CN111816782A - 一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统 - Google Patents

一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统 Download PDF

Info

Publication number
CN111816782A
CN111816782A CN202010908338.2A CN202010908338A CN111816782A CN 111816782 A CN111816782 A CN 111816782A CN 202010908338 A CN202010908338 A CN 202010908338A CN 111816782 A CN111816782 A CN 111816782A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
quantum dot
dot light
light
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010908338.2A
Other languages
English (en)
Inventor
龙能文
完亮亮
骆意勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Funa Technology Co ltd
Original Assignee
Hefei Funa Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Funa Technology Co ltd filed Critical Hefei Funa Technology Co ltd
Priority to CN202010908338.2A priority Critical patent/CN111816782A/zh
Publication of CN111816782A publication Critical patent/CN111816782A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统，该量子点发光二极管包括公共电极层，其用于传输电子以及空穴并与外部的交流电源的第一端连接；阴极金属层和阳极金属层，阴极金属层设置于公共电极层的上方，阳极金属层设置于公共电极层的下方，阴极金属层和阳极金属层的极性不同，其分别用于与外部的交流电源的第二端连接；第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层，第一量子点发光功能层设置于公共电极层和阴极金属层之间，第二量子点发光功能层设置于公共电极层和阳极金属层之间，以用于外部的交流电源供电电流方向不断变化时第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层交替发光。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统
技术领域
本申请涉及二极管技术领域，具体而言，涉及一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统。
背景技术
目前主流的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)只能单向发光或双向同时发光，但在一些特定的适用场景下应用双面进行交替发光量子点发光二极管更加适用，但目前没有一种良好的双面交替发光的量子点二极管结构设计。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统，用以提供一种量子点发光二极管及其制备和应用系统以解决目前没有一种良好的双面交替发光的量子点二极管结构设计的问题。
第一方面，本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括：公共电极层，其用于传输电子以及空穴；第一量子点发光功能层，其设置于所述公共电极层的上表面，以用于接收所述公共电极层传输的空穴；第二量子点发光功能层，其设置于所述公共电极层的下表面，以用于接收所述公共电极层传输的电子；阴极金属层，其设置于所述第一量子点发光功能层的上表面，以用于向所述第一量子点发光功能层传输电子，以使所述第一量子点发光功能层根据所述公共电极层传输的空穴以及阴极金属层传输的电子进行反应后发光；阳极金属层，其设置于所述第二量子点发光功能层的下表面，以用于向所述第二量子点发光功能层传输空穴，以使所述第二量子点发光功能层根据所述公共电极层传输的电子以及阴极金属层传输的空穴进行反应后发光。
在上述设计的量子点发光二极管中，阴极金属层和公共电极层可以分别为第一量子点发光功能层传输电子和空穴，阳极金属层和公共电极层可以分别为第二量子点发光功能层传输空穴和电子，使得在公共电极层、阴极金属层和阳极金属层与外部交流电源连接之后，在外部交流电源的供电电流在正反方向不断变化时第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层不断地交替发光，使得打破了量子点发光二极管只能单向或双向发光的壁垒，解决了目前没有一种良好的双面交替发光的量子点二极管结构设计的问题，使得量子点发光二极管能够双面交替发光，进而适用于更加的实际场景，提高量子点二极管的适用性。
在第一方面的可选实施方式中，所述第一量子点发光功能层包括设置于所述公共电极层上表面的第一空穴传输层、设置于所述第一空穴传输层上表面的第一发光层以及设置于所述第一发光层上表面的第一电子传输层；所述第二量子点发光功能层包括设置于所述公共电极层下表面的第二电子传输层、设置于所述第二电子传输层下表面的第二发光层以及设置于所述第二发光层下表面的第二空穴传输层；所述阴极金属层设置于所述第一电子传输层的上表面，所述阳极金属层设置于所述第二空穴传输层的下表面。
在第一方面的可选实施方式中，所述第一量子点发光功能层还包括第一空穴注入层，所述第一空穴注入层设置于所述公共电极层和第一空穴传输层之间；所述第二量子点发光功能层还包括第二空穴注入层，所述第二空穴注入层设置于所述阳极金属层和第二空穴传输层之间。
在第一方面的可选实施方式中，所述公共电极层包括用于向所述第一量子点发光功能层传输空穴的连接层以及用于向所述第二量子点发光功能层传输电子的金属反光电极层，所述金属反光电极层设置于所述第二电子传输层的上表面，所述连接层设置于所述金属反光电极层的上表面，所述第一空穴注入层设置于所述连接层的上表面。
第二方面，本发明实施例提供一种量子点发光二极管的制备方法，用于制备第一方面任一实施方式中所述的量子点发光二极管，所述方法包括：在透明的基板上沉积所述阳极金属层；在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二量子点发光功能层；在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述公共电极层；在沉积完成的所述公共电极层上沉积所述第一量子点发光功能层；在所述第一量子点发光功能层上沉积所述阴极金属层，以完成所述量子点发光二极管的制备。
上述制备方法制备的量子点发光二极管，阴极金属层和公共电极层可以分别为第一量子点发光功能层传输电子和空穴，阳极金属层和公共电极层可以分别为第二量子点发光功能层传输空穴和电子，使得在公共电极层、阴极金属层和阳极金属层与外部交流电源连接之后，在外部交流电源的供电电流在正反方向不断变化时第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层不断地交替发光，使得打破了量子点发光二极管只能单向或双向发光的壁垒，目前没有一种良好的双面交替发光的量子点二极管结构设计的问题，使得量子点发光二极管能够双面交替发光，进而适用于更加的实际场景，提高量子点二极管的适用性。
在第二方面的可选实施方式中，所述在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述公共电极层，包括：
在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述金属反光电极层以及在沉积完成的所述金属反光层上沉积所述连接层。
在第二方面的可选实施方式中，所述在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二量子点发光功能层，包括：
在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二空穴传输层，在沉积完成的所述第二空穴传输层上沉积所述第二发光层，在沉积完成的所述第二发光层上沉积所述第二电子传输层，以完成所述第二量子点发光功能层的制备；所述在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述金属反光电极层，包括：在沉积完成的所述第二电子传输层上沉积所述金属反光电极层；所述在沉积完成的所述公共电极层上沉积所述第一量子点发光功能层，包括：在沉积完成的所述连接层上沉积所述第一空穴传输层，在沉积完成的所述第一空穴传输层上沉积所述第一发光层，在沉积完成的所述第一发光层上沉积所述第一电子传输层，以完成所述第一量子点发光功能层的制备；所述在所述第一量子点发光功能层上沉积所述阴极金属层，包括：在沉积完成的所述第一电子传输层上沉积所述阴极金属层，以完成所述量子点发光二极管的制备。
在第二方面的可选实施方式中，在所述在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二空穴传输层之前，所述方法还包括：在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二空穴注入层，在沉积完成的所述第二空穴注入层上沉积所述第二空穴传输层。
在第二方面的可选实施方式中，在所述在沉积完成的所述连接层上沉积所述第一空穴传输层之前，所述方法还包括：在沉积完成的所述连接层上沉积所述第一空穴注入层，在沉积完成的所述第一空穴注入层上沉积所述第一空穴传输层。
第三方面，本发明实施例提供一种双向交替发光系统，所述双向交替发光系统包括第一方面或第二方面前述实施方式中任一项所述的量子点发光二极管以及交流电源，所述交流电源的一端与所述公共电极层连接，所述交流电源的另一端分别与所述阴极金属层和阳极金属层连接，以使所述交流电源供电电流方向不断变化时所述第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层交替发光。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的量子点二极管结构示意图；
图2为本申请实施例提供的量子点二极管与交流电源连接第一示意图；
图3为本申请实施例提供的量子点二极管与交流电源连接第二示意图；
图4为本申请实施例提供的量子点二极管的第一具体结构图；
图5为本申请实施例提供的量子点二极管与交流电源连接的第一具体示意图；
图6为本申请实施例提供的量子点二极管与交流电源连接的第二具体示意图；
图7为本申请实施例提供的量子点二极管的第二具体结构图；
图8为本申请实施例提供的量子点二极管的第三具体结构图；
图9为本申请实施例提供的量子点二极管的制备方法的第一流程图；
图10为本申请实施例提供的量子点二极管的制备方法的第二流程图；
图11为本申请实施例提供双向发光系统的结构示意图。
图标：1-量子点发光二极管；2-交流电源；10-公共电极层；101-连接层；102-金属反光电极层；20-阴极金属层；30-阳极金属层；40-第一量子点发光功能层；401-第一空穴传输层；402-第一发光层；403-第一电子传输层；404-第一空穴注入层；50-第二量子点发光功能层；501-第二电子传输层；502-第二发光层；503-第二空穴传输层；504-第二空穴注入层；60-第一透明基板；70-第二透明基板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
第一实施例
本申请实施例提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管可实现双面交替发光即顶部和底部交替发光，该双面交替发光的量子点发光二极管可应用于霓虹灯广告、双向显示场景，例如，在应用于霓虹灯广告时可使得霓虹灯广告牌可进行前后的双面交替显示，进而增加广告效果，吸引用户注意；另外，可双向交替显示的颜色可设置为不同，进而可使得使用本设计的量子点发光二极管可实现两种颜色布局的交替显示，进而增加广告效果。
如图1所示，该量子点发光二极管具体包括如下结构：公共电极层10、阴极金属层20、阳极金属层30、第一量子点发光功能层40以及第二量子点发光功能层50，该公共电极层10设置在中部，该第一量子点发光功能层40设置在公共电极层10的上表面，阴极金属层20设置在第一量子点发光功能层40的上表面，该第二量子点发光功能层50设置在公共电极层10的下表面，该阳极金属层30设置在第二量子点发光功能层50的下表面，其中，阴极金属层20可以向第一量子点发光功能层40传输电子，阳极金属层30极性可以向第二量子点发光功能层50传输空穴；该公共电极层10既可以传输电子也可以传输空穴，具体的，该公共电极层10可以既向第一量子点发光功能层40传输空穴，该公共电极层10也可以向第二量子点发光功能层50传输电子，这样第一量子点发光功能层40在得到阴极金属层20传输的电子以及公共电极层10传输的空穴时，空穴和电子在第一量子点发光功能层40内部进行反应，进而使得第一量子点发光功能层40发光；第二量子点发光功能层50在得到阳极金属层30传输的空穴以及公共电极层10传输的电子式，空穴和电子在第二量子点发光功能层50内部进行反应，进而使得第二量子点发光功能层50发光。
上述结构设计的量子点发光二极管在应用时，可将该量子点发光二极管的公共电极层10与外部的交流电源的一端连接，将阴极金属层20和阳极金属层30分别与外部的交流电源的另一端连接，这样，在交流电源导通的时候由于交流电源的供电电流方向不断变化这样会使得在供电电流为一个方向时第一量子点发光功能层40发光而第二量子点发光功能层50此时不发光，在供电电流变化为另一方向时第二量子点发光功能层50发光而第一量子点发光功能层40此时不发光，这样就在交流电源的作用下，上述方案设计的量子点发光二极管即可实现第一量子点发光功能层40和第二量子点发光功能层50的交替发光，具体的，阴极金属层20、阳极金属层30以及公共电极层10与交流电源连接可如图2所示，交流电源此时的供电电流方向为其与公共电极层10的连接端的极性为负，其与阴极金属层20和阳极金属层30连接端的极性为正，此时公共电极层10接收到的是交流电源传输的电子，在接收到交流电源传输的电子之后，该公共电极层10只会将电子传输给第二量子点发光功能层50，同时阴极金属层20和阳极金属层30与交流电源的正极性端连接，这样交流电源只会向阳极金属层30传输空穴，这样，第二量子点发光功能层50即可接收到公共电极层10传输的电子和阳极金属层30传输的空穴进而发光，而第一量子点发光功能层40没有接收到公共电极层10传输的空穴以及阴极金属层传输的电子进而不发光；而当交流电源的供电电流方向相反时，如图3所示，第一量子点发光功能层40接收到公共电极层10传输的空穴以及阴极金属层传输的电子进而发光，而第二量子点发光功能层50不能接收到公共电极层10传输的电子和阳极金属层30传输的空穴进而不发光。
在上述设计的量子点发光二极管中，阴极金属层和公共电极层可以分别为第一量子点发光功能层传输电子和空穴，阳极金属层和公共电极层可以分别为第二量子点发光功能层传输空穴和电子，使得在公共电极层、阴极金属层和阳极金属层与外部交流电源连接之后，在外部交流电源的供电电流在正反方向不断变化时第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层不断地交替发光，使得打破了量子点发光二极管只能单向或双向发光的壁垒，解决了目前没有一种良好的双面交替发光的量子点二极管结构设计的问题，使得量子点发光二极管能够双面交替发光，进而适用于更加的实际场景，提高量子点二极管的适用性。
在本实施例的可选实施方式中，前述已经描述到该公共电极层10可以既传输电子还可以传输空穴，也就是说公共电极层10可以用作第一量子点发光功能层40的阳极，并用作第二量子点发光功能层50的阴极，此时，设计的量子点发光二极管可为如图4所述的结构，其中，该公共电极层10包括用于向所述第一量子点发光功能层40传输空穴的连接层101以及用于向所述第二量子点发光功能层50传输电子的金属反光电极层102，该金属反光电极层102设置在连接层101的下表面；该第一量子点发光功能层40包括由下到上依次设置在该连接层101上的第一空穴传输层401、第一发光层402以及第一电子传输层403，该阴极金属层20设置在该第一电子传输层403上；该第二量子点发光功能层50包括由上到下依次设置在该金属反光电极层102下的第二电子传输层501、第二发光层502以及第二空穴传输层503，该阳极金属层30设置在该第二空穴传输层503的下方；其中，该连接层101可连接于外部的交流电源的一端，该阴极金属层20和阳极金属层30可分别连接于交流电源的另一端。
值得说明的是，由于空穴传输较为困难，考虑到能级匹配本方案中的连接层101的材料通常采用ITO氧化铟锡或IZO铟锌氧化物或AZO铝锌氧化物等材料，但这些材料形成的连接层101均为透明状态，为了实现反光同时能够给第二量子点发光功能层50传输电子，因此将连接层101其下的结构设置成金属反光电极层102以同时实现发光和传输电子的功能，其中，金属反光电极层102的厚度可以适应性设置，使得98％以上的光反射回去。
上述设计得到的量子点发光二极管，当交流电源供电电流方向如图5所示，其与连接层101的连接端的交流电源的极性为负，其与阴极金属层20和阳极金属层30连接端的极性为正时，对于第一量子点发光功能层40，连接层101接收交流电源负极端传输的电子，由于与连接层101其上连接的是第一空穴传输层401，其不能传输电子，因此，电子无法传输到第一量子点发光功能层40的第一发光层中，同时，阴极金属层20其与交流电源正极端连接，其接收的是空穴，而阴极金属层20其下连接的是第一电子传输层403，而空穴无法在第一电子传输层403中传输，因此，空穴也不能传输给第一发光层402，由此可得量子点二极管的上半部分不发光；
而对于第二量子点发光功能层50，连接层101接收交流电源负极端传输的电子，由于连接层101其下连接的是金属反光电极层102，因此，电子可通过连接层101传入金属反光电极层102，金属反光电极层102其下连接的是第二电子传输层501，其可以传输电子并将电子传入第二发光层502中，同时，阳极金属层30其与交流电源正极端连接，其接收的是空穴，而阳极金属层30其上设置的是第二空穴传输层503，其可以传输空穴并将其传入第二发光层502中，这样，电子和空穴进入第二发光层502中发生反应进而使得第二发光层502发光，使得量子点二极管的下半部分发光。
另外，上述设计得到的量子点发光二极管在交流电源的供电电流方向变化即与上述的供电电流方向相反时，如图6所示，其与连接层101的连接端的极性为正，其与阴极金属层20和阳极金属层30连接端的极性为负时，对于第一量子点发光功能层40，连接层101接收交流电源正极端传输的空穴，由于与连接层101其上连接的是第一空穴传输层401，其可以传输空穴，因此，空穴通过第一空穴传输层401传输到第一量子点发光功能层40的第一发光层中，同时，阴极金属层20其与交流电源负极端连接，其接收的是电子，而阴极金属层20其下连接的是第一电子传输层403，第一电子传输层403可以传输电子并将其传输入第一发光层402中，进而使得空穴和电子进入第一发光层402中进行反应，使得第一发光层402发光，也就是量子点发光二极管的上半部分发光；
而对于第二量子点发光功能层50，连接层101接收交流电源正极端传输的空穴，由于连接层101其下连接的是金属反光电极层102和第二电子传输层501，其不能传输空穴进而使得接收的空穴不能进入第二发光层502，同时，阳极金属层30其与交流电源负极端连接，其接收的是电子，而阳极金属层30其上设置的是第二空穴传输层503，其不能将电子传入第二发光层502中，这样，电子和空穴都不能进入第二发光层502中，使得量子点二极管的下半部分不能发光，通过上述的设计量子点二极管就实现了量子点二极管的双向交替发光。
在本实施例的可选实施方式中，如图7所示，上述设计的第一量子点发光功能层40还可以包括第一空穴注入层404，该第一空穴注入层404设置在连接层101和第一空穴传输层401之间，其用于加快空穴的传输速度；同时，上述设计的第二量子点发光功能层50也可以包括第二空穴注入层504，该第二空穴注入层504设置在第二空穴传输层503和阳极金属层30之间，其用于加快空穴的传输速度。
在本实施例的可选实施方式中，前述所说的第一量子点发光功能层40和第二量子点发光功能层50的厚度和宽度均可设置成相同的也可以设置成不同宽度和厚度的。
在本实施例的可选实施方式中，如图8所示，该量子点二极管还可以包括第一透明基板60和第二透明基板70，第一透明基板60设置在阳极金属层30的下表面，第二透明基板70设置在阴极金属层20的上表面；其中，第一透明基板60的宽度可以大于阳极金属层30的宽度，第二透明基板70的宽度可以大于阴极金属层20的宽度，第一透明基板60和第二透明基板70的宽度可以相等；第一量子点发光功能层40中的发光层和第二量子点发光功能层50中的发光层的颜色可设置为不同，当然也可以设置为相同，可根据实际情况设置。
第二实施例
本申请还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该方法用于制备第一实施例中任一实施方式所描述的可以双向交替发光的量子点发光二极管，如图9所示，该制备方法具体包括如下步骤：
步骤S200：在透明的基板上沉积阳极金属层。
步骤S201：在沉积完成的阳极金属层上沉积第二量子点发光功能层。
步骤S202：在沉积完成的第二量子点发光功能层上沉积公共电极层。
步骤S203：在沉积完成的公共电极层上沉积第一量子点发光功能层。
步骤S204：在沉积完成的第一量子点发光功能层上沉积该阴极金属层。
上述步骤中的阳极金属层、第二量子点发光功能层、第一量子点发光功能层以及阴极金属层均与第一实施例中描述的一致；另外，在阴极金属层沉积完成之后可在其上设置透明的衬底或基板，或直接将阴极金属层沉积在衬底或基板上后再与第一量子点发光功能层连接。
在本实施例的可选实施方式中，如图10所示，前述所说的量子点发光二极管可通过如下步骤具体制备得到：
步骤S201在沉积完成的阳极金属层上沉积第二量子点发光功能层，具体可包括如下步骤：
步骤S2010：在沉积完成的阳极金属层上沉积第二空穴注入层。
步骤S2011：在沉积完成的第二空穴注入层上沉积第二空穴传输层。
步骤S2012：在沉积完成的第二空穴传输层上沉积第二发光层。
步骤S2013：在沉积完成的第二发光层上沉积第二电子传输层。
在第二量子点发光功能层沉积完成之后步骤S202在沉积完成的第二量子点发光功能层上沉积公共电极层，具体包括如下步骤：
步骤S2020：在沉积完成的第二电子传输层上沉积金属反光电极层。
步骤S2021：在沉积完成的金属反光层上沉积连接层。
在公共电极层沉积完成之后步骤S203在沉积完成的公共电极层上沉积第一量子点发光功能层，具体可包括如下步骤：
步骤S2030：在沉积完成的连接层上沉积第一空穴注入层。
步骤S2031：在沉积完成的第一空穴注入层上沉积第一空穴传输层。
步骤S2032：在沉积完成的第一空穴传输层上沉积第一发光层。
步骤S2033：在沉积完成的第一发光层上沉积第一电子传输层。
在第一量子点发光功能层沉积完整之后步骤S204在沉积完成的第一量子点发光功能层上沉积该阴极金属层，具体包括：
步骤S2040：在沉积完成的第一电子传输层上沉积阴极金属层，以完成该量子点发光二极管的制备。
第三实施例
本申请提供一种双向交替发光系统，如图11所示，该系统包括第一实施例中或第二实施例中任一方式得到的量子点发光二极管1以及交流电源2，该交流电源的一端与该公共电极层10连接，该交流电源的另一端分别与该阴极金属层20和阳极金属层30连接，以使交流电源2供电电流方向不断变化时第一量子点发光功能层40和第二量子点发光功能层50交替发光，其中，具体的放光原理和连接方式在第一实施例中已经详细阐述，在这里不再进行赘述。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：
公共电极层，其用于传输电子以及空穴；
第一量子点发光功能层，其设置于所述公共电极层的上表面，以用于接收所述公共电极层传输的空穴；
第二量子点发光功能层，其设置于所述公共电极层的下表面，以用于接收所述公共电极层传输的电子；
阴极金属层，其设置于所述第一量子点发光功能层的上表面，以用于向所述第一量子点发光功能层传输电子，以使所述第一量子点发光功能层根据所述公共电极层传输的空穴以及阴极金属层传输的电子进行反应后发光；
阳极金属层，其设置于所述第二量子点发光功能层的下表面，以用于向所述第二量子点发光功能层传输空穴，以使所述第二量子点发光功能层根据所述公共电极层传输的电子以及阴极金属层传输的空穴进行反应后发光。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点发光功能层包括设置于所述公共电极层上表面的第一空穴传输层、设置于所述第一空穴传输层上表面的第一发光层以及设置于所述第一发光层上表面的第一电子传输层；
所述第二量子点发光功能层包括设置于所述公共电极层下表面的第二电子传输层、设置于所述第二电子传输层下表面的第二发光层以及设置于所述第二发光层下表面的第二空穴传输层；
所述阴极金属层设置于所述第一电子传输层的上表面，所述阳极金属层设置于所述第二空穴传输层的下表面。
3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一量子点发光功能层还包括第一空穴注入层，所述第一空穴注入层设置于所述公共电极层和第一空穴传输层之间；所述第二量子点发光功能层还包括第二空穴注入层，所述第二空穴注入层设置于所述阳极金属层和第二空穴传输层之间。
4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述公共电极层包括用于向所述第一量子点发光功能层传输空穴的连接层以及用于向所述第二量子点发光功能层传输电子的金属反光电极层，所述金属反光电极层设置于所述第二电子传输层的上表面，所述连接层设置于所述金属反光电极层的上表面，所述第一空穴注入层设置于所述连接层的上表面。
5.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-4中任一项所述的量子点发光二极管，所述方法包括：
在透明的基板上沉积所述阳极金属层；
在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二量子点发光功能层；
在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述公共电极层；
在沉积完成的所述公共电极层上沉积所述第一量子点发光功能层；
在所述第一量子点发光功能层上沉积所述阴极金属层，以完成所述量子点发光二极管的制备。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述公共电极层，包括：
在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积金属反光电极层以及在沉积完成的所述金属反光电极层上沉积连接层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二量子点发光功能层，包括：
在沉积完成的所述阳极金属层上沉积第二空穴传输层，在沉积完成的所述第二空穴传输层上沉积第二发光层，在沉积完成的所述第二发光层上沉积第二电子传输层，以完成所述第二量子点发光功能层的制备；
所述在沉积完成的所述第二量子点发光功能层上沉积所述金属反光电极层，包括：在沉积完成的所述第二电子传输层上沉积所述金属反光电极层；
所述在沉积完成的所述公共电极层上沉积所述第一量子点发光功能层，包括：在沉积完成的所述连接层上沉积第一空穴传输层，在沉积完成的所述第一空穴传输层上沉积第一发光层，在沉积完成的所述第一发光层上沉积第一电子传输层，以完成所述第一量子点发光功能层的制备；
所述在所述第一量子点发光功能层上沉积所述阴极金属层，包括：
在沉积完成的所述第一电子传输层上沉积所述阴极金属层，以完成所述量子点发光二极管的制备。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述在沉积完成的所述阳极金属层上沉积所述第二空穴传输层之前，所述方法还包括：
在沉积完成的所述阳极金属层上沉积第二空穴注入层，在沉积完成的所述第二空穴注入层上沉积所述第二空穴传输层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述在沉积完成的所述连接层上沉积所述第一空穴传输层之前，所述方法还包括：
在沉积完成的所述连接层上沉积第一空穴注入层，在沉积完成的所述第一空穴注入层上沉积所述第一空穴传输层。
10.一种双向交替发光系统，其特征在于，所述双向交替发光系统包括权利要求1-4中任一项所述的量子点发光二极管以及交流电源，所述交流电源的一端与所述公共电极层连接，所述交流电源的另一端分别与所述阴极金属层和阳极金属层连接，以使所述交流电源供电电流方向不断变化时所述第一量子点发光功能层和第二量子点发光功能层交替发光。
CN202010908338.2A 2020-09-01 2020-09-01 一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统 Pending CN111816782A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010908338.2A CN111816782A (zh) 2020-09-01 2020-09-01 一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010908338.2A CN111816782A (zh) 2020-09-01 2020-09-01 一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111816782A true CN111816782A (zh) 2020-10-23

Family

ID=72860109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010908338.2A Pending CN111816782A (zh) 2020-09-01 2020-09-01 一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111816782A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022198405A1 (zh) * 2021-03-22 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件、其驱动方法及显示基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022198405A1 (zh) * 2021-03-22 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件、其驱动方法及显示基板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI278253B (en) Organic electroluminescent display panel and production method thereof
TWI277366B (en) Organic light-emitting diode, display device, and telecommunication employing the same
WO2020001040A1 (zh) 发光器件及其制作方法、电子装置
KR20150061921A (ko) 유기전계발광표시장치
WO2019184360A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
EP1001853A4 (en) ELECTROLUMINESCENT SIGN
CN207947277U (zh) 一种顶发光显示面板及显示装置
CN104409658A (zh) 有机电致发光器件、阵列基板及显示装置
CN111816782A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法和双向交替发光系统
CN103839966A (zh) 双面发光型显示装置
CN106654051B (zh) 一种具有光取出结构的oled和oled灯具
CN106024835A (zh) 一种透明显示面板及其制备方法
CN106024844A (zh) 有机发光器件及其制备方法、显示装置
CN212485361U (zh) 一种量子点发光二极管和双向交替发光系统
KR20150061920A (ko) 유기전계발광표시장치
CN109994514A (zh) 电致发光显示装置
CN101868753A (zh) 场发射背光单元、其阴极结构及制造方法
US20040263085A1 (en) Organic light-emitting diode display device
CN1784101A (zh) 双面显示有机电致发光装置
CN112038460A (zh) 一种发光器件、显示基板和显示装置
CN101162762A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN212695181U (zh) 一种双向发光的量子点发光二极管和双向发光系统
EP0818943A3 (en) Electroluminescent device
CN110492012B (zh) 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置
CN107452770A (zh) 有机顶部发光显示器的阳极电极结构及制作方法、显示器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination