CN111755581A - 发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装 - Google Patents

发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装，发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。

Description

发光二极管载具以及具有发光二极管载具的发光二极管封装
技术领域
本揭示是关于一种发光二极管载具。
背景技术
发光二极管封装通常包含发光二极管晶片以及反射元件(例如：反射杯)，反射元件配置以导引发光二极管晶片所发出的光。在已知的发光二极管封装中，反射元件是运用粘着剂固定于发光二极管封装的基板上。由于反射元件可能在粘着剂固化前不经意的移位，有时会出现反射元件位置不正确的情形。此外，粘着剂在没有受到任何保护下直接暴露于发光二极管晶片所发出的光可能造成粘着剂劣化，进而导致反射元件从基板脱落。
发明内容
有鉴于此，本揭示的一目的是在于提出一种使反射元件能牢固地接附并精准定位的发光二极管载具。
为达成上述目的，依据本揭示的一些实施方式，一种发光二极管载具包含基板、导电层、粘着层以及反射元件。导电层设置于基板上，并具有接合部，接合部具有顶面高于导电层的延伸部的顶面。粘着层覆盖导电层的延伸部，并暴露导电层的接合部。反射元件设置于粘着层上。粘着层具有卡勾部，卡勾部接触反射元件的底角。
于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件的底角定义一开口，接合部通过所述开口。
于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有环绕所述开口的一底面，卡勾部接触所述底面。
于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有环绕所述开口且倾斜的一内表面，卡勾部延伸通过所述开口并接触所述内表面。
于本揭示的一或多个实施方式中，卡勾部包覆反射元件的底角。
于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有一凸块位于底角。
于本揭示的一或多个实施方式中，底角具有垂直于反射元件的底面的一侧面。
于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件的底角具有圆弧轮廓。
于本揭示的一或多个实施方式中，卡勾部的弯折角度与底角的角度相配。
于本揭示的一或多个实施方式中，卡勾部填入接合部与反射元件之间的一间隙。
于本揭示的一或多个实施方式中，导电层还具有定位槽，反射元件具有突起部，突起部面向基板，并延伸进入定位槽。
于本揭示的一或多个实施方式中，粘着层填入导电层的定位槽，并包覆反射元件的突起部。
于本揭示的一或多个实施方式中，反射元件具有定位槽，导电层还具有突起部延伸进入定位槽。
于本揭示的一或多个实施方式中，粘着层填入反射元件的定位槽，并包覆导电层的突起部。
依据本揭示的一些实施方式，一种发光二极管封装包含上述的发光二极管载具以及发光二极管晶片。发光二极管晶片设置于接合部上，并电性耦接接合部。
于本揭示的一或多个实施方式中，接合部与发光二极管晶片几何相似。
于本揭示的一或多个实施方式中，发光二极管封装进一步包含接合引线，发光二极管晶片经由接合引线电性耦接接合部。
于本揭示的一或多个实施方式中，在俯视视角下，接合部的面积大于发光二极管晶片的面积。
于本揭示的一或多个实施方式中，基板包含陶瓷材料。
于本揭示的一或多个实施方式中，发光二极管封装进一步包含透镜，其固定至反射元件。
综上所述，本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。
附图说明
参照下列附图阅读下文中详述的实施方式，可更透彻地理解本揭示：
图1为绘示依据本揭示一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；
图2为图1所示的发光二极管封装的俯视示意图；
图3为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；
图4为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；
图5为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；
图6为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；
图7为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；
图8为图7所示的发光二极管封装的部分元件的俯视示意图；
图9为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图；以及
图10为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装的剖视示意图。
【符号说明】
100、200、300、400、500、600、700、900...发光二极管封装
110、210、310、410、510、710、910...发光二极管载具
120...基板
130、230、730、930...导电层
131...接合部
131a...顶面
132...延伸部
132a...顶面
140、240、340、440、540、740、940...粘着层
141、341、441、541...卡勾部
150、250、350、450、550、750...反射元件
151...内表面
152...底面
153...内部空间
154...上开口
155...下开口
156、456、556...底角
160...透镜
190...发光二极管晶片
233...突起部
257...定位槽
357...凸块
457...侧面
670...接合引线
757...突起部
733、933...定位槽
A1...角度
G1...沟槽
G2...间隙
H1、H2、H3...高度
具体实施方式
以下详细介绍本揭示的实施方式，并且于附图中绘示示例性的实施方式。附图与说明书中尽可能使用相同的元件符号来代表相同或相似的元件。
请参照图1以及图2。图1为绘示依据本揭示一实施方式的发光二极管封装100的剖视示意图。图2为图1所示的发光二极管封装100的俯视示意图。如图1所示，发光二极管封装100包含发光二极管晶片190以及发光二极管载具110，发光二极管载具110配置以容纳发光二极管晶片190，并包含基板120、导电层130、粘着层140以及反射元件150。导电层130设置于基板120上，并包含接合部131以及延伸部132，其中延伸部132连接并环绕接合部131。接合部131相较于延伸部132隆起，换言之，接合部131具有顶面131a，其高于延伸部132的顶面132a。
于一些实施方式中，基板120包含陶瓷材料。于一些实施方式中，导电层130包含铜、镍、金、银、金锡合金、镍锡合金、锡银铜合金、铁钴镍合金、其他合适的材料或上述材料的任意组合。
如图1所示，发光二极管晶片190设置于接合部131的顶面131a，并以覆晶的方式电性耦接接合部131。于一些实施方式中，导电层130具有通过接合部131的沟槽G1，使得导电层130分为两电极分别连接发光二极管晶片190的阴极与阳极(图未示)。于一些实施方式中，接合部131与发光二极管晶片190几何相似，举例而言，如图2所示，接合部131与发光二极管晶片190均为正方形。然而，本揭示并不限于上述几何配置，接合部131可具有其他合适的外型(例如：于图8所示的实施方式中，接合部131具有圆形外型)。
如图1所示，粘着层140设置于导电层130的延伸部132的顶面132a上，换言之，粘着层140是覆盖导电层的延伸部132并暴露接合部131。反射元件150设置于粘着层140上，于本实施方式中，反射元件150呈凹杯状，亦即，反射元件150为反射杯。反射元件150具有内表面151以及底面152，内表面151相对于底面152倾斜，并定义出内部空间153。内部空间153上下贯穿反射元件150，借此形成上开口154以及下开口155，其中下开口155被内表面151以及底面152环绕。下开口155配置以供接合部131通过，如此一来，接合部131可在安装反射元件150时对其进行导引，使得反射元件150能装设于目标位置。
如图1所示，内表面151与底面152相会于底角156，底角156定义下开口155。于本实施方式中，底角156具有三角形截面。粘着层140具有接触底角156的卡勾部141，具体而言，卡勾部141接触反射元件150的底面152，并延伸通过下开口155以接触反射元件150的内表面151。在上述配置下，底角156受卡勾部141卡合，故反射元件150能牢固地附接于粘着层140。
于一些实施方式中，如图1与图2所示，卡勾部141填入接合部131与反射元件150之间的间隙G2，使得卡勾部141环绕接合部131。于一些实施方式中，如图1所示，卡勾部141的弯折角度与底角156的角度相配(亦即，卡勾部141与底角156同样具有角度A1)，使得卡勾部141能紧密地包覆底角156。
于一些实施方式中，如图1所示，自基板120量测，接合部131的高度H1大于卡勾部141的高度H2，而卡勾部141的高度H2又大于底角156的高度H3。于一些实施方式中，如图2所示，在俯视视角下(亦即，透过反射元件150的上开口154观看)，接合部131具有大于发光二极管晶片190的面积，换言之，接合部131的截面积大于发光二极管晶片190的面积。通过上述结构配置，卡勾部141(以及具有卡勾部141的粘着层140)能受到接合部131保护而不被发光二极管晶片190发出的光直接照射，于是可减慢粘着层140因暴露于LED光所致的劣化，从而降低反射元件150脱落的机会。
于一些实施方式中，反射元件150包含诸如PE、PT、PC、PMMA、铁氟龙等聚合物材料、诸如氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、二氧化锆(ZrO2)等陶瓷材料、诸如铁、铝、铜、不锈钢等金属材料、其他合适的材料或上述材料的任意组合。于一些实施方式中，反射元件150包含覆盖内表面151的反射层(图未示)，反射层可包含诸如铝、银、金等金属材料。于一些实施方式中，反射元件150进一步包含覆盖反射层的保护层(图未示)，保护层可包含诸如二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)等氧化物。于一些实施方式中，粘着层140包含诸如环氧树脂、硅氧树脂等聚合物材料、无机材料、其他合适的材料或上述材料的任意组合。
于一些实施方式中，如图1所示，发光二极管载具110进一步包含透镜160，其固定至反射元件150，并覆盖反射元件150的上开口154。透镜160是用以重新导引反射自反射元件150的内表面151的光，举例而言，透镜160可配置以汇聚内表面151所反射的光。于一些实施方式中，透镜160包含玻璃、石英(二氧化硅)、蓝宝石、氟化钙、诸如PC、PMMA等有机材料、其他合适的透明材料或上述材料的任意组合。
请参照图3，其为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装300的剖视示意图。发光二极管封装300包含发光二极管晶片190以及发光二极管载具310，而发光二极管载具310包含基板120、导电层130、粘着层340、反射元件350以及透镜160，其中相同的元件符号是代表实质上等同于前文中参照图1与图2所描述的元件，为了内容的简洁，在此不重复关于这些元件的描述。
如图3所示，于一些实施方式中，反射元件350具有凸块357位于底角156，凸块357具有矩形截面，并且定义反射元件350的下开口155。粘着层340的卡勾部341的形状与凸块357互补，并覆盖凸块357的顶面。
请参照图4，其为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装400的剖视示意图。发光二极管封装400包含发光二极管晶片190以及发光二极管载具410，而发光二极管载具410包含基板120、导电层130、粘着层440、反射元件450以及透镜160，其中相同的元件符号是代表实质上等同于前文中参照图1与图2所描述的元件，为了内容的简洁，在此不重复关于这些元件的描述。
如图4所示，于一些实施方式中，反射元件450的底角456具有梯形截面(亦即，底角456具有缺角)。换言之，底角456具有侧面457，侧面457面向接合部131且垂直于反射元件450的底面152，并定义反射元件450的下开口155。粘着层440的卡勾部441的形状与底角456互补，并覆盖底角456的侧面457。
请参照图5，其为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装500的剖视示意图。发光二极管封装500包含发光二极管晶片190以及发光二极管载具510，而发光二极管载具510包含基板120、导电层130、粘着层540、反射元件550以及透镜160，其中相同的元件符号是代表实质上等同于前文中参照图1与图2所描述的元件，为了内容的简洁，在此不重复关于这些元件的描述。如图5所示，于一些实施方式中，反射元件550的底角556具有圆弧轮廓，即底角556为圆角，粘着层540的卡勾部541的形状与圆弧形底角556互补，并包覆圆弧形底角556。
请参照图6，其为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装600的剖视示意图。发光二极管封装600包含发光二极管晶片190、发光二极管载具110以及两接合引线670，其中相同的元件符号是代表实质上等同于前文中参照图1与图2所描述的元件，为了内容的简洁，在此不重复关于这些元件的描述。
如图6所示，于一些实施方式中，发光二极管晶片190是以打线接合的方式连接至接合部131，具体而言，发光二极管晶片190经由接合引线670电性耦接接合部131。其中一接合引线670是连接于发光二极管晶片190的阴极与导电层130的其中一电极之间，另一接合引线670则是连接于发光二极管晶片190的阳极与导电层130的另一电极之间。
请参照图7与图8。图7为绘示依据本揭示另一实施方式的发光二极管封装700的剖视示意图。图8为图7所示的发光二极管封装700的部分元件的俯视示意图。发光二极管封装700包含发光二极管晶片190以及发光二极管载具710，而发光二极管载具710包含基板120、导电层730、粘着层740、反射元件750以及透镜160，其中相同的元件符号是代表实质上等同于前文中参照图1与图2所描述的元件，为了内容的简洁，在此不重复关于这些元件的描述。
于一些实施方式中，如图7与图8所示，导电层730还具有部分环绕接合部131的两定位槽733，反射元件750具有位于其底面152上的两突起部757，两突起部757面向基板120，并部分环绕反射元件750的下开口155。突起部757配置以延伸进入导电层730的定位槽733，并与定位槽733相组装。粘着层740填入导电层730的定位槽733，并包覆反射元件750的突起部757。突起部757与定位槽733的组装能限制反射元件750与导电层730之间的相对运动，借此防止反射元件750在粘着层740固化前不经意地移位。
于一些实施方式中，如图9所示，发光二极管封装900的发光二极管载具910包含导电层930，导电层930具有增大的定位槽933(相较于图7所示的实施方式)。具体而言，定位槽933的一侧是邻接于导电层930的接合部131的侧面，使得导电层930的延伸部132分布于突起部757远离接合部131的一侧。通过上述结构配置，反射元件750与基板120之间能填充更多的粘着剂，形成部分增厚的粘着层940。
应当理解的是，取而代之的，导电层可具有突起结构，而反射元件可具有凹槽结构以接收导电层的突起结构。举例而言，如图10所示，发光二极管封装200的发光二极管载具210包含导电层230以及反射元件250，导电层230具有两突起部233，而反射元件250具有两定位槽257。两突起部233部分环绕导电层230的接合部131，两定位槽257位于反射元件250的底面152，并部分环绕反射元件250的下开口155。突起部233向上延伸进入定位槽257，粘着层240填入反射元件250的定位槽257，并包覆导电层230的突起部233。
综上所述，本揭示的发光二极管载具是以具有卡勾部的粘着层为特征，粘着层的卡勾部与反射元件的底角相卡合，以牢固地将反射元件固定于粘着层上。此外，导电层具有隆起的接合部，保护粘着层不受发光二极管晶片所发出的光直接照射。
尽管已以本揭示的特定实施方式详细地对其进行描述，但其他实施方式亦是可能的。因此，所附权利要求的精神与范围不应限定于本文中所描述的实施方式。
对于所属技术领域中的技术人员而言，显然可在不脱离本揭示的范围或精神下对本揭示的结构进行各种修改与更动。有鉴于此，本揭示旨在涵盖落入以下权利要求内的修改与更动。

Claims (20)

1.一种发光二极管载具，其特征在于，包含：
一基板；
一导电层，设置于该基板上，并具有一接合部，该接合部具有一顶面高于该导电层的一延伸部的一顶面；
一粘着层，覆盖该导电层的该延伸部，并暴露该导电层的该接合部；以及
一反射元件，设置于该粘着层上，其中该粘着层具有一卡勾部，该卡勾部接触该反射元件的一底角。
2.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件的该底角定义一开口，该接合部通过该开口。
3.根据权利要求2所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有一底面，该底面环绕该开口，该卡勾部接触该底面。
4.根据权利要求2所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有倾斜的一内表面，该内表面环绕该开口，该卡勾部延伸通过该开口并接触该内表面。
5.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该卡勾部包覆该反射元件的该底角。
6.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有一凸块位于该底角。
7.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该底角具有一侧面，该侧面垂直于该反射元件的一底面。
8.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件的该底角具有一圆弧轮廓。
9.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该卡勾部的一弯折角度与该底角的一角度相配。
10.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该卡勾部填入该接合部与该反射元件之间的一间隙。
11.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该导电层还具有一定位槽，该反射元件具有一突起部，该突起部面向该基板，并延伸进入该定位槽。
12.根据权利要求11所述的发光二极管载具，其特征在于，该粘着层填入该导电层的该定位槽，并包覆该反射元件的该突起部。
13.根据权利要求1所述的发光二极管载具，其特征在于，该反射元件具有一定位槽，该导电层还具有一突起部延伸进入该定位槽。
14.根据权利要求13所述的发光二极管载具，其特征在于，该粘着层填入该反射元件的该定位槽，并包覆该导电层的该突起部。
15.一种发光二极管封装，其特征在于，包含：
如权利要求1所述的发光二极管载具；以及
一发光二极管晶片，设置于该接合部上，并电性耦接该接合部。
16.根据权利要求15所述的发光二极管封装，其特征在于，该接合部与该发光二极管晶片几何相似。
17.根据权利要求15所述的发光二极管封装，其特征在于，进一步包含一接合引线，该发光二极管晶片经由该接合引线电性耦接该接合部。
18.根据权利要求15所述的发光二极管封装，其特征在于，在一俯视视角下，该接合部的一面积大于该发光二极管晶片的一面积。
19.根据权利要求15所述的发光二极管封装，其特征在于，该基板包含陶瓷材料。
20.根据权利要求15所述的发光二极管封装，其特征在于，进一步包含一透镜，该透镜固定至该反射元件。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202135412A (zh) * 2020-03-02 2021-09-16 晶智達光電股份有限公司 雷射封裝結構

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101231975A (zh) * 2007-01-26 2008-07-30 南茂科技股份有限公司 晶片封装体及其制造方法
CN101268557A (zh) * 2005-09-20 2008-09-17 松下电工株式会社 发光装置
CN102163601A (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装模块
CN102315358A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 昆山旭扬电子材料有限公司 具有荧光层的发光二极管封装结构
CN102856468A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN202817024U (zh) * 2012-09-06 2013-03-20 深圳市灏天光电有限公司 一种使用双层透镜的led封装结构
CN203312358U (zh) * 2013-05-11 2013-11-27 东莞市中之光电科技有限公司 Led芯片倒装结构
US20160155918A1 (en) * 2010-11-05 2016-06-02 Tomoichiro Toyama Semiconductor light emitting device
CN106356437A (zh) * 2016-09-30 2017-01-25 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件及其制备方法
CN206116449U (zh) * 2016-09-30 2017-04-19 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件
CN207116475U (zh) * 2017-08-08 2018-03-16 厦门市三安光电科技有限公司 一种红外辐射led发光元件
CN108231973A (zh) * 2017-12-08 2018-06-29 开发晶照明（厦门）有限公司 封装支架
CN109285932A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 Lg 伊诺特有限公司 发光器件封装

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW506145B (en) 2001-10-04 2002-10-11 United Epitaxy Co Ltd High Luminescence LED having transparent substrate flip-chip type LED die
WO2007034575A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Matsushita Electric Works, Ltd. 発光装置
JP2014013879A (ja) 2012-06-06 2014-01-23 Nitto Denko Corp 光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置
US9034672B2 (en) 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
TW201533930A (zh) 2014-02-26 2015-09-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體之載具結構及封裝結構

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101268557A (zh) * 2005-09-20 2008-09-17 松下电工株式会社 发光装置
CN100583469C (zh) * 2005-09-20 2010-01-20 松下电工株式会社 发光装置
CN101231975A (zh) * 2007-01-26 2008-07-30 南茂科技股份有限公司 晶片封装体及其制造方法
CN102315358A (zh) * 2010-06-29 2012-01-11 昆山旭扬电子材料有限公司 具有荧光层的发光二极管封装结构
US20160155918A1 (en) * 2010-11-05 2016-06-02 Tomoichiro Toyama Semiconductor light emitting device
CN102163601A (zh) * 2010-12-31 2011-08-24 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装模块
CN102856468A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN202817024U (zh) * 2012-09-06 2013-03-20 深圳市灏天光电有限公司 一种使用双层透镜的led封装结构
CN203312358U (zh) * 2013-05-11 2013-11-27 东莞市中之光电科技有限公司 Led芯片倒装结构
CN106356437A (zh) * 2016-09-30 2017-01-25 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件及其制备方法
CN206116449U (zh) * 2016-09-30 2017-04-19 广东晶科电子股份有限公司 一种白光led封装器件
CN109285932A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 Lg 伊诺特有限公司 发光器件封装
CN207116475U (zh) * 2017-08-08 2018-03-16 厦门市三安光电科技有限公司 一种红外辐射led发光元件
CN108231973A (zh) * 2017-12-08 2018-06-29 开发晶照明（厦门）有限公司 封装支架

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