CN111769129B - 一种抗辐照粒子探测器 - Google Patents
一种抗辐照粒子探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111769129B CN111769129B CN202010692997.7A CN202010692997A CN111769129B CN 111769129 B CN111769129 B CN 111769129B CN 202010692997 A CN202010692997 A CN 202010692997A CN 111769129 B CN111769129 B CN 111769129B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- well
- deep
- pixel
- circuit
- particle detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种抗辐照粒子探测器，具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P‑N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路。深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理。N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域,具体涉及一种抗辐照粒子探测器。
背景技术
近年来，不论是深空探测还是对撞机实验，对粒子探测器的要求也越来越高，比如空间分辨率越来越高、时间响应越来越快、抗辐照能力越来越强。
随着半导体工业技术的发展，半导体粒子探测器有了很大发展，逐步成为粒子探测的重要技术。半导体粒子探测器分别经历了硅微条探测器、混合式像素探测器、单片式像素探测器等发展阶段。其中，硅微条探测器具有电荷收集时间短、响应快的特点，但是灵敏单元与前端电子学、ASIC读出芯片独立连接，集成度低，像素尺寸不能做到很小(～50μm)，同时其厚度较高(～200μm)导致物理量较大。混合式像素探测器(Hybrid pixel detector)采用倒装焊(Bump-Bonding)技术连接灵敏单元和ASIC读出芯片，倒装焊球限制了像素尺寸，同时生产成本昂贵。单片式像素探测器采用工业标准化CMOS工艺，像素尺寸可以做到很小(～16μm)，因此集成度高、粒子度高、空间分辨率高，同时芯片可以减薄至50μm，物质量更低。由于它采用了商业标准化CMOS工艺制造，生产成本较低。
但是，发明人发现单片式像素探测器采用热扩散方式收集电荷，收集时间较长、抗辐照能力较弱。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的是提供一种抗辐照粒子探测器，该装置能够有效缩短电荷收集时间和提高抗辐照性能。
为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：
第一方面，本发明提供了一种抗辐照粒子探测器，包括P型衬底、N阱、P阱、深N阱和深P隔离层；
其中，像素单元和读出电路均位于P型衬底；
深N阱和P型衬底形成P-N二极管；
深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路；
深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理；
N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管。
作为进一步的技术方案，所述P-N二极管所在区连接有偏置电压。
更进一步，所述的偏置电压大于60V。
作为进一步的技术方案，所述像素单元包括多个，多个像素单元构成一个阵列，每个像素单元包括依次连接的放大器、整形器、甄别器以及优先逻辑；
所述的放大器对微弱信号进行放大；所述的整形器用于滤除低频和高频噪声；所述甄别器将模拟信号转换成0或1数字信息，当有粒子穿过探测器芯片时，甄别器输出1，此时触发优先逻辑，将击中信息送至数据处理模块。
作为进一步的技术方案，所述的抗辐照粒子探测器还包括像素配置电路、时序逻辑、偏置电路、时钟电路、控制接口；所述的像素配置电路、时序逻辑、偏置电路、时钟电路均与像素阵列相连；
作为进一步的技术方案，所述的优先编码逻辑与数据处理模块用来处理事例信息，包含位置信息以及时间信息；其输出数据率与事例数直接相关，而事例数可根据泊松分布计算出最大累积值，从而优化数字逻辑。
进一步的，所述的控制接口主要用来调节偏置参数以及使能信号，使芯片工作在最佳状态。
上述本发明的有益效果如下：
本发明提出的高压像素探测器除了具有集成度高、分辨率高、功耗低、物质量低以及成本低之外，由于采用高压技术，灵敏二极管的电荷收集方式由热扩散转为漂移，缩短了电荷收集时间，提高了电荷收集效率和抗辐照能力，同时该工艺具备四阱，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，并且能在像素内部实现复杂CMOS电路，完成信息放大、降噪以及数字化，像素阵列采用事例驱动方式提高了信号读出速度。该高压像素探测器集成了各功能模块，非常适合抗辐照粒子探测。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
图1是高压CMOS像素探测器工作原理示意图；
图2是像素内部结构示意图；
图3是高压像素探测器结构示意图。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本发明使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非本发明另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合；
术语解释：
CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补式金属氧化物半导体
高压CMOS像素探测器：基于高压CMOS工艺，在同一晶圆衬底上集成像素单元阵列、读出电路、数据处理电路等具有探测功能的芯片。
ASIC：Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路。
正如背景技术所介绍的，现有技术中存在的不足，为了解决如上的技术问题，本发明提出了一种抗辐照粒子探测器。
本发明的一种典型的实施方式中，高压CMOS像素探测器能够有效缩短电荷收集时间和提高抗辐照性能，一方面它采用高压CMOS工艺，兼容CMOS工艺集成度高、功耗低等特点，另一方面它能够在高压下(～60–200V)工作，灵敏二极管的电荷收集方式由热扩散变为漂移，有效减小了收集时间，显著提高抗辐照性能。
其工作原理如图1所示，该高压CMOS像素探测器工艺具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，其中像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P-N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区(N+)构成通路，通过金属线连接其他读出电路。
深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS晶体管和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理，其中深P隔离层内的N阱和P型有源区(P+)用于制作PMOS晶体管(参见图1中的右上角部分)，深P隔离层内的P阱和N型有源区(N+)用于制作NMOS管，参见图1制作有两个NMOS管。
深N阱与P型衬底构成P-N二极管作为灵敏区，用于收集非平衡电子。
当粒子穿过探测器芯片时，在深N阱与P型衬底形成的耗尽区产生一定数量的电子空穴对，每微米产生约80对非平衡载流子。
二极管耗尽区宽度与偏置电压和衬底电阻率关系式为：
其中，ε代表硅介电常数，μ代表迁移率，ρ代表衬底电阻率，Vbias表示P-N偏置电压。由式(1.1)可知，增加偏置电压和衬底电阻率能有效提高耗尽区宽度，但是衬底电阻率一般是工艺厂商确定的，约为10Ω·cm。因此可通过增加偏置电压增大耗尽区宽度，参见图1左边部分，衬底加反向高压(-Vb)，并且电压绝对值大于60V，深N阱与P型衬底产生耗尽区，这些电子在耗尽区电场下做漂移运动被N+区收集。收集电荷经过像素内部电路放大、整形提高信噪比，然后经甄别器处理由模拟信号转换为数字信号，最后通过金属走线传递到后续的数据压缩电路进行再处理。
在高压偏置下，深N阱与P型衬底形成耗尽区，当带电粒子穿过探测芯片，耗尽区内的电子以漂移方式被快速收集，耗尽区外由于衬底电阻率较低，电子在运动过程中被复合，因此收集的电荷绝大多数是在耗尽区内产生，耗尽区宽度决定了产生电荷数量。
为了提高像素内信噪比，在像素内部进行信号放大和降噪，同时为了提高探测器芯片读出速度，在像素内部实现数字化。
像素内部结构如图2所示，包括放大器、整形器、甄别器以及优先逻辑；
反偏高压(-Vb)加在二极管阳极，Vrst连接正偏二极管用于泄放收集电荷，参见图1中显示，也可以用NMOS晶体管实现。
放大器对微弱信号进行放大，整形器用于滤除低频和高频噪声，甄别器将模拟信号转换成0或1数字信息，当有粒子穿过探测器芯片是，甄别器输出1，此时触发优先逻辑，将击中信息送至数据处理模块。
图3表示高压像素探测器芯片整体结构图，包括像素单元若干个，若干个像素单元形成像素阵列，像素阵列的读出采用全局快门(global shutter)方式，也叫做事例驱动工作模式，只有像素被击中时，信息才被读出，因此这种方式读出速度快。除像素阵列外，高压像素探测器芯片还将集成像素配置电路、时序逻辑、偏置电路、时钟电路、数据处理、控制接口等外围电路。
其中所述的像素配置电路、时序逻辑、偏置电路、时钟电路均与像素阵列相连；所述的像素阵列、控制接口、像素配置电路又与优先编码逻辑与数据处理模块相连，所述的优先编码逻辑与数据处理模块与读出单元相连，所述的读出单元与串行输出单元相连。
其中，像素配置电路主要用于像素内部电路性能标定，时序逻辑用于像素内部逻辑电路，偏置电路主要向像素单元电路提供静态工作点(电流或电压)，时钟电路主要向像素阵列以及串行输出提供高速时钟，优先编码逻辑与数据处理模块用来处理事例信息，包含击中位置信息以及时间信息等，其输出数据率与事例数直接相关，而事例数可根据泊松分布计算出最大累积值，从而优化数字逻辑。控制接口主要用来调节偏置参数以及使能信号，使芯片工作在最佳状态。其工作原理为，当带电粒子穿过像素阵列，在像素内产生电信号，经放大、整形后，由甄别器将模拟信号转换成数字信号，击中信息通过像素内优先逻辑送至列端，优先编码逻辑与数据处理将全阵列击中信息处理后，由输出串行器依次读出击中地址信息和时间信息。由于灵敏二极管加反向偏压，像素阵列外围电路必须用深N阱隔离，并且要定制设计IO(输入和输出)管脚。
本发明提出的高压像素探测器除了具有集成度高、分辨率高、功耗低、物质量低以及成本低之外，由于采用高压技术，灵敏二极管的电荷收集方式由热扩散转为漂移，缩短了电荷收集时间，提高了电荷收集效率和抗辐照能力，同时该工艺具备四阱，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，并且能在像素内部实现复杂CMOS电路，完成信息放大、降噪以及数字化，像素阵列采用事例驱动方式提高了信号读出速度。该高压像素探测器集成了各功能模块，非常适合抗辐照粒子探测。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种抗辐照粒子探测器，其特征在于，其包括P型衬底、N阱、 P阱、深N阱和深P隔离层；其具备四阱工艺，分别是N阱、 P阱、深N阱和深P隔离层；
其中，像素单元和读出电路均位于P型衬底；
深N阱和P型衬底形成P-N二极管；
深N阱上的N阱和N型有源区构成通路，通过导线连接其他读出电路；
所述P-N二极管所在区连接有偏置电压；衬底加反向高压，并且电压绝对值大于60V，深N阱与P型衬底产生耗尽区，当带电粒子穿过探测芯片，耗尽区内的电子以漂移方式被快速收集；
深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，深P隔离层内的N阱和P型有源区用于制作PMOS晶体管，深P隔离层内的P阱和N型有源区用于制作NMOS管，在像素内实现CMOS电路，对像素信号进行放大和降噪处理。
2.如权利要求1所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述像素单元包括多个，多个像素单元构成一个像素阵列，每个像素单元包括依次连接的放大器、整形器、甄别器以及优先编码逻辑；
所述的放大器对微弱信号进行放大；所述的整形器用于滤除低频和高频噪声；所述甄别器将模拟信号转换成0或1数字信息，当有粒子穿过探测器芯片时，甄别器输出1，此时触发优先编码逻辑，将击中信息送至数据处理模块。
3.如权利要求2所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述的优先编码逻辑与数据处理模块用来处理事例信息，包含位置信息以及时间信息；其输出数据率与事例数直接相关，而事例数根据泊松分布计算出最大累积值，从而优化数字逻辑。
4.如权利要求1所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，还配置像素配置电路、时序逻辑、偏置电路、时钟电路和控制接口；所述的像素配置电路、时序逻辑、偏置电路、时钟电路均与像素阵列相连。
5.如权利要求4所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述的控制接口用来调节偏置参数以及使能信号，使芯片工作在最佳状态。
6.如权利要求4所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述的像素配置电路用于像素内部电路性能标定。
7.如权利要求4所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述时序逻辑用于像素内部逻辑电路。
8.如权利要求4所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述偏置电路向像素单元电路提供静态工作点。
9.如权利要求4所述的抗辐照粒子探测器，其特征在于，所述时钟电路向数据处理模块提供高速时钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010692997.7A CN111769129B (zh) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 一种抗辐照粒子探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010692997.7A CN111769129B (zh) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 一种抗辐照粒子探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111769129A CN111769129A (zh) | 2020-10-13 |
| CN111769129B true CN111769129B (zh) | 2021-04-13 |
Family
ID=72728449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010692997.7A Active CN111769129B (zh) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 一种抗辐照粒子探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111769129B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114136935A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-03-04 | 山东交通学院 | 一种集成式船舶压载水生物活性检测仪 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1971929A (zh) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | 三洋电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN101401219A (zh) * | 2005-03-25 | 2009-04-01 | 塞浦路斯半导体公司 | 在x射线成像仪中将直接转换的x射线的影响最小化 |
| CN103928485A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-07-16 | 重庆大学 | 一种高输出幅度的x射线图像传感器 |
| CN108231946A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法 |
| CN108417590A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-17 | 天津大学 | Nmos型栅体互连光电探测器及其制备方法 |
| CN108521549A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-11 | 西安微电子技术研究所 | 一种超大面阵cmos图像传感器结构 |
| EP3227921B1 (en) * | 2014-12-03 | 2019-07-24 | Robert Bosch GmbH | Pixel structure for energy harvesting and image sensing |
-
2020
- 2020-07-17 CN CN202010692997.7A patent/CN111769129B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101401219A (zh) * | 2005-03-25 | 2009-04-01 | 塞浦路斯半导体公司 | 在x射线成像仪中将直接转换的x射线的影响最小化 |
| CN1971929A (zh) * | 2005-11-25 | 2007-05-30 | 三洋电机株式会社 | 半导体装置 |
| CN103928485A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-07-16 | 重庆大学 | 一种高输出幅度的x射线图像传感器 |
| EP3227921B1 (en) * | 2014-12-03 | 2019-07-24 | Robert Bosch GmbH | Pixel structure for energy harvesting and image sensing |
| CN108231946A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-06-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法 |
| CN108417590A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-08-17 | 天津大学 | Nmos型栅体互连光电探测器及其制备方法 |
| CN108521549A (zh) * | 2018-03-28 | 2018-09-11 | 西安微电子技术研究所 | 一种超大面阵cmos图像传感器结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111769129A (zh) | 2020-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11699068B2 (en) | Imaging device, imaging module, electronic device, and imaging system | |
| US8723100B2 (en) | Method of detecting impinging position of photons on a geiger-mode avalanche photodiode, related geiger-mode avalanche photodiode and fabrication process | |
| RU2339973C2 (ru) | Обнаружение заряда или частицы | |
| US8853639B2 (en) | Active pixel sensors with variable threshold reset | |
| US6229165B1 (en) | Semiconductor device | |
| KR101905978B1 (ko) | 이미지 센서와 솔라 셀로서 동작 가능한 단위 픽셀 엘리먼트 | |
| US11652126B2 (en) | Event-based vision sensor manufactured with 3D-IC technology | |
| CN111769129B (zh) | 一种抗辐照粒子探测器 | |
| US20020093015A1 (en) | Solid-state image sensor provided with divided photoelectric conversion part | |
| Richardson et al. | A 2um diameter, 9hz dark count, single photon avalanche diode in 130nm cmos technology | |
| Peric | Hybrid pixel particle-detector without bump interconnection | |
| CN111769130B (zh) | 一种cmos像素传感器 | |
| CN111769128B (zh) | X射线直接探测图像传感器、其像素单元及制备方法 | |
| Qian et al. | Design of a radiation tolerant CMOS image sensor | |
| Kugathasan | SISSA: Review on depleted CMOS | |
| CN117038686B (zh) | 一种像素结构、光电二极管和cmos图像传感器 | |
| Tamma et al. | ePixM: a CMOS monolithic sensor for LCLS II | |
| US20220208811A1 (en) | Imaging device | |
| Ratti et al. | Non-standard approach to charge signal processing in CMOS MAPS for charged particle trackers | |
| US20240145504A1 (en) | Improved seals for semiconductor devices with single-photon avalanche diode pixels | |
| Stefanov et al. | CMOS Active Pixel Sensors | |
| CN116457630A (zh) | 光接收元件、光探测器和测距系统 | |
| Ratti et al. | CMOS MAPS with fully integrated, hybrid-pixel-like analog front-end electronics | |
| US7061074B2 (en) | Visible imaging device using Darlington phototransistors | |
| WO2023213500A1 (en) | Radiation tolerant detector architecture for charged particle detection |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |