CN111834712A - 一种滤波器电容耦合增强结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种滤波器电容耦合增强结构，包括上盖、底座、谐振器、飞杆耦合片以及飞杆调节螺杆；上盖能够与底座连接形成一体；谐振器一端设置于上盖的腔体内；谐振器另一端沿竖直方向延伸至底座内，并固定在底座内；谐振器包括第一谐振器和第二谐振器；飞杆耦合片一端固定连接于第一谐振器上；飞杆耦合片另一端向第二谐振器延伸，并与第二谐振器形成间距；飞杆调节螺杆沿竖直方向设置于上盖内；飞杆调节螺杆沿竖直方向可伸缩调节，从而调节飞杆调节螺杆与飞杆耦合片的间距；本发明提供的方案，能够在滤波器电容耦合结构较小、频率较低的情况下，实现耦合量调节，结构紧凑、合理，方便安装及调节，开发成本相对较低，易于组装成型。

Description

一种滤波器电容耦合增强结构

技术领域

本发明属于滤波器电容耦合技术领域，具体涉及一种滤波器电容耦合增强结构。

背景技术

现有一些滤波器电容耦合产品外形要求比较小，频率要求比较低，而通带带宽较宽的产品，飞杆耦合量需要比较强，而在低频中，同样长度的飞杆的耦合量比高频的要弱很多，所以要实现起来非常困难。

基于上述滤波器电容耦合结构中存在的技术问题，尚未有相关的解决方案；因此迫切需要寻求有效方案以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是针对上述技术中存在的不足之处，提出一种滤波器电容耦合增强结构，旨在解决现有因产品外形小、频率低，所需飞杆耦合量较强的问题。

本发明提供一种滤波器电容耦合增强结构，包括上盖、底座、谐振器、飞杆耦合片以及飞杆调节螺杆；上盖能够与底座连接形成一体；谐振器一端设置于上盖的腔体内；谐振器另一端沿竖直方向延伸至底座内，并固定在底座内；谐振器包括第一谐振器和第二谐振器；飞杆耦合片一端固定连接于第一谐振器上；飞杆耦合片另一端向第二谐振器延伸，并与第二谐振器形成间距；飞杆调节螺杆沿竖直方向设置于上盖内；飞杆调节螺杆沿竖直方向可伸缩调节，从而调节飞杆调节螺杆与飞杆耦合片的间距。

进一步地，飞杆耦合片一端设有L折弯部；飞杆耦合片一端焊接固定于第一谐振器上；飞杆耦合片另一端沿水平方向向第二谐振器延伸，并使飞杆耦合片的L折弯部与第二谐振器形成间距；L折弯部在竖直方向上与第二谐振器相互平行。

进一步地，底座内设有支撑柱，支撑柱顶部设有支撑件；飞杆耦合片一端穿过支撑件，并向第二谐振器延伸；飞杆调节螺杆沿竖直方向伸入支撑件内，并可在支撑件内伸缩。

进一步地，支撑件为聚四氟乙烯材料制成；支撑件上端面设有沉槽，飞杆调节螺杆一端可伸缩设置于沉槽内，从而调节飞杆调节螺杆与飞杆耦合片的间距；和/或，飞杆调节螺杆为金属材料制成。

进一步地，上盖上设有调谐螺杆；调谐螺杆沿竖直方向向谐振器内延伸，用于调节谐振器的频率。

进一步地，上盖内设有上盖腔体，底座内设有底座腔体，底座腔体内设有螺钉柱；谐振器一端设置于上盖腔体内，谐振器另一端通过固定螺钉固定在螺钉柱上。飞杆调节螺杆一端穿过上盖，并通过螺母锁紧。

进一步地，上盖的下端面上设有多个定位柱，底座的上端面上设有多个定位孔；上盖通过定位柱固定在定位孔内，从而连接成一体。

进一步地，底座腔体的侧边设有开口，从而使底座腔体与外部连通。

进一步地，上盖腔体包括第一上盖腔体、第二上盖腔体以及第三上盖腔体；底座腔体包括第一底座腔体、第二底座腔体以及第三底座腔体；谐振器还包括第三谐振器；第一上盖腔体与第一底座腔体相对设置；第二上盖腔体与第二底座腔体相对设置；第三上盖腔体与第三底座腔体相对设置；第一谐振器一端设置于第一上盖腔体内，第一谐振器另一端固定连接于第一底座腔体内；第二谐振器一端设置于第二上盖腔体内，第二谐振器另一端固定连接于第二底座腔体内；第三谐振器一端设置于第三上盖腔体内，第三谐振器另一端固定连接于第三底座腔体内。

进一步地，飞杆调节螺杆沿竖直方向位于第一谐振器和第二谐振器之间，并与第一谐振器和第二谐振器处于一个平面上；第一谐振器、第二谐振器以及第三谐振器投影到水平面上的连线为三角形。

本发明提供的一种滤波器电容耦合增强结，能够在滤波器电容耦合结构较小、频率较低的情况下，实现耦合量调节；本发明提供的方案，结构紧凑、合理，方便安装及调节，开发成本相对较低，易于组装成型。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

以下将结合附图对本发明作进一步说明：

图1 为本发明一种滤波器电容耦合增强结构立体图一；

图2 为本发明一种滤波器电容耦合增强结构立体图二；

图3 为本发明一种滤波器电容耦合增强结构爆炸图；

图4 为本发明上盖结构示意图；

图5 为本发明一种滤波器电容耦合增强结构俯视图；

图6 为图5沿A-A方向剖视图。

图中：1、上盖；2、底座；3、飞杆调节螺杆；4、谐振器；5、飞杆耦合片；6、调谐螺杆；7、定位柱；8、支撑件；9、固定螺钉；10、上盖腔体；11、底座腔体；12、螺钉柱；13、支撑柱；14、螺母；15、开口。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

如图 1至图6所示，本发明提供一种滤波器电容耦合增强结构，具体包括上盖1、底座2、谐振器4、飞杆耦合片5以及飞杆调节螺杆3；其中，上盖1能够与底座2连接形成一体；谐振器4的一端设置于上盖1的腔体内；谐振器4的另一端沿竖直方向延伸至底座2内，并固定在底座2内；具体地，谐振器4包括第一谐振器和第二谐振器；飞杆耦合片5的一端固定连接于第一谐振器上；飞杆耦合片5的另一端向第二谐振器延伸，并与第二谐振器形成间距，该间距的大小可以调节耦合强度；飞杆调节螺杆3沿竖直方向设置于上盖1内；并且飞杆调节螺杆3沿竖直方向可伸缩调节，从而调节飞杆调节螺杆3与飞杆耦合片5的间距；采用上述方案，通过在上盖1上设有伸缩调节的飞杆调节螺杆3，用于调节飞杆调节螺杆3与飞杆耦合片5的间距，从而实现耦合强度的调节，该结构相对紧凑、简单，能够解决现有因产品外形小、频率低，所需飞杆耦合量较强的问题。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，飞杆耦合片5的一端设有L折弯部；该飞杆耦合片5的一端焊接固定于第一谐振器上；飞杆耦合片5的另一端沿水平方向向第二谐振器延伸，并使飞杆耦合片5的L折弯部与第二谐振器形成间距；具体地，该L折弯部在竖直方向上与第二谐振器相互平行，其之间的距离可以调节耦合强弱，并且L折弯部的宽度和长度均可调节耦合强弱。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，底座2内设有支撑柱13，支撑柱13的顶部设有支撑件8；飞杆耦合片5的一端穿过支撑件8，并向第二谐振器延伸；飞杆调节螺杆3沿竖直方向伸入支撑件8内，并可在支撑件8内伸缩，从而实现耦合强度的调节。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，支撑件8为PTFE材料制成，（PTFE是Polytetra fluoroethylene的简写，即聚四氟乙烯）；具体地，支撑件8的上端面设有沉槽，这样使得飞杆调节螺杆3的一端可伸缩设置于沉槽内，从而调节飞杆调节螺杆3与飞杆耦合片5的间距，实现耦合强度的调节；进一步地，飞杆调节螺杆3为金属材料制成，具体可以为黄铜或低碳钢，飞杆调节螺杆3表面镀银处理。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，上盖1上设有调谐螺杆6；该调谐螺杆6沿竖直方向设置于上盖1上，并向谐振器4内延伸，用于调节谐振器4的频率；该调谐螺杆6的材料为金属材料制成，具体为黄铜或低碳钢，其表面镀银处理，需要更加产品温漂进行选择。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，上盖1内设有上盖腔体10，底座2内设有底座腔体11，底座腔体11内设有螺钉柱12；谐振器4的一端设置于上盖腔体10内，谐振器4的另一端通过固定螺钉9固定在螺钉柱12上，从而固定在一起；进一步地，飞杆调节螺杆3的一端穿过上盖1，并通过螺母14锁紧，最后在固定时可采用UV胶固定。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，上盖1的下端面上设有多个定位柱7，底座2的上端面上设有多个定位孔，各个定位柱7和各个定位孔相互对应使得上盖1通过定位柱7固定在定位孔内，从而连接成一体。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，底座腔体11的侧边设有开口15，从而使底座腔体11与外部连通开口15不限于三个谐振腔，后面可能还有N个谐振腔。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，本实施例中，上盖腔体包括第一上盖腔体、第二上盖腔体以及第三上盖腔体；底座腔体11包括第一底座腔体、第二底座腔体以及第三底座腔体；谐振器4还包括第三谐振器；其中，第一上盖腔体与第一底座腔体相对设置；第二上盖腔体与第二底座腔体相对设置；第三上盖腔体与第三底座腔体相对设置；第一谐振器一端设置于第一上盖腔体内，第一谐振器另一端固定连接于第一底座腔体内；第二谐振器一端设置于第二上盖腔体内，第二谐振器另一端固定连接于第二底座腔体内；第三谐振器一端设置于第三上盖腔体内，第三谐振器另一端固定连接于第三底座腔体内。

优选地，结合上述方案，如图 1至图6所示，飞杆调节螺杆3沿竖直方向位于第一谐振器和第二谐振器之间，并与第一谐振器和第二谐振器处于一个平面上；第一谐振器、第二谐振器以及第三谐振器投影到水平面上的连线为三角形；支撑件8夹设在第一谐振器和第二谐振器之间，用于支撑飞杆调节螺杆3，同时起到调节间距的作用。

本发明提供的一种滤波器电容耦合增强结，能够在滤波器电容耦合结构较小、频率较低的情况下，实现耦合量调节；本发明提供的方案，结构紧凑、合理，方便安装及调节，开发成本相对较低，易于组装成型。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述所述技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术对以上实施例所做的任何改动修改、等同变化及修饰，均属于本技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，包括上盖（1）、底座（2）、谐振器（4）、飞杆耦合片（5）以及飞杆调节螺杆（3）；所述上盖（1）能够与所述底座（2）连接形成一体；所述谐振器（4）一端设置于所述上盖（1）的腔体内；所述谐振器（4）另一端沿竖直方向延伸至所述底座（2）内，并固定在所述底座（2）内；所述谐振器（4）包括第一谐振器和第二谐振器；所述飞杆耦合片（5）一端固定连接于所述第一谐振器上；所述飞杆耦合片（5）另一端向所述第二谐振器延伸，并与所述第二谐振器形成间距；所述飞杆调节螺杆（3）沿竖直方向设置于所述上盖（1）内；所述飞杆调节螺杆（3）沿竖直方向可伸缩调节，从而调节所述飞杆调节螺杆（3）与所述飞杆耦合片（5）的间距。

2.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述飞杆耦合片（5）一端设有L折弯部；所述飞杆耦合片（5）一端焊接固定于所述第一谐振器上；所述飞杆耦合片（5）另一端沿水平方向向所述第二谐振器延伸，并使所述飞杆耦合片（5）的L折弯部与所述第二谐振器形成间距；所述L折弯部在竖直方向上与所述第二谐振器相互平行。

3.根据权利要求2所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述底座（2）内设有支撑柱（13），所述支撑柱（13）顶部设有支撑件（8）；所述飞杆耦合片（5）一端穿过所述支撑件（8），并向所述第二谐振器延伸；所述飞杆调节螺杆（3）沿竖直方向伸入所述支撑件（8）内，并可在所述支撑件（8）内伸缩。

4.根据权利要求3所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述支撑件（8）为聚四氟乙烯材料制成；所述支撑件（8）上端面设有沉槽，所述飞杆调节螺杆（3）一端可伸缩设置于所述沉槽内，从而调节所述飞杆调节螺杆（3）与所述飞杆耦合片（5）的间距；和/或，所述飞杆调节螺杆（3）为金属材料制成

根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖（1）上设有调谐螺杆（6）；所述调谐螺杆（6）沿竖直方向向所述谐振器（4）内延伸，用于调节所述谐振器（4）的频率。

5.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖（1）内设有上盖腔体（10），所述底座（2）内设有底座腔体（11），所述底座腔体（11）内设有螺钉柱（12）；所述谐振器（4）一端设置于所述上盖腔体（10）内，所述谐振器（4）另一端通过固定螺钉（9）固定在所述螺钉柱（12）上。

6.所述飞杆调节螺杆（3）一端穿过所述上盖（1），并通过螺母（14）锁紧。

7.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖（1）的下端面上设有多个定位柱（7），所述底座（2）的上端面上设有多个定位孔；所述上盖（1）通过所述定位柱（7）固定在所述定位孔内，从而连接成一体。

8.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述底座腔体（11）的侧边设有开口（15），从而使所述底座腔体（11）与外部连通。

9.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖腔体包括第一上盖腔体、第二上盖腔体以及第三上盖腔体；所述底座腔体（11）包括第一底座腔体、第二底座腔体以及第三底座腔体；所述谐振器（4）还包括第三谐振器；所述第一上盖腔体与所述第一底座腔体相对设置；所述第二上盖腔体与所述第二底座腔体相对设置；所述第三上盖腔体与所述第三底座腔体相对设置；所述第一谐振器一端设置于所述第一上盖腔体内，所述第一谐振器另一端固定连接于所述第一底座腔体内；所述第二谐振器一端设置于所述第二上盖腔体内，所述第二谐振器另一端固定连接于所述第二底座腔体内；所述第三谐振器一端设置于所述第三上盖腔体内，所述第三谐振器另一端固定连接于所述第三底座腔体内。

10.根据权利要求9所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述飞杆调节螺杆（3）沿竖直方向位于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间，并与所述第一谐振器和所述第二谐振器处于一个平面上；所述第一谐振器、所述第二谐振器以及所述第三谐振器投影到水平面上的连线为三角形。

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