CN111820116A - 一种霍山米斛的立体栽培方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种霍山米斛的立体栽培方法，该方法包括以下步骤：步骤一、基地修建：在霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网；步骤二、幼苗栽植：将无菌组培房培养的霍山米斛幼苗或购买的幼苗栽植在大棚内的栽培基地中；步骤三、栽后管理：通过修建的栽培基地对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理；步骤四、采收，有益效果：建立适合霍山米斛栽培的温度、湿度环境，提高霍山米斛栽培成活率，长势良好，提高霍山米斛的收成和产品质量，方便霍山米斛栽培的管理，降低霍山米斛栽培的人力劳动强度。

Description

一种霍山米斛的立体栽培方法
技术领域：
本发明属于霍山米斛栽培技术领域，特别涉及一种霍山米斛的立体栽培方法。
背景技术：
霍山米斛茎直立，肉质，长3-9厘米，从基部上方向上逐渐变细，基部上方粗3-18毫米，不分枝，具3-7节，节间长3-8毫米，淡黄绿色，有时带淡紫红色斑点，干后淡黄色。叶革质，2-3枚互生于茎的上部，斜出，舌状长圆形，长9-21厘米，宽5-7毫米，先端钝并且微凹，基部具抱茎的鞘；叶鞘膜质，宿存，养生保健佳品，产于安徽省霍山县的霍山米斛是米斛中的极品，但是霍山米斛生长环境苛刻，产量稀少，霍山米斛历史上被誉为“中华九大仙草之首”，“救命仙草”现代人尊称为“中华仙草之最”“健康软黄金”，用霍山米斛加工的饮品——枫斗，被称为“枫斗之王”。
目前霍山米斛野外栽培因为米斛对于生产环境条件要求苛刻，受自然因素控制，靠天收，病虫害防治难、产量低、品质低，所以本发明提供一种霍山米斛的立体栽培方法来解决上述问题。
发明内容：
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种霍山米斛的立体栽培方法，解决了现有的缺点。
为了解决上述问题，本发明提供了一种技术方案：
一种霍山米斛的立体栽培方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、基地修建：在霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网；
步骤二、幼苗栽植：将无菌组培房培养的霍山米斛幼苗或购买的幼苗栽植在大棚内的栽培基地中；
步骤三、栽后管理：通过修建的栽培基地对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理；
步骤四、采收：以去老留新，形状、大小、色泽一致为采摘标准，鲜茎采回后进行加工，并在采收时将丛内枯茎病株除去，留下嫩株继续生长繁衍，以保连年收获。
作为优选，所述栽培基地修建包括栽培基地、梯田隔断、排水间隔和遮阳棚架，所述栽培基地包括基础层、栽培基质下层和栽培吸水中层，所述基础层为霍山米斛栽培地的原始层，人工清理原始层上的杂草和废弃物，所述基础层的顶部铺设栽培基质下层，所述栽培基质下层的顶部铺设有栽培吸水中层，所述栽培基地上设置有多个等间距、沿等高线坡度分布的梯田隔断，所述栽培基地上开设多个纵向设置的排水间隔，所述梯田隔断和排水间隔将栽培基地分隔成多个栽培区域，所述栽培区域上铺设有栽培基料层，所述栽培基地上安装有遮阳棚架，所述遮阳棚架的顶部铺设有遮阳网，所述栽培基地上安装有基础管网，所述栽培基地的一侧设有无菌组培房。
作为优选，所述基础管网包括灌溉管道和排水管道，每个所述栽培区域的栽培吸水中层中高的一端安装有灌溉管道，每个所述栽培区域的栽培吸水中层中低的一端安装有排水管道，所述排水管道的出水端设置在排水间隔中，所述灌溉管道由总地管和喷淋管组成，所述总地管铺设在栽培吸水中层内，所述总地管上安装有多个喷淋管，喷淋管上安装有喷头。
作为优选，所述步骤一中栽培基地选择通风良好的针叶林(马尾松)、阔叶林或针阔混交林的疏林地，郁闭度0.4-0.6、海拔400-600m、坡度不大于20，坡向可选东向、东南向、南向或全坡，以东南向的坡谷地为最好。
作为优选，所述栽培基地沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，先平整土地，清除杂草、树根，整地后进行镇压，梯地外沿筑20cm高的石堤，栽植床宽2m，步道宽30cm。
作为优选，所述栽培基质下层使用较粗大石块或砖头垫底，便于沥水透气，所述栽培吸水中层使用吸水性较好的碎石子，如花岗岩片、碎砖，所述栽培基料层采用椰子壳、松树皮发酵物。
作为优选，所述步骤二中幼苗栽植包括组培苗栽培和大苗分栽，组培苗栽培在3月份栽植，栽植床用0.5％的高锰酸钾溶液喷雾消毒，栽植时，将组培苗植入基质内，株行距3cm-3cm左右，1㎡栽800-1000株；大苗分栽在3月份栽植，栽植时将大苗分株，沿合轴部位分开，3-4根茎为1丛，植入已消毒的栽植床；保持根的舒展(不能挤压)，与基质充分接触(不能悬根)；株行距10cm×10cm-15cm×15cm，每平方米栽80-100株。
作为优选，所述步骤三中栽后管理，霍山米斛适宜生长在半阴半阳的地方，尤其怕暴晒，夏季和秋季需用两层90％的遮阳网遮阳，其他季节均用一层遮阳网；霍山米斛所需肥料，以腐熟的有机肥为主，宜淡不宜浓，施肥应少量勤施，10月份后不再施肥；在炎热干燥的季节，经常向叶面和地面喷水，以增加空气湿度，空气湿度在70％以上最适宜生长；一般在12月中旬至次年2月下旬覆盖一层土帆布在苗床上用于防冻。
本发明的有益效果：
1、本发明所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，通过设置霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网，对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理，建立适合霍山米斛栽培的温度、湿度环境，提高霍山米斛栽培成活率，长势良好，继而提高霍山米斛的收成和产品质量。
2、本发明所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，沿坡建立梯田隔断和排水间隔，形成霍山米斛栽培的栽培区域，实现霍山米斛立体栽培，栽培区域内设置的由灌溉管道和排水管道组成的基础管网，基础管网与排水间隔配合，便于对霍山米斛栽培进行喷灌浇水、及施水肥，同时将多余水分排出至排水间隔，方便霍山米斛栽培的管理，降低霍山米斛栽培的人力劳动强度。
附图说明：
为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的栽培基地的结构示意图；
图3为本发明的排水间隔的结构示意图；
图4为本发明的栽培区域的结构示意图。
图中：1、栽培基地；11、基础层；12、栽培基质下层；13、栽培吸水中层；2、梯田隔断；3、排水间隔；4、栽培区域；41、栽培基料层；5、遮阳棚架；6、遮阳网；7、灌溉管道；8、排水管道；9、无菌组培房。
具体实施方式：
如图1-4所示，本具体实施方式采用以下技术方案：一种霍山米斛的立体栽培方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、基地修建：在霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房9，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域4，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网；
步骤二、幼苗栽植：将无菌组培房9培养的霍山米斛幼苗或购买的幼苗栽植在大棚内的栽培基地1中；
步骤三、栽后管理：通过修建的栽培基地1对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理；
步骤四、采收：以去老留新，形状、大小、色泽一致为采摘标准，鲜茎采回后进行加工，并在采收时将丛内枯茎病株除去，留下嫩株继续生长繁衍，以保连年收获。
其中，所述栽培基地修建包括栽培基地1、梯田隔断2、排水间隔3和遮阳棚架5，所述栽培基地1包括基础层11、栽培基质下层12和栽培吸水中层13，所述基础层11为霍山米斛栽培地的原始层，人工清理原始层上的杂草和废弃物，所述基础层11的顶部铺设栽培基质下层12，所述栽培基质下层12的顶部铺设有栽培吸水中层13，所述栽培基地1上设置有多个等间距、沿等高线坡度分布的梯田隔断2，所述栽培基地1上开设多个纵向设置的排水间隔3，所述梯田隔断2和排水间隔3将栽培基地1分隔成多个栽培区域4，所述栽培区域4上铺设有栽培基料层41，所述栽培基地1上安装有遮阳棚架5，所述遮阳棚架5的顶部铺设有遮阳网6，所述栽培基地1上安装有基础管网，所述栽培基地1的一侧设有无菌组培房9。
其中，所述基础管网包括灌溉管道7和排水管道8，每个所述栽培区域4的栽培吸水中层13中高的一端安装有灌溉管道7，每个所述栽培区域4的栽培吸水中层13中低的一端安装有排水管道8，所述排水管道8的出水端设置在排水间隔3中，所述灌溉管道7由总地管和喷淋管组成，所述总地管铺设在栽培吸水中层13内，所述总地管上安装有多个喷淋管，喷淋管上安装有喷头。
其中，所述步骤一中栽培基地1选择通风良好的针叶林(马尾松)、阔叶林或针阔混交林的疏林地，郁闭度0.4-0.6、海拔400-600m、坡度不大于20，坡向可选东向、东南向、南向或全坡，以东南向的坡谷地为最好。
其中，所述栽培基地1沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，先平整土地，清除杂草、树根，整地后进行镇压，梯地外沿筑20cm高的石堤，栽植床宽2m，步道宽30cm。
其中，所述栽培基质下层12使用较粗大石块或砖头垫底，便于沥水透气，所述栽培吸水中层13使用吸水性较好的碎石子，如花岗岩片、碎砖，所述栽培基料层41采用椰子壳、松树皮发酵物。
其中，所述步骤二中幼苗栽植包括组培苗栽培和大苗分栽，组培苗栽培在3月份栽植，栽植床用0.5％的高锰酸钾溶液喷雾消毒，栽植时，将组培苗植入基质内，株行距3cm-3cm左右，1㎡栽800-1000株；大苗分栽在3月份栽植，栽植时将大苗分株，沿合轴部位分开，3-4根茎为1丛，植入已消毒的栽植床；保持根的舒展(不能挤压)，与基质充分接触(不能悬根)；株行距10cm×10cm-15cm×15cm，每平方米栽80-100株。
其中，所述步骤三中栽后管理，霍山米斛适宜生长在半阴半阳的地方，尤其怕暴晒，夏季和秋季需用两层90％的遮阳网遮阳，其他季节均用一层遮阳网；霍山米斛所需肥料，以腐熟的有机肥为主，宜淡不宜浓，施肥应少量勤施，10月份后不再施肥；在炎热干燥的季节，经常向叶面和地面喷水，以增加空气湿度，空气湿度在70％以上最适宜生长；一般在12月中旬至次年2月下旬覆盖一层土帆布在苗床上用于防冻。
具体的：一种霍山米斛的立体栽培方法，使用时，在霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房9，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网，将无菌组培房培养的霍山米斛幼苗或购买的幼苗栽植在大棚内的栽培基地1中，通过修建的栽培基地1对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理，以去老留新，形状、大小、色泽一致为采摘标准，鲜茎采回后进行加工，并在采收时将丛内枯茎病株除去，留下嫩株继续生长繁衍，以保连年收获，通过设置霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网，对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理，建立适合霍山米斛栽培的温度、湿度环境，提高霍山米斛栽培成活率，长势良好，继而提高霍山米斛的收成和产品质量，沿坡建立梯田隔断2和排水间隔3，形成霍山米斛栽培的栽培区域4，实现霍山米斛立体栽培，栽培区域4内设置的由灌溉管道7和排水管道8组成的基础管网，基础管网与排水间隔3配合，便于对霍山米斛栽培进行喷灌浇水、及施水肥，同时将多余水分排出至排水间隔3，方便霍山米斛栽培的管理，降低霍山米斛栽培的人力劳动强度。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
步骤一、基地修建：在霍山米斛适合生长的地理位置修建栽培遮阴大棚和无菌组培房(9)，铺设栽培的基地，根据地势建立梯田栽培区域(4)，并在大棚的区域内安装霍山米斛栽培用基础管网；
步骤二、幼苗栽植：将无菌组培房(9)培养的霍山米斛幼苗或购买的幼苗栽植在大棚内的栽培基地(1)中；
步骤三、栽后管理：通过修建的栽培基地(1)对霍山米斛栽培环境的温度、湿度以及养分、防病虫进行人工干涉管理；
步骤四、采收：以去老留新，形状、大小、色泽一致为采摘标准，鲜茎采回后进行加工，并在采收时将丛内枯茎病株除去，留下嫩株继续生长繁衍，以保连年收获。
2.根据权利要求1所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述基地修建包括栽培基地(1)、梯田隔断(2)、排水间隔(3)和遮阳棚架(5)，所述栽培基地(1)包括基础层(11)、栽培基质下层(12)和栽培吸水中层(13)，所述基础层(11)为霍山米斛栽培地的原始层，人工清理原始层上的杂草和废弃物，所述基础层(11)的顶部铺设栽培基质下层(12)，所述栽培基质下层(12)的顶部铺设有栽培吸水中层(13)，所述栽培基地(1)上设置有多个等间距、沿等高线坡度分布的梯田隔断(2)，所述栽培基地(1)上开设多个纵向设置的排水间隔(3)，所述梯田隔断(2)和排水间隔(3)将栽培基地(1)分隔成多个栽培区域(4)，所述栽培区域(4)上铺设有栽培基料层(41)，所述栽培基地(1)上安装有遮阳棚架(5)，所述遮阳棚架(5)的顶部铺设有遮阳网(6)，所述栽培基地(1)上安装有基础管网，所述栽培基地(1)的一侧设有无菌组培房(9)。
3.根据权利要求2所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述基础管网包括灌溉管道(7)和排水管道(8)，每个所述栽培区域(4)的栽培吸水中层(13)中高的一端安装有灌溉管道(7)，每个所述栽培区域(4)的栽培吸水中层(13)中低的一端安装有排水管道(8)，所述排水管道(8)的出水端设置在排水间隔(3)中，所述灌溉管道(7)由总地管和喷淋管组成，所述总地管铺设在栽培吸水中层(13)内，所述总地管上安装有多个喷淋管，喷淋管上安装有喷头。
4.根据权利要求1所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述步骤一中栽培基地(1)选择通风良好的针叶林(马尾松)、阔叶林或针阔混交林的疏林地，郁闭度0.4-0.6、海拔400-600m、坡度不大于20，坡向可选东向、东南向、南向或全坡，以东南向的坡谷地为最好。
5.根据权利要求4所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述栽培基地(1)沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，先平整土地，清除杂草、树根，整地后进行镇压，梯地外沿筑20cm高的石堤，栽植床宽2m，步道宽30cm。
6.根据权利要求2所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述栽培基质下层(12)使用较粗大石块或砖头垫底，便于沥水透气，所述栽培吸水中层(13)使用吸水性较好的碎石子，如花岗岩片、碎砖，所述栽培基料层(41)采用椰子壳、松树皮发酵物。
7.根据权利要求1所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述步骤二中幼苗栽植包括组培苗栽培和大苗分栽，组培苗栽培在3月份栽植，栽植床用0.5％的高锰酸钾溶液喷雾消毒，栽植时，将组培苗植入基质内，株行距3cm-3cm左右，1㎡栽800-1000株；大苗分栽在3月份栽植，栽植时将大苗分株，沿合轴部位分开，3-4根茎为1丛，植入已消毒的栽植床；保持根的舒展(不能挤压)，与基质充分接触(不能悬根)；株行距10cm×10cm-15cm×15cm，每平方米栽80-100株。
8.根据权利要求1所述的一种霍山米斛的立体栽培方法，其特征在于：所述步骤三中栽后管理，霍山米斛适宜生长在半阴半阳的地方，尤其怕暴晒，夏季和秋季需用两层90％的遮阳网遮阳，其他季节均用一层遮阳网；霍山米斛所需肥料，以腐熟的有机肥为主，宜淡不宜浓，施肥应少量勤施，10月份后不再施肥；在炎热干燥的季节，经常向叶面和地面喷水，以增加空气湿度，空气湿度在70％以上最适宜生长；一般在12月中旬至次年2月下旬覆盖一层土帆布在苗床上用于防冻。
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