CN111732227A - 一种半导体含氟废水处理系统及工艺 - Google Patents

一种半导体含氟废水处理系统及工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN111732227A
CN111732227A CN202010646432.5A CN202010646432A CN111732227A CN 111732227 A CN111732227 A CN 111732227A CN 202010646432 A CN202010646432 A CN 202010646432A CN 111732227 A CN111732227 A CN 111732227A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tank
fluorine
containing wastewater
reaction
primary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010646432.5A
Other languages
English (en)
Inventor
安建国
张旭
孔金明
杜莹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Rebound Environment Technology Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Rebound Environment Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Rebound Environment Technology Co ltd filed Critical Jiangsu Rebound Environment Technology Co ltd
Priority to CN202010646432.5A priority Critical patent/CN111732227A/zh
Publication of CN111732227A publication Critical patent/CN111732227A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F9/00—Multistage treatment of water, waste water or sewage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
    • C02F1/5236—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities using inorganic agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
    • C02F1/54—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities using organic material
    • C02F1/56—Macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/58—Treatment of water, waste water, or sewage by removing specified dissolved compounds
    • C02F1/583—Treatment of water, waste water, or sewage by removing specified dissolved compounds by removing fluoride or fluorine compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/66—Treatment of water, waste water, or sewage by neutralisation; pH adjustment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F2001/007—Processes including a sedimentation step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2101/00—Nature of the contaminant
    • C02F2101/10—Inorganic compounds
    • C02F2101/12—Halogens or halogen-containing compounds
    • C02F2101/14—Fluorine or fluorine-containing compounds

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Removal Of Specific Substances (AREA)
  • Separation Of Suspended Particles By Flocculating Agents (AREA)

Abstract

本发明是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。本发明的优点：采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子的去除率可达90％以上，运行效果良好，相比石灰沉淀法，氯化钙易溶于水，产生的污泥量较少，且不存在石灰残渣的处置问题，运输、保管和存放都较方便。可满足半导体企业对厂区环境的高要求，更为清洁、有效。采用二级除氟工艺，可确保最终排放废水氟的浓度达到10mg/L以下。

Description

一种半导体含氟废水处理系统及工艺
技术领域
本发明涉及的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，属于水处理设备技术领域。
背景技术
随着半导体工艺技术的迅速发展和生产量的增加，半导体厂排出的含氟废水量急剧地增加。为了防止半导体含氟废水直接排放对环境生态的污染和破坏，必须设法降低废水中的含氟浓度。
半导体含氟废水主要污染指标为pH、F和SS。现有技术的半导体含氟废水处理系统有的采用石灰沉淀法，其处理成本较低，但是处理效果较差，产生的污泥量较多，还涉及石灰残渣的处置问题，且无法满足半导体企业对厂区环境的高要求。
发明内容
本发明提出的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，通过设置酸碱调整、除氟、去除SS等流程，实现有效改善处理效果，满足半导体企业对厂区环境的高要求。
本发明的技术解决方案：半导体含氟废水处理系统，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。
优选的，所述的一级反应池连接第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱，一级混凝池连接第二CaCl2加药箱，一级絮凝池连接第一PAM加药箱，二级反应池连接第二NaOH加药箱、第二H2SO4加药箱和第一PAC加药箱，二级絮凝池连接第二PAM加药箱。
优选的，所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。
优选的，所述的放流池设有在线氟离子检测仪。
半导体含氟废水处理系统的处理工艺，包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池；
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，在反应池内投加质量分数40％400mg/L的NaOH、质量分数30％200mg/L的H2SO调整pH值，并投质量分数20％8262.4mg/L的CaCl2作为除氟药剂，反应时间20min；
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续投加质量分数20％8262.4mg/L的CaCl2，反应时间20min；
4)一级混凝池出水进入一级絮凝池中，投加质量分数0.1％2.6g/L的PAM作为絮凝剂，待其反应20min，使絮体长大、更容易沉淀；
5)一级絮凝池中出水进入一级沉淀池中，进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥则排入污泥池中待进一步脱水处理；
6)经一级除氟反应后，出水进入第二级除氟反应系统，首先进入二级反应池反应，投加质量分数40％163.3mg/L的NaOH、质量分数30％200mg/L的H2SO4调整pH值，并投加质量分数20％300mg/L的PAC进行反应，反应时间20min；
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，投加质量分数0.1％2.6g/L的絮凝剂PAM,反应时间20min；
8)最后二级絮凝池出水进入二级沉淀池中进行泥水分离后，清水进入放流池中，放流池废水为达标废水，最后进入最终清水池和计量渠，排入市政污水管网。
本发明的优点：结构和处理工艺设计合理，采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子的去除率可达90％以上，运行效果良好，相比石灰沉淀法，氯化钙易溶于水，产生的污泥量较少，且不存在石灰残渣的处置问题，运输、保管和存放都较方便。可满足半导体企业对厂区环境的高要求，更为清洁、有效。采用二级除氟工艺，可确保最终排放废水氟的浓度达到10mg/L以下。
附图说明
图1是本发明半导体含氟废水处理系统的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，半导体含氟废水处理系统，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。
所述的一级反应池连接第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱，一级混凝池连接第二CaCl2加药箱，一级絮凝池连接第一PAM加药箱，二级反应池连接第二NaOH加药箱、第二H2SO4加药箱和第一PAC加药箱(聚合氯化铝加药箱)，二级絮凝池连接第二PAM加药箱。
所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。
所述的放流池设有在线氟离子检测仪。
含氟废水的主要污染物为氟，本发明采用二级化学除氟，即向废水中投加除氟药剂：CaCl2，使氟离子与药剂发生化学反应，生成沉淀物，从而得到去除。
发生的化学反应如下：
Ca2++2F-→CaF2↓
一种半导体含氟废水处理工艺，包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池；
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，在反应池内投加质量分数40％400mg/L的NaOH、质量分数30％200mg/L的H2SO调整pH值，并投质量分数20％8262.4mg/L的CaCl2作为除氟药剂，反应时间20min；
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续投加质量分数20％8262.4mg/L的CaCl2，反应时间20min；
4)一级混凝池出水进入一级絮凝池中，投加质量分数0.1％2.6g/L的PAM作为絮凝剂，待其反应20min，使絮体长大、更容易沉淀；
5)一级絮凝池中出水进入一级沉淀池中，进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥则排入污泥池中待进一步脱水处理；
6)经一级除氟反应后，出水进入第二级除氟反应系统，首先进入二级反应池反应，投加质量分数40％163.3mg/L的NaOH、质量分数30％200mg/L的H2SO4调整pH值，并投加质量分数20％300mg/L的PAC进行反应，反应时间20min；
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，投加质量分数0.1％2.6g/L的絮凝剂PAM,反应时间20min；
8)最后二级絮凝池出水进入二级沉淀池中进行泥水分离后，清水进入放流池(含氟废水清水池)中，放流池废水为达标废水，最后进入最终清水池和计量渠，排入市政污水管网。
含氟废水的钙盐沉淀法现已很成熟，处理效率高，废水中氟离子的去除率一般在90％以上，运行效果良好。较之石灰沉淀法，氯化钙沉淀法虽然处理成本相对较高，但氯化钙易溶于水，产生的污泥量(与石灰法比较)较少，且不存在石灰残渣的处置问题，运输、保管和存放都较方便。由于半导体企业对厂区环境要求较高，使用氯化钙沉淀法更为清洁、有效。
实践表明，采用CaCl2反应后，进一步投加PAC(聚合氯化铝)，进行混凝反应，可使废水中细小颗粒物相互吸附、结合成大的颗粒物，更容易沉淀。采用二级除氟工艺，可确保最终排放废水氟的浓度达到10mg/L以下。
本项目中根据现有技术优选配备自动pH检测和加药系统，并在最后的含氟废水清水池中安装在线氟离子检测仪，可以实时检测废水处理效果，一旦发现异常，可及时发现设备故障、调整废水处理加药量、运行参数等。
实施例1
广东省某厂原水水质：
流量2100m3/d，
pH：2～10，
NH3-N：15mg/L，
T-N：20mg/L，
COD：120mg/L，
F-：800mg/L，
SS：1000mg/L，
H2O2：10mg/L。
处理系统配置：
2套含氟废水集水池：直径3200mm，高3000mm，容积20m3，材质FRP；
2套含氟废水集水泵：40m3/h×25m×5.5KW；
2套含氟废水调节池：尺寸5000×18000×6000mm，容积495m3，材质RC/FRPL；
2套含氟废水调节泵：35m3/h×20m×4.0KW，材质ETFE；
1套一级反应池包括：
pH调整槽：尺寸2200×1800×2700mm，容积8m3，材质CS/FRPL，配备搅拌机：107rpm/1.5KW，材质CS/FRPL，
反应槽：尺寸2200×1800×2700mm，容积8m3，材质CS/FRPL，配备搅拌机：107rpm/1.5KW，材质CS/FRPL；
1套一级混凝池：尺寸2200×1800×2700mm，容积8m3，材质CS/FRPL，配备搅拌机：107rpm/1.5KW，材质CS/FRPL；
1套一级絮凝池：尺寸2200×1800×2700mm，容积8m3，材质CS/FRPL，配备搅拌机：65rpm/0.55KW，材质SUS304；
1套一级沉淀池：尺寸6000×5400×4000mm，材质CS/FRPL，配备污泥泵：10m3/h×15m×1.5KW，材质SUS304；
1套二级反应池：尺寸2200×1800×2700mm，容积8m3，材质CS/FRPL，配备搅拌机：107rpm/1.5KW，材质CS/FRPL；
1套二级絮凝池：尺寸2200×1800×2700mm，容积8m3，材质CS/FRPL，配备搅拌机：65rpm/0.55KW，材质SUS304；
1套二级沉淀池：尺寸8000×5400×4000mm，材质CS/FRPL，配备污泥泵：50m3/h×15m×1.5KW，材质SUS304。
处理后水质(总排口)(符合广东省地方标准《水污染物排放限值》(DB44/26-2001)第二时段三级标准，并满足更为严格的企业内控指标)：
pH值：6～9(排放标准限值6～9)；
CODcr：100mg/L(排放标准限值500mg/L)；
BOD5：20mg/L(排放标准限值300mg/L)；
F-：10mg/L(排放标准限值20mg/L)；
TP：4.5mg/L(无排放标准限值)；
NH3-N：30mg/L(无排放标准限值)；
总氮：35mg/L(无排放标准限值)；
SS：100mg/L(排放标准限值400mg/L)；
动植物油：20mg/L(排放标准限值100mg/L)。
以上所述各部件均为现有技术，本领域技术人员可使用任意可实现其对应功能的型号和现有设计。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.半导体含氟废水处理系统，其特征包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池；含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。
2.如权利要求1所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的一级反应池连接第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱，一级混凝池连接第二CaCl2加药箱，一级絮凝池连接第一PAM加药箱，二级反应池连接第二NaOH加药箱、第二H2SO4加药箱和第一PAC加药箱，二级絮凝池连接第二PAM加药箱。
3.如权利要求2所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。
4.如权利要求3所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的放流池设有在线氟离子检测仪。
5.如权利要求1-4任一项所述的半导体含氟废水处理系统的处理工艺，其特征是包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池；
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，在反应池内投加质量分数40％400mg/L的NaOH、质量分数30％200mg/L的H2SO调整pH值，并投质量分数20％8262.4mg/L的CaCl2作为除氟药剂，反应时间20min；
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续投加质量分数20％8262.4mg/L的CaCl2，反应时间20min；
4)一级混凝池出水进入一级絮凝池中，投加质量分数0.1％2.6g/L的PAM作为絮凝剂，待其反应20min，使絮体长大、更容易沉淀；
5)一级絮凝池中出水进入一级沉淀池中，进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥则排入污泥池中待进一步脱水处理；
6)经一级除氟反应后，出水进入第二级除氟反应系统，首先进入二级反应池反应，投加质量分数40％163.3mg/L的NaOH、质量分数30％200mg/L的H2SO4调整pH值，并投加质量分数20％300mg/L的PAC进行反应，反应时间20min；
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，投加质量分数0.1％2.6g/L的絮凝剂PAM,反应时间20min；
8)最后二级絮凝池出水进入二级沉淀池中进行泥水分离后，清水进入放流池中，放流池废水为达标废水，最后进入最终清水池和计量渠，排入市政污水管网。
CN202010646432.5A 2020-07-07 2020-07-07 一种半导体含氟废水处理系统及工艺 Pending CN111732227A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010646432.5A CN111732227A (zh) 2020-07-07 2020-07-07 一种半导体含氟废水处理系统及工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010646432.5A CN111732227A (zh) 2020-07-07 2020-07-07 一种半导体含氟废水处理系统及工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111732227A true CN111732227A (zh) 2020-10-02

Family

ID=72655457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010646432.5A Pending CN111732227A (zh) 2020-07-07 2020-07-07 一种半导体含氟废水处理系统及工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111732227A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113087040A (zh) * 2021-04-20 2021-07-09 山西国际电力技术咨询有限公司 一种新型除氟剂及含氟废液处理工艺
CN113209781A (zh) * 2021-06-08 2021-08-06 金川集团股份有限公司 一种火法冶炼烟气中氟的去除系统及其方法
CN114835335A (zh) * 2022-03-22 2022-08-02 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种电池工艺中含氮含氟废水除氟控钙的系统和方法
CN114890582A (zh) * 2022-05-18 2022-08-12 上海中耀环保实业有限公司 一种污水高效除氟系统及方法
CN115959750A (zh) * 2022-12-26 2023-04-14 伊沃环境科技(南京)有限公司 一种高效的多晶硅生产废水除氟系统
CN117699938A (zh) * 2023-12-15 2024-03-15 苏州苏沃特环境科技股份有限公司 一种低浓度含氟废水无机复合除氟药剂及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105314777A (zh) * 2014-09-28 2016-02-10 苏州市白云环保工程设备有限公司 一种氢氟酸提纯废水处理装置及工艺
CN208327646U (zh) * 2018-09-05 2019-01-04 高频美特利环境科技（北京）有限公司 一种含氟废水处理系统

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105314777A (zh) * 2014-09-28 2016-02-10 苏州市白云环保工程设备有限公司 一种氢氟酸提纯废水处理装置及工艺
CN208327646U (zh) * 2018-09-05 2019-01-04 高频美特利环境科技（北京）有限公司 一种含氟废水处理系统

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
金月清等: "两级沉淀法处理液晶面板生产中含氟废水的研究", 《中国给水排水》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113087040A (zh) * 2021-04-20 2021-07-09 山西国际电力技术咨询有限公司 一种新型除氟剂及含氟废液处理工艺
CN113209781A (zh) * 2021-06-08 2021-08-06 金川集团股份有限公司 一种火法冶炼烟气中氟的去除系统及其方法
CN114835335A (zh) * 2022-03-22 2022-08-02 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种电池工艺中含氮含氟废水除氟控钙的系统和方法
CN114835335B (zh) * 2022-03-22 2024-01-19 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 一种电池工艺中含氮含氟废水除氟控钙的系统和方法
CN114890582A (zh) * 2022-05-18 2022-08-12 上海中耀环保实业有限公司 一种污水高效除氟系统及方法
CN115959750A (zh) * 2022-12-26 2023-04-14 伊沃环境科技(南京)有限公司 一种高效的多晶硅生产废水除氟系统
CN117699938A (zh) * 2023-12-15 2024-03-15 苏州苏沃特环境科技股份有限公司 一种低浓度含氟废水无机复合除氟药剂及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111732227A (zh) 一种半导体含氟废水处理系统及工艺
CN104129893B (zh) 醋酸丁酸纤维素生产废水的处理方法
CN104163516B (zh) 一种不锈钢冷轧废水的回用方法
CN218665656U (zh) 一种危废厂物化重金属污水再生利用系统
CN102531244A (zh) 一种垃圾焚烧发电厂的垃圾渗滤液的预处理方法
CN104045178A (zh) 一种喷水织机废水处理回用方法
CN104944631A (zh) 高浓度切削液污水的预处理方法
CN106315973A (zh) 高盐高钙工业废水的处理方法
CN102774991A (zh) 一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置及方法
CN109133524A (zh) 高cod高盐医药中间体化工废水的处理系统及处理方法
CN210736456U (zh) 用于垃圾焚烧电站中垃圾渗滤液零排放的处理装置
CN105712572A (zh) 基于膜集成技术的凉果废水处理方法
CN104150687B (zh) 一种减少n2o产生的污水处理自动控制装置及其操作方法
CN115650522A (zh) 一种TOPCon光伏电池废水处理及回用系统与处理方法
CN213327044U (zh) 用于含油污泥处理厂的含泥废水多级循环处理系统
CN107572722A (zh) 一种水体净化系统及净化方法
CN210528702U (zh) 电镀废水再生回用集成化处理装置
CN211497218U (zh) 一种脱硫废水氨氮处理系统
CN110550780B (zh) 一种基于预处理+双膜法的处理火电厂脱硫废水的方法
CN210340611U (zh) 一种油气田钻完井复杂废水的组合处理系统
CN112479502A (zh) 一种矿井水深度净化处理回用于生产的装置及处理方法
CN207552128U (zh) 一种集成膜法杂化去除低浓度含硒废水的装置
Yfantis et al. Evaluation of a pilot plant for a secondary treatment of mining effluents
CN104843905A (zh) 高浓度切削液污水的预处理设备
CN220582442U (zh) 一种水泥窑垃圾渗透液处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201002

RJ01 Rejection of invention patent application after publication