CN111797503A - 一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法 - Google Patents

一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111797503A
CN111797503A CN202010504890.5A CN202010504890A CN111797503A CN 111797503 A CN111797503 A CN 111797503A CN 202010504890 A CN202010504890 A CN 202010504890A CN 111797503 A CN111797503 A CN 111797503A
Authority
CN
China
Prior art keywords
piezoelectric film
buckling
strain
film
piezoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010504890.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111797503B (zh
Inventor
付志鹏
秦强
丛琳华
魏广平
陈宏�
张仡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AVIC Aircraft Strength Research Institute
Original Assignee
AVIC Aircraft Strength Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AVIC Aircraft Strength Research Institute filed Critical AVIC Aircraft Strength Research Institute
Priority to CN202010504890.5A priority Critical patent/CN111797503B/zh
Publication of CN111797503A publication Critical patent/CN111797503A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111797503B publication Critical patent/CN111797503B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20Design optimisation, verification or simulation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2119/00Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
    • G06F2119/14Force analysis or force optimisation, e.g. static or dynamic forces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本申请提供一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法,方法包括:根据压电薄膜连接器的整体结构,分别建立初始状态力学模型和屈曲状态力学模型;根据屈曲状态力学模型建立脱离屈曲的边界条件;基于压电薄膜的力‑电耦合控制方程和脱离屈曲边界条件,建立压电薄膜的挠度模型和诱导电势模型;得到压电薄膜的电势;根据压电薄膜的电势计算得到电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变;计算得到压电薄膜的电焓密度;根据压电薄膜的电焓密度得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓;基于最小能量原理得到屈曲幅值、压电薄膜材料特性参数及基体预应变的关系表达式;结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变。

Description

一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法
技术领域
本发明属于力学领域,特别涉及一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法。
背景技术
压电材料以其独特的力-电耦合特性,引起了全球科学界及工业界的广泛关注,展现出了广阔的应用前景。附于柔性(软弹性)基体上的压电薄膜(如PZT薄膜)在基体释放的预应变或薄膜内力的作用下会发生失稳屈曲。利用这一特性,基于压电薄膜附于弹性软基体的基本结构构型,现代电子工业开发出了很多新型的柔性电子器件、微纳米机电系统、精密测量仪器和传感器等压电智能结构。
大应变弹性电子器件(如大应变表皮传感器)利用连接器和硅岛的非共面啮合设计,来达到电路的大应变拉伸性能。大应变拉伸情况下的压电薄膜易发生脱离屈曲,从而导致大应变弹性电子器件发生失效破坏。如何控制大应变弹性电子器件的压电薄膜脱离屈曲便成为亟待解决的问题之一。目前关于附于柔性基体上的压电薄膜的屈曲理论方法研究均考虑了薄膜和基体的整体粘接,而关于薄膜和基体的非共面啮合情况下的脱离屈曲的理论方法研究尚未发现。
发明内容
本申请提供一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的理论方法。利用该理论方法,得到压电薄膜连接器脱离屈曲的临界条件,并达到通过控制基体预应变来控制压电薄膜连接器脱离屈曲的目的。
本申请提供的控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法,方法包括:
根据压电薄膜连接器的整体结构,分别建立初始状态力学模型和屈曲状态力学模型;
根据屈曲状态力学模型建立脱离屈曲的边界条件;
基于压电薄膜的力-电耦合控制方程和脱离屈曲边界条件,建立压电薄膜的挠度模型和诱导电势模型;
根据诱导电势模型得到压电薄膜的电势;
根据压电薄膜的电势计算得到电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变;
根据电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变,计算得到压电薄膜的电焓密度;
根据压电薄膜的电焓密度得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓;
利用最小能量原理,得到屈曲幅值、压电薄膜材料特性参数及基体预应变的关系表达式;
根据关系表达式,结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变;
根据临界应变与基体预应变,控制压电薄膜连接器脱离屈曲。
可选的,根据临界应变与基体预应变,控制压电薄膜连接器脱离屈曲,具体包括:
当基体预应变小于临界应变时,释放弹性基体预应变,压电薄膜不会脱离屈曲。
可选的,根据临界应变与基体预应变,控制压电薄膜连接器脱离屈曲,具体包括:
当基体预应变大于临界应变时,释放弹性基体预应变,压电薄膜发生脱离屈曲。
可选的,根据压电薄膜的电焓密度得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓,具体包括:
通过在厚度方向和整个跨度方向上对压电薄膜的电焓密度进行积分,得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓。
可选的,压电薄膜材料特性参数包括平面应变状态下的等效弹性模量、压电薄膜材料的泊松比、压电薄膜介电系数、压电薄膜的诱导电势、压电系数和介电系数。
可选的,压电薄膜的力-电耦合控制方程为:
Figure BDA0002526179460000031
其中,
Figure BDA0002526179460000032
为平面应变状态下的等效弹性模量,νp为压电薄膜材料的泊松比;
Figure BDA0002526179460000033
Figure BDA0002526179460000034
为压电薄膜介电系数;Φ(2)为压电薄膜的诱导电势、
Figure BDA0002526179460000035
为压电薄膜的压电系数,
Figure BDA0002526179460000036
为压电薄膜的介电系数。
可选的,根据关系表达式,结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变,具体为:
根据关系表达式,结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变:
Figure BDA0002526179460000037
其中,L0为初始长度。
可选的,最小能量原理为压电薄膜总电焓对所假设的挠度和电势幅值的偏导均为零。
综上,该控制压电薄膜连接器脱离屈曲的理论方法具有以下优点:
1)该方法针对大应变弹性电子器件的压电薄膜附于软基体模型,在此之前,其非共面啮合下的脱离屈曲控制理论方法尚未见报道;
2)该方法可以通过已知的材料特性参数,进行合理设计基体预应变来控制压电薄膜的屈曲变形,进而实现在设计层面上进行屈曲控制;
3)该方法涉及压电薄膜,如果令其压电特性参数为零,则可退化得到弹性薄膜连接器脱离屈曲的控制方法,用于指导其他种类电子器件的屈曲控制设计。
附图说明
图1为本申请实施例提供的压电薄膜连接器整体结构初始状态的结构模型示意图;
图2为本申请实施例提供的压电薄膜连接器整体结构屈曲状态的结构模型示意图。
具体实施方式
本发明创造的目的是提供一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的理论方法。利用该理论方法,得到压电薄膜连接器脱离屈曲的临界条件,并达到通过控制基体预应变来控制压电薄膜连接器脱离屈曲的目的。
实施例一
本发明创造主要是通过下述的技术方案实现的:忽略压电薄膜和弹性软基体之间的粘接能,基于压电薄膜的力-电耦合控制方程和脱离屈曲的边界条件对挠度和诱导电势做出合理假设,建立压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓表达式,利用最小能量原理得到屈曲幅值表达式(变量为基体预应变及材料特性参数),确定压电薄膜临界应变与基体预应变的关系,进而得到通过控制基体预应变来控制压电薄膜脱离屈曲的理论方法。
本发明创造为一种理论方法,该方法包括压电薄膜连接器整体结构(大应变弹性电子)的建模、压电薄膜挠度和电势的假设、压电薄膜电焓的计算、最小能量原理的运用及薄膜脱离屈曲控制条件的求解。
通过对压电薄膜连接器整体结构进行分析,建立初始状态和屈曲状态下的力学模型;基于压电薄膜的力-电耦合控制方程和脱离屈曲的边界条件,对压电薄膜的挠度和诱导电势做出合理假设,进而得到薄膜的诱导电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变;计算得到压电薄膜电焓密度,通过在厚度方向和整个跨度方向上积分,得到压电薄膜的总电焓;利用最小能量原理,即压电薄膜总电焓对所假设的挠度和电势幅值的偏导均为零,得到屈曲幅值与压电薄膜材料特性参数及基体预应变的关系表达式;通过得到的关系表达式,结合薄膜脱离屈曲的物理意义,得到薄膜脱离屈曲的临界应变,最终建立控制薄膜脱离屈曲的控制条件。
实施例二
如图1所示,压电薄膜作为连接器覆盖于预拉伸基体表面,二者并不粘接,通过薄膜两端的硅岛与基体固定,初始长度为L0。释放基体的预应变,压电薄膜会受到硅岛传递的面内薄膜力,会导致薄膜脱离基体形成非共面屈曲现象,如图2所示,屈曲后长度为L。
如图2所示,建立两个坐标系:坐标系X1-O1-W原点O1不可动,位于基体上表面中心,O1W沿厚度方向,O1X1沿水平方向;X1-O2-X3的原点O2随薄膜的屈曲而运动,始终位于薄膜几何中心,O1X3沿厚度方向。令x1代表初始构型的水平坐标,X1代表屈曲构型的水平坐标。则两种构型之间的水平坐标对应关系为:
Figure BDA0002526179460000051
压电薄膜的力-电耦合控制方程为:
Figure BDA0002526179460000052
其中:
Figure BDA0002526179460000053
为平面应变状态下的等效弹性模量,νp为压电薄膜材料的泊松比;
Figure BDA0002526179460000054
Figure BDA0002526179460000055
为压电薄膜介电系数;Φ(2)
Figure BDA0002526179460000056
Figure BDA0002526179460000057
分别为压电薄膜的诱导电势、压电系数和介电系数。
基于压电薄膜的力-电耦合控制方程及边界条件(两端固支),对挠度和诱导电势做出如下假设:
Figure BDA0002526179460000058
压电薄膜中的电势可表示为:
Figure BDA0002526179460000061
忽略初始的微弱电场,并假设薄膜被短电极所覆盖,则Φ(0)和Φ(1)的值为0,Φ(2)与薄膜的弯曲变形有关。得到诱导电场强度:
Figure BDA0002526179460000062
得到薄膜力和剪力的表达式:
Figure BDA0002526179460000063
忽略剪力的影响,令薄膜力均匀分布,得到薄膜应变和弯曲应变的表达式:
Figure BDA0002526179460000064
可以得到压电薄膜的电焓密度:
Figure BDA0002526179460000065
通过在厚度方向和跨度方向积分,可以得到压电薄膜的总电焓:
Figure BDA0002526179460000066
利用最小能量(电焓)原理,即:
Figure BDA0002526179460000071
通过求解方程(7-10),可以得到:
Figure BDA0002526179460000072
因为
Figure BDA0002526179460000073
远远小于
Figure BDA0002526179460000074
所以可简化为:
Figure BDA0002526179460000075
弹性基体的预应变为εpre=(L0-L)/L,得到:
Figure BDA0002526179460000076
故屈曲幅值A可表示为:
Figure BDA0002526179460000077
当幅值A刚刚大于零时,薄膜开始脱离屈曲,因此通过式(7-13)得到薄膜脱离屈曲的临界应变为:
Figure BDA0002526179460000078
便可最终得到在已知压电薄膜材料特性参数的基础上,通过控制弹性基体预应变来控制压电薄膜脱离屈曲的理论方法:
a)当基体预应变
Figure BDA0002526179460000079
时,释放弹性基体预应变,压电薄膜不会脱离屈曲;
b)当
Figure BDA00025261794600000710
时,释放弹性基体预应变,压电薄膜发生脱离屈曲。
综上所述,该控制压电薄膜连接器脱离屈曲的理论方法具有以下优点:
1)该方法针对大应变弹性电子器件的压电薄膜附于软基体模型,在此之前,其非共面啮合下的脱离屈曲控制理论方法尚未见报道;
2)该方法可以通过已知的材料特性参数,进行合理设计基体预应变来控制压电薄膜的屈曲变形,进而实现在设计层面上进行屈曲控制;
3)该方法涉及压电薄膜,如果令其压电特性参数为零,则可退化得到弹性薄膜连接器脱离屈曲的控制方法,用于指导其他种类电子器件的屈曲控制设计。

Claims (8)

1.一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法,其特征在于,所述方法包括:
根据压电薄膜连接器的整体结构,分别建立初始状态力学模型和屈曲状态力学模型;
根据屈曲状态力学模型建立脱离屈曲的边界条件;
基于压电薄膜的力-电耦合控制方程和所述脱离屈曲边界条件,建立压电薄膜的挠度模型和诱导电势模型;
根据所述诱导电势模型得到压电薄膜的电势;
根据所述压电薄膜的电势计算得到电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变;
根据电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变,计算得到压电薄膜的电焓密度;
根据所述压电薄膜的电焓密度得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓;
利用最小能量原理,得到屈曲幅值、压电薄膜材料特性参数及基体预应变的关系表达式;
根据所述关系表达式,结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变;
根据所述临界应变与基体预应变,控制压电薄膜连接器脱离屈曲。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述临界应变与基体预应变,控制压电薄膜连接器脱离屈曲,具体包括:
当基体预应变小于临界应变时,释放弹性基体预应变,压电薄膜不会脱离屈曲。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述临界应变与基体预应变,控制压电薄膜连接器脱离屈曲,具体包括:
当基体预应变大于临界应变时,释放弹性基体预应变,压电薄膜发生脱离屈曲。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述压电薄膜的电焓密度得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓,具体包括:
通过在厚度方向和整个跨度方向上对所述压电薄膜的电焓密度进行积分,得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,压电薄膜材料特性参数包括平面应变状态下的等效弹性模量、压电薄膜材料的泊松比、压电薄膜介电系数、压电薄膜的诱导电势、压电系数和介电系数。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,压电薄膜的力-电耦合控制方程为:
Figure FDA0002526179450000021
其中,
Figure FDA0002526179450000022
为平面应变状态下的等效弹性模量,νp为压电薄膜材料的泊松比;
Figure FDA0002526179450000023
Figure FDA0002526179450000024
为压电薄膜介电系数;Φ(2)为压电薄膜的诱导电势、
Figure FDA0002526179450000025
为压电薄膜的压电系数,
Figure FDA0002526179450000026
为压电薄膜的介电系数。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,根据所述关系表达式,结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变,具体为:
根据所述关系表达式,结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义,得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变:
Figure FDA0002526179450000027
其中,L0为初始长度。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述最小能量原理为压电薄膜总电焓对所假设的挠度和电势幅值的偏导均为零。
CN202010504890.5A 2020-06-05 2020-06-05 一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法 Active CN111797503B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010504890.5A CN111797503B (zh) 2020-06-05 2020-06-05 一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010504890.5A CN111797503B (zh) 2020-06-05 2020-06-05 一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111797503A true CN111797503A (zh) 2020-10-20
CN111797503B CN111797503B (zh) 2023-10-20

Family

ID=72804072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010504890.5A Active CN111797503B (zh) 2020-06-05 2020-06-05 一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111797503B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005006958A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-17 Aixacct Systems Gmbh Messverfahren und -Vorrichtung zur Bestimmung von Piezokoeffizienten
CN106969994A (zh) * 2017-02-17 2017-07-21 大连理工大学 一种基于非线性结构的环境异常监测传感器
CN108326634A (zh) * 2018-01-04 2018-07-27 天津大学 一种面向超声振动辅助切削的原位切削力测量装置与方法
CN108621603A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 精工爱普生株式会社 液体喷出装置
CN108716959A (zh) * 2018-04-09 2018-10-30 中国矿业大学 有效预测压电薄膜与梯度非均匀基底界面应力分布的方法
CN109283403A (zh) * 2018-11-13 2019-01-29 东南大学 基于多层悬臂梁的薄膜材料横向压电系数测试模型及方法
CN111144020A (zh) * 2019-12-30 2020-05-12 浙江清华柔性电子技术研究院 膜基系统屈曲模拟的方法、设备、计算机设备和存储介质
CN111177944A (zh) * 2020-01-09 2020-05-19 暨南大学 一种基于板壳理论的深海管道屈曲传播压力的计算方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005006958A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-17 Aixacct Systems Gmbh Messverfahren und -Vorrichtung zur Bestimmung von Piezokoeffizienten
CN106969994A (zh) * 2017-02-17 2017-07-21 大连理工大学 一种基于非线性结构的环境异常监测传感器
CN108621603A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 精工爱普生株式会社 液体喷出装置
CN108326634A (zh) * 2018-01-04 2018-07-27 天津大学 一种面向超声振动辅助切削的原位切削力测量装置与方法
CN108716959A (zh) * 2018-04-09 2018-10-30 中国矿业大学 有效预测压电薄膜与梯度非均匀基底界面应力分布的方法
CN109283403A (zh) * 2018-11-13 2019-01-29 东南大学 基于多层悬臂梁的薄膜材料横向压电系数测试模型及方法
CN111144020A (zh) * 2019-12-30 2020-05-12 浙江清华柔性电子技术研究院 膜基系统屈曲模拟的方法、设备、计算机设备和存储介质
CN111177944A (zh) * 2020-01-09 2020-05-19 暨南大学 一种基于板壳理论的深海管道屈曲传播压力的计算方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
付志鹏等: "压电薄膜连接器脱离屈曲研究", 装备制造技术, no. 1, pages 43 - 46 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111797503B (zh) 2023-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6965189B2 (en) Bending actuators and sensors constructed from shaped active materials and methods for making the same
US4808549A (en) Method for fabricating a silicon force transducer
WO2017215254A1 (zh) 一种双空腔压力计芯片及其制造工艺
US6510738B1 (en) Device and method for measuring vibration
WO2010008133A1 (en) Electromechanical transducer and method for manufacturing the same
KR100608927B1 (ko) 커패시터용 전극층과 커패시터용 전극층의 제조방법, 그전극층을 이용한 단위센서 및 그 단위센서를 이용한촉각센서
CN103238271B (zh) 压电发电装置及其制造方法
US9207134B2 (en) Electronic device and quad-axial force and torque measurement sensor thereof
CN112649128B (zh) 一种测量三维接触应力的传感装置及方法
JP2006226858A (ja) 変動荷重センサ及びこれを用いた触覚センサ
CN110531114B (zh) 一种纯轴向变形的mems三轴压阻式加速度计芯片及其制备方法
KR101743221B1 (ko) 투명하고 신축성 있는 동작 센서 제조 방법
CN111797503A (zh) 一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法
JP2008008854A (ja) 触覚センサ、触覚センサの製造方法および触覚センサユニット
CN105300573B (zh) 一种梁膜结构压电传感器及其制作方法
CN107208999A (zh) 压电元件以及压电传感器
CN110459672B (zh) 一种压电陶瓷传感器及其制备方法
CN110987042A (zh) 一种柔性可拉伸传感器的制作方法
CN111537116A (zh) 一种石墨烯压力传感器及其制备方法
WO2020048106A1 (zh) 一种基于柔性基板弯曲条件下的rf mems静电驱动开关微波特性分析方法
CN113432773B (zh) 适用于柔性物体表面冲击波压力测量传感器及制作方法
CN216084623U (zh) 一种叉指电容、弯曲传感器
WO2020048109A1 (zh) 一种基于柔性基板弯曲条件下的mems双端固支梁结构力学分析方法
Dausch Asymmetric 90° domain switching in rainbow actuators
Yamamoto et al. Stretchable wavy piezoelectric sensor fabricated by micro-corrugation process

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant