CN116936352A - 碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器 - Google Patents

碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器 Download PDF

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Abstract

本申请涉及一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，制备方法包括如下步骤：对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。本申请可以解决相关技术中碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高，严重影响器件的光性能的问题。

Description

碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器
技术领域
本申请涉及光电薄膜器件技术领域，特别涉及一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器。
背景技术
短波红外光电探测器在工业和日常生活中至关重要，如夜视、遥感、分子化学、光通信、医疗应用、安全监测和环境监测。目前的短波红外光电探测器光敏材料主要是锗、砷化铟镓、锑化铟和碲化汞镉等。然而，基于这些半导体材料的商用短波红外光电探测器光电探测器由于复杂的制造技术，如分子束外延、液相外延和金属有机化学气相沉积，其生产成本很高。因此，迫切需要开发制造成本更低且具有优异光电性能的新型半导体。
碲硒化合物在解决上述问题方面具有很大的优势，具有以下优点：1.碲硒化合物半导体的禁带宽度可以通过元素组成比(即碲硒原子比)从0.35eV调节到1.95eV；2.碲硒化合物晶体是由一维分子链通过范德华键形成的三维结构，悬挂键较少；3.由于结晶温度低(200℃)，可以通过热蒸发沉积碲硒化合物薄膜，有望用于大规模制造和器件集成。
虽然基于碲硒化合物薄膜的光电探测器已经研制成功，但制备工艺和器件结构仍存在问题。例如，高质量的碲硒化合物薄膜在蒸发过程中需要液氮来延缓结晶速率；碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流尤其高，严重影响器件的光性能。与光电晶体管和光电导型的器件相比，基于碲硒化合物薄膜光电二极管型器件由于高的暗电流和载流子浓度而没有得到深入研究。
发明内容
本申请实施例提供一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器，以解决相关技术中碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高，严重影响器件的光性能的问题。
第一方面，提供了一种碲硒化合物薄膜的制备方法，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，所述制备方法包括如下步骤：
对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；
对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；
对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。
一些实施例中，对硒单质和碲单质加热包括：将硒单质和碲单质在500～600℃加热1～3小时，之后冷却至150～200℃，保温8～12小时。
一些实施例中，所述碲硒化合物粉末蒸发条件包括：常温下，压强为1～3mPa，蒸发速度为
一些实施例中，先蒸发一层碲薄膜，再对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以在所述碲薄膜上形成碲硒化合物薄膜半成品。
一些实施例中，所述碲薄膜的蒸发条件包括：常温下，压强为1～3mPa，蒸发速度为
第二方面，提供了一种碲硒化合物薄膜，其采用如上任一所述的碲硒化合物薄膜的制备方法制备而成。
第三方面，提供了一种红外光电二极管，其包括依次层叠设置的透明导电基底、电子传输层、碲硒化合物层、空穴传输层、界面修饰层和电极，所述碲硒化合物层采用如上所述的碲硒化合物薄膜。
一些实施例中，所述透明导电基底的材质包括氧化铟锡ITO、氧化氟锡FTO中的一种或多种；
和/或，所述电子传输层的材质包括SnO2纳米晶、ZnO、CdS中的一种或多种；
和/或，所述空穴传输层的材质包括聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]和2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴中的一种或多种；
和/或，所述界面修饰层的材质包括三氧化钼、4,4′-环己烯[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺]中的一种或多种；
和/或，所述电极的材质包括金、银、铜和铝中的一种或多种。
第四方面，提供了一种如上所述的红外光电二极管的制备方法，其包括如下步骤：
在透明导电基底上依次设置电子传输层、碲硒化合物层、空穴传输层、界面修饰层和电极，即得红外光电二极管。
第五方面，提供了一种红外光电探测器，其包括如上所述的红外光电二极管。
本申请提供的技术方案带来的有益效果包括：
本申请实施例提供的制备方法，系统地研究了碲硒化合物薄膜低温退火工艺，从而制备出高结晶质量的碲硒化合物薄膜，该方法简单高效，重复性好，薄膜质量厚度可控，适合大规模生产。
本申请实施例提供的制备方法，可得到均匀、纯六方相碲硒化合物薄膜，碲硒化合物薄膜致密、晶体颗粒较大(约为400nm)、形貌较好无孔洞。
本申请制备的碲硒化合物薄膜在空气中和光照下储存具有显著的长期稳定性，无需封装。
本申请实施例提供的制备方法所得到的碲硒化合物薄膜应用在红外光电二极管上，可以降低器件的暗电流和提高光暗电流比。
本申请实施例提供的制备方法所得到的碲硒化合物薄膜应用在红外光电二极管上，具有覆盖整个可见光和近红外范围的高响应度，<1μs的快速响应速度以及最高可达到109Jones的比探测率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的红外光电二极管结构示意图；
图2是实施例1不同元素比例的碲硒化合物薄膜的(a)XRD图、(b)吸收因子图；
图3是实施例2不同退火温度下的Te0.65Se0.35(a)薄膜XRD图、(b)薄膜轮廓图；
图4是实施例2不同退火温度下的Te0.65Se0.35薄膜的扫描电子显微镜图；
图5是实施例3中的光电器件的电流电压曲线图，器件结构为ITO/SnO2/Te0.65Se0.35/PTAA/MoOx/Ag；
图6是实施例4中的光电器件的电流电压曲线图，器件结构为ITO/CdS/Te0.65Se0.35/PTAA/MoOx/Ag；
图7是实施例5中的光电器件的电流电压曲线图，器件结构为ITO/ZnO/Te0.65Se0.35/Spiro-OMeTAD/MoOx/Ag；
图8是实施例6中的光电器件的电流电压曲线图，器件结构为ITO/CdS/Te0.65Se0.35/Spiro-OMeTAD/MoOx/Ag；
图9是实施例7中的光电器件在不同光强下的电流电压曲线图，器件结构为ITO/SnO2/Te0.65Se0.35/Spiro-OMeTAD/MoOx/Ag；
图10是实施例7中的光电器件在不同偏压下的响应度和比探测率随波长的变化图；
图11是实施例7中光电器件在零偏压下的响应时间曲线。
图中：1、透明导电基底；2、电子传输层；3、碲硒化合物层；4、空穴传输层；5、界面修饰层；6、电极。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种碲硒化合物薄膜的制备方法，该制备方法得到的碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，所述制备方法包括如下步骤：
101：对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末。
其中，对硒单质和碲单质加热包括：将硒单质和碲单质在500～600℃加热1～3小时，之后冷却至150～200℃，保温8～12小时。
通过加热硒单质和碲单质，以使二者之间发生反应，形成碲硒化合物晶体，为了后续方便蒸发以形成薄膜，需要将碲硒化合物晶体研磨成碲硒化合物粉末。
其中，先在高温500～600℃下加热1～3小时，以使二者充分反应，再冷却至低温150～200℃下保温8～12小时，以保证化合物的结晶度。
在加热过程中，为了使两种单质反应均匀，每隔一段时间就需要反应容器，以使反应容器中的两种单质充分混合。
其中，碲硒化合物为TeySe1-y，其中碲的摩尔百分比y的取值范围为(0％，100％)。
102：对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品。
在步骤102中，将所述碲硒化合物粉末装入氮化硼坩埚，常温下，在压强为(1～3)ⅹ10-3Pa，也即1～3mPa条件下进行蒸发，并控制蒸发速度为
实际上，为了增强碲硒化合物薄膜的附着性，可以先蒸发一层碲薄膜，再对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以在所述碲薄膜上形成碲硒化合物薄膜半成品。
其中，所述碲薄膜的蒸发条件包括：常温下，压强为(1～3)ⅹ10-3Pa，也即1～3mPa，蒸发速度为
103：对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。
本申请实施例提供的制备方法，系统地研究了碲硒化合物薄膜低温退火工艺，从而制备出高结晶质量的碲硒化合物薄膜，该方法简单高效，重复性好，薄膜质量厚度可控，适合大规模生产。
本申请实施例提供的制备方法，可得到均匀、纯六方相碲硒化合物薄膜，碲硒化合物薄膜致密、晶体颗粒较大(约为400nm)、形貌较好无孔洞。
本申请制备的碲硒化合物薄膜在空气中和光照下储存具有显著的长期稳定性，无需封装。
本申请实施例提供的制备方法所得到的碲硒化合物薄膜应用在红外光电二极管上，可以降低器件的暗电流和提高光暗电流比。
本申请实施例提供的制备方法所得到的碲硒化合物薄膜应用在红外光电二极管上，具有覆盖整个可见光和近红外范围的高响应度，<1μs的快速响应速度以及最高可达到109Jones的比探测率。
参见图1所示，本申请实施例还提供了一种红外光电二极管，为N-I-P型器件结构，其包括依次层叠设置的透明导电基底1、电子传输层2、碲硒化合物层3、空穴传输层4、界面修饰层5和电极6，所述碲硒化合物层3采用上述实施例提供的碲硒化合物薄膜。
其中，所述透明导电基底1的材质包括氧化铟锡ITO、氧化氟锡FTO中的一种或多种。
其中，所述电子传输层2的材质包括SnO2纳米晶、ZnO、CdS中的一种或多种。
其中，需要说明的是，上述ZnO是旋涂得到的致密薄膜，而CdS是用粉末蒸发得到的薄膜。
其中，所述空穴传输层4的材质包括聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](即PTAA)和2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(即Spiro-OMeTAD)中的一种或多种。
其中，所述界面修饰层5的材质包括三氧化钼、4,4′-环己烯[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](即TAPC)中的一种或多种。
其中，所述电极6的材质包括金、银、铜和铝中的一种或多种。
本申请实施例还提供了一种红外光电二极管的制备方法，其包括如下步骤：在透明导电基底1上依次设置电子传输层2、碲硒化合物层3、空穴传输层4、界面修饰层5和电极6，即得红外光电二极管。
具体地，上述制备方法包括：
201：在透明导电基底1上制备电子传输层2。
202：称取硒单质和碲单质加热并装在石英管中，然后将石英管密封置于加热台上，并在氮气手套箱中500～600℃加热1～3小时，在加热过程中，为了使两种单质反应均匀，每隔一段时间就需要晃动石英管，之后冷却至150～200℃，保温8～12小时得到碲硒化合物晶体，从石英管中取出碲硒化合物晶体并研磨成碲硒化合物粉末。
其中，碲硒化合物为TeySe1-y，其中碲的摩尔百分比y的取值范围为(0％，100％)。
203：在低真空环境下，将步骤202中制备的碲硒化合物粉末通过热蒸发法沉积在透明导电基底1的电子传输层2上，以得到碲硒化合物薄膜半成品。
其中，低真空可以根据实际制备需要确定，比如，作为示例，低真空可以从1～3mPa中取值。
在步骤203中，碲硒化合物粉末蒸发条件为：常温下，在压强为1～3mPa条件下进行蒸发，并控制蒸发速度为
实际上，为了增强碲硒化合物薄膜的附着性，可以在电子传输层2上先蒸发一层碲薄膜，再对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以在所述碲薄膜上形成碲硒化合物薄膜半成品。
其中，所述碲薄膜的蒸发条件包括：常温下，压强为1～3mPa，蒸发速度为
204：对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物层3，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min，退火过程在氮气手套箱中完成。
205：在碲硒化合物层3沉积空穴传输层4、界面修饰层5和电极6，即得红外光电二极管。
本申请实施例还提供了一种红外光电探测器，其包括上述红外光电二极管。
实施例1
本实施例研究了热蒸发法制备的碲硒化合物薄膜，称取硒单质和碲单质加热并装在石英管中，然后将石英管密封置于加热台上，并在氮气手套箱中550℃加热2小时，在加热过程中，为了使两种单质反应均匀，每隔一段时间就需要晃动石英管，之后冷却至200℃，保温12小时得到碲硒化合物晶体，从石英管中取出碲硒化合物晶体并研磨成碲硒化合物粉末。先蒸发0.5nm的碲形成碲薄膜，以增强碲硒化合物薄膜的附着性，再蒸发碲硒化合物薄膜，最后将沉积好的碲硒化合物薄膜放置加热台上，从室温升温到200℃并保持5分钟，退火过程在氮气手套箱中完成。如图2(a)所示，碲的比例范围从0％到100％，所有的薄膜呈现了良好的结晶性，(100)晶面随着碲的含量的增加从23.5°移动到23°，意味着碲原子和硒原子相互反应。图2(b)提供了不同元素比例的碲硒化合物薄膜的吸收因子图谱，随着碲含量的增加，薄膜的吸收边红移，覆盖了从可见光到近红外波段的较宽波长范围。
实施例2
本实施例又进一步研究了热蒸发制备的Te0.65Se0.35薄膜的退火温度，退火条件为：将样品放置于常温的加热台上，退火温度为50-250℃并维持5分钟。如图3(a)所示，Te0.65Se0.35薄膜晶体的结晶度和吸光度在100℃时发生突变，且特征峰的强度随退火温度的进一步升高略有增强，表明100℃以上的结晶温度对晶体生长至关重要。然而，如图3(b)所示，在生长过程中退火温度越高薄膜越粗糙，粗糙度从1.0nm增加到5.1nm。如图4所示，Te0.65Se0.35薄膜的扫描电镜图像揭示了薄膜微观表面与退火温度的关系。未退火和50℃退火的样品晶界模糊，结晶度较弱。随着退火温度的升高，晶粒明显增大。在200℃退火后，薄膜表面格外干净、致密。但退火温度过高，也会引起硒元素的再挥发，破坏薄膜的表面形貌，225℃退火样品表面模糊不清。因此，200℃退火的Te0.65Se0.35薄膜具有较好的结晶性和表面形貌。
实施例3
本实施例采用实施例2制备的Te0.65Se0.35薄膜进一步研究基于Te0.65Se0.35薄膜的光电探测器，不同之处仅在于，本实施例控制退火温度为200℃。详细的制备步骤如下：
(1)带有氧化铟锡(ITO)涂层玻璃基片依次用去离子水、乙醇和异丙醇超声清洗15分钟；
(2)用压缩的干燥空气吹干基片并用紫外臭氧清洗机处理15分钟；
(3)对于电子传输层，将3％的氧化锡溶液旋涂在ITO基片上，旋涂条件为4000rpm30s，在150℃空气中烘烤30分钟；
(4)在步骤(3)处理的基底上热蒸发沉积Te0.65Se0.35薄膜，氮气环境下200℃退火处理Te0.65Se0.35薄膜5min；
(5)冷却至室温后，在Te0.65Se0.35薄膜表面依次旋涂空穴传输层PTAA、蒸发MoOx和制作金属电极，最终得到光电器件。
本实施例制备的光电器件的电流电压曲线如图5所示，光暗电流有一定的差别，有一定的整流性能。
另外，需要说明的是，本实施例中制作界面修饰层5采用的原材料是三氧化钼MoO3，但是蒸发过程中会造成氧原子的缺失，故本实施例中采用MoOx表示，后文中出现这种情况，也采用相同处理方式。
实施例4
本实施例采用实施例2制备的Te0.65Se0.35薄膜进一步研究基于Te0.65Se0.35薄膜的光电探测器，本实施例详细的制备步骤同实施例3，不同之处在于电子传输层为CdS。
本实施例制备的光电器件的电流电压曲线如图6所示，光暗电流有一定的差别，有一定的整流性能。
实施例5
本实施例采用实施例2制备的Te0.65Se0.35薄膜进一步研究基于Te0.65Se0.35薄膜的光电探测器，本实施例详细的制备步骤同实施例3，不同之处在于电子传输层为ZnO，空穴传输层为Spiro-OMeTAD。
本实施例制备的光电器件的电流电压曲线如图7所示，光暗电流比接近100。
实施例6
本实施例采用实施例2制备的Te0.65Se0.35薄膜进一步研究基于Te0.65Se0.35薄膜的光电探测器，本实施例详细的制备步骤同实施例3，不同之处在于电子传输层为CdS，空穴传输层为Spiro-OMeTAD。
本实施例制备的光电器件的电流电压曲线如图8所示，光暗电流比有明显区别，有一定的整流性能。
实施例7
本实施例采用实施例2制备的Te0.65Se0.35薄膜进一步研究基于Te0.65Se0.35薄膜的光电探测器，本实施例详细的制备步骤同实施例3，不同之处在于，空穴传输层为Spiro-OMeTAD。
本实施例制备的光电器件的电流电压曲线如图9所示，该器件具有明显的整流特性和较高的光暗电流比(一个太阳光下，0V为2000，-50mV为300)。图10显示了Te0.65Se0.35短波红外探测器的光谱响应度和比探测率曲线，200℃下退火制备的Te0.65Se0.35光电探测器显示出350nm到1600nm的宽带响应，并且在～750nm达到最大0.43A/W，全谱响应波段的比探测率大于108Jones。同时还测试了器件的响应时间，快速响应时间为850ns，小于1μs如图11所示。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在本申请中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种碲硒化合物薄膜的制备方法，其特征在于，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，所述制备方法包括如下步骤：
对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；
对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；
对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。
2.如权利要求1所述的碲硒化合物薄膜的制备方法，其特征在于，对硒单质和碲单质加热包括：将硒单质和碲单质在500～600℃加热1～3小时，之后冷却至150～200℃，保温8～12小时。
3.如权利要求1所述的碲硒化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述碲硒化合物粉末蒸发条件包括：常温下，压强为1～3mPa，蒸发速度为
4.如权利要求1所述的碲硒化合物薄膜的制备方法，其特征在于：先蒸发一层碲薄膜，再对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以在所述碲薄膜上形成碲硒化合物薄膜半成品。
5.如权利要求4所述的碲硒化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述碲薄膜的蒸发条件包括：常温下，压强为1～3mPa，蒸发速度为
6.一种碲硒化合物薄膜，其特征在于：其采用如权利要求1至5任一所述的碲硒化合物薄膜的制备方法制备而成。
7.一种红外光电二极管，其特征在于，其包括依次层叠设置的透明导电基底(1)、电子传输层(2)、碲硒化合物层(3)、空穴传输层(4)、界面修饰层(5)和电极(6)，所述碲硒化合物层(3)采用如权利要求6所述的碲硒化合物薄膜。
8.如权利要求7所述的红外光电二极管，其特征在于：
所述透明导电基底(1)的材质包括氧化铟锡ITO、氧化氟锡FTO中的一种或多种；
和/或，所述电子传输层(2)的材质包括SnO2纳米晶、ZnO、CdS中的一种或多种；
和/或，所述空穴传输层(4)的材质包括聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]和2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴中的一种或多种；
和/或，所述界面修饰层(5)的材质包括三氧化钼、4,4′-环己烯[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺]中的一种或多种；
和/或，所述电极(6)的材质包括金、银、铜和铝中的一种或多种。
9.一种如权利要求7所述的红外光电二极管的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
在透明导电基底(1)上依次设置电子传输层(2)、碲硒化合物层(3)、空穴传输层(4)、界面修饰层(5)和电极(6)，即得红外光电二极管。
10.一种红外光电探测器，其特征在于：其包括如权利要求7所述的红外光电二极管。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117230413A (zh) * 2023-11-13 2023-12-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 硒碲合金薄膜及制备方法、自驱动光电探测器

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