CN111708258B - 一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置及调整方法 - Google Patents

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Abstract

一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置及调整方法，涉及全息光栅制作领域。解决现有全息光栅扫描光刻曝光量工艺参数控制性差，光栅制作效率低，且采用静态监测方法，无法满足使用要求等问题，监测光源发出的监测激光用于曝光量监测，电控光闸控制监控激光入射到潜像光栅上，形成监测光斑；监控激光经由潜像光栅产生一级潜像衍射光，一级潜像衍射光经过滤光片，进入光电探测器；位移速度测量系统获取工作台Y向位移及速度，作为对曝光量进行控制的参数；控制器控制电控光闸的打开和关闭，控制同一触发信号同步采集位移速度测量系统和光电探测器的输出数据。本发明可实现全息光栅扫描光刻过程中曝光量的有效监测，保证曝光量工艺参数可控性。

Description

一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置及调整方法
技术领域
本发明涉及全息光栅制作的技术领域，具体涉及一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置及其调整方法。
背景技术
全息光栅扫描光刻是制作大面积全息光栅的重要方法，与传统全息光栅一次性完成整个光栅基底面积处全部干涉条纹的记录不同，它是利用干涉光学系统形成小尺寸的干涉图样，由工作台承载光栅基底或干涉光学系统，使干涉图样与光栅基底产生相对运动，利用扫描拼接的方式将干涉条纹记录在光栅基底涂覆的光刻胶中，直至完成整块光栅基底有效面积的曝光。全息光栅扫描光刻方法在制作大面积全息光栅时，曝光系统不需要大口径的准直透镜或大面积的洛埃镜，避免了光学材料获取、光学精密加工等方面的难点，在制作大面积全息光栅时具有优势。
曝光量是全息光栅制造工艺中需要控制的重要工艺参数之一，曝光量由干涉图样的强度和曝光时间决定。在传统全息光栅曝光中，可通过制作和测试大量样片，摸索经验值用于后续的曝光。也可利用专利号分别为03121147.X、200810187608.4以及200810187630.9中给出的装置和方法，利用曝光过程中形成的潜像光栅所产生的衍射光强度进行曝光量监测。由潜像光栅衍射光强随曝光量的变化规律，可监测曝光量状态，进而确定曝光截止点终止曝光。
但以上两种方法均不适宜全息光栅扫描光刻，首先，扫描光刻方法曝光时间相对较长，利用样片摸索经验的方法，制作效率低。其次，已有的曝光监测方法是静态方法，监测某点处潜像光栅特性变化，通过控制曝光时间调整曝光量。而扫描光刻过程中干涉图样与光栅基底的相对位置是动态变化的，曝光量由扫描运动速度决定，已有装置和方法无法满足应用。
发明内容
本发明为解决现有全息光栅扫描光刻曝光量工艺参数控制性差，光栅制作效率低，且采用静态监测方法，无法满足使用要求等问题，提供一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置及调整方法，利用调整方法对该装置进行调整后。由该装置形成的监测光斑跟随扫描光刻的干涉图样同步进行相对运动，监测光通过干涉图样扫描光刻形成的潜像光栅产生衍射光。控制工作台扫描方向速度按照一定规律变化并记录其变化情况，对曝光量进行调制。根据衍射光强度变化曲线实现曝光量监测，并确定全息光栅扫描光刻过程中的工作台扫描运动的速度。
一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置，包括监测光源、电控光闸、滤光片、光电探测器、基准光栅、控制器以及位移速度测量系统；
所述监测光源前端放置电控光闸，所述滤光片放置在光电探测器前，所述监测光源、电控光闸、滤光片和光电探测器均通过多维调整台固定于扫描干涉光刻系统的光学平台上；
所述监测光源发出的监测激光用于曝光量监测，所述电控光闸控制监控激光入射到潜像光栅上，形成监测光斑；监控激光经由潜像光栅产生一级潜像衍射光，所述一级潜像衍射光经过滤光片，进入光电探测器；位移速度测量系统获取二维运动工作台的Y向位移及速度，作为对曝光量进行控制的参数；
所述控制器控制电控光闸的打开和关闭，控制同一触发信号同步采集位移速度测量系统和光电探测器的输出数据。
一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置的调整方法，该方法由以下步骤实现：
步骤一、调整所述二维运动工作台，使干涉图样位于基准光栅上；利用基准光栅调节干涉图样中干涉条纹的周期与干涉条纹方向，则干涉图样中干涉条纹周期与基准光栅周期相等，所述干涉条纹方向与二维运动工作台Y向平行；
步骤二、调整监测光源以及电控光闸距离所述光学平台的高度与方位，控制器控制电控光闸打开，调整所述二维运动工作台的位置，使监测激光入射到基准光栅产生监测光斑；
步骤三、选择监测光源的波长，调节监测光源出射光角度，监测激光经过基准光栅衍射后，产生一级光栅衍射光；反复调节监测光源的方位，使监测光斑与干涉图样沿X方向对齐，监测光斑沿Y方向位于干涉图样的一侧；
步骤四、在所述滤光片及光电探测器间插入中性滤光片，调节所述滤光片、中心滤光片和光电探测器距离光学平台的高度与方位，使步骤三获得的一级光栅衍射光正入射通过滤光片和中性滤光片进入光电探测器；
所述控制器控制电控光闸关闭及打开若干次，控制器读取光电探测器输出的电信号，当所述电信号将随着电控光闸的打开而出现，随着电控光闸的关闭而消失时，则全息光栅扫描光刻曝光量监测装置调试完成。
本发明的有益效果：本发明提出的装置和调整方法，弥补了已有装置和方法无法在全息光栅扫描光刻系统中应用的不足。利用该装置可实现全息光栅扫描光刻过程中曝光量的有效监测，并可根据监测曲线，确定所需曝光量所对应的工作台扫描运动速度。可保证曝光量工艺参数可控性，对提升全息光栅扫描光刻制造工艺水平，提高光栅制造效率具有重要意义。
附图说明
图1为本发明的所述的一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置及所应用的全息光栅扫描光刻系统组成示意图，图中状态为曝光量监测过程中。
图2为曝光量监测装置控制系统组成示意图。
图3为本发明提出的曝光量监测装置调整原理示意图。
图4为扫描光刻过程中曝光量监测原理示意图。
图5为一级潜像衍射光强度随曝光时间的变化关系示意图。
具体实施方式
具体实施方式一、结合图1至图5说明本实施方式，一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置，包括监测光源1、电控光闸2、滤光片3、光电探测器4、基准光栅5、控制器6、工作台Y向位移速度测量系统7，监测光源1前端放置电控光闸2，监测光源1与电控光闸2下方具有多维调整台，通过多维调整台固定于光学平台8上。
滤光片3放置在光电探测器4前，二者通过多维调整台固定于光学平台8上。基准光栅5固定于二维运动工作台14上，基准光栅5上表面与光栅基底13上表面等高。位移速度测量系统7可以是光栅尺或激光干涉仪，用于测量工作台Y向的位移及速度。
如图1所示。监测光源1用于产生曝光量监测激光17，进行曝光量监测时，电控光闸2控制监控激光17入射到潜像光栅19上，形成监测光斑16，监控激光17经由潜像光栅19产生的一级潜像衍射光20。一级潜像衍射光20经过滤光片3，进入光电探测器4。位移速度测量系统7用于获取工作台Y向位移及速度，作为对曝光量进行控制的参数。控制器6用于控制系统运行，同步采集并记录光电探测器4及位移速度测量系统7的输出数据。
本实施方式中，所述监测光源1的波长选用光栅基底13所涂敷的光刻胶的非敏感波长，如短波长敏感(<400nm)的光刻胶，可选用波长为632.8nm的氦氖激光器作为监测光源1，光刻胶受到监测激光的感光可以忽略。另外，根据光栅方程sinɑ+sinβ＝mλ/df，式中ɑ为监测激光入射角，β为经过基准光栅的衍射角，m为衍射级次，要求监测激光1的波长λ在干涉图样15条纹周期df的条件下，可产生一级衍射光。
所述滤光片3通带波段范围包括监测光源1的波长，但不包括光刻光源激光9的波长，滤除非监测光的影响。
结合图2说明本实施方式，所述控制器6控制电控光闸2的打开和关闭，能够以同一触发信号同步采集位移速度测量系统7和光电探测器4的输出信号，并能够对数据进行处理和记录。控制器6的一种组成如图2所示，通过IO板卡603发出IO信号6031控制电控光闸2打开或关闭，通过增益可调的AD转换板卡602采集光电探测器4输出的代表光能量的电信号6022。通过位移速度采集板卡601采集位移速度测量系统7输出的信息6012。其中6011和6021是同步触发信号，用于信号6012和6022的同步触发采集。
所述位移速度测量系统7可以是光栅尺或激光干涉仪。图1位移速度测量系统7为激光干涉仪系统，主要包括相对于绝对坐标系静止的干涉计701、固定于工作台的测量平面镜702及干涉仪激光器703。
具体实施方式二、结合图1说明本实施方式，本实施方式为具体实施方式一所述的一种全息光栅扫描光刻曝光量监测装置的调整方法，该方法由以下步骤实现：
步骤一、配备一套全息光栅扫描光刻系统，包括立式光学平台8，干涉光学系统10，二维运动工作台14，如图1所示。干涉光学系统10布置于光学平台8上，光学平台8下方是二维运动工作台14。光刻光源激光9经过干涉光学系统10后，第一相干光束11与第二相干光束12在光栅基底13的高度处完全重叠，形成干涉图样15。干涉光学系统10的结构形式不同，干涉图样可能是圆形或矩形。干涉图样15相对于绝对坐标系O-XYZ保持静止。二维运动工作台14用于承载涂覆有光刻胶的光栅基底13，进行步进扫描运动，其中X方向为步进运动方向，Y方向为扫描运动方向。使得干涉图样15与光栅基底13间发生相对运动，实现扫描拼接曝光。
步骤二、调整扫描光刻曝光量监测装置，使其具备工作状态。具体调整过程为：
首先，在步骤一配备的扫描干涉光刻系统中，运动所述二维运动工作台14，使干涉图样15位于基准光栅5上。利用基准光栅5调节干涉图样15中干涉条纹的周期与干涉条纹方向，则干涉图样15中干涉条纹周期与基准光栅5周期相等，干涉条纹方向与二维运动工作台Y向平行。
其次，调整监测光源1与电控光闸2距离光学平台8的高度与方位，电控光闸2打开，调整二维运动工作台14位置，使监测激光17入射到基准光栅5产生监测光斑16。
根据步骤一给出的方法选择监测光源1的波长后，调节监测光源1出射光角度，监测激光17经过基准光栅5衍射后，可产生一级光栅衍射光18，若包含其他级次衍射光，可用光阑遮挡。如图3所示。
反复调节监测光源1的方位，使监测光斑16与干涉图样15沿X方向对齐，监测光斑16沿Y方向位于干涉图样15的一侧。图3中监测光斑16位于干涉图样15的Y正方向，也可位于干涉图样15的Y负方向。监测光斑16与干涉图样15沿Y方向间隔d，d≥(R+r)，保证监测光斑16与干涉图样15完全分离，并尽量贴近。R为圆形干涉图样的半径或矩形干涉图样Y向边长的一半，r为监测光斑的半径，r≤R。
再次，调节滤光片3和光电探测器4距离光学平台的高度与方位，使一级光栅衍射光18正入射通过滤光片3进入光电探测器4。光电探测器4的感光敏感度较高，可在滤光片3及光电探测器4间插入中性滤光片21，避免一级光栅衍射光18强度过高造成的光电探测器4损伤。
最后，控制器6控制电控光闸2关闭及打开若干次，AD转换板卡选用小增益系数读取光电探测器4输出电信号6022，电信号6022将随着电控光闸2的打开而出现，随着电控光闸2的关闭而消失，表示全息光栅扫描光刻曝光量监测装置调试完成。关闭电控光闸2，去掉中性滤光片21，准备在扫描光刻过程中进行曝光量监测。
本实施方式所述装置在扫描光刻过程中，干涉图样15将进入光栅基底13的区域进行曝光，所经过的曝光区域将形成潜像光栅19，潜像光栅19的周期与基准光栅5相同。打开电控光闸2，当监控光斑16进入潜像光栅19时，会产生一级潜像衍射光20，其出射方向与一级光栅衍射光18相同，但强度较弱，同样可以经由滤光片3进入光电探测器4中，如图4所示。
在光刻光源激光9强度保持不变时，扫描光刻曝光量与二维运动工作台扫描运动速度成反比。曝光量变化体现在一级潜像衍射光20的强度变化上，一级潜像衍射光随曝光时间的变化关系如图5所示。通过控制器6采集位移速度测量系统7输出二维运动工作台Y向位移速度及光电探测器4输出的一级潜像衍射光20的强度变化，可实现光栅光刻曝光量监测并选择二维运动工作台扫描运动速度。
当监测光斑16位于干涉图样15的Y正方向时，只有二维运动工作台14沿Y正方向运动时，即干涉图样15相对光栅基底13向Y负方向运动时，监测光斑16进入光栅基底13后可进入潜像光栅19的区域。监测光斑16位于干涉图样15的Y负方向时，情况相似。即采用一套曝光监测装置，在扫描光刻过程中，仅在二维运动工作台14某一个方向的扫描过程中实现曝光监测，采用两套曝光监测装置，在干涉图样15沿Y正负方向形成2个监测光斑时，可实现双向扫描光刻曝光监测。
本实施方式所述的全息光栅曝光量监测的基本原理为：曝光过程中，光栅基底上涂覆的光刻胶对光刻光源激光感光，将干涉图样中的干涉条纹记录在光刻胶中。此时光刻胶材料内部形成与干涉条纹周期相同的折射率变化，即潜像光栅。当监测激光入射到潜像光栅后，产生潜像光栅衍射，如图4所示，其一级潜像衍射光的强度变化随曝光时间变化的特性曲线如图5所示，特性曲线随曝光时间的增加可分为启动区、线性上升区、饱和区和下降区四个变化过程，通过一级潜像衍射光的强度变化可实现曝光量的监测。
根据全息光栅制作工艺，多选择线性上升区结束，进入饱和区的某点作为曝光截止点，在此处停止曝光。在全息光栅扫描光刻中，在光刻光源能量确定的情况下，曝光时间由二维运动工作台14扫描运动的速度决定。因此，需要同步记录二维运动工作台14扫描运动的位移和速度，根据曝光量截止点确定二维运动工作台14的适宜扫描速度。
本实施方式所提出的曝光量监测装置应用于全息光栅扫描光刻系统中，因此在步骤一中，配备一套全息光栅扫描光刻系统。光刻光源激光9经过干涉光学系统10后干涉形成干涉图样15，二维运动工作台14承载涂覆有光刻胶的光栅基底13进行二维步进扫描运动，使干涉图样15与光栅基底13产生相对运动，将干涉条纹记录在光刻胶中，直至完成整块光栅基底的曝光。
本实施方式所述的步骤二中，监测光源1发出曝光量监测所需的监测激光17，为避免对光刻胶造成感光，其波长需选择光刻胶非敏感波段范围。由于利用一级潜像衍射光19实现曝光量监测，监测激光波长需要在干涉图样15的条纹周期下，满足光栅方程产生一级衍射光。电控光闸2用于打开和关闭监测激光17。滤光片3置于光电探测器4前端，滤光片3通带波段范围包括监测光源1的波长，但滤除光刻光源激光9的波长，去除测量过程中的光刻光源激光的影响。
光电探测器4用于接收监测激光17的一级衍射光，在步骤三的监测装置调整过程中，接收的是经过基准光栅5的一级光栅衍射光18。在光刻曝光量监测过程中，接收的是经过潜像光栅19的一级潜像衍射光20。在光刻光源激光能量9固定的条件下，曝光量与二维运动工作台14扫描运动速度成反比。因此需要在采集光电探测器4的同时，同步采集二维运动工作台14的速度与位移，这里位移速度测量系统7可以是光栅尺、激光干涉仪或其他速度位移测量系统。控制器6需要输出同步触发信号，实现光电探测器及二维运动工作台14位移速度的同步采集。
本实施方式所述的步骤三中，在全息光栅扫描光刻系统中，需要利用基准光栅5调节干涉图样15中干涉条纹的周期与方向，使干涉条纹周期与基准光栅5周期相同，干涉条纹方向沿着二维运动工作台14扫描运动方向，这属于全息光栅扫描光刻系统调试的一部分。
由于潜像光栅、曝光干涉条纹及基准光栅三者周期相同，扫描光刻前尚不存在潜像光栅，且潜像光栅衍射效率较低，潜像衍射光肉眼难以观察，无法进行曝光量监测系统的调整。因此，使监测激光17入射到基准光栅上，调整监测光源1出射激光到基准光栅5的入射角，使其产生一级光栅衍射光18。利用一级光栅衍射光18及监测光斑16在基准光栅上的位置，对监测光源1、电控光闸2、滤光片3和光电探测器4的方位进行调整。监测光斑16与干涉图样15的相对位置，需要保证二者不存在重叠，且监测光斑16与干涉图样15沿X方向对齐，使扫描光刻过程中，监测光斑16可以对曝光完成的潜像光栅位置进行有效测量。调整完毕后，利用控制器6读取光电探测器4信号，确定调整完成。
具体实施方式二、本实施方式按照步骤一和步骤二的方法实施，实现对监测装置的调整，其中光刻光源激光9为满足相干长度和曝光波长要求的激光器发出，此处由Kr+激光器产生，波长为413.1nm。光学平台8垂直放置，保持静止。干涉光学系统10具有多种结构形式，内部包含分束棱镜、反射镜等光学元件及干涉条纹相位锁定、光束稳定系统等光电调整系统，最终产生小尺寸的圆形或矩形干涉图样。二维运动工作台14由双直线电机驱动。光栅基底13可采用K9光学玻璃及融石英材料，上表面涂有光刻胶，此处涂敷的光刻胶为日本Shipley 1805正型光致抗蚀剂。监测光源1选用632.8nm的He-Ne激光器，Shipley1805光刻胶对此波长感光可忽略不计。电控光闸2可选用机电型光闸，thorlabs SH05及其配套的驱动控制器(KSC101)。滤光片选用长波通滤光片，截止波长为550nm(thorlabs FEL0550)。光电探测器4选用光电倍增管，此处选择卓立汉光的PMTH-S1-CR131A倍增管搭配与其配套的HVC高压电源，光电倍增管连接具有同步触发功能的DCS300PA数据采集器后，采集器输出信号为6022，进入控制器6。基准光栅为反射式金属光栅。位移速度测量系统7为双频激光干涉仪，干涉计701为Agilent公司的10706A，702为金属膜层平面镜，702为双频激光器Agilent公司的5517B。
所述控制器6为带有PCI插槽的工控机，602为带有同步触发功能，增益可调的AD转换数据采集卡，可选择研华公司的PCI-1714UL，603位选用可以输出TTL电平的IO板卡，此处选择研华公司的PCI-1751。601为带有同步触发功能的干涉仪采集卡，可选用Agilent的N1231。

Claims (10)

1.一种全息光栅扫描曝光量监测装置，包括监测光源(1)、电控光闸(2)、滤光片(3)、光电探测器(4)、基准光栅(5)、控制器(6)以及位移速度测量系统(7)；
其特征是：
所述监测光源(1)前端放置电控光闸(2)，所述滤光片(3)放置在光电探测器(4)前，所述监测光源(1)、电控光闸(2)、滤光片(3)和光电探测器(4)均通过多维调整台固定于扫描干涉光刻系统的光学平台(8)上；
所述监测光源(1)发出的监测激光(17)用于曝光量监测，所述电控光闸(2)控制监控激光(17)入射到潜像光栅(19)上，形成监测光斑(16)；监控激光(17)经由潜像光栅(19)产生一级潜像衍射光(20)，所述一级潜像衍射光(20)经过滤光片(3)，进入光电探测器(4)；位移速度测量系统(7)获取扫描干涉光刻系统中二维运动工作台(14)的Y向位移及速度，作为对曝光量进行控制的参数；
所述控制器(6)控制电控光闸(2)的打开和关闭，控制同一触发信号同步采集位移速度测量系统(7)和光电探测器(4)的输出数据。
2.根据权利要求1所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置，其特征在于，所述扫描干涉光刻系统还包括光刻光源激光(9)、干涉光学系统(10)、光栅基底(13)和二维运动工作台(14)；
所述干涉光学系统(10)布置于光学平台(8)上，所述光学平台(8)下方为二维运动工作台(14)；所述光刻光源激光(9)经过干涉光学系统(10)后，第一相干光束(11)与第二相干光束(12)在光栅基底(13)的高度处完全重叠，形成干涉图样(15)；
所述基准光栅(5)固定于二维运动工作台(14)上，基准光栅(5)上表面与光栅基底(13)上表面等高；
所述二维运动工作台(14)用于承载涂覆有光刻胶的光栅基底(13)，进行步进扫描运动，其中X方向为步进运动方向，Y方向为扫描运动方向；使所述干涉图样(15)与光栅基底(13)间发生相对运动，实现扫描拼接曝光。
3.根据权利要求2所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置，其特征在于：所述监测光源(1)的波长选用所述光栅基底(13)所涂敷的光刻胶的非敏感波长，要求监测激光(1)的波长λ在干涉图样(15)条纹周期df的条件下，产生一级衍射光；所述滤光片(3)通带波段范围包含监测光源(1)的波长λ。
4.根据权利要求1所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置，其特征在于：所述位移速度测量系统(7)为光栅尺或激光干涉仪系统，用于测量所述二维运动工作台(14)的Y向的位移及速度。
5.根据权利要求1所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置，其特征在于：所述位移速度测量系统(7)为激光干涉仪系统，包括相对于绝对坐标系静止的干涉计(701)，以及固定于二维运动平台(14)的测量平面镜(702)及干涉仪激光器(703)。
6.根据权利要求1所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置，其特征在于：所述控制器(6)包括中央控制器(600)、位移速度采集板卡(601)、增益可调的AD转换板卡(602)和控制电控光闸IO板卡；
通过控制电控光闸的IO板卡(603)发出IO信号控制电控光闸(2)打开或关闭，通过增益可调的AD转换板卡(602)采集光电探测器(4)输出的电信号，通过位移速度采集板卡(601)采集位移速度测量系统(7)输出的信息。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置的调整方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：
步骤一、调整所述二维运动工作台(14)，使干涉图样(15)位于基准光栅(5)上；利用基准光栅(5)调节干涉图样(15)中干涉条纹的周期与干涉条纹方向，则干涉图样(15)中干涉条纹周期与基准光栅(5)周期相等，所述干涉条纹方向与二维运动工作台(14)的Y向平行；
步骤二、调整监测光源(1)以及电控光闸(2)距离所述光学平台(8)的高度与方位，控制器(6)控制电控光闸(2)打开，调整所述二维运动工作台(14)的位置，使监测激光(17)入射到基准光栅(5)产生监测光斑(16)；
步骤三、选择监测光源(1)的波长，调节监测光源(1)出射光角度，监测激光(17)经过基准光栅(5)衍射后，产生一级光栅衍射光(18)；反复调节监测光源(1)的方位，使监测光斑(16)与干涉图样(15)沿X方向对齐，监测光斑(16)沿Y方向位于干涉图样(15)的一侧；
步骤四、在所述滤光片(3)及光电探测器(4)间插入中性滤光片(21)，调节所述滤光片(3)、中性滤光片(21)和光电探测器(4)距离光学平台(8)的高度与方位，使步骤三获得的一级光栅衍射光(18)正入射通过滤光片(3)和中性滤光片(21)进入光电探测器(4)；
所述控制器(6)多次控制电控光闸(2)关闭或打开，控制器(6)读取光电探测器(4)输出的电信号，当所述电信号将随着电控光闸(2)的打开而出现，随着电控光闸(2)的关闭而消失时，则全息光栅扫描光刻曝光量监测装置调试完成。
8.根据权利要求7所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置的调整方法，其特征在于，步骤一中，所述干涉光学系统(10)的结构形式不同，干涉图样(15)为圆形或矩形；所述干涉图样(15)相对于绝对坐标系O-XYZ保持静止。
9.根据权利要求7所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置的调整方法，其特征在于，步骤三中，所述监测光斑(16)位于干涉图样(15)的Y轴正方向，或位于干涉图样(15)的Y轴负方向；
所述监测光斑(16)与干涉图样(15)沿Y方向间隔为d，所述d≥R+r，R为圆形干涉图样的半径或矩形干涉图样Y轴方向边长的一半，r为监测光斑的半径，r≤R。
10.根据权利要求7所述的一种全息光栅扫描曝光量监测装置的调整方法，其特征在于，步骤四中，全息光栅扫描光刻曝光量监测装置调试完成后，关闭电控光闸(2)，去掉中性滤光片(21)，准备在扫描光刻过程中进行曝光量监测。
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