CN111780892B

CN111780892B - 一种温度检测设备的校准方法

Info

Publication number: CN111780892B
Application number: CN202010663830.8A
Authority: CN
Inventors: 谢一航; 代彩红; 王彦飞; 吴志峰; 李玲; 贺书芳
Original assignee: National Institute of Metrology
Current assignee: National Institute of Metrology
Priority date: 2020-07-10
Filing date: 2020-07-10
Publication date: 2021-11-30
Anticipated expiration: 2040-07-10
Also published as: CN111780892A

Abstract

本申请涉及设备校准技术领域，尤其涉及一种温度检测设备的校准方法及装置。本申请通过获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度；获取所述物质对应的标准熔化温度；根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测，通过对物质的标准熔化温度与实验熔化温度进行对应，达到对温度检测设备进行校准的目的。

Description

一种温度检测设备的校准方法

技术领域

本申请涉及设备校准技术领域，尤其涉及一种温度检测设备的校准方法及装置。

背景技术

熔点是一种物质的固有属性，不同的物质具有不同的熔点，且不随外界环境变化而发生改变，因为可以利用物质的熔点值与物质发生熔化时的温度，进行温度校准或是温度溯源，以提高实验准确率。

现有技术中，有很多对物质熔化温度进行测量的方法，但是由于实验环境、器材等限制，往往使得所获得的数据准确度不够，由此会有后续的、温度校准等实验过程造成一定的影响。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例至少提供一种温度检测设备的校准方法及装置，通过对物质的标准熔化温度与实验熔化温度进行对应，达到对温度检测设备进行校准的目的。

本申请主要包括以下几个方面：

第一方面，本申请实施例提供一种温度检测设备的校准方法，所述校准方法包括：

获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度；

获取所述物质对应的标准熔化温度；

根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测。

在一种可能的实施方式中，所述获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度，包括：

获取所述温度检测设备在各个时间点对物质进行检测得到的检测温度；

对所述各个时间点对应的检测温度进行处理，得到所述物质对应的实验熔化温度。

在一种可能的实施方式中，所述对所述各个时间点对应的检测温度进行处理，得到所述物质对应的实验熔化温度，包括：

响应针对所述检测温度的绘制操作，基于各个时刻对应的温度值，绘制所述物质对应的原始熔化温坪曲线；

响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线；

响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

在一种可能的实施方式中，所述响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线，包括：

响应针对所述原始熔化温坪曲线的一阶微分计算操作，生成与所述原始熔化温坪曲线对应的一阶微分曲线；

响应针对所述原始熔化温坪曲线的二阶微分计算操作，生成与所述原始熔化温坪曲线对应的二阶微分曲线。

在一种可能的实施方式中，所述响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，包括：

响应针对所述一阶微分曲线的第一选择操作，确定所述一阶微分曲线中的极大值点为第一起始点及第一终止点；

响应针对所述二阶微分曲线的第二选择操作，确定所述二阶微分曲线中的平稳区间对应的起始点与终止点分别为第二起始点与第二终止点；

基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

在一种可能的实施方式中，所述基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，包括：

基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定多个拟合区间；

基于每个所述拟合区间，对所述原始熔化温坪曲线进行拟合，得到多条与所述原始熔化温坪曲线对应的拟合曲线；

从多条拟合曲线中，选取至少一条目标拟合曲线，并选取所述目标拟合曲线对应的物质熔化温度的平均值，作为所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

在一种可能的实施方式中，所述基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定多个拟合区间，包括：

获取所述第一起始点与所述第二起始点之间的多个第一离散点，以及所述第一终止点与所述第二终止点之间的多个第二离散点；

将每个所述第一离散点与每个所述第二离散点进行一一组合，获得多个离散点组合，并确定每个所述离散点组合为一个拟合区间。

在一种可能的实施方式中，所述从多条拟合曲线中，选取至少一条目标拟合曲线，包括：

计算每条所述拟合曲线分别与所述原始熔化温坪曲线的相关系数；

根据多条拟合曲线分别对应的相关系数，从所述多条拟合曲线中，选取对应的所述相关系数大于预设阈值的拟合曲线，作为所述目标拟合曲线。

第二方面，本申请实施例还提供一种温度检测设备的校准装置，所述校准装置包括：

第一获取模块，用于获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度；

第二获取模块，用于获取所述物质对应的标准熔化温度；

校准模块，用于根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测。

在一种可能的实施方式中，所述第一获取模块用于：

在一种可能的实施方式中，所述第一获取模块包括：

绘制单元，用于响应针对所述检测温度的绘制操作，基于各个时刻对应的温度值，绘制所述物质对应的原始熔化温坪曲线；

计算单元，用于响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线；

确定单元，用于响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

在一种可能的实施方式中，所述计算单元具体用于：

在一种可能的实施方式中，所述确定单元用于：

在一种可能的实施方式中，所述确定单元还用于：

第三方面，本申请实施例还提供一种计算机设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当计算机设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行上述第一方面中任一种可能的实施方式中所述的温度检测设备的校准方法的步骤。

第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述第一方面中任一种可能的实施方式中所述的温度检测设备的校准方法的步骤。

本申请实施例提供的一种温度检测设备的校准方法及装置，通过获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度及所述物质对应的标准熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备，从而达到对温度检测设备进行校准的目的。

进一步，本申请实施例提供的温度检测设备的校准方法，通过对检测到的物质熔化温度数据进行处理，可以提高实验熔化温度的准确性与真实度，从而提高对于温度检测设备的校准精度。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请实施例所提供的一种温度检测设备的校准方法的流程图；

图2示出了本申请实施例所提供的一种检测温度处理方法的流程图；

图3示出了本申请实施例所提供的原始熔化温坪曲线及微分曲线图；

图4示出了本申请实施例所提供的一种温度检测设备的校准装置的结构示意图；

图5示出了本申请实施例所提供的第一获取模块的结构示意图；

图6示出了本申请实施例所提供的一种计算机设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本公开的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本公开的范围，而是仅仅表示本公开的选定实施例。基于本公开的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

经研究发现，很多对物质熔化温度进行测量的方法，但是由于实验环境、器材等限制，往往使得所获得的数据准确度不够，由此会有后续的、温度校准等实验过程造成一定的影响。

基于上述研究，本公开提供了一种温度检测设备的校准方法及装置，通过获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度及所述物质对应的标准熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备，从而达到对温度检测设备进行校准的目的。

针对以上方案所存在的缺陷，均是发明人在经过实践并仔细研究后得出的结果，因此，上述问题的发现过程以及下文中本公开针对上述问题所提出的解决方案，都应该是发明人在本公开过程中对本公开做出的贡献。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

为便于对本实施例进行理解，首先对本申请实施例所公开的一种温度检测设备的校准方法进行详细介绍，本申请实施例所提供的温度检测设备的校准方法的执行主体一般为具有一定计算能力的计算机设备，该计算机设备例如包括：终端设备或服务器或其它处理设备，终端设备可以为用户设备(User Equipment，UE)、移动设备、用户终端、终端、蜂窝电话、无绳电话、个人数字处理(Personal Digital Assistant，PDA)、手持设备、计算设备、车载设备、可穿戴设备等。在一些可能的实现方式中，该温度检测设备的校准方法可以通过处理器调用存储器中存储的计算机可读指令的方式来实现。

下面以执行主体为用户设备为例对本申请实施例提供的温度检测设备的校准方法加以说明。

参见图1所示，为本申请实施例提供的温度检测设备的校准方法的流程图，所述方法包括步骤S101～S103，其中：

S101：获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度；

S102：获取所述物质对应的标准熔化温度；

S103：根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测。

本申请实施例通过获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度及所述物质对应的标准熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备，从而达到对温度检测设备进行校准的目的。

下面分别对上述S101～S103加以详细说明。

一：在上述S101中，温度检测设备可以为温度计、温度检测仪等可以用来进行温度检测的设备，该温度检测设备可以用于温度为变量的实验中。但是，温度检测设备用于一些客观因素或是长时间使用之后，会造成温度检测设备出现偏差，影响后续的使用过程。

示例性的，在光谱辐射照度量值复现实验中，其原理基础为普朗克定律(Planck'sBlackbody radiation law)，其表示了在任意波长下温度与光谱辐射量存在着精确的定量关系，不受外界影响，其表示方法如以下公式所示：

其中，E_λ,B表示黑体的光谱辐射照度；ε_λ表示黑体发射率；G表示几何因子；c_o表示真空中光速，λ表示波长；T表示黑体辐射温度；C₁表示第一辐射常数；C₂表示第二辐射常数；h表示普朗克常数；k表示玻尔兹曼常数。

因此，对于该实验而言，准确地获取温度T就是至关重要的。但是由于实验设备的限制，尤其是温度检测装置的自身因素，导致测量的温度存在较大的偏差，影响实验结果的准确性。

示例性的，传统的纯金属固定点的熔点温度通常只能达到1357K左右，无法满足高温领域的需求。在本申请实施例中，提出了一种利用金属碳碳 (MC-C)高温固定点的温度测量方法，其拥有与纯金属固定点相同的相变特性，但是能够具有更高的熔化温度，甚至，钨碳碳(WC-C)的熔化温度可达到3020.5K。

优选的，为了提高光谱辐射照度量值的复现精确度，在本申请实施例中，提出了一套大口径金属碳-碳(MC-C)高温固定点黑体作为测量光谱辐射照度的直接辐射源，该系统由14mm口径的钨碳-碳(WC-C)固定点单元和59mm口径的高温黑体BB3500MP组成，该大口径MC-C高温固定点黑体在3000K以上的温度更加稳定，由此替代了以往采用小口径金属碳-碳(MC-C)高温固定点黑体作为测量光谱辐射照度的直接辐射源的检测系统。与以往采用的方法相比，大口径MC-C高温固定点黑体的熔化温坪持续时间更长、辐射信号更强、辐射通量更大，与此同时，其温坪阶段的温度变化也更大，由此对于实验熔化温度的确定方法也愈加复杂。

具体的，实验熔化温度可以具体的表示为熔化温坪曲线的拐点。拐点 (point ofinflection，POI)是物质处于固液共存状态时的温度下界限，不仅仅是温度检测时的重要组成部分，更因为其具有出色的再现性、重复性、可靠性和实用性，用广泛用作温度溯源和温度校准的参考点，因此，准确确定熔化温坪曲线的拐点对于确定该物质的熔点十分重要。以往的拐点计算法通常只在持续时间短、温度变化小的小口径高温固定点上应用，而在大口径高温固定点上应用效果不佳。例如，在大口径高温固定点上使用时，其拟合范围、平滑处理等因素对计算结果的影响很大，稍微的改变就会在拐点计算上产生高达0.6K的误差，0.6K的温度误差在500nm处可产生 0.2％的光谱辐射照度的测量误差，造成极大的影响，因此，需要对检测到的温度数据进行一系列的数学处理，以得到更为准确的实验熔化温度。

示例性的，基于熔化温坪曲线，选取其对应的平稳部分，即物质处于固液共存状态对应的曲线部分，对其对应的曲线斜率进行判断，当该曲线斜率从小幅度增长转变为较大幅度增长时，可以选取其斜率转变点为上述的熔化温坪曲线拐点。

首先，需要获取所述温度检测设备在各个时间点对物质进行检测得到的检测温度。

示例性的，可以利用温度计等温度检测设备以预设的时间间隔，例如： 1.0秒、500微秒或是500皮秒等，对正在进行熔化操作的物质进行温度检测，得到每个时间点对应的物质温度。

参见图2所示，为本申请实施例提供的一种检测温度处理方法的流程图，所述方法包括步骤S1011～S1013，其中：

S1011：响应针对所述检测温度的绘制操作，基于各个时刻对应的温度值，绘制所述物质对应的原始熔化温坪曲线；

S1012：响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线；

S1013：响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

下面分别对上述S1011～S1013加以详细说明。

在上述S1011中，在获取每个时间点对应的物质温度之后，将多个时间点对应的物质温度连接成光滑的曲线，以供后续处理。

示例性的，以利用MATLAB进行数据处理为例，可以选取目标数据区域，并点击操作界面上的绘制按钮，便可以基于选中数据生成原始熔化温坪曲线，其中，在该曲线上，包括多个离散点，每个离散点分别表征某一时间点对应的检测温度。

在上述S1012中，所述计算操作包括对原始熔化温坪曲线进行一阶微分计算操作和二阶微分计算操作。

具体包括，响应针对所述原始熔化温坪曲线的一阶微分计算操作，生成与所述原始熔化温坪曲线对应的一阶微分曲线；

参加图3，图3为本申请实施例所提供的原始熔化温坪曲线及微分曲线图。

示例性的，用户可以分别点击操作界面上的一阶微分按钮及二阶微分按钮，便可以生成与所述原始熔化温坪曲线对应的一阶微分曲线和二阶微分曲线。还可以在生成一阶微分曲线之后，在此对其进行一阶微分处理，得到与所述原始熔化温坪曲线对应的二阶微分曲线。

在上述S1013中，基于所述微分曲线，可以确定出在原始熔化温坪曲线中对应的实验熔化温度。

具体的，确定实验熔化温度的方法包括：

示例性的，基于一阶微分曲线，选取其两侧的极大值，表示为t_s何t_e，为一阶微分曲线的第一起始点及第一终止点。具体的，用户可以选中该极大值点，并确定其对应的点坐标，将其输入至应用程序中，用于后续的计算过程。

示例性的，基于二阶微分曲线，通过观察，选取其平稳区间，并确定该平稳区间对应的起始点和终止点，表示为t_ms和t_me，为二阶微分曲线的第二起始点及第二终止点。具体的，用户可以通过观察选取目标点，并确定其对应的点坐标，将其输入至应用程序中，用于后续的计算过程。

在确定出第一起始点、第一终止点、第二起始点及第二终止点之后，便可以基于该四个点，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，具体包括：

其中，确定拟合区间的具体方法包括：

示例性的，首先，分别确定起始点范围与终止点范围，其中，所述起始点范围为第一起始点与第二起始点之间的范围区间，表示为(t_s-t_ms)，所述终止点范围为第一终止点与第二终止点之间的范围区间，表示为 (t_me-t_e)，之后，基于原始熔化温坪曲线，提取起始点范围与终止点范围之前的全部离散点，例如，起始点范围内有50个离散起始点，终止点范围内有60个离散终止点，之后，将全部离散点一一组合，形成矩阵排列，每一种离散起始点和离散终止点的组合都可以确定出一个拟合区间，确定出的拟合区间数量为离散起始点个数与离散终止点个数的乘积，在上述示例中为50*60＝300个拟合区间，在确定拟合区间之后，便可以基于不同的拟合区间对所述原始熔化温坪曲线进行拟合，得到多条与所述原始熔化温坪曲线对应的拟合曲线。

在获取多条拟合曲线之后，由于不是所有的拟合曲线都是有意义的，由此，需要从多条拟合曲线中，选取满足预设标准的拟合曲线进行后续操作，具体的选取方法包括：

在本申请实施例中，以拟合曲线和原始熔化温坪曲线的相关系数(R² _adj) 为主要筛选依据，并且R² _adj越接近于1，则证明拟合效果越好，数据的可信度越高。

示例性的，所述相关系数的计算方法如下式(1)～(3)所示：

其中，SS_resid为残差平方和，SS_total为总平方和，y_i为测量值，

为拟合值，

为测量值的平均值，n为测量值数量，d为拟合多项式阶数。

在获取到每条所述拟合曲线分别与所述原始熔化温坪曲线的相关系数之后，基于预设的相关系数阈值对拟合曲线进行筛选。

其中，相关系数阈值为R² _adj,select，其数值可以设定为0.995、0.997等数值，并筛选所有符合条件R² _adj≥R² _adj,select的拟合曲线。

之后，将每一条符合条件的拟合曲线表示为标准三次函数，如下式(4) 所示：

T_i＝a_it³+b_it²+c_it+d_i； (4)

其中，t表示时间点，T_i表示该时间点对应的物质温度；a_i、b_i、c_i、 d_i均为常数，i取值为1到n。

因此，最后得到的拟合曲线为所有满足条件的拟合曲线的平均值，其结果如下式(5)、(6)所示，最终实验熔化温度可表示为：

经过上述处理之后，选取所述目标拟合曲线对应的物质熔化温度的平均值，作为所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

二：在上述S102中，可以查找检测物质对应的标准熔化温度，即熔点。由于物质的熔点是物质的固有属性，因此不会随着外界环境发生改变。

三：在上述S103中，在获取到检测物质的标准熔化温度以及实验熔化温度之后，便可以基于上述两个数值对温度检测设备进行校准。校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测，提高后续实验的测量准确性。

本领域技术人员可以理解，在具体实施方式的上述方法中，各步骤的撰写顺序并不意味着严格的执行顺序而对实施过程构成任何限定，各步骤的具体执行顺序应当以其功能和可能的内在逻辑确定。

基于同一发明构思，本申请实施例中还提供了与温度检测设备的校准方法对应的温度检测设备的校准装置，由于本申请实施例中的装置解决问题的原理与本申请实施例上述温度检测设备的校准方法相似，因此装置的实施可以参见方法的实施，重复之处不再赘述。

参照图4、图5所示，图4为本申请实施例所提供的一种温度检测设备的校准装置的结构示意图，图5为本申请实施例所提供的第一获取模块的结构示意图。所述温度检测设备的校准装置包括：第一获取模块410、第二获取模块420以及校准模块430，其中：

第一获取模块410，用于获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度；

第二获取模块420，用于获取所述物质对应的标准熔化温度；

校准模块430，用于根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测。

在一种可能的实施方式中，所述第一获取模块410用于：

在一种可能的实施方式中，如图5所示，所述第一获取模块410包括：

绘制单元411，用于响应针对所述检测温度的绘制操作，基于各个时刻对应的温度值，绘制所述物质对应的原始熔化温坪曲线；

计算单元412，用于响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线；

确定单元413，用于响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度。

在一种可能的实施方式中，所述计算单元412具体用于：

在一种可能的实施方式中，所述确定单元413用于：

在一种可能的实施方式中，所述确定单元413还用于：

本申请实施例还提供了一种计算机设备，如图6所示，为本申请实施例提供的计算机设备结构示意图，包括：

处理器11和存储器12；所述存储器12存储有所述处理器11可执行的机器可读指令，当计算机设备运行时，所述机器可读指令被所述处理器执行以实现下述步骤：

获取所述物质对应的标准熔化温度；

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度，包括：

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述对所述各个时间点对应的检测温度进行处理，得到所述物质对应的实验熔化温度，包括：

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线，包括：

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，包括：

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，包括：

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定多个拟合区间，包括：

一种可选的实施方式中，处理器11执行的指令中，所述从多条拟合曲线中，选取至少一条目标拟合曲线，包括：

本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行上述方法实施例中所述的温度检测设备的校准方法的步骤。其中，该存储介质可以是易失性或非易失的计算机可读取存储介质。

本申请实施例所提供的温度检测设备的校准方法的计算机程序产品，包括存储了程序代码的计算机可读存储介质，所述程序代码包括的指令可用于执行上述方法实施例中所述的温度检测设备的校准方法的步骤，具体可参见上述方法实施例，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现前述实施例的任意一种方法。该计算机程序产品可以具体通过硬件、软件或其结合的方式实现。在一个可选实施例中，所述计算机程序产品具体体现为计算机存储介质，在另一个可选实施例中，计算机程序产品具体体现为软件产品，例如软件开发包(Software DevelopmentKit，SDK)等等。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。在本公开所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本公开各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本公开的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本公开各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本公开的具体实施方式，用以说明本公开的技术方案，而非对其限制，本公开的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种温度检测设备的校准方法，其特征在于，所述校准方法包括：

获取所述物质对应的标准熔化温度；

根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测；

所述获取在校准实验中通过温度检测设备对物质进行检测得到的实验熔化温度，包括：

对所述各个时间点对应的检测温度进行处理，得到所述物质对应的实验熔化温度；

所述对所述各个时间点对应的检测温度进行处理，得到所述物质对应的实验熔化温度，包括：

响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度；

所述响应针对所述原始熔化温坪曲线的计算操作，计算与所述原始熔化温坪曲线对应的微分曲线，包括：

响应针对所述原始熔化温坪曲线的二阶微分计算操作，生成与所述原始熔化温坪曲线对应的二阶微分曲线；

所述响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，包括：

基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度；

所述基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度，包括：

2.根据权利要求1所述的温度检测设备的校准方法，其特征在于，所述基于所述第一起始点、所述第一终止点、所述第二起始点及所述第二终止点，确定多个拟合区间，包括：

3.根据权利要求1所述的温度检测设备的校准方法，其特征在于，所述从多条拟合曲线中，选取至少一条目标拟合曲线，包括：

4.根据权利要求1所述的温度检测设备的校准方法，其特征在于，在获取所述检测温度时利用的是大口径金属碳-碳高温固定点黑体作为测量光谱辐射照度的直接辐射源，其中，大口径金属碳-碳高温固定点黑体的熔化温坪持续时间长、辐射信号强、辐射通量大，适用于利用直接辐射源测量光谱辐射照度的应用场景。

5.根据权利要求4所述的温度检测设备的校准方法，其特征在于，所述金属碳-碳为钨碳-碳，其中，钨碳-碳的熔化温度可达到3020.5K。

6.一种温度检测设备的校准装置，其特征在于，所述校准装置包括：

第二获取模块，用于获取所述物质对应的标准熔化温度；

校准模块，用于根据所述标准熔化温度以及所述实验熔化温度，对所述温度检测设备进行校准，得到校准后的温度检测设备；其中，所述校准后的温度检测设备用于在实际实验中对物质进行温度检测；

所述第一获取模块用于：

所述第一获取模块包括：

确定单元，用于响应针对所述微分曲线的选择操作，确定与所述原始熔化温坪曲线对应的实验熔化温度；

所述计算单元具体用于：

所述确定单元用于：

所述确定单元还用于：

7.一种计算机设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当计算机设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的温度检测设备的校准方法的步骤。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的温度检测设备的校准方法的步骤。