CN111722472B - 一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺 - Google Patents
一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111722472B CN111722472B CN202010588508.3A CN202010588508A CN111722472B CN 111722472 B CN111722472 B CN 111722472B CN 202010588508 A CN202010588508 A CN 202010588508A CN 111722472 B CN111722472 B CN 111722472B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- photoresist
- bearing table
- layer
- rotating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，属于半导体行业光刻技术领域。该方法步骤：(1)将晶圆送入涂胶单元，喷涂光阻稀释剂RRC，以增加光刻胶流动性；(2)使晶圆旋转，在晶圆表面形成一层RRC膜；(3)使光刻胶喷嘴喷涂光刻胶，喷涂光刻胶后，先使晶圆在转速V1时高速旋转T1时间，使晶圆上光刻胶铺展，该步骤决定了胶膜的厚度；然后降低晶圆转速至V2并旋转T2时间，使晶圆边缘光刻胶迅速回流；涂覆完后，晶圆边缘胶膜厚度均匀性良好；(4)晶圆传入热盘中进行烘烤，再经曝光、显影和冷盘冷却后，传回片盒。本发明在保证标准SPEC的前提下，提高了工艺质量，并减少了生产中的缺陷，在实际生产中实用效果显著。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺。
背景技术
聚酰亚胺(PI)材料被广泛应用于半导体领域，特别是半导体器件封装领域。聚酰亚胺材料相对A12O3和SiO2有诸多优异性能，它可以有效地控制芯片的软错误和信号延迟，同时还可以降低制造成本等。聚酰亚胺的典型应用主要包括芯片的表面一级钝化层膜或二级钝化层膜、塑封器件的应力缓冲层膜、多层互连金属电路的层间介电绝缘层等。可被应用于各种半导体器件，如存储器、微处理器、逻辑器件、功率器件、ASIC和传感器等。
在半导体领域中，聚酰亚胺材料是通过涂胶显影机涂覆于晶圆表面的，涂胶喷嘴在晶圆中心打胶，通过高速旋转以及其他外部环境条件使聚酰亚胺材料均匀的涂覆在晶圆表面，在以往的设备与工艺中，使用传统工艺配方涂覆的晶圆表面会存在均匀性问题，晶圆边缘均匀性差，且膜厚较厚，影响后续产品工艺与产品良率。
因此，需要对聚酰亚胺涂覆工艺进行有效改善，以期可有效改善聚酰亚胺材料涂覆的均匀性，提高产品良率。
发明内容
为了解决现有聚酰亚胺材料涂覆工艺均匀性差，后续工艺缺陷较多，工艺良品率较低的问题；本发明的目的在于提供一种改善聚酰亚胺PI材料涂覆效果的工艺方法，通过优化工艺配方结构与优化部分硬件结构相结合，在常规的工艺配方中加入合理的步骤并选择合适工艺参数，在main speed步骤后加一步slow speed使其边缘迅速回流，减低边缘厚度，再结合改善CUP排风与热板排风等因素，提高PI材料膜厚均匀性与工艺成本降低，提高工艺良品率。
为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，该工艺是采用旋涂方法在晶圆表面形成均匀的光刻胶层，具体包括如下步骤：
(1)将晶圆送入涂胶单元，在晶圆静止状态下喷涂光阻稀释剂RRC，以增加光刻胶流动性；
(2)将光刻胶喷嘴移到晶圆中心正上方，并使晶圆旋转，在晶圆表面形成一层RRC膜；
(3)使光刻胶喷嘴喷涂光刻胶，喷涂光刻胶后，先使晶圆在转速V1时高速旋转T1时间，使晶圆上光刻胶铺展，该步骤决定了胶膜的厚度；然后降低晶圆转速至V2并旋转T2时间，使晶圆边缘光刻胶迅速回流；涂覆完后，晶圆边缘胶膜厚度均匀性良好；
(4)经步骤(3)涂覆后的晶圆传入热盘中进行烘烤，再经曝光、显影和冷盘冷却后，最终将晶圆传送回片盒。
上述步骤(1)中，所述涂胶单元包括承片台和CUP结构，晶圆放置于承片台上，所述CUP结构为三层CUP结构，与四层CUP结构相比，改变了其内部的风流，四层CUP中，从下至上第三层上沿距承片台2.5-3.0mm，其水平高度在承片台之上，而三层CUP结构中从下往上数第二层上沿，水平高度在承片台之下，距承片台2.0-2.5mm，从而加大了与顶层CUP之间的空隙，从而加大了风流。
上述步骤(1)-(3)中，所述CUP排风参数为2.0-6.0kpa。
上述步骤(2)中，喷涂光刻胶的喷嘴采用tip喷嘴(优化原有喷嘴，采用tip喷嘴，喷嘴出胶状态更好，可提高膜厚均匀性)。
上述步骤(3)中，根据膜厚的要求与PI的特性，转速V1为500-4000rpm，转速V2为100-1000rpm；转速V2小于转速V1；同时该步骤加速度应为10000-30000r/s2；T1为5-40s，T2为1-3s。
步骤(3)中，转速V2越小，回流范围越大，可根据实际要求进行设定。
上述步骤(4)中，所述热盘的盘盖上设有排风管，排风管内径为25-35mm。
本发明的优点及有益效果是：
1、本发明针对晶圆进行光刻胶涂覆时，首先进行常规的高速旋转，使光阻旋转铺开，再将晶圆转速调慢旋转一段时间，使晶圆边缘光刻胶迅速回流；通过控制高速旋转和慢速旋转的速度及时间，能够有效改善晶圆边缘膜厚较厚的问题。
2、本发明对涂胶所用设备的CUP结构进行了优化，优化后的CUP结构中wafer边缘距离顶层与内层CUP边缘较远，能有效保证排风量的提供，将CUP排风值设置为可满足工艺要求的数值，旋转涂胶时，通过排风的控制，边缘流动性变强，均匀性变好。
3、本发明将热盘上的排风管优化为大孔径不锈钢排风管，将排风管的内径增到25-30mm，并通过与之相连的调速阀调节排风量的大小。能有效保证晶圆上方的排风量的提供，将热盘排风值设置为可满足工艺要求的数值，当晶圆在热盘上烘烤时，可加速溶剂的蒸发，均匀性变好。
4、本发明调试简单，硬件改造后，在后续的生产中，根据实际需求，只需调整工艺配方，即可解决目前边缘涂覆不均匀的问题，达到工艺要求。
5、本发明实现了聚酰亚胺材料的均匀涂覆，为实际生产带来了很大的便利，提高了产品的良率。
附图说明
图1为热盘排风管结构示意图；其中：(a)现有小管径波纹管；(b)大管径不锈钢方管。
图2为现有四层CUP结构；
图3为本发明中三层CUP结构。
图4为本发明所用喷嘴结构。
具体实施方式
以下结合附图及实施例详述本发明。
本发明提供一种改善聚酰亚胺PI材料涂覆效果的工艺该工艺是采用旋涂方法在晶圆表面形成均匀的光刻胶层，具体包括如下步骤：
(1)将晶圆送入涂胶单元，在晶圆静止状态下喷涂光阻稀释剂RRC，以增加光刻胶流动性；
(2)将光刻胶喷嘴移到晶圆中心正上方，并使晶圆旋转，在晶圆表面形成一层RRC膜；
(3)使光刻胶喷嘴喷涂光刻胶，喷涂光刻胶后，先使晶圆在转速V1时高速旋转T1时间，使晶圆上光刻胶铺展，该步骤决定了胶膜的厚度；然后降低晶圆转速至V2并旋转T2时间，使晶圆边缘光刻胶迅速回流；涂覆完后，晶圆边缘胶膜厚度均匀性良好；
(4)经步骤(3)涂覆后的晶圆传入热盘中进行烘烤，再经曝光、显影和冷盘冷却后，最终将晶圆传送回片盒。
所述涂胶单元包括承片台和CUP结构，晶圆放置于承片台上，所述CUP结构为三层CUP结构，与四层CUP结构(图3)相比，改变了其内部的风流，四层CUP中，从下至上第三层上沿距承片台2.5-3.0mm，其水平高度在承片台之上，而三层CUP结构中从下往上数第二层上沿，水平高度在承片台之下，距承片台2.0-2.5mm，从而加大了与顶层CUP之间的空隙，从而加大了风流(图2)。
本发明工艺中喷涂光刻胶的喷嘴采用tip喷嘴，采用上宽下窄的结构(图4)，能有效改善出胶状态，改善了原有PFA塑料管喷嘴的出胶不均匀的现象，使nozzle出液更加稳定均匀。
本发明所述热盘的盘盖上设有排风管，热盘盘盖排风由以往的小管径波纹管(图1(a))，改为采用大管径不锈钢方管(图1(b))，排风管内径为25-35mm。配合单元前端调节阀可实现排风压力的调节；不设有热盘盘盖进气流量；热盘盘盖新增加热功能。
实施例1：
某PI涂覆工艺要求：THK(膜厚)80000±8000A；range(上下波动范围)＜2000A
在PI材料涂覆中，采用12寸硅片光片，在原始条件下实验很难满足工艺要求，range>2000A。
本实施例工艺过程如下：
(1)调节好CUP排风量与热盘排风量，CUP排风量为2.0-6.0kpa；将晶圆送入涂胶单元，在晶圆静止状态下喷涂光阻稀释剂RRC，以增加光刻胶流动性；
(2)将光刻胶喷嘴移到晶圆中心正上方，并使晶圆旋转，在晶圆表面形成一层RRC膜；
(3)使光刻胶喷嘴喷涂光刻胶，喷涂光刻胶后，先使晶圆在转速V1＝2000rpm时高速旋转20s，使晶圆上光刻胶铺展，该步骤决定了胶膜的厚度；然后降低晶圆转速至V2＝500rpm并旋转2s，使晶圆边缘光刻胶迅速回流；该步骤加速度应为10000-30000r/s2；涂覆完后，晶圆边缘胶膜厚度均匀性良好；
(4)经步骤(3)涂覆后的晶圆传入热盘中进行烘烤，再经曝光、显影和冷盘冷却后，最终将晶圆传送回片盒。
连下5pcs测量结果显示
mean值分别为：80702.21、79253.34、78791.90、78882.88、79041.71；
range分别为：1527.70、1074.97、1207.38、1392.75、1147.53；
STD(3ε)值分别为：336.20、308.30、289.70、421.46、306.04。
mean值、STD值、range均符合要求。
实例2：
某PI涂覆工艺要求：THK 78000±5000A；range＜1500A
在PI材料涂覆中，采用12寸硅片光片，在原始条件下实验很难满足工艺要求，range>1500A。
本实施例涂胶过程也实施例1相同。
连续收集三天数据测量结果显示，mean值、STD值、range均符合要求。
mean值分别为：78285.7、78332.0、78333.6、78088.3、77672.7、77894.4、78049.5、78367.5、78068.5；
range分别为：921.7、838.4、804.6、724.1、715.8、765.9、957.0、935.9、905.9；
STD值分别为：285.2、243.1、239.9、202.0、201.2、190.4、220.1、230.8、209.4；
mean值、STD值、range均符合要求。
Claims (6)
1.一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，其特征在于：采用旋涂方法在晶圆表面形成均匀的光刻胶层，具体包括如下步骤：
(1)将晶圆送入涂胶单元，在晶圆静止状态下喷涂光阻稀释剂RRC，以增加光刻胶流动性；
(2)将光刻胶喷嘴移到晶圆中心正上方，并使晶圆旋转，在晶圆表面形成一层RRC膜；
(3)使光刻胶喷嘴喷涂光刻胶，喷涂光刻胶后，先使晶圆在转速V1时高速旋转T1时间，使晶圆上光刻胶铺展，该步骤决定了胶膜的厚度；然后降低晶圆转速至V2并旋转T2时间，使晶圆边缘光刻胶迅速回流；涂覆完后，晶圆边缘胶膜厚度均匀性良好；
(4)经步骤(3)涂覆后的晶圆传入热盘中进行烘烤，再经曝光、显影和冷盘冷却后，最终将晶圆传送回片盒；
步骤(1)中，所述涂胶单元包括承片台和CUP结构，晶圆放置于承片台上，所述CUP结构为三层CUP结构，与四层CUP结构相比，改变了其内部的风流，四层CUP中，从下至上第三层上沿距承片台2.5-3.0mm，其水平高度在承片台之上，而三层CUP结构中从下往上数第二层上沿，水平高度在承片台之下，距承片台2.0-2.5mm，从而加大了与顶层CUP之间的空隙，从而加大了风流。
2.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，其特征在于：步骤(1)-(3)中，所述CUP排风参数为2.0-6.0kpa。
3.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，其特征在于：步骤(2)中，喷涂光刻胶的喷嘴采用tip喷嘴，喷嘴出胶状态更好，可提高膜厚均匀性。
4.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，其特征在于：步骤(3)中，根据膜厚的要求与PI的特性，转速V1为500-4000rpm，转速V2为100-1000rpm，根据实际情况调整，转速V2需远低于V1；同时该步骤加速度应为10000-30000r/s2，T1为5-40s，T2为1-3s。
5.根据权利要求4述的改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，其特征在于：步骤(3)中，转速V2越小，回流范围越大，根据实际要求进行设定。
6.根据权利要求1所述的改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺，其特征在于：步骤(4)中，所述热盘的盘盖上设有排风管，排风管为大孔径不锈钢方管，排风管内径为25-35mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010588508.3A CN111722472B (zh) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010588508.3A CN111722472B (zh) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111722472A CN111722472A (zh) | 2020-09-29 |
| CN111722472B true CN111722472B (zh) | 2023-02-28 |
Family
ID=72568642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010588508.3A Active CN111722472B (zh) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111722472B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113126441B (zh) * | 2021-03-29 | 2024-06-07 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种改善光刻前层薄膜吸附水导致光刻缺陷的优化方法 |
| CN115487998A (zh) * | 2021-06-17 | 2022-12-20 | 上海集成电路材料研究院有限公司 | 高通量光刻胶配胶曝光一体化设备及光刻工艺 |
| CN117410168B (zh) * | 2023-12-13 | 2024-03-29 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070128355A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Hynix Semiconductor, Inc. | Method for coating photoresist material |
| US9733568B2 (en) * | 2014-02-25 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Tool and method of developing |
| CN105097608B (zh) * | 2014-05-22 | 2018-04-24 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种防止高压水雾喷溅的cup结构 |
| CN107255912B (zh) * | 2017-08-02 | 2018-08-14 | 睿力集成电路有限公司 | 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法 |
-
2020
- 2020-06-24 CN CN202010588508.3A patent/CN111722472B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111722472A (zh) | 2020-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111722472B (zh) | 一种改善聚酰亚胺材料涂覆效果的工艺 | |
| KR100984901B1 (ko) | 도포액의 도포 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US20170157625A1 (en) | Coating apparatus and method of forming coating film | |
| CN102259083B (zh) | 半导体封装用厚胶膜旋涂方法 | |
| CN104952704B (zh) | 涂层的形成方法 | |
| US20090227120A1 (en) | Method for forming photoresist layer | |
| CN103116248B (zh) | 涂布装置及其涂布方法 | |
| CN106707690A (zh) | 光刻胶涂覆方法和装置 | |
| Wang et al. | Directly Spin Coating a Low‐Viscosity Organic Semiconductor Solution onto Hydrophobic Surfaces: Toward High‐Performance Solution‐Processable Organic Transistors | |
| US8474396B2 (en) | Developing apparatus, resist pattern forming method and storage medium | |
| CN201962357U (zh) | 化学气相沉积设备 | |
| TW201727722A (zh) | 提高多晶片集成工藝的產量的方法和系統 | |
| CN112415854A (zh) | 改善晶圆光刻胶涂布效果的方法 | |
| CN1987652A (zh) | 光刻胶涂覆装置及其方法 | |
| CN105093821A (zh) | 光刻方法以及工艺腔室 | |
| CN111722474A (zh) | 一种改善方片边缘涂胶风纹的方法 | |
| JPH10172906A (ja) | 半導体装置製造用スピナ装置 | |
| CN104538286A (zh) | 降低以及调节薄膜表面能的方法 | |
| CN113851370A (zh) | 一种用于控制晶圆上的涂层厚度的方法 | |
| CN111722473A (zh) | 一种晶圆上动态rrc涂覆节约光刻胶的方法 | |
| CN104708897B (zh) | 一种膜转印设备、转印版组件、转印设备吸附力控制装置 | |
| TWI823417B (zh) | 降低基板翹曲的電子裝置製作方法 | |
| CN116721910A (zh) | 一种改善lift-off制程中显影截面光刻胶结构的方法 | |
| JPH01204421A (ja) | ホトレジスト塗布方法 | |
| CN102446714B (zh) | 一种提高铝金属层多次曝光稳定性的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240604 Address after: Room 302, 3rd Floor, No. 16-1 Feiyun Road, Hunnan District, Shenyang City, Liaoning Province, 110180 Patentee after: Shenyang Xinli Microelectronics Equipment Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 110168 No. 16 Feiyun Road, Hunnan District, Shenyang City, Liaoning Province Patentee before: KINGSEMI Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |