CN111899691A - 外部补偿电路、阵列基板、检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种外部补偿电路、阵列基板、检测方法，属于像素补偿电路技术领域。本发明的外部补偿电路用于检测像素电路中向显示器件输出的电流，其包括：采样单元和积分单元；采样单元被配置为在第一检测阶段，第一开关、第四开关和第六开关处于导通状态；第二开关、第三开关和第五开关处于关断状态；第一电容感测感测线输出至第一节点的泄漏电流；在第二检测阶段，第一开关、第四开关和第六开关处于关断状态；第二开关、第三开关和第五开关处于导通状态；第一电容感测感测线输出至第一节点的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元；积分单元被配置为：在第二检测阶段对消除泄漏电流后的电流信号进行积分后输出。

Description

外部补偿电路、阵列基板、检测方法

技术领域

本发明属于像素补偿电路技术领域，具体涉及一种外部补偿电路，阵列基板，检测方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)由于具有超轻薄、高色域、高对比度、宽视角、快速响应等诸多优点，已被应用于高端电势和移动设备产品中。

AMOLED采用的是主动式驱动，其中有一个驱动晶体管TFT，由于TFT工艺的偏差，各个驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率等参数不可能保持完全一致。驱动晶体管阈值电压和电子迁移率的差异，都会对显示图像的质量造成不良影响。因此，需要对驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率进行补偿。

传统的补偿方法是在像素内部对驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率进行内部补偿，在像素内部利用TFT构件补偿子电路，以使得到的驱动电流于驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率无关。由于这些补偿都是在像素内部进行的，在像素内部增加了很多TFT和电容，尤其是电容所占用的芯片面积较大，导致AMOLED显示面板的发光面积占整个像素面积的比例大大降低，也即OLED显示面板的开口率较低。

基于上述问题，可采用对像素电路进行外部补偿，包括外部电压补偿和外部电流补偿，通过检测像素电路中的电压或者电流后，以对像素电路进行补偿其中，外部电压补偿方法中，电压信号易受到干扰，且随着显示面板尺寸的增大，寄生电容越大，所检测到的电压变低，检测难度较大。外部电流补偿能够避免电压在检测过程中所受到的干扰问题，但是在电流检测过程中，感测到的电流除像素电流外，通常还包括泄漏电流，泄漏电流对像素电路的补偿至关重要，但是泄漏电流的大小和方向较难确定。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够消除感测线中的泄漏电流的外部补偿电路。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种外部补偿电路，用于检测像素电路中向显示器件输出的电流，所述外部补偿电路包括：检测子电路，包括：采样单元和积分单元；所述采样单元包括：第一电容、第二电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关；所述积分单元包括积分模块和第六开关；其中，

所述第一电容的第一端通过第一开关与第一节点连接，通过所述第二开关与所述积分模块的输入端连接；所述第一电容的第二端通过所述第三开关与所述第一节点连接，通过所述第四开关与所述积分模块的输入端连接；

第二电容的第一端通过第五开关与所述第一节点连接；所述第二电容的第二端与所述积分模块的输出端连接；

所述第六开关的两端分别与所述积分模块的输入端与输出端连接；

所述第一节点用于通过感测线与像素电路的驱动电流输出端连接；

所述采样单元被配置为：在第一检测阶段，第一开关、第四开关和第六开关处于导通状态；第二开关、第三开关和第五开关处于关断状态；第一电容感测感测线输出至第一节点的泄漏电流；在第二检测阶段，第一开关、第四开关和第六开关处于关断状态；第二开关、第三开关和第五开关处于导通状态；第一电容感测感测线输出至第一节点的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元；

所述积分单元被配置为：在第二检测阶段对消除泄漏电流后的电流信号进行积分后输出。

可选的，所述外部补偿电路还包括：降压子电路，其的输入端通过感测线与所述像素电路的驱动电流输出端连接；输出端与所述检测单元的第一节点连接；

所述降压子电路被配置为：在所述第一检测阶段和第二检测阶段，将感测线输出的电流信号降压输出。

进一步可选的，所述降压子电路包括：电流镜模块、第一电流源和第二电流源；其中，

所述电流镜模块的输入端与所述像素电路的驱动电流输出端及第一电流源的输出端连接；

所述电流镜的输出端与所述第二电流源的输出端和所述检测单元的第一节点连接；

所述第一电流源与所述第二电流源输出的电流相同；

进一步可选的，所述电流镜模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；

所述第一晶体管的控制极与第二晶体管的控制极连接；第一晶体管的第一极与所述第二节点连接，第一晶体管的第二极与第三晶体管的第一极连接；

第二晶体管的第一极与第二电流源连接；第二晶体管的第二极与所述检测单元的第一节点连接；

第三晶体管的控制极和第四晶体管的控制极与所述第二节点连接；第三晶体管的第二极与第一电压端连接；

第四晶体管的第一极与所述检测单元的第一节点连接；第四晶体管的第二极与第二电压端连接。

进一步可选的，所述第一电流源和第二电流源包括偏置电流源。

可选的，所述积分单元包括放大器；所述放大器的同相输入端与参考电压端连接；所述放大器的反相输入端与所述第二开关、第四开关和所述第六开关连接。

可选的，所述检测子电路还包括：模/数转换单元，用于将所述积分单元输出的电压信号转换成数字信号。

解决本发明技术问题所采用的另一技术方案是一种阵列基板，包括：上述任一外部补偿电路。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种应用于上述任一外部补偿电路的检测方法，包括：

在第一检测阶段，控制第一开关、第四开关和第六开关导通；控制第二开关、第三开关和第五开关关断，第一电容感测第一节点输出的泄漏电流；

在第二检测阶段，控制第一开关、第四开关和第六开关关断；控制第二开关、第三开关和第五开关导通，第一电容感测第一节点输出的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元；所述积分单元对消除泄漏电流后的电流信号进行积分。

可选的，所述检测方法还包括：

在所述第一检测阶段和第二检测阶段，控制所述第一电流源和所述第二电流源输出的电流相同，以使所述降压子电路将所接收到的所述像素电路的驱动电流输出端输出的电流信号等比例降压输出。

附图说明

图1和2为本发明的实施例的检测子电路的示意图；

图3为本发明的实施例的外部补偿电路的示意图；

图4为发明的实施例的阵列基板的电路示意图；

图5为本发明的实施例的检测方法的流程图；

其中附图标记为：C1、第一电容；C2、第二电容；C0、存储电容；S1、第一开关；S2、第二开关；S3、第三开关；S4、第四开关；S5、第五开关；S6、第六开关；T1、开关晶体管；T2、驱动晶体管；M1、第一晶体管；M2、第二晶体管；M3、第三晶体管；M4、第四晶体管；N1、第一节点；N2、第二节点；N3、第三节点3。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

除非另作定义，本发明实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

目前，在对OLED显示面板的外部补偿方法中，大都是采用电压型外部补偿方式，通过某种方式将像素电路的OLED电压抽取出来，并转化为数字信号进行处理，最后送到FPAG(Field Programmable Gate Array；现场可编程逻辑门阵列)进行数据电压的微调，从而实现补偿。这种电压型外部补偿方法虽然驱动速度快、补偿效果好，但是电压信号容易收到干扰，此外随着显示面板尺寸的增大，分辨率的提高，显示面板的寄生电容越来越大，固定时间内的感测到的电压值变低，而对模/数转换器的精度要求越来越高。

在对OLED显示面板进行外部补偿方时，也可采用电流型外部补偿方法，电流补偿能够避免电压信号在走线过程中容易受到干扰的问题，但是要精确感测各像素电路中的像素电流十分困难，原因在于，一方面，随着显示面板的分辨率提高，对像素电流的精度要求越来越高，另一方面，感测线(sense line)上感测到的电流通常除像素电流外，还包含泄漏电流(Ipeak)，而且同一根感测线上通常连接到多个像素电路，这些泄漏电流与像素电路中的薄膜晶体管的特性相关，大小和方向都不好确定，将会直接影响电流型外部补偿方法的补偿效果。

有鉴于此，本发明提供一种外部补偿电路，能够对像素电路中的像素电流进行检测，消除感测过程中测到的泄漏电流，实现对像素电流的精确感测，从而有助于提升像素电路的外部补偿效果。

实施例1：

如图1至图3所示，本实施例提供一种外部补偿电路，检测子电路，包括：采样单元和积分单元。其中，采样单元包括：第一电容C1、第二电容C2、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5；积分单元包括积分模块和第六开关S6；其中，第一电容C1的第一端通过第一开关S1与第一节点N1连接，通过第二开关S2与积分模块的输入端连接；第一电容C1的第二端通过第三开关S3与第一节点N1连接，通过第四开关S4与积分模块的输入端连接；第二电容C2的第一端通过第五开关S5与第一节点N1连接；第二电容C2的第二端与积分模块的输出端连接；第六开关S6的两端分别与积分模块的输入端与输出端连接；第一节点N1用于与像素电路的驱动电流输出端连接。

采样单元被配置为：在第一检测阶段，第一开关S1、第四开关S4和第六开关S6处于导通状态；第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5处于关断状态；第一电容C1感测第一节点N1处的泄漏电流；在第二检测阶段，第一开关S1、第四开关S4和第六开关S6处于关断状态；第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5处于导通状态；第一电容C1感测第一节点N1输出的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元。

积分单元被配置为：在第二检测阶段对消除泄漏电流后的电流信号进行积分。

本实施例提供的外部补偿电路可用于检测像素电路中向显示器件提供的像素电流。如图4所示，待补偿的像素电路为传统的2T1C像素电路，包括两个薄膜晶体管(TFT；ThinFilm Transistor)和一个存储电容C0，其中，两个晶体管包括开关晶体管T1和驱动晶体管T2。开关晶体管T1用于在行扫描开关scan的控制下传递图像数据Vdata或参考电压Vref；驱动晶体管T2用于控制OLED的工作状态。存储电容C0用于保持驱动晶体管T2上的选通极电压，其中，开关晶体管T1的栅极连接扫描开关Scan，其源极连接数据线，其漏极连接驱动晶体管T2的栅极；驱动晶体管T2的源极连接电源电压ELVDD，漏极连接OLED的阳极；OLED的阴极接低电平ELVSS；电容器C0并联在驱动晶体管T2的栅极和漏极之间。像素电路的驱动电流也就是OLED的工作电流可以表示为I_OLED＝K(Vgs+Vth)²，其中Vgs为驱动晶体管T2的源极和栅极之间的电压，Vth为驱动晶体管的阈值电压(Thresholdvoltage)，K为系数。

在显示阶段，若想要OLED恒定发光，应使驱动晶体管T2工作于饱和区。根据饱和电流公式I＝K(Vgs+Vth)²,其中K值和Vth(阈值电压)都会因为TFT老化等因素发生变化，因此需要对这两个参数进行校正，从而实现补偿。

如图4所示，像素电路中OLED的阳极一端具有第三节点N3，第三节点N3为外部补偿电路的接入点。具体的，感测线(Sense line)利用该接入点与像素电路相连接。本实施例中，外部补偿电路采用电流型外部补偿方式，获取OLED的驱动电流，避免了电压信号在走线过程中容易收到干扰的问题。本实施例中，在补偿TFT特性漂移时，外部补偿电路通过感测像素电路中的驱动电流时，通过给驱动晶体管一个电压，使驱动晶体管能开启，但第三节点N3的电压不足于使OLED发光，感测流过驱动晶体管的电流。之后再给定一个新电压，感测一个新的电流。理论上，通过两组电压和与之对应的测出的电流就可以算出当前新的K值和Vth，从而可根据算出的驱动晶体管的参数对Vdata进行微调，实现补偿。

其中需要说明的是，驱动晶体管的第三节点N3的电压不足于使OLED发光是为了避免OLED发光所造成的电流分流，保证对驱动晶体管流出电流的精确检测。因此，本实施例提供过的外部补偿电路可在显示器件的非显示时段工作。

本实施例提供的外部补偿电路可用于通过感测线的连接对像素电路的驱动电流进行感测。如图2所示，基于本实施例提供的外部补偿电路，对像素电流的驱动电流的检测可分为两个阶段：在第一检测阶段，感测感测线上的泄漏电流。在此检测阶段，像素电路仅提供Ipeak，由于通常多个像素单元(也即多个像素电路)接到同一根感测线，感测线上的泄漏电流又与驱动晶体管的本身状态和特性相关，因此此时检测单元检测到的输入电流的大小和方向均不确定。在此阶段，控制第六开关S6导通，第五开关S5关断，积分模块不工作。同时，第一开关S1和第四开关S4导通，第二开关S2和第三开关S3关断，感测线中所感测到的感测电路(仅包括Ipeak)被第一电容C1采样，第一电容C1的电压和方向取决于Ipeak的大小和方向。而由于第六开关S6导通，积分单元的输入端则没有电流流过。

在第二检测阶段，感测包含泄漏电流的电流(也即sense电流包括Ipeak和驱动电流)，在此检测阶段，控制第一开关S1、第四开关S4和第六开关S6关断，控制第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5导通，第一电容C1极性变换，积分模块工作。包含在感测电流中的Ipeak通过电容器第一电容C1来消除，因此流入积分单元输入端的电流为实际的像素电路中的驱动电流，即Idata。也就是说，基于本实施例提供的外部补偿电路，在第一检测阶段，第一电容C1产生Ipeak对应的失调电压；在第二检测阶段，通过第一电容C1的极性变换来消除输入电流的中Ipeak成份，并利用积分模块对像素电流进行积分，从而实现对像素电流的精确检测，进而在应用至外部电流补偿电路中时，能够实现对像素电路的精准补偿。

其中，如图2所示，积分模块优选包括放大器；放大器的同相输入端与参考电压端连接；放大器的反相输入端与第二开关S2、第四开关S4和第六开关S6连接。具体的，在第一检测阶段，S6导通，积分器被短路，不工作。在第二检测阶段，S6断开，积分器工作，C1所采样的感测电流信号(也即消除泄漏电流后的信号；实际为驱动电流信号)被经积分器积分后以电压形式输出。

优选的，本实施例提供的外部补偿电路中还包括：降压子电路，其的输入端与像素电路的驱动电流输出端连接；输出端与检测单元的第一节点N1连接；降压子电路被配置为：将像素电路的驱动电流输出端的电流信号等比例输出。

本实施例提供的外部补偿电路中，通过降压子电路映射感测线上的电流，同时能够实现高压向低压的转换，从而令检测单元中的后续积分单元可以用低电压电路实现，从而大大节省面积，提高产品竞争力。具体的，本实施例中，在外部补偿电路中，通常会有几百个感测线，考虑到补偿时间限制，通常会设计多个积分器并行工作，而用低压工艺设计，能够减少积分器的使用数量，从而减小电路面积。

可选的，本实施例中，降压子电路包括：电流镜模块、第一电流源和第二电流源；其中，电流镜模块的输入端与像素电路的驱动电流输出端及第一电流源的输出端连接；电流镜的输出端与第二电流源的输出端和检测单元的第一节点N1连接；第一电流源与第二电流源输出的电流相同。

降压子电路被配置为：在第一检测阶段和第二检测阶段，将所接收到的像素电路的驱动电流输出端输出的电流信号等比例降压输出。

具体的，本实施例中，电流镜的输入电流由第一电流源输出的电流Ib1和感测线输出的感测电流Isense构成，输出电流由其向第一节点N1输出的电流Iout和第二电流源输出的电流Ib2构成，根据电流镜原理，Ib1+Isense＝Ib2+Iout，可令电流设为Ib1＝Ib2，则Iout＝Isense,由此，降压子电路可实现Isense电流的等比例镜像输出。

可选的，如图3所示，本实施例中，第一电流源和第二电流源包括偏置电流源。

进一步可选的，如图3所示，本实施例中，电流镜模块可包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4；第一晶体管M1的控制极与第二晶体管M2的控制极连接；第一晶体管M1的第一极与第二节点N2连接，第一晶体管M1的第二极与第三晶体管M3的第一极连接；第二晶体管M2的第一极与第二电流源连接；第二晶体管M2的第二极与第一节点N1连接；第三晶体管M3的控制极和第四晶体管M4的控制极与第二节点N2连接；第三晶体管M3的第二极与第一电压端连接；第四晶体管M4的第一极与检测单元的第一节点N1连接；第四晶体管M4的第二极与第二电压端连接。

其中，第一电压端和第二电压端可为低电平ELVSS。如图3所示，本实施中，通过四个晶体管构成电流镜，其中，M4的漏极电压可以低于M1的漏极电压，从而可将感测线中的高压电路转为低压电路，也即后面连接的外部补偿电路部分可设计为低压电路，进而可以减小电路面积，提升产品的竞争力

可选的，如图3所示，本实施例提供的外部补偿电路中，检测子电路还包括：模/数转换单元，用于将积分单元输出点电压信号转换成数字信号。本实施例中，利用模/数转换器(ADC；Analog-to-Digital Converter)将积分单元输出的电信号转换成数字信号，以便于处理器根据该该数字信号对像素电路中驱动晶体管T2的补偿参数进行调整。

实施例2：

如图4所示，本实施例提供一种阵列基板，包括实施例1中提供的任意一种外部补偿电路。

可选的，本实施例提供的阵列基板中，还可包括像素电路。如图4所示，本实施例提供的像素电路，可用于对显示基板的像素电路进行补偿。该像素电路可为传统的2T1C像素电路。如图4所示，该像素电路可包括两个薄膜晶体管和一个存储电容C0，其中，两个晶体管包括开关晶体管T1和驱动晶体管T2。开关晶体管T1用于在行扫描开关S1的控制下传递图像数据Vdata或参考电压Vref；驱动晶体管T2用于控制OLED的工作状态。存储电容C0用于保持驱动晶体管T2上的选通极电压，其中，开关晶体管T1的栅极连接扫描开关S1，其源极连接数据线Data，其漏极连接驱动晶体管T2的栅极；驱动晶体管T2的源极连接电源电压ELVDD，漏极连接OLED的阳极；OLED的阴极接低电平ELVSS；电容器C0并联在驱动晶体管T2的栅极和漏极之间。

如图4所示，像素电路中OLED的阳极一端具有第三节点N3，外部补偿电路通过感测线与该第三节点N3连接，外部补偿电路采用电流型外部补偿方式，通过第三节点N3获取OLED的驱动电流，避免了电压信号在走线过程中容易收到干扰的问题。

本实施例提供的阵列基板中，可通过外部补偿电路感测像素电路中的驱动电流，通过给定一个电压，使驱动晶体管T2驱动晶体管能开启，但第三节点N3的电压不足于使OLED发光，通过外部补偿电路感测流过驱动晶体管的电流。之后再给定一个新电压，重新感测一个新的电流。理论上，通过两组电压和与之对应的电流就可以算出当前新的驱动晶体管T2的K值和Vth，从而对Vdata进行微调，实现对TFT特性漂移的补偿。

由于本申请提供的阵列基板包括实施例1提供的外部补偿电路，从而可在检测像素电路中的驱动电流时，利用第一电容C1的极性变换来消除输入电流的中泄漏电流Ipeak成份，并利用积分单元对像素电流Idata进行积分，从而实现对像素电路中驱动晶体管输出电流的精确检测，进而能够通过处理器等计算出T2的K值和Vth，以实现对像素电路的精准补偿。

且进一步的，当外部补偿电路包括降压子电路时，能够将感测线中的感测Isense电流等比例镜像输出至检测子电路，同时还可将感测线的高压电路转为低压电路，从而使外部补偿电路部分可设计为低压电路，减小电路面积，提升显示产品的竞争力。

实施例3：

如图5所示，本实施例提供一种应用于实施例1提供的外部补偿电路的检测方法，包括：

S1、在第一检测阶段，控制第一开关S1、第四开关S4和第六开关S6导通；控制第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5关断，第一电容C1感测第一节点N1输出的泄漏电流。

在对像素电路的驱动电流进行感测时，为了尽量简化阵列基板的结构，通常为多个像素单元连接至同一根感测线分别进行感测，感测线栅上的泄漏电流又与驱动晶体管TFT本身状态和特性相关，在对某一像素单元中的驱动电路进行检测时，检测单元检测到的泄漏电流的大小和方向均不确定。本步骤中感测泄漏电流。在此检测阶段，像素电路仅提供Ipeak，控制第六开关S6导通，第五开关S5关断，积分模块不工作。同时，第一开关S1和第四开关S4导通，第二开关S2和第三开关S3关断，感测线中所感测到的Ipeak被第一电容C1采样，第一电容C1的电压和方向取决于Ipeak的大小和方向。积分单元的输入端没有电流流过。

S2、在第二检测阶段，控制第一开关S1、第四开关S4和第六开关S6导通；控制第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5关断，第一电容C1感测第一节点N1输出的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元；积分单元对消除泄漏电流后的电流信号进行积分。

本步骤中，感测包含泄漏电流的电流。在此检测阶段，控制第一开关S1、第四开关S4和第六开关S6关断，控制第二开关S2、第三开关S3和第五开关S5导通，第一电容C1CI极性变换。积分单元工作，包含在感测电流中的Ipeak通过电容器第一电容C1被消除，因此流入积分单元输入端的电流为实际的像素电路中的驱动电流，即Idata。

本实施例提供的检测方法中，在第一检测阶段，第一电容C1产生Ipeak对应的失调电压；在第二检测阶段，通过第一电容C1的极性变换来消除输入电流的中Ipeak成份，并利用积分单元对像素电流Idata进行积分，从而实现对像素电流的精确检测，进而在应用至外部电流补偿电路中时，能够实现对像素电路的精准补偿。

可选的，本实施例提供的检测方法还包括：

S0、在第一检测阶段和第二检测阶段，控制第一电流源和第二电流源输出的电流相同，以使降压子电路将所接收到的像素电路的驱动电流输出端输出的电流信号等比例降压输出。

电流镜的输入电流由第一电流源输出的电流Ib1和感测线输出的感测电流Isense构成，输出电流由其向第一节点N1输出的电流Iout和第二电流源输出的电流Ib2构成，根据电流镜原理，Ib1+Isense＝Ib2+Iout，可令电流设为Ib1＝Ib2，则Iout＝Isense,由此，降压子电路可实现Isense电流的等比例镜像输出。

对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种外部补偿电路，用于检测像素电路中向显示器件输出的电流，其特征在于，所述外部补偿电路包括：检测子电路，包括：采样单元和积分单元；所述采样单元包括：第一电容、第二电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关；所述积分单元包括积分模块和第六开关；其中，

所述第一电容的第一端通过第一开关与第一节点连接，通过所述第二开关与所述积分模块的输入端连接；所述第一电容的第二端通过所述第三开关与所述第一节点连接，通过所述第四开关与所述积分模块的输入端连接；

第二电容的第一端通过第五开关与所述第一节点连接；所述第二电容的第二端与所述积分模块的输出端连接；

所述第六开关的两端分别与所述积分模块的输入端与输出端连接；

所述第一节点用于通过感测线与像素电路的驱动电流输出端连接；

所述采样单元被配置为：在第一检测阶段，第一开关、第四开关和第六开关处于导通状态；第二开关、第三开关和第五开关处于关断状态；第一电容感测感测线输出至第一节点的泄漏电流；在第二检测阶段，第一开关、第四开关和第六开关处于关断状态；第二开关、第三开关和第五开关处于导通状态；第一电容感测感测线输出至第一节点的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元；

所述积分单元被配置为：在第二检测阶段对消除泄漏电流后的电流信号进行积分后输出。

2.根据权利要求1所述的外部补偿电路，其特征在于，还包括：降压子电路，其的输入端通过感测线与所述像素电路的驱动电流输出端连接；输出端与所述检测单元的第一节点连接；

所述降压子电路被配置为：在所述第一检测阶段和第二检测阶段，将感测线输出的电流信号降压输出。

3.根据权利要求2所述的外部补偿电路，其特征在于，所述降压子电路包括：电流镜模块、第一电流源和第二电流源；其中，

所述电流镜模块的输入端与所述像素电路的驱动电流输出端及第一电流源的输出端连接；

所述电流镜的输出端与所述第二电流源的输出端和所述检测单元的第一节点连接；

所述第一电流源与所述第二电流源输出的电流相同。

4.根据权利要求3所述的外部补偿电路，其特征在于，所述电流镜模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；

所述第一晶体管的控制极与第二晶体管的控制极连接；第一晶体管的第一极与所述第二节点连接，第一晶体管的第二极与第三晶体管的第一极连接；

第二晶体管的第一极与第二电流源连接；第二晶体管的第二极与所述检测单元的第一节点连接；

第三晶体管的控制极和第四晶体管的控制极与所述第二节点连接；第三晶体管的第二极与第一电压端连接；

第四晶体管的第一极与所述检测单元的第一节点连接；第四晶体管的第二极与第二电压端连接。

5.根据权利要求3所述的外部补偿电路，其特征在于，所述第一电流源和第二电流源包括偏置电流源。

6.根据权利要求1所述的外部补偿电路，其特征在于，所述积分单元包括放大器；所述放大器的同相输入端与参考电压端连接；所述放大器的反相输入端与所述第二开关、第四开关和所述第六开关连接。

7.根据权利要求1所述的外部补偿电路，特征在于，所述检测子电路还包括：模/数转换单元，用于将所述积分单元输出的电压信号转换成数字信号。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：权利要求1至7中任意一项所述的外部补偿电路。

9.一种应用于权利要求1至7中任一项所述的外部补偿电路的检测方法，其特征在于，包括：

在第一检测阶段，控制第一开关、第四开关和第六开关导通；控制第二开关、第三开关和第五开关关断，第一电容感测第一节点输出的泄漏电流；

在第二检测阶段，控制第一开关、第四开关和第六开关关断；控制第二开关、第三开关和第五开关导通，第一电容感测第一节点输出的带有泄漏电流的电流信号，并将消除泄漏电流后的电流信号传输至积分单元；所述积分单元对消除泄漏电流后的电流信号进行积分。

10.根据权利要求9所述的检测方法，所述外部补偿电路包括权3至权5所述的任一外部补偿电路，其特征在于，所述检测方法还包括：

在所述第一检测阶段和第二检测阶段，控制所述第一电流源和所述第二电流源输出的电流相同，以使所述降压子电路将所接收到的所述像素电路的驱动电流输出端输出的电流信号等比例降压输出。

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