CN111816774A - 一种可见/红外光谱可切换双频探测成像的钙钛矿器件 - Google Patents

一种可见/红外光谱可切换双频探测成像的钙钛矿器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种可见/红外光谱可切换双频探测成像的钙钛矿器件，从下至上，包括依次连接的FTO导电玻璃、NiOx空穴传输层、MAPbI3活性层、PCBM电子传输层、TiO2电子传输层/保护层、MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层、P3HT空穴传输层和Ag电极。本发明制备的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光响应活性层可以通过调控旋涂参数来更改钙钛矿薄膜的厚度、晶粒尺寸、结晶性等，最终获得的钙钛矿薄膜厚度均匀、粒径均一、结晶性好，且钙钛矿具有双激子传输的性质，不会对任何一种载流子产生抑制作用，这些有利因素使本发明得到的可见/红外光谱可切换双频探测成像器件具有探测率高、模式切换及响应速度快等优势，可实现高性能可见/红外光谱可切换双频探测及成像。

Description

一种可见/红外光谱可切换双频探测成像的钙钛矿器件
技术领域
本发明涉及卤化物钙钛矿光响应薄膜制备技术领域，特别是一种可应用于可见/红外光谱可切换双频光电探测及高分辨成像等领域的钙钛矿器件。
背景技术
近年来，卤化物钙钛矿作为一种新型的光电材料受到了广泛的关注，因为它结合了良好的溶液加工性和优良的本征光电性能，包括可调谐带隙、与晶体硅和III-V族半导体相当的高陷阱耐受性和平衡的空穴/电子迁移率。因此，这些材料在光电器件方面的应用上取得了很大的成功，钙钛矿型光电探测器展现出对弱光的敏感性和低噪声电流，这使在光探测器件的研究中具有重大潜力。
通常而言，诸如Si、GaAs、GaP、Ge、PbS和InGaAs的低带隙无机半导体材料被广泛用作将光子转换成数字信号的光活性层，因此单个传感器件中可见光和近红外光子之间的传感串扰是不可避免的。器件中可见光和近红外光子光谱信息的识别，在很大程度上依赖于二向色棱镜、拜耳膜或干涉滤光片等光学元件，这不仅大大增加了传感系统的制作复杂度，而且降低了目标光子强度。因此，在没有外部元件的单个光电探测器，实现对可见/红外谱可切换的双频探测是非常具有挑战性的。迄今为止，人们尝试了大量的方法来实现双频探测。有使用具有双波段光响应活性材料的，如中国专利（201810661752.0）公布了一种双光谱响应的有机探测器件的制备方法及其用途，该发明包括至下而上的透明衬底，导电阳极，阳极缓冲层，光敏感层，阴极缓冲层，金属阴极构成 ，其光敏感层由吸收波段在500 nm~700nm的给体材料和吸收波段在300 nm~400 nm的受体材料混合而成。但此专利所公布的双光谱响应的有机探测器件同时对两种波段都有响应，无法对两种波段进行调制从而实现两种波段下响应的可控切换。因此，人们尝试通过将两种成熟材料的堆垛方法进行了探索，如Ge/Si、HgCdTe、量子阱和Ⅱ型超晶格等。然而，这些双频探测器通常要通过分子束外延或化学气相沉积这类昂贵、缓慢、高温的反应条件才能获得。此外，这些器件还面临着晶格失配较大、活性层间均匀性差、严格的低温操作的要求等困难。如中国专利（201810618714 .7）公布了一种单片式n-i-p-i-n型宽光谱光电探测器的制备方法及其工作机制，发明使用n-i-p-i-n型结构构筑了响应1.7 μm以下谱段和1.7~2.5μm谱段的红外双频探测器，通过电极偏置的切换实现响应光谱的调制。尽管取得了一些进展，但由于载流子受到厚的多层膜和不可避免的异质结处反向内置势垒的限制，这些双频光电探测器仍然存在着微弱的信噪比，使得多层光活性层的电性能尚未稳定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可用于可见/红外光谱可切换双频探测与成像的钙钛矿器件。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种可用于可见/红外光谱可切换双频探测成像的钙钛矿器件，从下至上，包括依次连接的FTO导电玻璃、NiOx空穴传输层、MAPbI3活性层、PCBM电子传输层、TiO2电子传输层/保护层、MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层、P3HT空穴传输层和Ag电极。
较佳的，NiOx空穴传输的厚度为20 nm。
较佳的，PCBM电子传输层的厚度为50 nm。
较佳的，TiO2电子传输层/保护层采用磁控溅射法制备，厚度为30 nm。
较佳的，MAPbI3活性层的厚度为350 nm。
较佳的，MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层的厚度为400 nm。
较佳的，P3HT空穴传输层的厚度为40 nm。
较佳的，Ag电极的厚度为100 nm。
上述钙钛矿器件的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1、将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜，之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜；
步骤2、将MAPbI3钙钛矿溶液滴加在上述NiOx空穴传输层薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜，成膜过程中滴加反溶剂，之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜；
步骤3、将PCBM溶液滴加在上述MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜；
步骤4、采用磁控溅射法在上述PCBM电子传输层薄膜表面沉积一层致密的TiO2薄膜作为电子传输层和保护层；
步骤5、将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在上述TiO2薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜，成膜过程中滴加反溶剂，之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜；
步骤6、将P3HT溶液滴加在上述MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜，形成P3HT空穴传输层薄膜；
步骤7、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空蒸镀Ag作为银电极。
本发明与现有技术相比，其显著优点为：
（1）相对于传统双频探测器的制备方法，使用两种光谱响应的钙钛矿材料，通过调控偏置电压的方向及大小，所构筑的双频探测器件探测率高、模式切换及响应速度快，实现了可见/红外光谱可切换双频探测与成像；
（2）所制备的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光响应活性层可以通过调控旋涂参数来更改钙钛矿薄膜的厚度、晶粒尺寸、结晶性等，且钙钛矿具有双激子传输的性质，不会对任何一种载流子产生抑制作用；
（3）钙钛矿光响应活性层可以使用溶液法轻易制备，相比于传统的分子束外延或化学气相沉积法具有成本低廉、反应速度快、加热温度较低等优势，更适用于大批量生产。
附图说明
图1为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件的截面SEM图。
图2为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件中两种钙钛矿的XRD图。
图3为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件的I-V图。
图4为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在不同偏置电压下的EQE图。
图5为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在不同偏置电压下的比探测率图。
图6为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在两种工作模式下高频切换的I-T图。
图7为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在两种工作模式下光响应带宽-3dB计算图。
图8为本发明实例1制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件的成像示意图，其中，其中（a）为成像装置的示意图，（b）与（c）分别为该成像器件在可见与红外模式下的成像结果，（d）为将（b）与（c）的中两种模式下的图案整合得到的完整图案。
图9为本发明实例2制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件的I-V图。
图10为本发明实例2制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在不同偏置电压下的EQE图。
图11为本发明实例3制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件的I-V图。
图12为本发明实例3制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在不同偏置电压下的EQE图。
图13为本发明实例3制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件的I-V图。
图14为本发明实例3制备MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件在不同偏置电压下的EQE图。
图15为MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器的结构示意图。图15中1-FTO导电玻璃，2-NiOx空穴传输层，3-MAPbI3活性层，4-PCBM电子传输层，5-TiO2电子传输层/保护层，6-MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层，7-P3HT空穴传输层，8-Ag电极。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细的描述。
结合图15，本发明公开了一种可用于可见/红外光谱可切换双频探测与成像的钙钛矿器件，包括依次连接的FTO（掺氟SnO2）导电玻璃1、NiOx空穴传输层2、MAPbI3活性层3、PCBM（[6，6]-苯基-C61-丁酸异甲酯）电子传输层4、TiO2电子传输层/保护层5、MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层6、P3HT（聚-3己基噻吩）空穴传输层7和Ag电极8。选用MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3作为可见于红外波段的光响应活性材料，选用PCBM和TiO2作为电子传输层，选用P3HT和NiOx作为空穴传输层，利用旋涂法、磁控溅射法和真空蒸镀法制备厚度均一、无针孔、表面均匀的钙钛矿薄膜、载流子传输层以及金属电极，过改变旋涂转速、磁控溅射时间，得到不同厚度的钙钛矿活性层和载流子传输层，使用P-iNIR-N-ivis-P型结构构筑了基于钙钛矿光活性层的可见/红外光谱可切换双频探测成像器件，具体包括以下步骤：
步骤1、将125 mg Ni(CH3COO)2和30 μL 乙醇胺溶于5 mL 乙醇配制Ni(CH3COO)2溶液，在充满氮气的手套箱中将PCBM和P3HT分别溶于氯苯配置15~17 mg/mL的PCBM和P3HT溶液，所有溶液采用磁力搅拌器使溶液混合均匀；
步骤2、在空气中将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速3200 rpm，时间35 s），之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜（温度400 ℃，时间1 h）；
步骤3、在充满氮气的手套箱中以MAI（99.5%）、FAI（99.5%）、PbI2（99.99%）、SnI2（97%）和SnF2（99%）为原料，以DMF/DMSO混合溶液（4:1）为溶剂，分别配制1.3 M 的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3（10%SnF2）钙钛矿前驱体溶液，采用磁力搅拌器加热搅拌使溶液混合均匀，60 ℃下搅拌30 min；
步骤4、将MAPbI3钙钛矿前驱体溶液滴加在NiOx空穴传输层薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5500~6500 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第10 s滴加800 μL甲苯作为反溶剂，3~4s滴完），之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火10 min）；
步骤5、将PCBM溶液滴加在MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜（转速1000~2000 rpm，时间35 s）；
步骤6、使用TiO2靶(99.9%)作为钛源，室温初始真空为7.0×10-4 Pa，工作压力、氩氧比和射频功率分别为0.5 Pa、10：3和80 W，沉积时间为0~30 min，在PCBM电子传输层薄膜表面沉积一层致密的TiO2薄膜作为电子传输层和保护层；
步骤7、在满氮气的手套箱中，将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在TiO2薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5000 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第8 s滴加400 μL甲苯作为反溶剂，1~2s滴完），之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火3 min）；
步骤8、将P3HT溶液滴加在MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成P3HT空穴传输层薄膜（转速3000 rpm，时间35 s）；
步骤9、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空（真空度为6×10-4 Pa）蒸镀一层100 nm厚的Ag作为银电极，最终所得器件即为所述的MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件。
实施例1
选用MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3作为可见于红外波段的光响应活性材料，选用PCBM和TiO2作为电子传输层，选用P3HT和NiOx作为空穴传输层，利用旋涂法、磁控溅射法和真空蒸镀法制备厚度均一、无针孔、表面均匀的钙钛矿薄膜、载流子传输层以及金属电极，使用P-iNIR-N-ivis-P型结构构筑了基于钙钛矿光活性层的可见/红外光谱可切换双频探测成像器件。具体步骤如下：
步骤1、将125 mg Ni(CH3COO)2和30 μL 乙醇胺溶于5 mL 乙醇配制Ni(CH3COO)2溶液，在充满氮气的手套箱中将PCBM和P3HT分别溶于氯苯配置17 mg/mL的PCBM和P3HT溶液，所有溶液采用磁力搅拌器使溶液混合均匀；
步骤2、在空气中将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速3200 rpm，时间35 s），之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜（温度400 ℃，时间1 h）；
步骤3、在充满氮气的手套箱中以MAI（99.5%）、FAI（99.5%）、PbI2（99.99%）、SnI2（97%）和SnF2（99%）为原料，以DMF/DMSO混合溶液（4:1）为溶剂，分别配制1.3 M 的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3（10%SnF2）钙钛矿前驱体溶液，采用磁力搅拌器加热搅拌使溶液混合均匀，60 ℃下搅拌30 min；
步骤4、将MAPbI3钙钛矿前驱体溶液滴加在NiOx空穴传输层薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速6500 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第10 s滴加800 μL甲苯作为反溶剂，3~4s滴完），之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火10min）；
步骤5、将PCBM溶液滴加在MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜（转速2000 rpm，时间35 s）；
步骤6、使用TiO2靶作为钛源，室温初始真空为7.0×10-4 Pa，工作压力、氩氧比和射频功率分别为0.5 Pa、10：3和80 W，沉积时间为30 min，在PCBM电子传输层薄膜表面沉积一层致密的TiO2薄膜作为电子传输层和保护层；
步骤7、在充满氮气的手套箱中，将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在TiO2薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5000 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第8 s滴加400 μL甲苯作为反溶剂，1~2s滴完），之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火3 min）；
步骤8、将P3HT溶液滴加在MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成P3HT空穴传输层薄膜（转速3000 rpm，时间35 s）；
步骤9、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空（真空度为6×10-4 Pa）蒸镀一层100 nm厚的Ag作为银电极，最终所得器件即为所述的MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件。
对所构筑的器件进行了截面SEM表征，如图1所示，器件由glass/FTO/ NiOx/MAPbI3/PCBM/TiO2/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3/P3HT/Ag的结构构成，每一层结构都与其他层完全独立，不产生任何混合，且MAPbI3与MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿层厚度大概为300~350 nm。图2为MAPbI3与MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿层的XRD，XRD图谱中各个峰位与四方相结构钙钛矿峰位复合，无其他杂峰，结晶度高、纯度高。SEM与XRD说明本实例所构筑的器件具备两种独立工作的高质量光响应活性层，为优秀的器件性能提供了基础。图3为器件在AM1.5标准太阳光下的对数I-V图，可以看到器件的光电流曲线与光伏性器件类似，且不过原点。图4为器件在不同偏置电压下的EQE响应图谱，可以看出器件在的电压区间为-0.3~0.5 V，测试过程中超过这个电压范围器件将无响应。当电压为-0.3 V时，器件对只350~800 nm的可见光有响应，最大值EQE超过20%；当电压为0 V时，器件对350~800 nm与800~1000 nm的可见与红外光均有响应且在800 nm左右出现低谷；当电压为0.5 V时，器件只对800~1000 nm红外光有响应，最大EQE大约为15%，这说明该器件通过改变偏置电压完全实现了可见/红外光谱可切换双频探测。图5为器件在可见与红外两种工作模式下的比探测率，可以看出比探测率高达1012 Jones。图6为器件在两种工作模式下周期性切换的响应I-T图，可以看出该器件能在1 kHz的高频下实现可见/红外模式的高开关比切换。图7为器件在两种工作模式下的-3dB曲线，可以看出器件的光响应带宽大约为50 kHz。图8为器件的成像示意图，其中图8（a）为成像装置的示意图，图8（b）与（c）分别为该成像器件在可见与红外模式下的成像结果，图8（d）为将图8（b）与（c）的中两种模式下的图案整合得到的完整图案。可以看出器件在两种模式下对两种波段的光均能探测成像，通过将两种模式下的信号整合可以得到完整的信号，这种工作模式使得器件在可见/红外光通讯的加密与解密上具有应用潜力。
实施例2
选用MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3作为可见于红外波段的光响应活性材料，选用PCBM和TiO2作为电子传输层，选用P3HT和NiOx作为空穴传输层，利用旋涂法、磁控溅射法和真空蒸镀法制备厚度均一、无针孔、表面均匀的钙钛矿薄膜、载流子传输层以及金属电极，使用P-iNIR-N-ivis-P型结构构筑了基于钙钛矿光活性层的可见/红外光谱可切换双频探测成像器件。具体步骤如下：
步骤1、将125 mg Ni(CH3COO)2和30 μL 乙醇胺溶于5 mL 乙醇配制Ni(CH3COO)2溶液，在充满氮气的手套箱中将PCBM和P3HT分别溶于氯苯配置16 mg/mL的PCBM和P3HT溶液，所有溶液采用磁力搅拌器使溶液混合均匀；
步骤2、在空气中将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速3200 rpm，时间35 s），之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜（温度400 ℃，时间1 h）；
步骤3、在充满氮气的手套箱中以MAI（99.5%）、FAI（99.5%）、PbI2（99.99%）、SnI2（97%）和SnF2（99%）为原料，以DMF/DMSO混合溶液（4:1）为溶剂，分别配制1.3 M 的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3（10%SnF2）钙钛矿前驱体溶液，采用磁力搅拌器加热搅拌使溶液混合均匀，60 ℃下搅拌30 min；
步骤4、将MAPbI3钙钛矿前驱体溶液滴加在NiOx薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速6000 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第10 s滴加800 μL甲苯作为反溶剂，3~4s滴完），之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火10 min）；
步骤5、将PCBM溶液滴加在MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜（转速1500 rpm，时间35 s）；
步骤6、使用TiO2靶作为钛源，室温初始真空为7.0×10-4 Pa，工作压力、氩氧比和射频功率分别为0.5 Pa、10：3和80 W，沉积时间为20 min，在PCBM电子传输层薄膜表面沉积一层致密的TiO2薄膜作为电子传输层和保护层；
步骤7、在充满氮气的手套箱中，将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在TiO2薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5000 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第8 s滴加400 μL甲苯作为反溶剂，1~2s滴完），之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火3 min）；
步骤8、将P3HT溶液滴加在MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成P3HT空穴传输层薄膜（转速3000 rpm，时间35 s）；
步骤9、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空（真空度为6×10-4 Pa）蒸镀一层100 nm厚的Ag作为银电极，最终所得器件即为所述的MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件。
图9为器件在AM1.5标准太阳光下的对数I-V图，可以看到器件的光电流曲线与光伏性器件类似，且不过原点。图10为器件在不同偏置电压下的EQE响应图谱，可以看出器件在的电压区间为-0.1~0.7 V，测试过程中超过这个电压范围器件将无响应。当电压为-0.1V时，器件对只350~800 nm的可见光有响应，最大值EQE超过20%；当电压为0.3 V时，器件对350~800 nm与800~1000 nm的可见与红外光均有响应且在800 nm左右出现低谷；当电压为0.7 V时，器件350~800 nm与800~1000 nm的可见与红外光均有响应且在800 nm左右出现低谷，但对350~800 nm可见光响应较小，EQE不到5%，对800~1000 nm红外光响应较大，EQE超过10%，这说明本实例中的参数对MAPbI3层的光响应信号有提升使其在高正压下仍有较小的可见光信号，且该器件通过改变偏置电压实现了很大程度的可见/红外光谱可切换双频探测。
实施例3
选用MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3作为可见于红外波段的光响应活性材料，选用PCBM和TiO2作为电子传输层，选用P3HT和NiOx作为空穴传输层，利用旋涂法、磁控溅射法和真空蒸镀法制备厚度均一、无针孔、表面均匀的钙钛矿薄膜、载流子传输层以及金属电极，使用P-iNIR-N-ivis-P型结构构筑了基于钙钛矿光活性层的可见/红外光谱可切换双频探测成像器件。具体步骤如下：
步骤1、将125 mg Ni(CH3COO)2和30 μL 乙醇胺溶于5 mL 乙醇配制Ni(CH3COO)2溶液，在充满氮气的手套箱中将PCBM和P3HT分别溶于氯苯配置15 mg/mL的PCBM和P3HT溶液，所有溶液采用磁力搅拌器使溶液混合均匀；
步骤2、在空气中将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速3200 rpm，时间35 s），之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜（温度400 ℃，时间1 h）；
步骤3、在充满氮气的手套箱中以MAI（99.5%）、FAI（99.5%）、PbI2（99.99%）、SnI2（97%）和SnF2（99%）为原料，以DMF/DMSO混合溶液（4:1）为溶剂，分别配制1.3 M 的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3（10%SnF2）钙钛矿前驱体溶液，采用磁力搅拌器加热搅拌使溶液混合均匀，60 ℃下搅拌30 min；
步骤4、将MAPbI3钙钛矿前驱体溶液滴加在NiOx空穴传输层薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5500 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第10 s滴加800 μL甲苯作为反溶剂，3~4s滴完），之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火10min）；
步骤5、将PCBM溶液滴加在MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜（转速1000 rpm，时间35 s）；
步骤6、使用TiO2靶作为钛源，室温初始真空为7.0×10-4 Pa，工作压力、氩氧比和射频功率分别为0.5 Pa、10：3和80 W，沉积时间为10 min，在PCBM电子传输层薄膜表面沉积一层致密的TiO2薄膜作为电子传输层和保护层；
步骤7、在充满氮气的手套箱中，将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在TiO2薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5000 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第8 s滴加400 μL甲苯作为反溶剂1~2s滴完），之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火3 min）；
步骤8、将P3HT溶液滴加在MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成P3HT空穴传输层薄膜（转速3000 rpm，时间35 s）；
步骤9、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空（真空度为6×10-4 Pa）蒸镀一层100 nm厚的Ag作为银电极，最终所得器件即为所述的MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件。
图11为器件在AM1.5标准太阳光下的对数I-V图，可以看到器件的光电流曲线与实例1与2中的类光伏性能不同，I-V过原点。图12为器件在不同偏置电压下的EQE响应图谱，可以看出器件在的电压区间为0~0.8 V，测试过程中超过这个电压范围器件将无响应。在整个工作范围内器件对只350~800 nm的可见光有响应，最大值EQE超过15%，最小值大约10%。无法通过调控电压是的器件出现红外波段响应，这说明本实例中的参数对MAPbI3层的光响应信号有过大提升使得在MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3层的光响应信号基本被抑制，但通过改变电压大小仍能实现器件对可见波段响应大小的可控调制。
实施例4
选用MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3作为可见于红外波段的光响应活性材料，选用PCBM作为电子传输层，选用P3HT和NiOx作为空穴传输层，利用旋涂法、磁控溅射法和真空蒸镀法制备厚度均一、无针孔、表面均匀的钙钛矿薄膜、载流子传输层以及金属电极，使用P-iNIR-N-ivis-P型结构构筑了基于钙钛矿光活性层的可见/红外光谱可切换双频探测成像器件。具体步骤如下：
步骤1、将125 mg Ni(CH3COO)2和30 μL 乙醇胺溶于5 mL 乙醇配制Ni(CH3COO)2溶液，在充满氮气的手套箱中将PCBM和P3HT分别溶于氯苯配置15 mg/mL的PCBM和P3HT溶液，所有溶液采用磁力搅拌器使溶液混合均匀；
步骤2、在空气中将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速3200 rpm，时间35 s），之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜（温度400 ℃，时间1 h）；
步骤3、在充满氮气的手套箱中以MAI（99.5%）、FAI（99.5%）、PbI2（99.99%）、SnI2（97%）和SnF2（99%）为原料，以DMF/DMSO混合溶液（4:1）为溶剂，分别配制1.3 M 的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3（10%SnF2）钙钛矿前驱体溶液，采用磁力搅拌器加热搅拌使溶液混合均匀，60 ℃下搅拌30 min；
步骤4、将MAPbI3钙钛矿前驱体溶液滴加在NiOx薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5500 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第10 s滴加800 μL甲苯作为反溶剂，3~4s滴完），之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜（先60 ℃下退火1 min，再100 ℃下退火10 min）；
步骤5、将PCBM溶液滴加在MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜（转速1000 rpm，时间35 s）；
步骤6、不沉积TiO2薄膜，将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在PCBM电子传输层薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜（转速5000 rpm，时间35 s，在旋涂开始的第8 s滴加400 μL甲苯作为反溶剂，1~2s滴完），之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜（先60℃下退火1 min，再100 ℃下退火3 min）；
步骤7、将P3HT溶液滴加在MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成P3HT空穴传输层薄膜（转速3000 rpm，时间35 s）；
步骤8、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空（真空度为6×10-4 Pa）蒸镀一层100 nm厚的Ag作为银电极，最终所得器件即为所述的MAPbI3/MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3双频器件。
本实例中所选的TiO2溅射时间为0，故略去该步骤。制备过程中进行步骤6时发现下层薄膜有深色逐渐变透明，MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3透过PCBM对下层存在一定程度混合，虽然最终得到器件仍然平整，但MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3存在混合从而影响双频探测性能。图13为器件在AM1.5标准太阳光下的对数I-V图，可以看到器件的光电流曲线与实例1与2中的类光伏性能不同，I-V过原点且电流大小远高于实例1、2、3中电流大小，说明该器件性质有所不同。图14为器件在不同偏置电压下的EQE响应图谱，可以看出该器件的响应很低，EQE比实例1、2、3中低了一个数量级，器件在的电压区间为-0.3~0.5 V，测试过程中超过这个电压范围器件将无响应。当电压为-1 V时，器件对只350~800 nm的可见光有响应，最大值EQE约为1.5%；当电压为-0.5 V时，器件对350~800 nm与800~1000 nm的可见与红外光均有响应且在800 nm左右出现低谷，对可见光的最大值EQE约为1.1%，对红外光的最大值EQE约为0.15%；当电压为0V时，器件只350~800 nm的可见光有响应，最大值EQE约为0.7%。这说明该器件通过改变偏置电压只实现了很小程度的可见/红外光谱可切换双频探测。这种现象是缺少TiO2引起的，说明TiO2在作为电子传输层的同时更作为保护层，使两种钙钛矿活性层不产生互混，从而保证各工作模式的完全独立。因此实例1、2、3中的在PCBM上溅射一层TiO2是必须的，也是实现双频探测的关键。
本发明可以通过调控偏置电压的方向及大小，实现可见/红外光谱可切换双频探测与成像；所采用的MAPbI3和MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光响应活性层厚度均匀、粒径均一、结晶性好可以使用溶液法轻易制备并调控各层膜的厚度及质量，具有成本低廉、反应速度快、加热温度较低等优势，更适用于大批量生产；所构筑的双频探测器件探测率高、模式切换及响应速度快等优势。

Claims (9)

1.一种可见/红外光谱可切换双频探测成像的钙钛矿器件，其特征在于，从下至上，包括依次连接的FTO导电玻璃、NiOx空穴传输层、MAPbI3活性层、PCBM电子传输层、TiO2电子传输层/保护层、MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层、P3HT空穴传输层和Ag电极。
2.如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，NiOx空穴传输的厚度为20 nm。
3. 如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，PCBM电子传输层的厚度为50 nm。
4. 如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，TiO2电子传输层/保护层采用磁控溅射法制备，厚度为30 nm。
5. 如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，MAPbI3活性层的厚度为350 nm。
6. 如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿光活性层的厚度为400 nm。
7. 如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，P3HT空穴传输层的厚度为40 nm。
8. 如权利要求1所述的钙钛矿器件，其特征在于，Ag电极的厚度为100 nm。
9.如权利要求1-8任一所述的钙钛矿器件的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤1、将Ni(CH3COO)2溶液滴加至洗净的FTO导电玻璃上，使用旋涂法进行匀胶成膜，之后将其进行高温退火形成NiOx空穴传输层薄膜；
步骤2、将MAPbI3钙钛矿溶液滴加在上述NiOx空穴传输层薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜，成膜过程中滴加反溶剂，之后将其进行高温退火形成MAPbI3薄膜；
步骤3、将PCBM溶液滴加在上述MAPbI3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜形成PCBM电子传输层薄膜；
步骤4、采用磁控溅射法在上述PCBM电子传输层薄膜表面沉积TiO2薄膜作为电子传输层和保护层；
步骤5、将MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3钙钛矿溶液滴加在上述TiO2薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜，成膜过程中滴加反溶剂，之后将其进行高温退火形成MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜；
步骤6、将P3HT溶液滴加在上述MA0.5FA0.5Pb0.5Sn0.5I3薄膜上，使用旋涂法进行匀胶成膜，形成P3HT空穴传输层薄膜；
步骤7、在上述P3HT空穴传输层薄膜上真空蒸镀Ag作为Ag电极。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113189006A (zh) * 2021-05-11 2021-07-30 吉林大学 一种光电光谱响应范围调控方法及系统
CN117596908A (zh) * 2024-01-19 2024-02-23 武汉楚兴技术有限公司 一种像素单元、图像传感器及其制造方法
CN118475138A (zh) * 2024-07-11 2024-08-09 南昌大学 一种n-i-p-i-n型可见-红外双波段光电探测器及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105336862B (zh) * 2015-09-28 2017-11-03 湘潭大学 一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2020084285A1 (en) * 2018-10-22 2020-04-30 Oxford University Innovation Limited Multi-junction device production process
CN111211230A (zh) * 2020-01-22 2020-05-29 苏州大学 一种全光谱吸收的多层钙钛矿/量子点太阳能电池器件及制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105336862B (zh) * 2015-09-28 2017-11-03 湘潭大学 一种整体堆叠双结钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2020084285A1 (en) * 2018-10-22 2020-04-30 Oxford University Innovation Limited Multi-junction device production process
CN111211230A (zh) * 2020-01-22 2020-05-29 苏州大学 一种全光谱吸收的多层钙钛矿/量子点太阳能电池器件及制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HEPING SHEN等: ""In situ recombination junction between p-Si and TiO2 enables high-efficiency monolithic perovskite/Si tandem cells"", 《SCIENCE ADVANCES》 *
WAYESH QARONY等: ""Vertically Stacked Perovskite Detectors for Color Sensing and Color Vision"", 《ADVANCED MATERIALS INTERFACES》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113189006A (zh) * 2021-05-11 2021-07-30 吉林大学 一种光电光谱响应范围调控方法及系统
CN117596908A (zh) * 2024-01-19 2024-02-23 武汉楚兴技术有限公司 一种像素单元、图像传感器及其制造方法
CN117596908B (zh) * 2024-01-19 2024-04-05 武汉楚兴技术有限公司 一种像素单元、图像传感器及其制造方法
CN118475138A (zh) * 2024-07-11 2024-08-09 南昌大学 一种n-i-p-i-n型可见-红外双波段光电探测器及其制备方法

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