CN111769185A - 一种新型紫外led芯片结构 - Google Patents
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- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
Images
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
本发明公开了一种新型紫外LED芯片结构，包括由下至上依次设置的衬底、AlN buffer、n型导电层、紫外波段有源区多量子阱、p型层；在p型层中设置有周期性的孔洞，在每个孔洞内设置一个紫外DBR层；本技术方案中，通过在p型层中开设设有紫外DBR层的周期性孔洞，以解决目前紫外LED芯片中，n型导电层中GaN电极接触层对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及的是一种新型紫外LED芯片结构。
背景技术
紫外发光二极管（light emitting diode，以下简称LED），因其波长短、光子能量高、光束均匀等优点，在物理杀菌、高显色指数的照明以及高密度光存储等领域有着重要的应用。目前，大量的研究已经在晶体质量、高A1组分和短波长结构设计等技术方面取得了重要突破，成功制备300纳米以下的深紫外LED器件，实现毫瓦级的功率输出，并在可靠性方面取得很大进展。
但是，目前的紫外LED芯片中，n型导电层中GaN电极接触层对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高，在一定程度上限制了紫外LED的推广使用。
因此，现有的技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型紫外LED芯片结构，旨在解决现有的紫外LED芯片中，n型导电层中GaN电极接触层对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。
本发明的技术方案如下：一种新型紫外LED芯片结构，其中，包括由下至上依次设置的衬底、AlN buffer 、n型导电层、紫外波段有源区多量子阱、p型层；在p型层中设置有周期性的孔洞，在每个孔洞内设置一个紫外DBR层。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，通过采用ICP干法刻蚀的方式在p型层中刻蚀周期性的孔洞。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述的周期性的孔洞在ICP干法刻蚀后用碱性溶液腐蚀修饰孔洞的坑底与侧壁，形成光滑的内表面。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述碱性溶液采用KOH碱性溶液。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述的周期性的孔洞在80摄氏度的温度下腐蚀修饰坑底与侧壁。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，将紫外DBR层蒸镀到周期性的孔洞中。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述紫外DBR层包括多层SiO2膜层和多层Ta2O5膜层，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加设置。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述SiO2膜层的厚度大于1nm小于50nm。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述Ta2O5膜层的厚度大于1nm小于50nm。
所述的新型紫外LED芯片结构，其中，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加的次数大于3小于1000。
本发明的有益效果：本发明通过提供一种新型紫外LED芯片结构，通过在p型层中开设设有紫外DBR层的周期性孔洞，以解决目前紫外LED芯片中，n型导电层中GaN电极接触层对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。
附图说明
图1是本发明中新型紫外LED芯片结构的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，一种新型紫外LED芯片结构，包括由下至上依次设置的衬底1、AlNbuffer 2（氮化铝缓冲层）、n型导电层3、紫外波段有源区多量子阱4、p型层5；在p型层5中设置有周期性的孔洞（即在p型层5中沿水平方向设置多个孔洞），在每个孔洞内设置一个紫外DBR（distributed Bragg reflection，分布式布拉格反射镜）层6。
本技术方案中，通过在p型层5中开设设有紫外DBR层6的周期性孔洞，以解决目前紫外LED芯片中，n型导电层中GaN电极接触层对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。
在某些具体实施例中，通过采用ICP（Inductively Couple Plasma Etch，感应耦合等离子体刻蚀）干法刻蚀的方式在p型层5中刻蚀周期性的孔洞。
本技术方案中，所述的周期性的孔洞在ICP干法刻蚀后用KOH等碱性溶液在80摄氏度的温度下腐蚀修饰坑底与侧壁，形成光滑的内表面。
在某些具体实施例中，将紫外DBR层6蒸镀到周期性的孔洞中。
在某些具体实施例中，所述紫外DBR层6包括多层SiO2膜层和多层Ta2O5膜层，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加设置，即SiO2膜层—Ta2O5膜层—SiO2膜层—Ta2O5膜层......，形成周期性排列的多层膜结构。
在某些具体实施例中，所述SiO2膜层的厚度大于1nm小于50nm。
在某些具体实施例中，所述Ta2O5膜层的厚度大于1nm小于50nm。
在某些具体实施例中，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加的次数大于3小于1000，即SiO2膜层设置层数大于3小于1000，Ta2O5膜层设置层数大于3小于1000。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种新型紫外LED芯片结构，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、AlNbuffer 、n型导电层、紫外波段有源区多量子阱、p型层；在p型层中设置有周期性的孔洞，在每个孔洞内设置一个紫外DBR层。
2.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，通过采用ICP干法刻蚀的方式在p型层中刻蚀周期性的孔洞。
3.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述的周期性的孔洞在ICP干法刻蚀后用碱性溶液腐蚀修饰孔洞的坑底与侧壁，形成光滑的内表面。
4.根据权利要求3所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述碱性溶液采用KOH碱性溶液。
5.根据权利要求3或4任一所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述的周期性的孔洞在80摄氏度的温度下腐蚀修饰坑底与侧壁。
6.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，将紫外DBR层蒸镀到周期性的孔洞中。
7.根据权利要求1所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述紫外DBR层包括多层SiO2膜层和多层Ta2O5膜层，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加设置。
8.根据权利要求7所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述SiO2膜层的厚度大于1nm小于50nm。
9.根据权利要求7所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述Ta2O5膜层的厚度大于1nm小于50nm。
10.根据权利要求7至9任一所述的新型紫外LED芯片结构，其特征在于，所述SiO2膜层和Ta2O5膜层相互周期性反复叠加的次数大于3小于1000。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010761702.7A CN111769185A (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 一种新型紫外led芯片结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010761702.7A CN111769185A (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 一种新型紫外led芯片结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111769185A true CN111769185A (zh) | 2020-10-13 |
Family
ID=72727980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010761702.7A Pending CN111769185A (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 一种新型紫外led芯片结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111769185A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113644164A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 吉林建筑大学 | 一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102368526A (zh) * | 2011-10-27 | 2012-03-07 | 华灿光电股份有限公司 | 一种近紫外led器件的制造方法 |
| CN102709429A (zh) * | 2012-05-23 | 2012-10-03 | 中国科学院半导体研究所 | 具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片 |
| US20130026525A1 (en) * | 2011-06-20 | 2013-01-31 | Wenxin Chen | Light emitting devices, systems, and methods of manufacturing |
| CN102983240A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 东南大学 | 具有氧化锌基透明导电层的紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN103199164A (zh) * | 2013-04-07 | 2013-07-10 | 中国科学院半导体研究所 | 一种具有dbr高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN103700734A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-02 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管的制造方法 |
| CN109065680A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-21 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 一种紫外led的外延结构及其制备方法 |
| CN109742210A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-10 | 中山大学 | 一种紫外led芯片及其制备方法 |
| CN109860362A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-06-07 | 湖北深紫科技有限公司 | 一种具有纳米网状结构的深紫外led外延片、器件及其制备方法 |
| CN110854253A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-02-28 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种紫外led芯片及其制作方法 |
-
2020
- 2020-07-31 CN CN202010761702.7A patent/CN111769185A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130026525A1 (en) * | 2011-06-20 | 2013-01-31 | Wenxin Chen | Light emitting devices, systems, and methods of manufacturing |
| CN102368526A (zh) * | 2011-10-27 | 2012-03-07 | 华灿光电股份有限公司 | 一种近紫外led器件的制造方法 |
| CN102709429A (zh) * | 2012-05-23 | 2012-10-03 | 中国科学院半导体研究所 | 具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片 |
| CN103700734A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-02 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管的制造方法 |
| CN102983240A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-20 | 东南大学 | 具有氧化锌基透明导电层的紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN103199164A (zh) * | 2013-04-07 | 2013-07-10 | 中国科学院半导体研究所 | 一种具有dbr高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN109065680A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-12-21 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 一种紫外led的外延结构及其制备方法 |
| CN109860362A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-06-07 | 湖北深紫科技有限公司 | 一种具有纳米网状结构的深紫外led外延片、器件及其制备方法 |
| CN109742210A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-10 | 中山大学 | 一种紫外led芯片及其制备方法 |
| CN110854253A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-02-28 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种紫外led芯片及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113644164A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 吉林建筑大学 | 一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法 |
| CN113644164B (zh) * | 2021-08-11 | 2023-12-15 | 吉林建筑大学 | 一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法 |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Application publication date: 20201013 |