CN111739918B - 显示面板、显示装置及制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及制备方法。该显示面板，包括：面板基材，包括基板；光电二极管结构和色阻结构，都设于面板基材的一侧；保护层，设于光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧；光电二极管结构和色阻结构中，一个结构的第一表面与基板之间的距离小于另一个结构的第一表面与基板之间的距离，保护层中对应一个结构的区域的亲水性大于对应另一个结构的区域的亲水性；平坦层，设于保护层远离光电二极管结构和色阻结构的一侧，平坦层远离基板的表面与基板平行。本申请实施例能够解决现有技术存在光电二极管结构和色阻结构远离基板一侧段差较大，使得平坦层难平坦而带来的OLED无法发光的技术问题。

Description

显示面板、显示装置及制备方法

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示面板、显示装置及制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板经长时间发展已日趋成熟，并逐步在终端产品中广泛应用。

OLED为电流驱动，在驱动背板必须有多个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，多个TFT包括开关TFT(Switch TFT)和驱动TFT(Drive TFT)，最终的发光强度由驱动TFT的栅极电压决定。这就要求驱动TFT的阈值电压Vth和与驱动TFT电连接的电平端的电平非常精确，稍有偏移即会导致发光强度变化。但是，由于工艺均匀性原因，波动是难以避免的。因此，OLED的驱动补偿就是一个产品化的重要技术。

目前，显示面板的光电二极管结构和色阻结构远离基板的表面与基板之间的距离存在差异，也就是光电二极管结构和色阻结构远离基板一侧段差较大，从而使得平坦层难平坦，容易导致OLED无法发光。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示面板、显示装置及制备方法，用以解决现有技术存在光电二极管结构和色阻结构远离基板一侧段差较大，使得平坦层难平坦而带来的OLED无法发光的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：

面板基材，包括基板；

光电二极管结构和色阻结构，都设于面板基材的一侧，且光电二极管结构与光电二极管结构相分离；

保护层，设于光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧；光电二极管结构和色阻结构中，一个结构的第一表面与基板之间的距离小于另一个结构的第一表面与基板之间的距离，保护层中对应一个结构的区域的亲水性大于对应另一个结构的区域的亲水性；第一表面为每个结构远离基板的表面；

平坦层，设于保护层远离光电二极管结构和色阻结构的一侧，平坦层远离基板的表面与基板平行。

在一个可能的实现方式中，保护层包括依次层叠设置第一保护层和第二保护层；

第一保护层为亚克力树脂材料，第二保护层为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料；

第二保护层中对应一个结构的区域的聚合度大于对应另一个结构的区域的聚合度。

在一个可能的实现方式中，显示面板还包括：

发光二极管层，设于平坦层远离保护层的一侧。

在一个可能的实现方式中，发光二极管层包括依次层叠设置的第一阳极层、发光层和阴极层；

光电二极管结构远离基板的一侧设有第二阳极层；

第一阳极层和第二阳极层电连接。

在一个可能的实现方式中，面板基材还包括设于基板一侧的薄膜晶体管层；

光电二极管结构设于薄膜晶体管层远离基板的一侧。

在一个可能的实现方式中，平坦层与光电二极管结构相对应的区域的厚度为0.5um-2.5um。

第二方面，本申请实施例还提供一种显示装置，包括，如第一方面的显示面板。

第三方面，本申请实施例又提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：

在面板基材的一侧制备相分离的光电二极管结构和色阻结构；

在光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧制备保护层，光电二极管结构和色阻结构中，一个结构的第一表面与基板之间的距离小于另一个结构的第一表面与基板之间的距离，使得保护层中对应一个结构的区域的亲水性大于对应另一个结构的区域的亲水性；第一表面为每个结构远离基板的表面；

在保护层远离光电二极管结构和色阻结构的一侧制备平坦层，使得平坦层远离基板的表面与基板平行。

在一个可能的实现方式中，在光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧制备保护层，包括：

在光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧制备待生成保护层的膜层；

根据光电二极管结构和色阻结构的第一表面与基板之间的距离，控制待生成保护层的膜层对应的光电二极管结构和色阻结构的区域的曝光量，得到保护层。

在一个可能的实现方式中，在光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧制备待生成保护层的膜层，包括：

在光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧制备第一保护层，第一保护层为亚克力树脂材料；

在第一保护层远离光电二极管结构和色阻结构的一侧制备第二保护层，第二保护层为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料。

在一个可能的实现方式中，根据光电二极管结构和色阻结构的第一表面与基板之间的距离，控制待生成保护层的膜层对应的光电二极管结构和色阻结构的区域的曝光量，得到保护层，包括：

若光电二极管结构的第一表面与基板之间的距离小于色阻结构的第一表面与基板之间的距离，则控制第二保护层中对应光电二极管结构的区域的曝光量大于对应色阻结构的区域的曝光量；

若光电二极管结构的第一表面与基板之间的距离大于色阻结构的第一表面与基板之间的距离，则控制第二保护层中对应光电二极管结构的区域的曝光量小于对应色阻结构的区域的曝光量。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例在光电二极管结构和色阻结构均远离基板的一侧设置保护层，光电二极管结构和色阻结构中，一个结构的第一表面与基板之间的距离小于另一个结构的第一表面与基板之间的距离，保护层中对应一个结构的区域的亲水性大于对应另一个结构的区域的亲水性，使得保护层的表面形成具有聚合度不同的区域的膜层，平坦层沉积时，会向亲水一侧流动，与基板之间的距离较小的一侧的平坦层厚度变大，形成远离基板的表面与基板平行的平坦层，从而增强平坦层的平坦效果，使得平坦层上的OLED不受光电二极管结构和色阻结构存在段差的影响，可以正常发光。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2和图3为本申请实施例提供的经过显示面板的制备方法的步骤S801的过程依次得到的结构示意图；

图4和图5为本申请实施例提供的经过显示面板的制备方法的步骤S802的过程依次得到的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的经过显示面板的制备方法的步骤S803的过程得到的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。

附图标记：

100-面板基材、110-基板、120-薄膜晶体管层、121-栅极层、122-第一绝缘层、123-第一源漏极层、124-第二绝缘层、125-第二源漏极层、101-钝化层；

200-光电二极管结构、300-色阻结构；

400-保护层、410-第一保护层、420-第二保护层；

500-平坦层；

600-发光二极管层、610-第一阳极层、620-发光层、630-阴极层、640-第二阳极层。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供一种显示面板，参见图1所示，该显示面板包括：面板基材100、光电二极管结构200、色阻结构300、保护层400和平坦层500。

面板基材100包括基板110。

光电二极管结构200和色阻结构300都设于面板基材100的一侧，且光电二极管结构200与光电二极管结构200相分离。

保护层400设于光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧；光电二极管结构200和色阻结构300中，一个结构的第一表面与基板110之间的距离小于另一个结构的第一表面与基板110之间的距离，保护层400中对应一个结构的区域的亲水性大于对应另一个结构的区域的亲水性；第一表面为每个结构远离基板110的表面。

平坦层500设于保护层400远离光电二极管结构200和色阻结构300的一侧，平坦层500远离基板110的表面与基板110平行。

本申请实施例能够在保护层400的表面形成具有不同聚合度区域的膜层，平坦层500沉积时，会向亲水一侧流动，可以使得与基板110之间的距离较小的一侧的平坦层500厚度变大，形成远离基板110的表面与基板110平行的平坦层500，增强平坦层500的平坦效果，使得平坦层500上的OLED不受光电二极管结构200和色阻结构300存在段差的影响，可以正常发光。

可选地，参见图1所示，光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离小于色阻结构30的第一表面与基板110之间的距离，保护层400中对应光电二极管结构200的区域的亲水性大于对应色阻结构30的区域的亲水性。也就是，保护层400中对应光电二极管结构200的区域的聚合度大于对应色阻结构30的区域的聚合度。

在一些实施例中，参见图1所示，保护层400包括依次层叠设置第一保护层410和第二保护层420。第一保护层410为亚克力树脂材料，第二保护层420为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料。第二保护层420中对应一个结构的区域的聚合度大于对应另一个结构的区域的聚合度。

可选地，第一保护层410为聚对苯二甲酸乙二酯PET膜层。第二保护层420可以为一层丙烯酸和丙烯酰胺的混合膜通过不同曝光量后生成的聚丙烯酸膜层，聚丙烯酸膜层为具有不同聚合度区域的梯度膜层。

可选地，参见图1所示，第一保护层410在与基板110平行的第一方向的两侧，分别延伸到光电二极管结构200和色阻结构300相远离的两侧。同理，第二保护层420在与基板110平行的第一方向的两侧，分别延伸到光电二极管结构200和色阻结构300相远离的两侧。

在一些实施例中，参见图1所示，显示面板还包括：发光二极管层600，设于平坦层500远离保护层400的一侧。

可选地，参见图1所示，色阻结构30的厚度大于光电二极管结构200的厚度。光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离小于色阻结构30的第一表面与基板110之间的距离，使得光电二极管结构200对应区域的平坦层500的厚度变大，可以减小光电二极管结构200与发光二极管层600之间的寄生电容。

在一些实施例中，参见图1所示，发光二极管层600包括依次层叠设置的第一阳极层610、发光层620和阴极层630；光电二极管结构200远离基板110的一侧设有第二阳极层640；第一阳极层610和第二阳极层640电连接。具体地，第一阳极层610和第二阳极层640连通为一体。第一阳极层610、发光层620和阴极层630均与基板110平行。

可选地，参见图1所示，显示面板还包括钝化层101，钝化层101设于光电二极管结构200和第二阳极层640远离基板110的一侧，钝化层101延伸至色阻结构300靠近基板110的一侧。第一保护层410与光电二极管结构200相对应的区域设于钝化层101远离第二阳极层640的一侧。钝化层101为绝缘材质。钝化层101与第二阳极层640对应的区域开设有通孔。

在一些实施例中，参见图7所示，面板基材100还包括设于基板110一侧的薄膜晶体管层120；光电二极管结构200设于薄膜晶体管层120远离基板110的一侧。

可选地，参见图7所示，薄膜晶体管层(Thin Film Transistor，TFT)120包括依次层叠设置的栅极层121、第一绝缘层122和第一源漏极层123。具体地，栅极层121设于基板110的一侧，第一绝缘层122延伸至色阻结构300的靠近基板110的一侧，也就是第一绝缘层122的一侧延伸至色阻结构300的下方。

可选地，参见图7所示，面板基材100还包括第二绝缘层124和第二源漏极层125。具体地，第二绝缘层124设于第一源漏极层123远离第一绝缘层122的一侧，且第二绝缘层124和第一绝缘层122连为一体，第二源漏极层125设于第二绝缘层124远离第一源漏极层123的一侧，光电二极管结构200设于第二源漏极层125远离第二绝缘层124的一侧。

可选地，参见图7所示，显示面板还包括钝化层101，钝化层101设于第二源漏极层125、光电二极管结构200和第二阳极层640远离基板110的一侧，钝化层101延伸至色阻结构300靠近基板110的一侧，在色阻结构300的区域，钝化层101位于第一绝缘层122远离基板110的一侧。第一保护层410与光电二极管结构200相对应的区域设于钝化层101远离第二阳极层640的一侧。钝化层101为绝缘材质。钝化层101与第二阳极层640对应的区域开设有通孔。

可选地，栅极层121的厚度为0.48um(微米)，第一源漏极层123的厚度为0.48um，第二源漏极层125的厚度为0.4um，光电二极管结构200的厚度为1um，色阻结构300为2.2um。

本申请的发明人进行研究发现，光学传感补偿的OLED的显示面板也因为工艺均匀性原因，容易出现驱动薄膜晶体管TFT的阈值电压和亚阈值斜率波动。现有的WOLED(白光有机发光二极管)发光器件在PIN光电二极管的光学补偿方案工艺过程中，CF层(colorfilter，彩色滤光片)一侧和PIN光电二极管一侧段差较大，使得平坦层500难平坦，在发光层620蒸镀过程中，导致发光层620容易断裂，进而导致WOLED发光器件的阴阳级短路，从而导致WOLED发光器件无法发光。

具体地，PIN光电二极管也称PIN结二极管或PIN二极管，在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。

作为一种可能的实现方式，参见图7所示，本申请实施例的显示面板为光学传感补偿的OLED的显示面板，该光学传感补偿的OLED的显示面板包括面板基材100，光电二极管结构200，CF层及WOLED发光器件。光电二极管结构200为PIN光电二极管，面板基材100包括薄膜晶体管层120和基板110，CF层包括多个色阻结构300，发光二极管层600形成WOLED发光器件。在制备过程中，先制备薄膜晶体管层120，再制备PIN光电二极管和CF层，最后制备WOLED发光器件。色阻结构300不遮挡光电二极管结构200，使得色阻结构300可以直接读取WOLED发光器件的发光信号。光学传感补偿的OLED的显示面板采用本申请实施例的显示面板及其制备方法，可以实现平坦层500的平坦效果，从而实现WOLED发光器件能够正常发光。同时，由于PIN光电二极管对应区域的平坦层500的厚度变大，可以减小PIN光电二极管与WOLED发光器件之间的寄生电容。

在一些实施例中，平坦层500与光电二极管结构200相对应的区域的厚度为0.5um-2.5um。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置，包括，如本申请实施例的显示面板。

基于同一发明构思，本申请实施例又提供一种显示面板的制备方法，参见图8所示，该显示面板的制备方法包括如下步骤：

S801、在面板基材100的一侧制备相分离的光电二极管结构200和色阻结构300。

可选地，结合图2所示，在面板基材100的一侧制备相分离的光电二极管结构200和色阻结构300之前，还包括：在基板110上依次制备薄膜晶体管层120、第二绝缘层124和第二源漏极层125。可选地，薄膜晶体管层120的制备过程包括依次制备栅极层121、第一绝缘层122、第一源漏极层123。

可选地，结合图2所示，在面板基材100的一侧制备光电二极管结构200，包括：

在面板基材100的一侧制备光电二极管结构200，并通过一次光刻工艺形成图案，在其上形成第二阳极层640，作为光电二极管结构200的电极。

可选地，参见图2所示，在面板基材100的一侧制备光电二极管结构200之后，在光电二极管结构200远离第二源漏极层125的一侧制备钝化层101。

可选地，结合图3所示，在面板基材100的一侧制备多个色阻结构300，形成CF层，色阻结构300与光电二极管结构200相分离，互不遮挡。

可选地，结合图3所示，以图中虚线为界，虚线左侧为第一区域，虚线右侧为第二区域。在面板基材100的一侧制备相分离的光电二极管结构200和色阻结构300，包括：

在面板基材100的第一区域的一侧制备光电二极管结构200；

在光电二极管结构200远离面板基材100的一侧制备第二阳极层640；

在光电二极管结构200远离面板基板100的一侧、第二阳极层640远离光电二极管结构200的一侧和面板基板100的第二区域的一侧制备钝化层101，钝化层101与第二阳极层640对应的区域开设通孔。

在钝化层101的第二区域远离面板基板100的一侧的制备色阻结构300。

可选地，参见图3所示，在面板基材100的一侧制备相分离的光电二极管结构200和色阻结构300之前，包括：

在基板110的第一区域的一侧制备栅极层121；

在栅极层121远离基板的一侧、在基板110的第一区域和第二区域的一侧制备第一绝缘层122；

在第一绝缘层122远离栅极层121一侧的第一区域制备第一源漏极层123；

在第一源漏极层123远离第一绝缘层122的一侧制备第二绝缘层124；

在第二绝缘层124远离第一源漏极层123的一侧制备第二源漏极层125。

S802、在光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧制备保护层400，光电二极管结构200和色阻结构300中，一个结构的第一表面与基板110之间的距离小于另一个结构的第一表面与基板110之间的距离，使得保护层400中对应一个结构的区域的亲水性大于对应另一个结构的区域的亲水性；第一表面为每个结构远离基板110的表面。

在一些实施例中，在光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧制备保护层400，包括：

在光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧制备待生成保护层400的膜层；

根据光电二极管结构200和色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，控制待生成保护层400的膜层对应的光电二极管结构200和色阻结构300的区域的曝光量，得到保护层400。

在一些实施例中，在光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧制备待生成保护层400的膜层，包括：

在光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧制备第一保护层410，第一保护层410为亚克力树脂材料；

在第一保护层410远离光电二极管结构200和色阻结构300的一侧制备第二保护层420，第二保护层420为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料；以及，

根据光电二极管结构200和色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，控制待生成保护层400的膜层对应的光电二极管结构200和色阻结构300的区域的曝光量，得到保护层400，包括：

若光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离小于色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，则控制第二保护层420中对应光电二极管结构200的区域的曝光量大于对应色阻结构300的区域的曝光量；

若光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离大于色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，则控制第二保护层420中对应光电二极管结构200的区域的曝光量小于对应色阻结构300的区域的曝光量。

可选地，结合图4所示，第一保护层410为聚对苯二甲酸乙二酯PET膜层，即在光电二极管结构200和色阻结构300均远离基板110的一侧制备聚对苯二甲酸乙二酯膜层。

可选地，结合图5所示，第二保护层420可以为一层丙烯酸和丙烯酰胺的混合膜通过不同曝光量后生成的具有不同聚合度区域的梯度膜层。

对应地，在第一保护层410远离光电二极管结构200和色阻结构300的一侧制备第二保护层420，第二保护层420为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料，包括：

在第一保护层410远离光电二极管结构200和色阻结构300的一侧涂布一层丙烯酸和丙烯酰胺的混合膜；

根据光电二极管结构200和色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，控制待生成保护层400的膜层对应的光电二极管结构200和色阻结构300的区域的曝光量，得到保护层400。

可选地，第二保护层420形成具有不同聚合度区域的梯度膜层的具体制作方法为：在PET膜层表面通过受限光接枝丙烯酸(AA)聚合，通过控制曝光量，得到不同接枝量的聚合物膜层。随着光强增加，该曝光区域生成的表面自由基的密度增加，相应的AA单体接枝率随之增加。因此，通过控制不同区域的曝光量成梯度分布，则能够得到PET膜层上具有不同聚合度区域的聚丙烯酸膜层。

具体地，接枝率是指，丙烯酸自由基聚合的比例，接枝率越高，PET膜层上的聚丙烯酸含量越多，聚丙烯酸膜层越致密，而聚丙烯酸分子中含有-COOH基团，为亲水基团，则聚丙烯酸膜层越致密，亲水性越高。

可选地，第二保护层420可以为丙烯酸，也可以为丙烯酰胺等亲水性单体，从工艺简便性上来考虑，可以选择光照敏感性上较强的不饱和单体。在实际应用中，第二保护层420选择在不同光照引发的情况下，可以发生不同程度的聚合反应的亲水性树脂材料均可，可以为多元醇，也可以为亲水性的聚酰亚胺或者聚碳酸酯。

本申请的发明人进行研究发现，PET膜层本身为高疏水性膜层，在PET膜层表面形成一层聚丙烯酸膜层后，即可改善其表面的表面能，使膜层接触角变小，当表面聚丙烯酸聚合度越高，越致密的时候，其亲水性越好，水的接触角越小。为了使光电二极管结构200和色阻结构300对应区域的第二保护层42的表面能不一样，则需要控制光电二极管结构200和色阻结构300所受到的曝光能量不一样。若需要色阻结构300对应区域曝光能量低时，则需要曝光时间低，聚丙烯酸聚合量较少，亲水性改善效果较差，而光电二极管结构200曝光时间长，聚丙烯酸聚合度较高，亲水性改善更强。

例如：当数字曝光机的照度为50mw/cm²(毫瓦/每平方厘米)，色阻结构300对应区域照射时间为0.5s，光电二极管结构200对应区域的照射时间为10s，即可使光电二极管结构200和色阻结构300的第二保护层420的对应区域形成表面能差异较大的表面。通过控制不同的曝光时间，使膜层接触角梯度分布在20-90度之间。具体地，膜层接触角梯度分布包括20度和90度。

可选地，保护层400制作过程中需要精确对位，分别对光电二极管结构200和色阻结构300对应区域的第二保护层42进行梯度曝光，在光电二极管结构200和色阻结构300对应区域形成不同聚合度膜层，并和各自Resin(即平坦层500)表面能进行优化匹配，该功能可以通过数字曝光机实现，数字曝光机为新型的无需掩膜版(mask)的曝光机，其可以通过编写程序实现系列split条件的曝光，利用数字曝光机对每个像素的PIN侧和CF侧分别设置不同的曝光时间即可，其它区域无需曝光。例如，光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离小于色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，采用以下曝光时间进行曝光，PIN侧是指第二保护层42与光电二极管结构200对应的区域，CF层是指与第二保护层42与色阻结构300对应的区域。

例如，光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离小于色阻结构300的第一表面与基板110之间的距离，通过控制曝光量，使得PIN侧的接触角为67.5°，使得CF侧的接触角为95.0°。

S803、在保护层400远离光电二极管结构200和色阻结构300的一侧制备平坦层500，使得平坦层500远离基板110的表面与基板110平行。

可选地，结合图6所示，在保护层400远离光电二极管结构200和色阻结构300的一侧制备平坦层500。

可选地，结合图7所示，在完成平坦层500的制备之后，在平坦层500上蒸镀发光二极管层600，再进行玻璃盖板封装。

应用于本申请实施例，至少可以实现以下技术效果：

(1)本申请实施例能够在保护层400的表面形成聚合度不同的膜层，平坦层500沉积时，会向亲水一侧流动，与基板110之间的距离较小的一侧的平坦层500厚度变大，形成远离基板110的表面与基板110平行的平坦层500，增强平坦层500的平坦效果，使得平坦层500上的OLED不受光电二极管结构200和色阻结构300存在段差的影响，可以正常发光。

(2)本申请实施例采用梯度曝光，控制膜层对应的光电二极管结构200和色阻结构300的区域的曝光量，得到具有不同聚合度区域的保护层400，也就是一道曝光工序可以形成梯度膜层，能够大大简化工艺，大量节省成本。

(3)本申请实施例可以适用于光学传感补偿的OLED的显示面板，本申请实施例的显示面板和制备方法的整个过程，可以实现光学补偿OLED器件显示。

(4)本申请实施例在光电二极管结构200的第一表面与基板110之间的距离小于色阻结构30的第一表面与基板110之间的距离时，使得光电二极管结构200对应区域的平坦层500的厚度变大，可以减小光电二极管结构200与发光二极管层600之间的寄生电容。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

面板基材，包括基板；

光电二极管结构和色阻结构，都设于所述面板基材的一侧，且所述光电二极管结构与所述色阻结构相分离；

保护层，设于所述光电二极管结构和所述色阻结构均远离所述基板的一侧；所述光电二极管结构和所述色阻结构中，一个结构的第一表面与所述基板之间的距离小于另一个结构的第一表面与所述基板之间的距离，所述保护层中对应所述一个结构的区域的亲水性大于对应所述另一个结构的区域的亲水性；所述第一表面为每个结构远离所述基板的表面；所述保护层包括依次层叠设置第一保护层和第二保护层；所述第二保护层为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料；

平坦层，设于所述保护层远离所述光电二极管结构和所述色阻结构的一侧，所述平坦层远离所述基板的表面与所述基板平行。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一保护层为亚克力树脂材料，所述第二保护层中对应所述一个结构的区域的聚合度大于对应所述另一个结构的区域的聚合度。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

发光二极管层，设于所述平坦层远离所述保护层的一侧。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光二极管层包括依次层叠设置的第一阳极层、发光层和阴极层；

所述光电二极管结构远离所述基板的一侧设有第二阳极层；

所述第一阳极层和所述第二阳极层电连接。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述面板基材还包括设于所述基板一侧的薄膜晶体管层；

所述光电二极管结构设于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层与所述光电二极管结构相对应的区域的厚度为0.5um-2.5um。

7.一种显示装置，其特征在于，包括，如权利要求1-6中任一项所述的显示面板。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板的一侧制备相分离的光电二极管结构和色阻结构；

在所述光电二极管结构和所述色阻结构均远离所述基板的一侧制备待生成保护层的膜层；根据所述光电二极管结构和所述色阻结构的第一表面与所述基板之间的距离，控制所述待生成保护层的膜层对应的所述光电二极管结构和所述色阻结构的区域的曝光量，得到所述保护层；所述光电二极管结构和所述色阻结构中，一个结构的第一表面与所述基板之间的距离小于另一个结构的第一表面与所述基板之间的距离，使得所述保护层中对应所述一个结构的区域的亲水性大于对应所述另一个结构的区域的亲水性；所述第一表面为每个结构远离所述基板的表面；

在所述保护层远离所述光电二极管结构和所述色阻结构的一侧制备平坦层，使得所述平坦层远离所述基板的表面与所述基板平行。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述光电二极管结构和所述色阻结构均远离所述基板的一侧制备待生成保护层的膜层，包括：

在所述光电二极管结构和所述色阻结构均远离所述基板的一侧制备第一保护层，所述第一保护层为亚克力树脂材料；

在所述第一保护层远离所述光电二极管结构和所述色阻结构的一侧制备第二保护层，所述第二保护层为在不同曝光量下生成的具有不同聚合度区域的亲水性树脂材料。

10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述根据所述光电二极管结构和所述色阻结构的第一表面与所述基板之间的距离，控制所述待生成保护层的膜层对应的所述光电二极管结构和所述色阻结构的区域的曝光量，得到所述保护层，包括：

若所述光电二极管结构的第一表面与所述基板之间的距离小于所述色阻结构的第一表面与所述基板之间的距离，则控制所述第二保护层中对应所述光电二极管结构的区域的曝光量大于对应所述色阻结构的区域的曝光量；

若所述光电二极管结构的第一表面与所述基板之间的距离大于所述色阻结构的第一表面与所述基板之间的距离，则控制所述第二保护层中对应所述光电二极管结构的区域的曝光量小于对应所述色阻结构的区域的曝光量。

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