CN111755303A - 真空装置、真空控制方法及离子注入设备 - Google Patents
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Abstract
一种真空装置、真空控制方法及离子注入设备,其中所述真空装置包括:真空腔室;与所述真空腔室连接的隔离阀;与所述隔离阀连接的离子真空计,所述离子真空计适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元,所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。本发明的真空装置提高了离子真空计的使用寿命,并且简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种真空装置、真空控制方法及离子注入设备。
背景技术
离子注入是一种将杂质选择性地注入到半导体材料中的技术。
现有通常采用离子注入设备进行离子注入,离子注入设备一般包括离子源、引导装置、真空腔室,所述离子源用于产生注入的离子束,所述真空腔室用于保持真空环境并放置待注入的晶圆,所述引导装置用于将离子源产生的离子束引导并加速注入到晶圆中。
真空腔室中的真空度会影响形成的离子束的状态,进而影响离子注入后晶圆的电性及良率。现有通常在真空腔室上连接离子真空计,以实现对真空腔室中的真空度的监测。
但是现有的离子真空计发生异常时,设备人员需要逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,并对真空腔室进行排气之后再进行离子真空计的更换,离子真空计更换完毕后又需要将真空泵逐一开启之后再打开离子真空计,更换离子真空计的操作复杂,从而导致离子注入设备复机的时间较长。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是怎样简化更换离子真空计的操作以缩短离子注入设备复机的时间。
本发明提供了一种真空装置,包括:
真空腔室;
与所述真空腔室连接的隔离阀;
与所述隔离阀连接的离子真空计,所述离子真空计适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;
与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元,所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。
可选的,所述隔离阀为真空蝶阀或真空球阀。
可选的,所述控制单元还用于在对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;所述控制单元还用于在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通。
可选的,所述隔离阀包括阀体,阀叶或阀芯,以及驱动装置,所述阀体中具有管道通路,所述管道通路中具有阀叶或阀芯,所述阀叶或阀芯与驱动装置连接,所述驱动装置用于驱动所述阀叶或阀芯转动或平移,所述阀叶或阀芯转动或平移时使得所述管道通路打开或关闭。
可选的,所述控制单元用于通过手动方式、电动方式、气动方式、液动方式或磁动方式控制所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。
可选的,所述控制单元还用于向所述驱动装置发送控制信号;所述驱动装置用于根据所述控制信号驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。
可选的,还包括:真空泵,所述真空泵与所述真空腔室连接,适于抽取所述真空腔室中的气体,以维持所述真空腔室中的真空度或者使得所述真空腔室中达到设定的真空度。
可选的,所述控制单元还用于当离子真空计出现故障需要进行更换时,控制所述隔离阀关闭,以将所述离子真空计与所述真空腔室之间隔离;所述真空泵在所述隔离阀关闭时仍正常工作,以维持所述真空腔室中的真空度。
本发明还提供了一种前述所述的真空装置的离子注入设备。
本发明还提供了一种采用前述所述的真空装置的真空控制方法,其特征在于,包括:监测离子真空计发出的真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;根据所述异常信号控制隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开;关闭的所述隔离阀用于将所述离子真空计和真空腔室隔离,打开的所述隔离阀用于将所述离子真空计和真空腔室连通。
可选的,在对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通。
可选的,所述隔离阀包括阀体,阀叶或阀芯,以及驱动装置,所述阀体中具有管道通路;所述根据所述异常信号控制隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开,包括:
根据所述正常信号生成第一控制信号,或根据所述异常信号生成第二控制信号;
向所述驱动装置发送所述第一控制信号或第二控制信号;所述第一控制信号用于指示所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移以使得所述管道通路打开,所述第二控制信号用于指示所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移以使得所述管道通路关闭。
与现有技术相比,本发明技术方案具有以下优点:
本发明的真空装置,包括:真空腔室;与所述真空腔室连接的隔离阀;与所述隔离阀连接的离子真空计,所述离子真空计适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元,所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。本发明中,在离子真空计和真空腔室之间设置隔离阀,并通过控制单元控制所述隔离阀的打开和关闭,不仅不会影响离子真空计对真空腔室中真空度的正常监测,而且在对真空腔室进行维护保养时,由于离子真空计与真空腔室之间被隔离,真空腔室中的异物及大气不会接触离子真空计,防止对离子真空计带来损伤,提高了离子真空计的使用寿命。
并且,离子真空计出现故障时,离子真空计会发出异常信号,所述控制单元根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,使得离子真空计与真空腔室之间被迅速隔离,防止存在故障的离子真空计对真空腔室中正在进行注入的晶圆产生影响。
并且在更换离子真空计时,无需停机,无需逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,并对真空腔室进行排气,因而简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
进一步,所述控制单元还用于在对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;所述控制单元还用于在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通,因而在维护保养时,真空腔室中的异物及大气不会接触离子真空计,防止对离子真空计带来损伤,提高了离子真空计的使用寿命,实现维护保养时对离子真空计自主保护。
具有前述真空装置的离子注入设备,防止对离子真空计带来损伤,提高了离子真空计的使用寿命。并且,离子真空计出现故障时,离子真空计会发出异常信号,所述控制单元根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,使得离子真空计与真空腔室之间被迅速隔离,防止存在故障的离子真空计对真空腔室中正在进行离子注入的晶圆产生影响。并且更换离子真空计时,无需停机,无需逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,也无需对真空腔室进行排气,因而简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
采用前述真空装置的真空控制方法,防止对离子真空计带来损伤,提高了离子真空计的使用寿命,并且,离子真空计出现故障时,离子真空计会发出异常信号,所述控制单元根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,使得离子真空计与真空腔室之间被迅速隔离,防止存在故障的离子真空计对真空腔室中正在进行注入的晶圆的影响,并在在更换离子真空计时,无需停机,并且无需逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,并对真空腔室进行排气,因而简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
附图说明
图1为本发明一实施例中真空装置的结构示意图;
图2为本发明一实施例隔离阀的结构示意图;
图3为本发明另一实施例中真空装置的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所言,现有更换离子真空计时复机的时间较长。
研究发现,现有的离子真空计直接与真空腔室连接,离子真空计必须不中断的监测真空腔室中的真空状况,加上离子注入设备需要定期保养,定期维修保养时需要反复对真空腔室进行排气操作,离子真空计会反复接触到大气及异物,影响离子真空计,导致离子真空计容易异常或损坏,当离子真空计出现异常或损坏时,离子注入设备会立即停止注入,设备人员就必须停机,逐一关闭相关的真空泵(真空泵与真空腔室连接,以保证真空腔室中的真空度),并对真空腔室进行排气以使真空腔室中压力变成大气压,然后才能更换新的离子真空计,更换好新的离子真空计后,需要依次开启相关的真空泵进行抽气,然后还要进行晶圆模拟以确保在离子注入设备能够正常工作时才进行复机,因而使得复机的时间较长,不仅影响离子注入设备的利用率,还会造成真空腔室内正在注入中的晶圆有异常风险。
为此,本发明提供了一种真空装置、真空控制方法和离子注入设备,其中真空装置中,在离子真空计和腔室之间设有隔离阀,并通过控制单元控制所述隔离阀的打开和关闭,不仅防止对离子真空计带来损伤,提高了离子真空计的使用寿命,并且,离子真空计出现故障时,离子真空计会发出异常信号,所述控制单元根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,使得离子真空计与真空腔室之间被迅速隔离,防止存在故障的离子真空计对真空腔室中正在进行注入的晶圆的影响,并在在更换离子真空计时,无需停机,并且无需逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,并对真空腔室进行排气,因而简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时,为便于说明,示意图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明的保护范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图1为本发明一实施例中真空装置的结构示意图。
请参考图1,所述真空装置,包括:
真空腔室201;
与所述真空腔室201连接的隔离阀202;
与所述隔离阀202连接的离子真空计203,所述离子真空计203适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;
与所述离子真空计203和所述隔离阀202连接的控制单元207,所述控制单元207适于接收所述离子真空计203发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀202关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀202打开。
本实施例中,所述真空腔室201可以为离子注入设备中用于进行离子注入的真空腔室,在进行离子注入时,将待注入晶圆置于真空腔室中,离子注入设备还具有离子源和引导装置,所述离子源产生离子束,所述引导装置对所述离子束进行筛选以消除不想要的离子种类,并加速至预期的能量,并导引至待注入晶圆表面,从而在待注入晶圆中掺杂需要的杂质离子。所述真空腔室201要维持一定真空度,以利于离子束的注入。在其他实施例中,所述真空腔室还可以为其他设备的真空腔室。
所述离子真空计203适于测量真空腔室201的真空度,所述离子真空计203还适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号。电子在相同的电子能量,相同的磁场中,所引起的分子电离电流越大,说明分子数密度越大。离子真空计就是在高真空条件下,通过计量分子电离电流的大小来测得分子数密度,从而测得真空度。在一实施例中,离子真空计可以是热阴极电离真空计或冷阴极电离真空计。
为了确保真空腔室中的真空度保持稳定,离子真空计203必须不中断的监测真空腔室201中的真空状况,因而离子真空计203的长时间使用,加上离子注入设备需要定期保养,定期维修保养时需要反复对真空腔室进行排气操作,离子真空计203会反复接触到大气及异物,影响离子真空计,导致离子真空计203容易异常或损坏。
当离子真空计203出现异常或损坏时,离子注入设备会停止注入或报警,设备人员就必须停机,逐一关闭相关的真空泵(真空泵与真空腔室连接,以保证真空腔室中的真空度),并对真空腔室进行排气以使真空腔室中压力变成大气压,然后才能更换新的离子真空计,更换好新的离子真空计后,需要依次开启相关的真空泵进行抽气,然后还要进行晶圆模拟以确保在离子注入设备能够正常工作时才进行复机,因而使得复机的时间较长,不仅影响离子注入设备的利用率,还会造成真空腔室内正在注入中的晶圆有异常风险。
因而,本实施例中,在离子真空计203和真空腔室201之间设置隔离阀202,所述隔离阀202适于将离子真空计203和真空腔室201之间隔离或连通,当离子注入设备正常工作时,所述隔离阀202可以打开,将离子真空计203与真空腔室201之间连通,离子真空计203对真空腔室201的真空度进行测量,当离子真空计203出现故障需要进行更换时,所述隔离阀202可以关闭,将离子真空计203与真空腔室201之间隔离,所述隔离阀202的打开和关闭的动作和时机通过控制单元207控制。所述控制单元207适于接收所述离子真空计203发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀202关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀202打开,因而本申请中,离子真空计203和真空腔室201之间设置隔离阀202,不仅不会影响离子真空计203对真空腔室201中真空度的正常监测,而且在对真空腔室201进行维护保养时,由于离子真空计203与真空腔室201之间被隔离,真空腔室201中的异物及大气不会接触离子真空计203,防止对离子真空计203带来损伤,提高了离子真空计203的使用寿命。并且,离子真空计203出现故障时,离子真空计203会发出异常信号,所述控制单元207根据所述异常信号控制所述隔离阀202关闭,使得离子真空计203与真空腔室201之间被迅速隔离,防止存在故障的离子真空计203对真空腔室201中正在进行注入的晶圆的影响。并且在更换离子真空计203时,无需停机,并无需逐一关闭与真空腔室201连接的真空泵,并对真空腔室201进行排气,因而简化了更换离子真空计203的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
在一实施例中,所述控制单元207还用于在对所述真空腔室201进行维护保养之前,控制所述隔离阀202关闭以将所述离子真空计203与所述真空腔室隔离201;所述控制单元207还用于在所述真空腔室201正常工作之后,控制所述隔离阀203打开以将所述离子真空计与所述真空腔室201连通,因而在维护保养时,真空腔室201中的异物及大气不会接触离子真空计203,防止对离子真空计203带来损伤,提高了离子真空计203的使用寿命,实现维护保养时对离子真空计203自主保护。
所述隔离阀202可以为真空蝶阀或真空球阀。所述隔离阀还可以为插板阀,挡板阀或翻板阀。
在一实施例中,离子真空计203发出的真空计信号还可包括预约信号,控制单元207接收到预约信号之后可根据预约信号在预设时长之后控制隔离阀关闭。
所述真空计信号还可包括预警信号,比如当离子真空计203检测到真空度小于预设阈值时,存在污染离子真空计的威胁时,离子真空计03可发出预警信号。设备人员发现预警信号后,可由设备人员人工对真空腔室或真空泵进行检查,若存在异常,则可人工手动发送异常信号至控制单元207。
在一实施例中,请参考图2,所述隔离阀202包括阀体21,阀叶或阀芯22,以及驱动装置23,所述阀体21中具有管道通路,所述管道通路中具有阀叶或阀芯22,所述阀叶或阀芯22与驱动装置23连接,所述驱动装置23用于驱动所述阀叶或阀芯22转动或平移,所述阀叶或阀芯22转动或平移时使得所述管道通路打开或关闭。
所述控制单元207还用于向所述驱动装置23发送控制信号;所述驱动装置用于根据所述控制信号驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。所述控制单元207用于通过手动方式、电动方式、气动方式、液动方式或磁动方式控制所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。
具体的,所述控制单元207与离子真空计203连接,当离子真空计203出现故障时,离子真空计203向控制单元发送异常信号,控制单元在接收到异常信号时,向驱动装置23发送控制信号(第二控制信号),驱动装置23在接收到控制信号(第二控制信号)时,控制所述隔离阀202关闭。所述控制单元207还接收离子真空计203发送的正常信号,控制单元在接收到正常信号时,向驱动装置23发送控制信号(第一控制信号),驱动装置23在接收到控制信号(第一控制信号)时,控制所述隔离阀202打开。
在一实施例中,请参考图3,所述真空腔室还包括:真空泵206,所述真空泵206与真空腔室201连接,适于抽取真空腔室201中的空气,维持真空腔室201中的真空度或者使得真空腔室201中达到设定的真空度。
当离子真空计203出现故障需要进行更换时,控制单元207还控制所述隔离阀202关闭,将离子真空计203与真空腔室201之间隔离;所述真空泵206在所述隔离阀202关闭时仍正常工作,以维持真空腔室201中的真空度。
在一实施例中,所述真空泵206包括干泵,与干泵连接的涡轮泵,与涡轮泵连接的冷凝泵,所述冷凝泵与真空腔室连接,以使得真空腔室能达到较高的真空度。
本发明一实施例中还提供了一种包括前述所述的真空装置的离子注入设备。
在一实施例中,所述离子注入设备还包括离子源(图中未示出),所述离子源用于产生离子束,所述离子源包括:离子源腔室;源气体通入口,位于离子源腔室的第一腔体壁上,用于向离子源腔室中通入离子源气体;灯丝,位于离子源腔室的第一腔体壁上,用于产生热电子,使通入离子源腔室的离子源气体离子化为等离子体;反射极,位于离子源腔室中的与所述第一腔体壁相对的第二腔体壁上,用于反射灯丝产生的热电子;狭缝,位于所述第二腔体壁上,通过狭缝将等离子体引出,形成离子束。
具有前述真空装置的离子注入设备,当离子注入设备正常工作时,所述隔离阀可以打开,将离子真空计与真空腔室之间连通,离子真空计对真空腔室的真空度进行测量,当对真空腔室进行维护保养或者离子真空计出现故障需要进行更换时,所述隔离阀可以关闭,将离子真空计与真空腔室之间隔离,因而在离子真空计和真空腔室之间设置隔离阀,并通过控制单元控制所述隔离阀的打开和关闭,不仅不会影响离子真空计对真空腔室中真空度的正常监测,而且在对真空腔室进行维护保养时,由于离子真空计与真空腔室之间被隔离,真空腔室中的异物及大气不会接触离子真空计,防止对离子真空计带来损伤,提高了离子真空计的使用寿命,并且,离子真空计出现故障需要进行更换时,离子真空计会发出异常信号,所述控制单元根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,使得离子真空计与真空腔室之间被迅速隔离,防止存在故障的离子真空计对真空腔室中正在进行注入的晶圆的影响,并在在更换离子真空计时,无需停机,并且无需逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,并对真空腔室进行排气,因而简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。
本发明一实施例中还提供了一种采用前述所述的真空装置的真空控制方法,包括:监测离子真空计发出的真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;根据所述异常信号控制隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开;关闭的所述隔离阀用于将所述离子真空计和真空腔室隔离,打开的所述隔离阀用于将所述离子真空计和真空腔室连通。
所述方法还包括:对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通。
在一实施例中,所述隔离阀包括阀体,阀叶或阀芯,以及驱动装置,所述阀体中具有管道通路;所述根据所述异常信号控制隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开,包括:
根据所述正常信号生成第一控制信号,或根据所述异常信号生成第二控制信号;
向所述驱动装置发送所述第一控制信号或第二控制信号;所述第一控制信号用于指示所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移以使得所述管道通路打开,所述第二控制信号用于指示所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移以使得所述管道通路关闭。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改,因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰,均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (12)
1.一种真空装置,其特征在于,包括:
真空腔室;
与所述真空腔室连接的隔离阀;
与所述隔离阀连接的离子真空计,所述离子真空计适于发出真空计信号;
所述真空计信号包括正常信号或异常信号;
与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元,所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。
2.如权利要求1所述的真空装置,其特征在于,所述隔离阀为真空蝶阀或真空球阀。
3.如权利要求1或2所述的真空装置,其特征在于,所述控制单元还用于在对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;所述控制单元还用于在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通。
4.如权利要求1所述的真空装置,其特征在于,所述隔离阀包括阀体,阀叶或阀芯,以及驱动装置,所述阀体中具有管道通路,所述管道通路中具有阀叶或阀芯,所述阀叶或阀芯与驱动装置连接,所述驱动装置用于驱动所述阀叶或阀芯转动或平移,所述阀叶或阀芯转动或平移时使得所述管道通路打开或关闭。
5.如权利要求4所述的真空装置,其特征在于,所述控制单元用于通过手动方式、电动方式、气动方式、液动方式或磁动方式控制所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。
6.如权利要求4所述的真空装置,其特征在于,所述控制单元还用于向所述驱动装置发送控制信号;所述驱动装置用于根据所述控制信号驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。
7.如权利要求1所述的真空装置,其特征在于,还包括:真空泵,所述真空泵与所述真空腔室连接,适于抽取所述真空腔室中的气体,以维持所述真空腔室中的真空度或者使得所述真空腔室中达到设定的真空度。
8.如权利要求7所述的真空装置,其特征在于,所述控制单元还用于当离子真空计出现故障需要进行更换时,控制所述隔离阀关闭,以将所述离子真空计与所述真空腔室之间隔离;所述真空泵在所述隔离阀关闭时仍正常工作,以维持所述真空腔室中的真空度。
9.一种包括如权利要求1-8任一项所述的真空装置的离子注入设备。
10.一种采用权利要求1-8任一项所述的真空装置的真空控制方法,其特征在于,包括:监测离子真空计发出的真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;根据所述异常信号控制隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开;关闭的所述隔离阀用于将所述离子真空计和真空腔室隔离,打开的所述隔离阀用于将所述离子真空计和真空腔室连通。
11.如权利要求10所述的控制方法,其特征在于,所述方法还包括:在对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通。
12.如权利要求10所述的控制方法,其特征在于,所述隔离阀包括阀体,阀叶或阀芯,以及驱动装置,所述阀体中具有管道通路;所述根据所述异常信号控制隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开,包括:
根据所述正常信号生成第一控制信号,或根据所述异常信号生成第二控制信号;
向所述驱动装置发送所述第一控制信号或第二控制信号;所述第一控制信号用于指示所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移以使得所述管道通路打开,所述第二控制信号用于指示所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移以使得所述管道通路关闭。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW380753U (en) * | 1998-09-04 | 2000-01-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Improvement of the vacuum system for semiconductor process |
TW434666B (en) * | 2000-01-05 | 2001-05-16 | United Microelectronics Corp | Method for preventing powder in pipeline from flowing backward into a vacuum reaction chamber |
CN201763439U (zh) * | 2010-09-30 | 2011-03-16 | 陈松清 | 一种利用废气提高发动机功率的节能装置 |
CN201982789U (zh) * | 2010-10-22 | 2011-09-21 | 赵瑀 | 速关真空阀及其真空系统 |
TW201432081A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-16 | Adpv Technology Ltd Intetrust | 真空鍍膜設備之真空度量測裝置 |
CN104087908A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-08 | 东莞市华星纳米科技有限公司 | 一种便于在线维护的膜厚监控设备及其维护工艺 |
CN107305150A (zh) * | 2016-04-19 | 2017-10-31 | 阿自倍尔株式会社 | 真空计状态检测方法及系统 |
CN107841730A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-03-27 | 滁州国凯电子科技有限公司 | 一种延长ald真空计使用寿命的方法 |
CN207250467U (zh) * | 2017-09-22 | 2018-04-17 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆处理装置 |
CN207567343U (zh) * | 2017-10-27 | 2018-07-03 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 一种真空系统 |
CN109489900A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 注入机真空计损坏复机控制装置及复机方法 |
-
2019
- 2019-03-26 CN CN201910231828.0A patent/CN111755303A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW380753U (en) * | 1998-09-04 | 2000-01-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Improvement of the vacuum system for semiconductor process |
TW434666B (en) * | 2000-01-05 | 2001-05-16 | United Microelectronics Corp | Method for preventing powder in pipeline from flowing backward into a vacuum reaction chamber |
CN201763439U (zh) * | 2010-09-30 | 2011-03-16 | 陈松清 | 一种利用废气提高发动机功率的节能装置 |
CN201982789U (zh) * | 2010-10-22 | 2011-09-21 | 赵瑀 | 速关真空阀及其真空系统 |
TW201432081A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-16 | Adpv Technology Ltd Intetrust | 真空鍍膜設備之真空度量測裝置 |
CN104087908A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-08 | 东莞市华星纳米科技有限公司 | 一种便于在线维护的膜厚监控设备及其维护工艺 |
CN107305150A (zh) * | 2016-04-19 | 2017-10-31 | 阿自倍尔株式会社 | 真空计状态检测方法及系统 |
CN207250467U (zh) * | 2017-09-22 | 2018-04-17 | 德淮半导体有限公司 | 晶圆处理装置 |
CN207567343U (zh) * | 2017-10-27 | 2018-07-03 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 一种真空系统 |
CN107841730A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-03-27 | 滁州国凯电子科技有限公司 | 一种延长ald真空计使用寿命的方法 |
CN109489900A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 注入机真空计损坏复机控制装置及复机方法 |
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