源165连通。细丝电源165用以经由细丝160传递电流，以使得细丝160发出热离子电子。阴极偏压电源116相对于阴极110对细丝160施加负偏压，因此当这些热离子电子撞击阴极110的后表面时，这些热离子电子会从细丝160朝阴极110加速并对阴极110进行加热。阴极偏压电源116可对细丝160施加偏压，以使得细丝160具有例如比阴极110的电压负300V至负600V(300V to 600V more negative)之间的电压。接着阴极110在阴极110的前表面上向离子源室100中发出热离子电子。

因此，细丝电源165供应电流至细丝160。阴极偏压电源116对细丝160施加偏压以使得细丝160相较于阴极110具有更大的负值(more negative)，进而使得电子从细丝160朝阴极110被吸引。最后，阴极电源115对阴极110施加比离子源室100更负的偏压。

在离子源室100内部，在离子源室100的与阴极110相对的一个端部上设置有斥拒极120。斥拒极120可与斥拒极电源125连通。顾名思义，斥拒极120用于将从阴极110发出的电子斥拒回朝(back toward)离子源室100的中心。举例来说，可相对于离子源室100而对斥拒极120施加负的偏压以斥拒电子。如同阴极电源115，斥拒极电源125可相对于离子源室100而对斥拒极120施加负偏压。举例来说，斥拒极电源125可具有处于0V至-150V范围中的输出，当然也可使用其他电压。在某些实施例中，相对于离子源室100而对斥拒极120施加介于0V与-40V之间的偏压。

在某些实施例中，阴极110与斥拒极120可连接至共用电源。因此，在此实施例中，阴极电源115与斥拒极电源125为同一电源。在其他实施例中，斥拒极120可被电浮置(electrically floating)，使得斥拒极不连接到任一电源或接地。

尽管图中未示出，然而在某些实施例中，在离子源室100中产生磁场。此磁场旨在沿一个方向局限电子。举例来说，电子可被局限于与从阴极110到斥拒极120的方向(即，y方向)平行的柱中。

在离子源室100的顶部上可设置有包括提取孔145的面板140。在图1中，提取孔145设置于与X-Y平面(平行于页面)平行的面板140上。面板140可为导电材料，例如钨。此外，尽管图中未示出，然而间接加热式阴极离子源10还包括进气口(gas inlet)，欲被离子化的气体经由所述进气口被引入至离子源室100中。

控制器180可与所述电源中的一者或多者连通以使得可修改由这些电源供应的电压或电流。控制器180可包括处理单元，例如微控制器、个人计算机、专用控制器、或另一合适的处理器。控制器180也可包括非暂时性存储元件，例如半导体存储器、磁性存储器、或另一合适的存储器。此非暂时性存储元件可含有指令及其他数据，所述指令及其他数据使控制器180能够使细丝160、阴极110及斥拒极120维持适合的电压。

在运作期间，细丝电源165经由细丝160传递电流，由此使细丝160发出热离子电子。这些电子撞击可具有相较于细丝160为更正(more positive)的阴极110的后表面，从而使阴极110被加热，此转而使阴极110向离子源室100中发出电子。这些电子与经由进气口而被馈送至离子源室100中的气体分子碰撞。这些碰撞会生成离子，由此形成等离子体150。可通过由阴极110及斥拒极120生成的电场来局限及操控等离子体150。在某些实施例中，等离子体150被局限于离子源室100的中心附近、靠近提取孔145。接着，经由提取孔145来将离子提取成离子束。

图2示出了箔衬垫200的实施例。在此实施例中，箔衬垫200可为“U”形的，使得箔衬垫200覆盖离子源室100的侧面102、103及底部101或这些表面的一部分。如在附图中所见，箔衬垫200的圆形部分接近离子源室100的底部101。箔衬垫200可与侧面102、103和/或底部101电接触，且因此保持处于与离子源室100相同的电势下。箔衬垫200设置在等离子体150与离子源室100之间。箔衬垫200用于屏蔽离子源室100的至少一部分内表面使其不受等离子体150的影响。此用于保护离子源室100不受溅射或其它有害效应的影响。

图2中所示的箔衬垫200可覆盖两个侧面102、103及底部101，但不覆盖离子源室100的两个端部。在本公开通篇中，长度方向是指离子源室100的端部之间的方向，所述方向在图1中表示为Y方向。宽度方向是指离子源室的侧面102与103之间的方向，所述方向在图1中表示为X方向。箔衬垫200的厚度是指其在Z方向上的尺寸。

虽然上述公开描述了箔衬垫200与离子源室100电连通的配置，但其它的实施例也是可能的。举例来说，在某些实施例中，箔衬垫可与面板140连通。

箔衬垫200与面板140之间的连接可以多种方式进行，包括干涉配合(interference fit)、弹簧或其它机构。

尽管图1示出了间接加热式阴极离子源，但本文中所述的箔衬垫可用于其它离子源中。举例来说，箔衬垫可与伯纳斯(Bernas)源、弗里曼(Freeman)源、多尖端源(multicuspsource)或任何类型的等离子体源一起使用。因此，本公开不限于IHC离子源。因此，用语“离子源”可指用于生成离子的任何类型的装置。

箔衬垫200包括设置在彼此顶部上的多个箔层。与离子源室100接触的箔层可被称为最外层，而最靠近等离子体150的箔层被称为最内层。所有其它层可称为中间层。用语“箔”及“箔层”用于表示厚度小于0.050英寸的材料片材。用于生成“箔”或“箔层”的材料可为金属或挠性绝缘体。

在图3A到3B中所示的一个实施例中，箔衬垫300是由多个在尺寸及形状上都相等的箔层310形成的。这些箔层310简单地放置在彼此的顶部上以形成箔衬垫300。箔层310可为任何合适的材料，例如钨、钛或不同的导电材料。在某些实施例中，使用钨。钨箔通常具有粗糙表面，所述粗糙表面用于自然地间隔开相邻的层。箔层310之间的空间具有绝缘效应，使得较靠近等离子体150的箔层310比较靠近离子源室100的箔层310更暖。在某些实施例中，箔层310在长度及宽度方向上介于1英寸与6英寸之间，并且具有介于0.002英寸与0.020英寸之间的厚度。当然，其它尺寸也是可能的，并且本公开不限于这些尺寸。箔层310之间的间隔可介于约0.001英寸与0.025英寸之间。

这些箔层310堆叠在彼此顶部以形成箔衬垫300。箔层310包括最内层311、最外层312及一个或多个中间层313。在某些实施例中，可能不存在任何中间层313，使得箔衬垫300包括两个箔层310。然后将形成箔衬垫300的箔层310的堆叠组(stacked set)插入离子源室100中，使得箔衬垫300的中间弯曲成“U”形，如图3B所示。因此，图3A中所示的每一箔层310的左边缘及右边缘在离子源室100的侧面102与103之间延伸。在图4到7中，箔层也以此种方式取向。在某些实施例中，外层可略大于内层，使得所有箔层310的端部在弯曲之后对齐。在此实施例中，由于所有的箔层310都是导电的且彼此物理接触，因此最内层311处于与离子源室100相同的电势下，只要最外层312与离子源室100物理及电接触即可。

最内层311与最外层312之间的热梯度由相邻层之间的间隔、用于每一箔层310的材料的导热率及中间层313的数量确定。举例来说，可使用钨或任何高温耐火金属的三个或更多个中间层313来实现大的温度梯度。使用较少的中间层313或通过将箔层压在一起以减小它们之间的间隔，将实现较小的温度梯度。

此外，在图3A到3B的实施例中，所有的箔层310不需要具有相同的材料。举例来说，钨箔层可与由钛或另一金属制成的箔层一起使用。在某些实施例中，可优选使用钨作为暴露于等离子体的最内层311，因为钨可容易地与所感兴趣的物质区分开。因此，在某些实施例中，最内层311可为钨，而一个或多个中间层313或最外层312可由钛或另一种高温耐火金属制成。

图4示出另一个实施例。在此实施例中，箔衬垫400包括多个箔层410。如同图3A到3B的实施例，箔层410包括最内层411、最外层412及一个或多个中间层413。在某些实施例中，可能不存在任何中间层413，使得箔衬垫400恰好包括两个箔层410。箔层410中的至少一者具有多个突起420。在某些实施例中，最外层412可具有突起420。在某些实施例中，如图4所示，一个或多个中间层413可具有突起420。然而，突起也可设置在最内层411及最外层412上。这些突起420可被压制、冲压或以其它方式引入到箔层410中。这些突起420可具有任何合适的高度，例如介于箔层410的高度的两倍与0.02英寸之间，但其它高度也是可能的。在某些实施例中，这些突起420可在长度及宽度方向上介于0.125英寸与1.0英寸之间。突起420可在长度及宽度方向上彼此间隔开0.125英寸至1.0英寸。

突起420旨在确保相邻箔层410之间的最小分隔或间隔。因此，当箔层410包括突起420时，箔层410可被进一步间隔开。此外，突起420还用于限制相邻箔层410之间的热量及电接触。突起420可与倾向于为非常光滑的金属箔一起使用，以便在箔层410之间引入最小间隔。正如图3A到3B所示的实施例，箔层410不需要具有相同的材料。可采用钨、钛、其它金属箔或其任意组合。此外，如在图3B中所示，箔衬垫400也可被弯曲以形成“U”形。

图5示出了箔衬垫500的另一个实施例。在此实施例中，一个或多个箔层510可为间隔层520。间隔层520被定义为其中被引入一个或多个间隙530的层。如同图3A到3B所示的实施例，箔层510包括最内层511、最外层512及一个或多个中间层513。在某些实施例中，间隔层520可为设置在最内层511与最外层512之间的任何中间层513。如此一来，间隔层520与其相邻的箔层510之间的物理连接减少，从而减少最内层与最外层之间的热传递。换句话说，在间隔层520中设置有间隙530的区域中，在相邻的箔层510之间不进行热传导。

间隔层520的使用也可有助于引导或集中离子源室100的加热。图5示出了形成有两个间隙530的中间层513。在此实施例中，在间隙530的区域中的间隔层520的任一侧上的箔层510之间将存在大的空间。如此一来，从最内层511到最外层512的热传导减少，特别是在间隙530附近。因此，在没有设置间隙530的这些区域中将进行更多的热传导。因此，离子源室100的接近间隙530的内部区域可比不设置间隙530的区域更暖。通过使用图5中所示的间隔层520，离子源室100的端部可比离子源室100的中心冷，因为间隙530靠近中心设置，而间隔层520具有沿其边缘的材料。

尽管图5示出了具有由水平构件531隔开的两个间隙530的间隔层520，但其它实施例也是可能的。举例来说，间隔层520可具有多于或少于两个间隙530。此外，间隙530可由垂直构件或水平构件或其组合隔开。此外，间隙530不需要为矩形的。间隙530可为圆形的、椭圆形的或任何其它形状。

因此，在图5中，间隔层520是具有一个或多个间隙530的单箔。然而，其他实施例也是可能的。

图6示出了箔衬垫600的另一个实施例。箔衬垫600包括多个箔层610，所述多个箔层610包括最内层611、最外层612及间隔层620。另外，箔衬垫600中也可包括中间层。在此实施例中，间隔层620包括多个垂直条带621及622。垂直条带621及622可各自具有与其它箔层610相同的长度。当弯曲成U形时，垂直条带621及622以较长的尺寸在离子源室100的两个端部之间延伸的方式取向。此种配置可进一步减少在最内层611与最外层612之间的热传递。如以上所阐释，垂直条带621及622的配置可有助于在期望路径中引导热量，从而影响离子源室100内部的温度。

图7示出了箔衬垫700的另一个实施例。箔衬垫700包括多个箔层710，所述多个箔层710包括最内层711、最外层712及间隔层720。另外，箔衬垫700中也可包括中间层。在此实施例中，间隔层720包括多个水平条带721、722及723。水平条带721、722及723可各自具有与其他箔层710相同的宽度。当弯曲成U形时，水平条带721、722及723以较长的尺寸在离子源室100的两个侧面102与103之间延伸的方式取向。此种配置可进一步减少最内层711与最外层712之间的热传递。如以上所阐释，水平条带721、722及723的配置可有助于在期望路径中引导热量，从而影响离子源室100内部的温度。

在这些实施例中的每一者中，间隔层是具有比最内层小的表面积的层。举例来说，最内层可为具有产生一定表面积的某一尺寸的矩形。在本文中所述的每一实施例中，间隔层(无论被构造成单个片材还是多个较小的片材)占据较小的表面积，从而在所述层中产生间隙。正是这些间隙用于增加最内层与最外层之间的热梯度。此外，间隔层的结构及配置还可用于将热量引导及集中到离子源室100的特定区域。举例来说，如果间隙靠近间隔层的中心设置，例如在图6中所示，那么此区中的热传递将减少。因此，离子源室100的中心处的温度可由于间隔层中的间隙的放置而相对于离子源室100的端部增加。因此，间隔层的配置可根据预定路径远离离子源室的中心引导热量。

上述公开内容描述了在最内箔与最外层之间生成温度梯度使得等离子体保持处于比离子源室100更高的温度下的各种方式。然而，在其他实施例中，可将箔层紧压在一起以使在各种箔层之间的热传递最大化。

在某些实施例中，一个或多个箔层可能是不导电的。举例来说，最内层可为导电的，然而，任何其他箔层不需要为导电的。在某些实施例中，可使用例如云母、石英、石英毛或任何其它挠性绝缘体等绝缘材料来形成箔层中的一者。

在这些实施例中，由于中间绝缘层的存在，最内箔层可不电连接到离子源室100。在这些实施例中，可使用夹具或其它连接器将最内层电连接到离子源室。图8示出了一个此种实施例。在此图中，绝缘层820设置在最内层810与离子源室100之间。因此，采用连接器800将最内层810电连接到离子源室100。连接器800可为任何导电材料，且可以任何合适的方式附接离子源室100。在某些实施例中，最内层810设置在连接器800后面，使得弹簧力使最内层810保持处于恰当位置并电连接到连接器800。在某些实施例中，最内层810与连接器800彼此接触的面积被最小化，使得在最内层810与离子源室100之间可存在热梯度。在其他实施例中，最内层810可电连接到面板。绝缘层的使用还可用于增加最内层810与离子源室100之间的温度梯度。

为了组装此种箔衬垫，将箔衬垫弯曲成“U”形并插入离子源室100中。为伸直的箔片的自然倾斜将使得最内层810接触连接器800，而无需将箔衬垫紧固到恰当位置。

根据这些实施例中的任一者的箔衬垫可以多种不同的方式进行封装。在一个实施例中，将多个箔层的堆叠体封装在一起。在此实施例中，操作者简单地将所述堆叠体弯曲成“U”形，并将箔衬垫安装在离子源室中。在另一个实施例中，多个箔层被单独封装，且操作者根据期望的操作条件组装多个箔层的堆叠体。所述堆叠体一经组装便被弯曲成“U”形并安装在离子源室中。

在某些实施例中，可对箔层进行点焊或采用用于在有限数量的点处固定所述箔层的其它方式，从而允许所述层之间的移动。

以上在本申请中所述的实施例可具有许多优点。首先，箔衬垫易于安装及更换，从而简化了预防性维护程序。其次，选择具有不同材料和/或不同属性(例如间隙或突起)的不同箔层使得能够对箔衬垫进行组装，以在离子源室内实现任何期望的操作条件。另外，使用箔衬垫可降低成本，因为这些衬垫是可更换的部件。此外，选择用于衬垫的特定材料可增加特定植入物质的输出，或者可消除因气体及固体组合而形成化合物。

本发明的范围不受本文中所阐述的具体实施例限制。实际上，通过阅读以上说明及附图，对所属领域中的普通技术人员来说，除本文中所阐述的实施例及润饰外的本发明的其他各种实施例及对本发明的各种润饰也将显而易见。因此，这些其他实施例及润饰都旨在落于本发明的范围内。此外，尽管本文中已在用于具体目的的具体环境中的具体实作方式的上下文中阐述了本发明，然而所属领域中的普通技术人员将认识到，本发明的适用性并不仅限于此且本发明可出于任意数目的目的而有益地实作于任意数目的环境中。因此，以上提出的权利要求应虑及本文所阐述的本发明的全部广度及精神来加以解释。

Claims (15)

1.一种离子源，包括：

离子源室，用于生成等离子体；以及

箔衬垫，包括设置在所述离子源室内的多个堆叠箔层，所述箔衬垫设置在所述离子源室的内表面与所述等离子体之间。

2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述箔衬垫为“U”形，以便接近所述离子源室的侧面及底部设置。

3.根据权利要求1所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层各自包含钨箔。

4.根据权利要求1所述的离子源，其中所述箔衬垫包括第一箔层及第二箔层，其中所述第一箔层及所述第二箔层由不同的耐火金属制成。

5.根据权利要求1所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层中的一者包括突起，以增加相邻箔层之间的间隔。

6.根据权利要求1所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层中的一者包含绝缘材料。

7.一种箔衬垫，用于离子源室内，所述箔衬垫包括多个堆叠箔层。

8.根据权利要求7所述的箔衬垫，其中所述多个堆叠箔层中的一者包括间隔层。

9.根据权利要求8所述的箔衬垫，其中所述间隔层包括一个或多个间隙。

10.根据权利要求8所述的箔衬垫，其中所述间隔层包括多个条带。

11.根据权利要求7所述的箔衬垫，其中所述多个堆叠箔层中的一者包含绝缘材料。

12.根据权利要求7所述的箔衬垫，其中所述多个堆叠箔层中的一者包括突起，以增加相邻箔层之间的间隔。

13.一种离子源，包括：

离子源室，用于生成等离子体；以及

箔衬垫，包括设置在所述离子源室内的多个堆叠箔层，所述箔衬垫设置在所述离子源室的内表面与所述等离子体之间，其中所述多个堆叠箔层包括最内层、最外层及一个或多个中间层，且其中所述最内层是由耐火金属构成的。

14.根据权利要求13所述的离子源，其中所述多个堆叠箔层中的一者由绝缘材料构成，且所述离子源还包括连接器，其中所述连接器将所述最内层电连接到所述离子源室。

15.根据权利要求13所述的离子源，其中所述最内层包含钨，且所述多个堆叠箔层中的一者包含不同的耐火金属。

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