CN111739909A - 显示设备和显示设备的制造方法 - Google Patents

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崔容硕
金秀珍
池宇万
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Abstract

本申请涉及显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括基衬底、多个显示元件、第一光控制层和第二光控制层。基衬底包括像素区域和邻近像素区域的周边区域。显示元件设置在基衬底上，在平面图中与像素区域重叠，并且配置成产生第一光。第一光控制层设置在显示元件上，并且包括配置成透射第一光的透射部、配置成将第一光转换为第二光的第一光转换部和配置成将第一光转换为第三光的第二光转换部。第二光控制层的至少一部分在平面图中与第一光转换部重叠并且配置成将第一光转换为第二光。

Description

显示设备和显示设备的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月25日提交的第10-2019-0033840号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有的目的通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施方式大体涉及显示设备和制造显示设备的方法，并且更具体地，涉及具有改善光效率的显示设备和制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备可包括选择性地透射从光源所产生的源光的透射显示面板和从显示面板本身产生源光的发光显示面板。显示面板可包括取决于像素的不同类型的颜色控制层，以生成彩色图像。这些颜色控制层可仅透射源光中的具有一定波长范围的部分，或可转换源光的颜色。一些颜色控制层可以不改变源光的颜色，但是可改变光的特性。
该部分中所公开的以上信息仅是用于理解发明构思的背景，并且因此，可包括不形成现有技术的信息。
发明内容
一些示例性实施方式能够通过增加一些光的转换效率来提供具有改善光效率的显示设备。
一些示例性实施方式能够提供制造显示设备的方法，该方法能够通过添加简单的工艺增加显示设备的光效率。
另外的方面将在以下详细描述中阐述，并且根据本公开将部分地显而易见，或者可通过实践发明构思而习得。
根据一些示例性实施方式，显示设备包括基衬底、多个显示元件、第一光控制层和第二光控制层。基衬底包括像素区域和邻近像素区域的周边区域。多个显示元件设置在基衬底上，在平面图中与像素区域重叠，并且配置成产生第一光。第一光控制层设置在多个显示元件上，并且包括配置成透射第一光的透射部、配置成将第一光转换为第二光的第一光转换部和配置成将第一光转换为第三光的第二光转换部。第二光控制层的至少一部分在平面图中与第一光转换部重叠并且配置成将第一光转换为第二光。
根据一些示例性实施方式，显示设备包括基衬底、显示元件、第一光控制层和第二光控制层。基衬底包括像素区域和邻近像素区域的周边区域。显示元件设置在基衬底上并且在平面图中与像素区域重叠。显示元件配置成产生第一光。第一光控制层设置在显示元件上并且在平面图中与像素区域重叠。第一光控制层配置成将第一光转换为第二光。第二光控制层包括在平面图中与第一光控制层重叠的一部分。第二光控制层配置成将第一光转换为第二光。
根据一些示例性实施方式，制造显示设备的方法包括准备上部显示衬底、准备下部显示衬底以及将上部显示衬底和下部显示衬底彼此联接，其中，上部显示衬底包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域以及邻近第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的周边区域，下部显示衬底包括配置成产生第一光的多个显示元件。准备上部显示衬底包括准备基衬底、在基衬底的表面上设置第一光控制层以及在第一光控制层上设置第二光控制层。第一光控制层包括透射部、第一光转换部和第二光转换部，其中，透射部与第一像素区域对应并且配置为透射第一光；第一光转换部与第二像素区域对应并且配置为将第一光转换第二光；第二光转换部与第三像素区域对应并且配置为将第一光转换为第三光。第二光控制层配置成将第一光转换为第二光。
前面的概括描述和接下来的详细描述是示例性和说明性的并且旨在提供对所要求的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释发明构思的原理，附图被包括以提供对发明构思的进一步理解并且并入该说明书中且构成该说明书的一部分。在附图中：
图1是根据一些示例性实施方式的显示设备的立体图；
图2是根据一些示例性实施方式的显示设备的平面图；
图3是根据一些示例性实施方式的沿着图2的剖面线I-I’截取的剖视图；
图4是根据一些示例性实施方式的沿着图2的剖面线I-I’截取的显示设备的剖视图；
图5是根据一些示例性实施方式的沿着图2的剖面线I-I’截取的显示设备的剖视图；
图6是根据一些示例性实施方式的沿着图2的剖面线I-I’截取的显示设备的剖视图；
图7A、图7B、图7C和图7D是根据各示例性实施方式的与图3的区域A对应的剖视图；
图8是根据一些示例性实施方式的显示设备的平面图；
图9是根据一些示例性实施方式的沿着图8的剖面线II-II’截取的剖视图；
图10是根据一些示例性实施方式的像素的等效电路图；
图11是根据一些示例性实施方式的示出显示面板一部分的剖视图；
图12A、图12B、图12C和图12D是根据一些示例性实施方式的处于各个制造阶段的显示设备的剖视图；以及
图13是根据一些示例性实施方式的处于制造阶段的显示设备的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了诸多特定细节以供透彻理解各示例性实施方式。如本文中所使用的那样，术语“实施方式”和“实施例”可交换地使用并且是采用了本文中公开的发明构思中的一个或多个的非限制性示例。然而，显而易见，各示例性实施方式可在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或多个等同布置的情况下来实施。在其他情况中，为了避免不必要地混淆各示例性实施方式，以框图形式示出公知的结构和设备。此外，各示例性实施方式可以是不同的，但是不必是排他的。例如，在没有脱离发明构思的情况下，可在另一示例性实施方式中使用或实现示例性实施方式的特定形状、配置和特性。
除非另行指出，否则所示示例性实施方式要理解成提供一些示例性实施方式的可变的细节的示例性特征。因此，除非另行指出，否则在没有脱离发明构思的情况下，各示意图的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中单独地或统称为“元件”)可另行组合、分离、交换和/或重新排列。
在附图中，剖面线和/或阴影的使用通常用于使相邻元件之间的边界清楚。这样，除非指明，否则存在或不存在剖面线或阴影均不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或对元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述性的目的，可放大元件的尺寸和相对尺寸。这样，各个元件的尺寸和相对尺寸不一定局限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当示例性实施方式可不同地执行时，可与所描述的顺序不同地执行特定过程顺序。例如，两个连续描述的过程可基本同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序来执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件“上”、“连接至”或“联接至”另一元件时，它可直接在所述另一元件上、直接连接至或直接联接至所述另一元件，或者可存在介于中间的元件。然而，当元件被称为直接在另一元件“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件时，不存在介于中间的元件。另外，出于本公开的目的，短语“直接地接触”意味着在直接接触的元件之间未添加元件。例如，“直接接触”第二元件的第一元件可指第一元件设置在第二元件上，而在第一元件和第二元件之间不存在诸如粘合构件的附加的元件。
用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语应以相同的方式进行解释，例如，“在…之间”与“直接地在…之间”、“相邻”与“直接地相邻”、“在…上”与“直接地在…上”等。此外，术语“连接”可表示物理的、电的和/或流体的连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意义进行解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可垂直于彼此，或者可表示不垂直于彼此的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z构成的群组中选择的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的那样，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。
虽然本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在没有脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
空间相对术语，诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“之下(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“之上(over)”、“高(higher)”、“侧(side)”(例如，如“侧壁”中那样)等，可出于描述性目的在本文中被使用，并且因此可用来描述如附图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件于是将定向成在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上方和下方两个定向。此外，装置可另行定向(例如，旋转90度或者处于其他定向)，并且正因如此，本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。
本文中使用的术语是出于描述具体实施方式的目的，而并非旨在进行限制。如本文中所使用的那样，除非上下文清楚地另行指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在还包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指出存在所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合，但是不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。另外值得注意的是，如本文中所使用的那样，术语“基本上”、“约”以及其他相似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且正因如此，用于为测量值、计算值和/或提供值中的、本领域普通技术人员将意识到的固有偏差留出余量。
本文中参考剖视图、等距视图、立体图、平面图和/或分解示意图描述了各示例性实施方式，上述这些图是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图。这样，应设想到由于例如制造技术和/或公差引起的与图示的形状的变动。因此，本文中公开的示例性实施方式不应解释为局限于具体示出的区域形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差。为此，附图中所示的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可不反映设备的区域的实际形状，并且正因如此，并非旨在进行限制。
除非另行限定，否则本文中使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语，诸如常用词典中所定义的那些，应解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且将不在理想化或过于正式的意义上进行解释，除非本文中明确地限定成这样。
如本领域中惯用的那样，针对功能性块、单元和/或模块，在附图中示出且描述了一些示例性实施方式。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过可利用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、离散组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接器等的电气(或光学)电路物理上地实现。在块、单元和/或模块通过微处理器或其他相似硬件实现的情况下，可利用软件(例如，微代码)对它们进行编程并控制它们以执行本文中讨论的各种功能，并且可选择性地通过固件和/或软件来驱动它们。还可设想到，每个块、单元和/或模块可通过专用硬件来实现，或者可实现为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程式微处理器和关联的电路)的组合。另外，在没有脱离发明构思的情况下，一些示例性实施方式的每个块、单元和/或模块可物理上分离成两个或更多个交互的且离散的块、单元和/或模块。此外，在没有脱离发明构思的情况下，一些示例性实施方式的块、单元和/或模块可物理上组合成更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中，将参考附图详细地解释各示例性实施方式。
图1是根据一些示例性实施方式的显示设备的立体图。图2是根据一些示例性实施方式的显示设备的平面图。图3是根据一些示例性实施方式的沿着图2的剖面线I-I′截取的剖视图。
参考图1，显示设备DD包括显示元件OLED、设置在显示元件OLED上的第一光控制层CCL1以及第二光控制层CCL2。
根据一些示例性实施方式的显示元件OLED可以是作为自发光元件的有机发光二极管OLED，并且有机发光二极管OLED可产生第一光。例如，由有机发光二极管OLED提供的第一光可以是蓝光，并且蓝光可以是与410nm至480nm的波长区域的光对应的光。
显示设备DD还可包括设置成彼此面对的第一衬底SUB1和第二衬底SUB2，并且有机发光二极管OLED可设置在第二衬底SUB2上。
参考图2，一些示例性实施方式的显示设备DD可包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。非显示区域NDA可设置在显示区域DA的外部(例如，设置在显示区域DA的外周边上)。
显示设备DD可具有四边形形状，该四边形形状具有由第一方向DR1的轴和第二方向DR2的轴所限定的平面；然而，示例性实施方式不限于此。显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状可以是相互相关设计的。
虽然在图2中，显示设备DD示出为具有平坦的显示表面，但是示例性实施方式不限于此。在一些示例性实施方式中，显示设备DD可包括弯曲显示表面或三维显示表面。三维显示表面可包括指示不同方向的多个显示区域，并且例如可包括多边形柱类型的显示表面。
显示区域DA可包括多个像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R。像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R可通过例如多条栅极线和多条数据线来限定。像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R可设置成矩阵形式。待稍后描述的像素可设置在像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R中的每一个中。
显示设备DD可包括在平面图中彼此邻近设置且发射不同波长的光的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。在一些示例性实施方式中，第一像素区域可以是蓝色像素区域Pxa-B，第二像素区域可以是绿色像素区域Pxa-G，以及第三像素区域可以是红色像素区域Pxa-R。例如，在一些示例性实施方式中，显示设备DD可包括蓝色像素区域Pxa-B、绿色像素区域Pxa-G和红色像素区域Pxa-R。蓝色像素区域Pxa-B可以是用于发射蓝光的蓝色发光区域，并且绿色像素区域Pxa-G和红色像素区域Pxa-R可分别代表绿色发光区域和红色发光区域。
在一些示例性实施方式中，显示设备DD可以是刚性显示设备，但是示例性实施方式不限于此。根据一些示例性实施方式的显示设备DD可以是柔性显示设备或混合刚性和柔性的显示设备。
参考图3，一些示例性实施方式的显示设备DD可包括彼此面对的第一衬底SUB1和第二衬底SUB2。第一衬底SUB1和第二衬底SUB2可分别是聚合物衬底、塑料衬底、玻璃衬底和石英衬底中的至少一者。第一衬底SUB1和第二衬底SUB2中的每一个可以是透明绝缘衬底。第一衬底SUB1和第二衬底SUB2中的每一个可以是刚性的。第一衬底SUB1和第二衬底SUB2中的每一个可以是柔性的。在图3中，显示设备DD示出为包括第一衬底SUB1和第二衬底SUB2；然而，示例性实施方式不限于此。例如，可省略第一衬底SUB1和第二衬底SUB2中的至少任一个。
显示设备DD可包括设置在第二衬底SUB2上的电路层CL。下面将参考图11更详细地描述电路层CL。
在一些示例性实施方式中，显示设备DD可包括与第一像素区域Pxa-B重叠的第一有机发光二极管OLED、与第二像素区域Pxa-G重叠的第二有机发光二极管OLED以及与第三像素区域Pxa-R重叠的第三有机发光二极管OLED。
第一有机发光二极管OLED至第三有机发光二极管OLED中的每一个可包括依次层叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发光层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。
第一有机发光二极管OLED至第三有机发光二极管OLED的发光层EML具有一体的形状，并且可公共地设置在第一像素区域Pxa-B、第二像素区域Pxa-G和第三像素区域Pxa-R以及周边区域NPxa中。发光层EML可产生第一光。例如，发光层EML可产生蓝光。
封装构件TFE设置在有机发光二极管OLED上并且封装有机发光二极管OLED。封装构件TFE可包括设置在最外侧周边上的无机膜IL。封装构件TFE还可包括有机膜OL，或可具有无机膜IL和有机膜OL交替地重复的结构。封装构件TFE可用于保护有机发光二极管OLED免受水分和/或氧气的影响并且保护有机发光二极管OLED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。
在一些示例性实施方式中，无机膜IL可包括能够保护有机发光二极管OLED的任何材料，而没有任何特别的限制，例如，诸如可包括硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOyNx)、硅氧化物(SiOy)、钛氧化物(TiOy)、铝氧化物(AlOy)等中的至少一者。
有机膜OL可包括丙烯酸酯基有机材料，但是不特别限制于此。无机膜IL可通过沉积方法等形成，并且有机膜OL可通过沉积方法、涂覆方法等形成。
根据一些示例性实施方式的显示设备DD包括第一光控制层CCL1和第二光控制层CCL2。
第一光控制层CCL1包括透射第一光的透射部TP、将第一光转换为第二光的第一光转换部CCP1以及将第一光转换为第三光的第二光转换部CCP2。例如，第二光可以是绿光，并且绿光可以是与500nm至570nm的波长区域的光对应的光。第三光可以是红光，并且红光可以是与625nm至675m的波长区域的光对应的光。
第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2可包括发光体。发光体可以是转换光的波长的颗粒。在一些示例性实施方式中，第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2中所包括的发光体可以是量子点，但是示例性实施方式不限于此。
量子点是具有几纳米尺寸的晶体结构的材料并且由数百至数千个原子构成。由于量子点的较小的尺寸，量子点表现出增加能带隙的量子局限效应。当具有比带隙更高的能量的波长的光入射到量子点上时，量子点通过吸收光被激发并且通过发射另一(例如，特定)波长的光返回到基态。所发射的光的波长具有与带隙对应的值。当调整量子点的尺寸和成分时，可调整由量子局限效应所导致的发光性质。
可从II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和/或它们的任何组合中的至少一者选择量子点。
II-VI族化合物可从由以下构成的群组中选择：从由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和/或包括二元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的二元化合物、从由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和/或包括三元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的三元化合物以及从由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和/或包括四元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的四元化合物。
III-V族化合物可从由以下构成的群组中选择：从由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和/或包括二元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的二元化合物、从由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和/或包括三元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的三元化合物以及从由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和/或包括四元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的四元化合物。
IV-VI族化合物可从由以下构成的群组中选择：从由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和/或包括二元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的二元化合物、从由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和/或包括三元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的三元化合物以及从由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和/或包括四元元素化合物中的至少一者的组合构成的群组中选择的四元化合物。IV族元素可从由Si、Ge和它们的混合物构成的群组中选择。IV族化合物可以是从由SiC、SiGe和它们的混合物构成的群组中选择的二元化合物。
在一些示例性实施方式中，二元化合物、三元化合物或四元化合物可存在于具有均匀的浓度分布的颗粒中，或可存在于具有局部不同的浓度的相同的颗粒中。
量子点可具有其中包括核和围绕核的壳的核-壳结构。此外，量子点可具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核和壳之间的界面可具有其中壳中所存在的元素的浓度向中心降低的浓度梯度。
量子点可以是具有纳米尺寸的颗粒。量子点可具有约45nm或更小(例如约40nm或更小(例如，约30nm或更小))的发光波长光谱的半高全宽(FWHM)，并且可在上述范围内改善颜色纯度或颜色再现性。此外，通过这样的量子点发射的光在所有的方向上发射，使得可改善宽视角。
此外，量子点的形式不受特别限制。例如，量子点的形式可以是本领域中通常所使用的形式。例如，可使用呈球形、圆锥形、多臂、或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米颗粒等形式的量子点。
量子点可根据其颗粒尺寸来改变发射光的颜色。例如，第一光转换部CCP1中所包括的量子点的颗粒尺寸可小于第二光转换部CCP2中所包括的量子点的颗粒尺寸。以这样的方式，第一光转换部CCP1中所包括的量子点可发射比第二光转换部CCP2中所包括的量子点更短波长的光。
在一些示例性实施方式中，第一光控制层CCL1可包括基底树脂和发光体。第一光控制层CCL1还可包括散射颗粒。发光体和散射颗粒可包括在第一光控制层CCL1的仅仅一部分中。在一些示例性实施方式中，透射部TP可不包括发光体，但是可包括散射颗粒。第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2可包括发光体和散射颗粒两者。
第一光控制层CCL1可包括透射部TP以及多个光转换部CCP1和CCP2。在一些示例性实施方式中，透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2中的每一个可在平面图中彼此间隔开。参考图3，透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2中的每一个可在由第一方向DR1的轴和第三方向DR3的轴所限定的平面图中彼此间隔开。
透射部TP可设置成与第一像素区域Pxa-B对应，第一光转换部CCP1可设置成与第二像素区域Pxa-G对应，并且第二光转换部CCP2可设置成与第三像素区域Pxa-R对应。
如图3中所见，透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2示出为具有相同的面积或相同的厚度。然而，示例性实施方式不限于此。透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2可具有不同的面积和/或不同的厚度。例如，第二光转换部CCP2可具有比透射部TP和第一光转换部CCP1更大的面积。在一些示例性实施方式中，透射部TP可具有比第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2更小的面积。
光阻挡图案BP可设置在彼此间隔开的透射部TP和第一光转换部CCP1之间，和/或设置在第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2之间。如图3中所见，光阻挡图案BP示出为设置在透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2中的每一个之间；然而，示例性实施方式不限于此。例如，在根据一些示例性实施方式的显示设备DD中，可省略光阻挡图案BP。
第二光控制层CCL2的至少一部分在平面图中与第一光转换部CCP1重叠。在一些示例性实施方式中，在平面图中，第二光控制层CCL2与第一光转换部CCP1重叠，并且还可与透射部TP和第二光转换部CCP2重叠。第二光控制层CCL2可在平面图中与第一光控制层CCL1完全地重叠。
在一些示例性实施方式中，第二光控制层CCL2可接触第一光控制层CCL1。第二光控制层CCL2设置在第一光控制层CCL1的下部分上，并且可接触第一光控制层CCL1的下表面。第二光控制层CCL2可接触第一光控制层CCL1的第一光转换部CCP1的下表面。
第二光控制层CCL2可具有与第一光控制层CCL1基本相同的折射率。第二光控制层CCL2可具有与第一光转换部CCP1基本相同的折射率。在一些示例性实施方式中，第二光控制层CCL2包括与第一光转换部CCP1相同的基底树脂，并且可具有与第一光转换部CCP1基本相同的折射率。
第二光控制层CCL2可将第一光转换为第二光。例如，第一光可以是蓝光，并且第一光控制层CCL1的第一光转换部CCP1可将蓝光转换为绿光，并且第二光控制层CCL2也可将蓝光转换为绿光。然而，示例性实施方式不限于此。第二光控制层CCL2可按照与第二光转换部CCP2相同的方式将蓝光转换为红光。
第二光控制层CCL2可包括发光体。第二光控制层CCL2中所包括的发光体可以是量子点。第二光控制层CCL2中所包括的发光体可将第一光转换为第二光。例如，第二光控制层CCL2中所包括的发光体可以是第一光转换部CCP1中所包括的相同的发光体，并且可将蓝光转换为绿光。然而，示例性实施方式不限于此。第二光控制层CCL2中所包括的发光体可以是第二光转换部CCP2中所包括的相同的发光体，并且可将蓝光转换为红光。可替代地，第二光控制层CCL2可包括将蓝光转换为红光的发光体和将蓝光转换为绿光的发光体两者。在一些示例性实施方式中，第二光控制层CCL2可不包括发光体，而是可包括散射颗粒。
在一些示例性实施方式中，显示设备DD可包括滤色器层CFL。滤色器层CFL可设置在第一光控制层CCL1上，并且可包括第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP和第三滤色器部R-CFP以及光阻挡构件BM。
在一些示例性实施方式中，第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP和第三滤色器部R-CFP可在平面图中彼此间隔开。参考图3，第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP和第三滤色器部R-CFP可沿着第一方向DR1彼此间隔开。
第一滤色器部B-CFP可设置成与透射部TP对应并且透射第一光。第二滤色器部G-CFP可设置成与第一光转换部CCP1对应并且阻挡第一光且透射第二光。第三滤色器部R-CFP可设置成与第二光转换部CCP2对应并且阻挡第一光且透射第三光。通过在显示设备DD中包括滤色器层CFL，可有效地减少外部光反射，并且可防止或至少减少色彩混合。
与周边区域NPxa相对应地设置有光阻挡构件BM。光阻挡构件BM可通过包括有机光阻挡材料或无机光阻挡材料形成，该有机光阻挡材料或无机光阻挡材料均包括黑色颜料或黑色染料。光阻挡构件BM可防止(或至少减少)光泄漏现象并且区分开相邻滤色器部之间的边界。光阻挡构件BM的至少一部分可设置成与相邻滤色器部重叠。例如，在由第一方向DR1的轴和第三方向DR3的轴所限定的平面图中，可设置光阻挡构件BM，使得光阻挡构件BM的至少一部分可在第一方向DR1上与相邻滤色器部重叠。如图3中所见，光阻挡构件BM示例性地示出为在第一方向DR1上与相应的滤色器部完全地重叠，使得光阻挡构件BM的厚度与整个滤色器层CFL的厚度相同。然而，示例性实施方式不限于此。光阻挡构件BM的厚度可小于整个滤色器层CFL的厚度。在一些示例性实施方式中，光阻挡构件BM被公开为包括在滤色器层CFL中。然而，示例性实施方式不限于此。可省略光阻挡构件BM。
填充层BFL可设置在封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间。填充层BFL可设置在封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间，以防止第二光控制层CCL2与封装构件TFE接触并且改善显示设备DD的光提取效率。
在一些示例性实施方式中，填充层BFL可填充在封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间。充填在封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间可指：在封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间的空间填充填充层BFL，使得封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间不存在内部空间，并且填充层BFL接触封装构件TFE和第二光控制层CCL2。
填充层BFL可防止第二光控制层CCL2中所包括的发光体和/或散射颗粒等免受内部空气氧化，并且因此，可保持显示设备DD的光提取效率，而没有较大的变化。
在一些示例性实施方式中，填充层BFL可直接地设置在无机膜IL上，该无机膜IL设置在封装构件TFE的最外侧周边上。填充层BFL可包括无机粘结剂、有机粘结剂或液晶化合物，但是不特别限制于此。
如图3中所见，填充层BFL示例性地示出为设置在封装构件TFE和第二光控制层CCL2之间，但是示例性实施方式不限于此。在根据一些示例性实施方式的显示设备DD中，可省略填充层BFL。在该情况中，第二光控制层CCL2可直接地设置在封装构件TFE的上表面上，例如，直接地设置在封装构件TFE的无机膜IL上。
根据各示例性实施方式，关于将第一光转换为第二光的第一光转换部，显示设备可包括在平面图中与第一光转换部重叠的第二光控制层。此外，第二光控制层可按照与第一光转换部相同的方式将第一光转换为第二光。因此，根据一些示例性实施方式的显示设备可增加具有特定波长或波长范围的光的光转换效率。这样，可增加显示设备的整体的光效率。
图4至图6是根据各示例性实施方式的显示设备的剖视图。在根据各示例性实施方式的图4至图6中所示的显示设备DD-1、DD-2和DD-3中，示出了与图2的剖面线I-I′对应的截面。在下文中，在图4至图6的描述中，参考图3所描述的元件被给予相同的附图标记并且主要省略重复组件的描述。
参考图4，在根据一些示例性实施方式的显示设备DD-1中，第二光控制层CCL2-1可设置在滤色器层CFL和第一光控制层CCL1之间。可设置第二光控制层CCL2-1，使得第二光控制层CCL2-1的至少一部分与第一光转换部CCP1和第二滤色器部G-CFP重叠。在滤色器层CFL和第一光控制层CCL1之间，可设置第二光控制层CCL2-1使得第二光控制层CCL2-1的至少一部分可接触第一光转换部CCP1的上表面。
参考图5，在根据一些示例性实施方式的显示设备DD-2中，第二光控制层CCL2-2可包括第一子光转换部CCL2-SUB1和第二子光转换部CCL2-SUB2。
第一子光转换部CCL2-SUB1可在平面图中与第一光转换部CCP1完全地重叠。可图案化第一子光转换部CCL2-SUB1和第一光转换部CCP1，以便与第二像素区域Pxa-G完全地重叠并且不与周边区域NPxa、第一像素区域Pxa-B和第三像素区域Pxa-R重叠。
第一子光转换部CCL2-SUB1可接触第一光转换部CCP1。第一子光转换部CCL2-SUB1可按照与第一光转换部CCP1相同的方式将第一光转换为第二光。第一子光转换部CCL2-SUB1可包括与第一光转换部CCP1中所包括的发光体相同的发光体。例如，第一光转换部CCP1可包括将蓝光转换为绿光的量子点，并且第一子光转换部CCL2-SUB1也可包括将蓝光转换为绿光的量子点。
第二子光转换部CCL2-SUB2可在平面图中不与第一光转换部CCP1重叠。第二子光转换部CCL2-SUB2可在平面图中与透射部TP和第二光转换部CCP2重叠，并且可包括多个散射颗粒。第二子光转换部CCL2-SUB2可不包括第一光转换部CCP1中所包括的发光体。
在根据一些示例性实施方式的显示设备DD-2中，第二光控制层CCL2-2可被图案化且设置成在平面上仅与第一光转换部CCP1重叠。由于将第一光转换为第二光的第二光控制层CCL2-2被设置成在平面图中仅与第一光转换部CCP1重叠并且不与透射部TP和第二光转换部CCP2重叠，所以可增加向第二光的光转换效率并且可防止或至少减少色彩混合。
参考图6，根据一些示例性实施方式的显示设备DD-3还可包括第一盖层CAP1和第二盖层CAP2中的至少一个。
在一些示例性实施方式中，盖层可设置在第二光控制层CCL2和填充层BFL之间、和/或设置在第一光控制层CCL1和滤色器层CFL之间。在一些示例性实施方式中，第一盖层CAP1可设置在第一光控制层CCL1的上表面上，例如，设置在第一光控制层CCL1和滤色器层CFL之间，并且第二盖层CAP2可设置在第二光控制层CCL2的下表面上，例如，设置在第二光控制层CCL2和填充层BFL之间。盖层可由无机材料组成，并且无机材料的种类不受特别限制。盖层可设置成围绕第一光控制层CCL1和第二光控制层CCL2，并且保护第一光控制层CCL1和第二光控制层CCL2。
图7A至图7D是根据各示例性实施方式的与图3的区域A对应的一部分的剖视图。在下文中，参考图7A至图7D，将更详细地描述第一光转换部和第二光控制层。在下文中，在图7A至图7D的描述中，相同的附图标记被给予以上所描述的元件并且主要省略重复的说明。
参考图7A，第一光转换部CCP1可包括第一发光体EP1、第一散射颗粒SC1和第一基底树脂BR1。第二光控制层CCL2可包括第二发光体EP2、第二散射颗粒SC2和第二基底树脂BR2。
第一基底树脂BR1和第二基底树脂BR2是其中散布有发光体的介质，并且可由通常可称为粘合剂的各种树脂组分组成。然而，示例性实施方式不限于此。在本说明书中，只要它可散布且设置发光体，任何介质均可被称为基底树脂，而与名称、附加的功能、组成材料等无关。基底树脂可以是聚合物树脂。例如，基底树脂可以是丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、硅树脂基树脂和环氧树脂等中的至少一者。基底树脂可以是透明树脂。
第一基底树脂BR1和第二基底树脂BR2可具有基本相同的折射率。在一些示例性实施方式中，第一基底树脂BR1和第二基底树脂BR2可由相同的材料组成并且可具有基本相同的折射率。
第一发光体EP1和第二发光体EP2可以是转换光的波长的颗粒。在一些示例性实施方式中，第一发光体EP1和第二发光体EP2可以是量子点。
第一发光体EP1和第二发光体EP2可以是将第一光转换为第二光的颗粒。在一些示例性实施方式中，第一发光体EP1和第二发光体EP2可以是将蓝光转换为绿光的量子点。第一发光体EP1和第二发光体EP2可包括相同的材料，并且可以是相同尺寸的量子点。
第一发光体EP1可以均匀地散布在第一光转换部CCP1中。第二发光体EP2可以均匀地散布在第二光控制层CCL2中。第二发光体EP2可以均匀地散布在第二光控制层CCL2中，从而散布在与第二光转换部CCP2和透射部TP(参见图3)重叠的区域中。
第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2可以是二氧化钛(TiO2)和硅基纳米颗粒中的至少一者，但是示例性实施方式不限于此。第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2可散射光。第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2可包括相同的材料。第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2可以是相同的颗粒。在一些示例性实施方式中，可省略第一散射颗粒SC1和第二散射颗粒SC2。
参考图7B，第二光控制层可包括第一子光转换部CCL2-SUB1和第二子光转换部CCL2-SUB2。
第一子光转换部CCL2-SUB1可被图案化成在平面图中与第一光转换部CCP1完全地重叠。第一子光转换部CCL2-SUB1可接触第一光转换部CCP1。
第一子光转换部CCL2-SUB1可包括第二基底树脂BR2-1、第二发光体EP2-1和第二散射颗粒SC2-1。
第二基底树脂BR2-1可具有与第一基底树脂BR1基本相同的折射率。在一些示例性实施方式中，第一基底树脂BR1和第二基底树脂BR2-1可由相同的材料组成并且可具有基本相同的折射率。
第一子光转换部CCL2-SUB1中所包括的第二发光体EP2-1可以是按照与第一光转换部CCP1中所包括的第一发光体EP1相同的方式将第一光转换为第二光的颗粒。在一些示例性实施方式中，第一发光体EP1和第二发光体EP2-1可以是将蓝光转换为绿光的量子点。第一发光体EP1和第二发光体EP2-1可包括相同的材料，并且可以是相同尺寸的量子点。
第二子光转换部CCL2-SUB2可包括第二基底树脂BR2-2和第二散射颗粒SC2-2。第二子光转换部CCL2-SUB2可不包括发光体。例如，在根据一些示例性实施方式的第二光控制层中，发光体可仅包括在与第一光转换部CCP1重叠的第一子光转换部CCL2-SUB1中，但是不包括在不与第一光转换部CCP1重叠的第二子光转换部CCL2-SUB2中。
参考图7C，第一光转换部CCP1-1可具有比光阻挡图案BP小的厚度。在截面上(或在剖视图中)，第一光转换部CCP1-1的高度可小于或等于光阻挡图案BP的高度。
在一些示例性实施方式中，第一子光转换部CCL2-SUB11可设置在当第一光转换部CCP1-1的厚度小于光阻挡图案BP的厚度时所产生的梯状部分中。在图7C中，第二光控制层示出为被图案化以便包括第一子光转换部CCL2-SUB11和第二子光转换部CCL2-SUB2。然而，示例性实施方式不限于此。第二光控制层可以是整体形成的单层。在截面上，第一光转换部CCP1-1的高度和第一子光转换部CCL2-SUB11的高度的总和可大于或等于光阻挡图案BP的高度。
参考图7D，中间部分CCP-M可包括在第一光转换部CCP1-2和第一子光转换部CCL2-SUB12之间。
中间部分CCP-M可包括基底树脂BR-M和散射颗粒SC-M。中间部分CCP-M中所包括的基底树脂BR-M可具有与第一光转换部CCP1-2中所包括的第一基底树脂BR1-2和第一子光转换部CCL2-SUB12中所包括的第二基底树脂BR2-1相同的折射率。基底树脂BR-M可包括与第一光转换部CCP1-2中所包括的第一基底树脂BR1-2和第一子光转换部CCL2-SUB12中所包括的第二基底树脂BR2-1相同的材料。中间部分CCP-M可不包括发光体。
图8是根据一些示例性实施方式的显示设备的平面图。图9是根据一些示例性实施方式的沿着图8的剖面线II-II’截取的剖视图。在下文中，在图8和图9的描述中，相同的附图标记被给予以上所描述的元件并且主要省略重复的说明。
参考图8和图9，在根据一些示例性实施方式的显示设备DD-4中，显示区域DA可包括多个像素区域Pxa-B、Pxa-G、Pxa-R和Pxa-W。
除了第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域之外，显示设备DD-4还可包括第四像素区域。在一些示例性实施方式中，第一像素区域可以是蓝色像素区域Pxa-B，第二像素区域可以是绿色像素区域Pxa-G，第三像素区域可以是红色像素区域Pxa-R，以及第四像素区域可以是白色像素区域Pxa-W。例如，在一些示例性实施方式中，显示设备DD-4可包括蓝色像素区域Pxa-B、绿色像素区域Pxa-G、红色像素区域Pxa-R和白色像素区域Pxa-W。蓝色像素区域Pxa-B可以是用于发射蓝光的蓝色发光区域，并且绿色像素区域Pxa-G和红色像素区域Pxa-R可分别代表用于发射绿光的绿色发光区域和用于发射红光的红色发光区域。白色像素区域Pxa-W可表示用于发射白光的区域。
第一光控制层CCL1-1可包括透射第一光的透射部TP、将第一光转换为第二光的第一光转换部CCP1、将第一光转换为第三光的第二光转换部CCP2以及将第一光转换为第四光的第三光转换部CCPW。第四光可以是白光。
第三光转换部CCPW可包括发光体。第三光转换部CCPW中所包括的发光体可以是量子点。在一些示例性实施方式中，第三光转换部CCPW中所包括的发光体可将第一光转换为第二光，并且第三光转换部CCPW中所包括的发光体可将第一光转换为第三光。第三光转换部CCPW中所包括的发光体可将蓝光转换为红光或绿光。可替代地，第三光转换部CCPW可包括将蓝光转换为红光的发光体和将蓝光转换为绿光的发光体两者。在一些示例性实施方式中，可省略第三光转换部CCPW。
在一些示例性实施方式中，显示设备DD-4还可包括设置在第一光控制层CCL1-1上的滤色器层CFL-1，并且滤色器层CFL-1可包括第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP、第三滤色器部R-CFP和第四滤色器部W-CFP以及光阻挡构件BM。
第四滤色器部W-CFP设置成与第三光转换部CCPW对应，并且可透射与可见光区域对应的光。第四滤色器部W-CFP可根据光的波长具有不同的透射率。在一些示例性实施方式中，可省略第四滤色器部W-CFP。
图10是根据一些示例性实施方式的像素的等效电路图。图11是根据一些示例性实施方式的示出显示面板一部分的剖视图。
例如，图10示出了扫描线GL、数据线DL、电力线PL和连接至扫描线GL、数据线DL、电力线PL的像素PX。像素PX的配置不限于图10中所示的配置，并且可被修改和执行。
有机发光二极管OLED可以是前部发射型发光二极管、底部发射型发光二极管或双发射型发光二极管。像素PX包括第一晶体管T1(例如，驱动晶体管)、第二晶体管T2(例如，开关晶体管)和电容器Cst，作为用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路。第一电源电压ELVDD提供至第一晶体管T1，并且第二电源电压ELVSS提供至有机发光二极管OLED。第二电源电压ELVSS可以是低于第一电源电压ELVDD的电压。
第二晶体管T2响应于施加至扫描线GL的扫描信号输出施加至数据线DL的数据信号。电容器Cst充入与从第二晶体管T2接收的数据信号对应的电压。第一晶体管T1连接至有机发光二极管OLED。第一晶体管T1与存储在电容器Cst中的电荷量对应地控制有机发光二极管OLED中流动的驱动电流。
等效电路仅示出了一个示例性实施方式，但是示例性实施方式不限于此。像素PX还可包括多个晶体管，并且可包括多个电容器。有机发光二极管OLED可连接在电力线PL和第一晶体管T1之间。
图11示出了与一个像素对应的截面。在根据一些示例性实施方式的显示设备中，电路层CL、有机发光二极管OLED和封装构件TFE依次设置在第二衬底SUB2上。
在一些示例性实施方式中，电路层CL可包括第一绝缘层IS1、第二绝缘层IS2和第三绝缘层IS3。第一绝缘层IS1和第二绝缘层IS2可各自包括无机材料，并且无机材料的种类不受特别限制。第三绝缘层IS3可包括有机材料，并且有机材料的种类不受特别限制。虽然未示出，但是在第二衬底SUB2上还可设置可以是无机层的阻挡层。第一绝缘层IS1、第二绝缘层IS2和第三绝缘层IS3可各自具有单层结构或多层结构。
第一晶体管T1包括半导体图案SP、控制电极GE、输入电极SE和输出电极DE。半导体图案SP设置在第二衬底SUB2上。半导体图案SP可包括晶体半导体材料或非晶硅，但是示例性实施方式不限于此。
第一绝缘层IS1设置在第二衬底SUB2上。第一绝缘层IS1与显示区域DA和非显示区域NDA两者重叠，并且覆盖半导体图案SP。
控制电极GE设置在第一绝缘层IS1上。控制电极GE与半导体图案SP重叠。控制电极GE可通过与制造扫描线GL(参见图10)的光刻工艺相同的光刻工艺制造。
第二绝缘层IS2设置在第一绝缘层IS1上。第二绝缘层IS2覆盖第一绝缘层IS1和控制电极GE。输入电极SE和输出电极DE设置在第二绝缘层IS2上。输入电极SE和输出电极DE中的每一个通过限定在第一绝缘层IS1和第二绝缘层IS2上(或第一绝缘层IS1和第二绝缘层IS2中)的多个接触孔(例如，第一接触孔CH1和第二接触孔CH2)连接至半导体图案SP。第一晶体管T1可转变成具有底栅结构或双栅结构。
覆盖第一晶体管T1的第三绝缘层IS3设置在第二绝缘层IS2上。第三绝缘层IS3可提供平坦表面。
有机发光二极管OLED和像素限定膜PDL设置在第三绝缘层IS3上。像素限定膜PDL可包括有机材料。像素限定膜PDL的开口OP(或像素限定膜PDL中的开口OP)暴露第一电极EL1的至少一部分。像素限定膜PDL的开口OP可限定像素的发光区域Pxa。在一些示例性实施方式中，可省略像素限定膜PDL。
在一些示例性实施方式中，发光区域Pxa可与第一晶体管T1和第二晶体管T2中的至少一者重叠。在该情况中，开口OP可变得更宽，并且第一电极EL1也可变得更宽。
第一电极EL1设置在第三绝缘层IS3上。第一电极EL1可由金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。
空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可包括空穴注入层、空穴传输层、空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一者。
空穴传输区域HTR可包括具有由单个材料形成的单层的单层结构、具有由多个不同的材料形成的单层的单层结构或具有由多个不同的材料形成的多个层的多层结构。
例如，空穴传输区域HTR可包括具有空穴注入层或空穴传输层的单层的单层结构或具有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单层的单层结构。在一些示例性实施方式中，空穴传输区域HTR可包括具有由多个不同的材料形成的单层的单层结构，或具有依次层叠在第一电极EL1上的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/空穴缓冲层、空穴注入层/空穴缓冲层、空穴传输层/空穴缓冲层或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，但是示例性实施方式不限于此。
如上所述，除了空穴注入层和空穴传输层之外，根据一些示例性实施方式的空穴传输区域HTR还可包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一者。
发光层EML设置在空穴传输区域HTR上。发光层EML的厚度可以是例如约
Figure BDA0002421332410000231
至约
Figure BDA0002421332410000232
发光层EML可包括具有由单个材料形成的单层的单层结构、具有由多个不同的材料形成的单层的单层结构或具有由多个不同的材料形成的多个层的多层结构。
发光层EML可包括荧光发光材料或磷光发光材料。在一些示例性实施方式中，发光层EML可发射蓝光。发光层EML可发射410nm至480nm的波长区域的(或410nm至480nm的波长区域中)的光。
电子传输区域ETR设置在发光层EML上。电子传输区域ETR可包括空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一者，但是不限于此。
电子传输区域ETR可包括具有由单个材料形成的单层的单层结构、具有由多个不同的材料形成的单层的单层结构或具有由多个不同的材料形成的多个层的多层结构。例如，电子传输区域ETR可包括具有电子注入层或电子传输层的单层的单层结构或具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层的单层结构。在一些示例性实施方式中，电子传输区域ETR可包括具有由多个不同的材料形成的单层的单层结构，或具有从发光层EML依次层叠的电子传输层/电子注入层或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构，但是示例性实施方式不限于此。
第二电极EL2设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2具有导电性。第二电极EL2可由金属合金或导电化合物形成。第二电极EL2可以是阴极。第二电极EL2可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。
虽然未示出，但是第二电极EL2可连接至辅助电极。当第二电极EL2连接至辅助电极时，可减小第二电极EL2的电阻。
在第二电极EL2上可设置封装构件TFE。封装构件TFE公共地设置在像素区域Pxa-B、Pxa-G和Pxa-R(参见图3)以及周边区域NPxa中。封装构件TFE可直接覆盖第二电极EL2。封装构件TFE可包括至少一个无机膜IL并且还可包括有机膜OL，或可具有无机膜IL和有机膜OL交替地重复的结构。在一些示例性实施方式中，封装构件TFE可包括在最外侧周边处的无机膜IL。
在下文中，将参考附图描述根据一些示例性实施方式的制造显示设备的方法。
图12A至图12D是根据一些示例性实施方式的处于各个制造阶段的显示设备的剖视图。图13是根据一些示例性实施方式的处于制造阶段的显示设备的剖视图。在图12A至图12D中，依次示出根据一些示例性实施方式的制造显示设备的方法中的准备上部显示衬底的步骤。在图13中，示出根据一些示例性实施方式的制造显示设备的方法中的将上部显示衬底和下部显示衬底联接的步骤。
根据一些示例性实施方式的制造显示设备的方法包括准备上部显示衬底、准备下部显示衬底以及将上部显示衬底和下部显示衬底联接在一起。
参考图12A，准备上部显示衬底包括准备基衬底SUB1(也称为第一衬底SUB1)。该方法还可包括在基衬底SUB1上形成滤色器层。滤色器层可包括第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP和第三滤色器部R-CFP以及光阻挡构件BM。第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP和第三滤色器部R-CFP中的每一个可形成为与第一像素区域Pxa-B、第二像素区域Pxa-G和第三像素区域Pxa-R(参见图3)重叠。滤色器层的第一滤色器部B-CFP、第二滤色器部G-CFP和第三滤色器部R-CFP中的每一个可通过溶液工艺(例如旋转涂覆工艺、狭缝涂覆工艺、喷墨工艺和光刻胶工艺中的至少一者)形成。
参考图12A至图12C，可在滤色器层上形成光阻挡图案BP。可在光阻挡图案BP和滤色器层之间形成第一盖层CAP1。光阻挡图案BP形成在周边区域NPxa(参见图3)中，并且可限定其中待形成有透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2的区域。
可在由光阻挡图案BP限定的区域中形成透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2。透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2中的每一个可通过光刻胶工艺形成。透射部TP可形成为与第一像素区域Pxa-B(参见图3)对应，第一光转换部CCP1可形成为与第二像素区域Pxa-G(参见图3)对应，并且第二光转换部CCP2可形成为与第三像素区域Pxa-R(参见图3)对应。
参考图12D，可在透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2上形成第二光控制层CCL2。第二光控制层CCL2可通过全部涂覆形成，以在平面图中与透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2完全地重叠。第二光控制层CCL2可通过光刻胶工艺和狭缝涂覆工艺中的至少一者形成。由于第二光控制层CCL2通过全部涂覆形成，所以跳过了工艺步骤，从而允许简化工艺并且可减少成本。
在图12D中，第二光控制层CCL2示出为在平面图中完全地形成在透射部TP、第一光转换部CCP1和第二光转换部CCP2上，但是示例性实施方式不限于此。第二光控制层CCL2可通过图案化形成。例如，第二光控制层CCL2在平面图中与第一光转换部CCP1完全地重叠，并且可被图案化成不与透射部TP和第二光转换部CCP2重叠。
可在第二光控制层CCL2上形成第二盖层CAP2。第一盖层CAP1和第二盖层CAP2可设置在第一光控制层CCL1和第二光控制层CCL2的上表面和下表面上，并且保护第一光控制层CCL1和第二光控制层CCL2。可省略第一盖层CAP1和第二盖层CAP2。
参考图13，根据一些示例性实施方式的制造显示设备的方法包括将上部显示衬底和下部显示衬底联接。可执行将上部显示衬底和下部显示衬底的联接，使得像素的由像素限定膜PDL的开口限定的发光区域与第一像素区域Pxa-B、第二像素区域Pxa-G和第三像素区域Pxa-R对应。
根据各示例性实施方式，显示设备可包括第二光控制层，该第二光控制层的至少一部分与第一光控制层的第一光转换部重叠，从而能够增加将第一光转换为第二光的效率。因此，可增加显示设备的整体光效率。
虽然本文中已经描述了某些示例性实施方式和实施例，但是其他实施方式和修改根据该描述将显而易见。因此，发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求的更宽泛的范围以及如对于本领域普通技术人员而言将显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
基衬底，包括像素区域和邻近所述像素区域的周边区域；
多个显示元件，设置在所述基衬底上并且在平面图中与所述像素区域重叠，所述多个显示元件配置成产生第一光；
第一光控制层，设置在所述多个显示元件上，所述第一光控制层包括：
透射部，配置成透射所述第一光；
第一光转换部，配置成将所述第一光转换为第二光；以及
第二光转换部，配置成将所述第一光转换为第三光；以及
第二光控制层，所述第二光控制层的至少一部分在所述平面图中与所述第一光转换部重叠，并且配置成将所述第一光转换为所述第二光。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二光控制层直接接触所述第一光控制层的至少一部分。
3.如权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二光控制层直接接触所述第一光转换部。
4.如权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二光控制层设置在所述第一光控制层和所述多个显示元件之间。
5.如权利要求2所述的显示设备，还包括：
滤色器层，设置在所述第一光控制层上。
6.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述滤色器层包括：
第一滤色器部，在所述平面图中与所述透射部重叠，所述第一滤色器部配置成透射所述第一光；
第二滤色器部，在所述平面图中与所述第一光转换部重叠，所述第二滤色器部配置成透射所述第二光；以及
第三滤色器部，在所述平面图中与所述第二光转换部重叠，所述第三滤色器部配置成透射所述第三光。
7.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述第二光控制层设置在所述滤色器层和所述第一光控制层之间。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二光控制层设置在所述第一光控制层上。
9.如权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一光转换部包括第一多个量子点；以及
所述第二光控制层包括第二多个量子点。
10.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二光控制层包括：
第一子光转换部，配置成将所述第一光转换为所述第二光，所述第一光转换部在所述平面图中与所述第一子光转换部重叠；以及
第二子光转换部，配置成透射所述第一光，所述透射部和所述第二光转换部中的每一个在所述平面图中与所述第二子光转换部重叠。
11.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二光控制层在所述平面图中与所述第一光控制层完全地重叠。
12.如权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一光是410nm至480nm的波长区域中的光；
所述第二光是500nm至570nm的波长区域中的光；以及
所述第三光是625nm至675nm的波长区域中的光。
13.如权利要求1所述的显示设备，还包括：
封装构件，设置在所述多个显示元件上并且包括位于所述封装构件的最外侧周边处的无机膜；以及
填充层，设置在所述第一光控制层和所述封装构件之间。
14.如权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一光控制层还包括在所述平面图中与所述周边区域重叠的光阻挡图案；以及
所述光阻挡图案设置在所述透射部、所述第一光转换部和所述第二光转换部之间。
15.如权利要求14所述的显示设备，其中，
在剖视图中，所述第一光转换部的高度小于或等于所述光阻挡图案的高度；以及
在所述剖视图中，所述第一光转换部的所述高度和所述第二光控制层的高度的总和大于或等于所述光阻挡图案的所述高度。
16.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二光控制层的折射率等于所述第一光控制层的折射率。
17.显示设备，包括：
基衬底，包括像素区域和邻近所述像素区域的周边区域；
显示元件，设置在所述基衬底上并且在平面图中与所述像素区域重叠，所述显示元件配置成产生第一光；
第一光控制层，设置在所述显示元件上并且在所述平面图中与所述像素区域重叠，所述第一光控制层配置成将所述第一光转换为第二光；以及
第二光控制层，包括在所述平面图中与所述第一光控制层重叠的部分，所述第二光控制层配置成将所述第一光转换为所述第二光。
18.如权利要求17所述的显示设备，其中，
所述第一光控制层包括第一多个量子点；以及
所述第二光控制层包括第二多个量子点。
19.制造显示设备的方法，所述方法包括：
准备上部显示衬底，所述上部显示衬底包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域以及邻近所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域的周边区域；
准备下部显示衬底，所述下部显示衬底包括配置成产生第一光的多个显示元件；以及
将所述上部显示衬底和所述下部显示衬底彼此联接，
其中，准备所述上部显示衬底包括：
准备基衬底；
在所述基衬底的表面上设置第一光控制层，所述第一光控制层包括：
透射部，与所述第一像素区域对应并且配置为透射所述第一光；
第一光转换部，与所述第二像素区域对应并且配置为将所述第一光转换为第二光；以及
第二光转换部，与所述第三像素区域对应并且配置为将所述第一光转换为第三光；以及
在所述第一光控制层上设置配置成将所述第一光转换为所述第二光的第二光控制层。
20.如权利要求19所述的方法，其中，所述第二光控制层形成为与所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域完全地重叠。
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