CN111698623A - 薄膜滤波器及其基体、薄膜滤波器及其基体的制造方法、mems麦克风及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了薄膜滤波器、薄膜滤波器基体、薄膜滤波器的制造方法、薄膜滤波器基体的制造方法、MEMS麦克风以及MEMS麦克风的制造方法。一种薄膜滤波器，包括：薄膜部分，具有膜表面和布置在膜表面的后侧的后膜表面；多个通孔，形成为从膜表面到后膜表面穿透薄膜部分；以及条状内壁表面。条状内壁表面包括沿着与膜表面相交的相交方向形成的条形部分。条状内壁表面形成在各个通孔内部。

Description

薄膜滤波器及其基体、薄膜滤波器及其基体的制造方法、MEMS 麦克风及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于防止颗粒、水等进入的薄膜滤波器、具有薄膜滤波器的薄膜滤波器基体、薄膜滤波器的制造方法、薄膜滤波器基体的制造方法、具有薄膜滤波器的MEMS麦克风以及MEMS麦克风的制造方法。

背景技术

传统上使用滤波器来防止诸如颗粒、细胞等的微小物体和水进入内部。关于这种滤波器，例如在专利文献1(JP2015-199069)中公开了形成有微穿孔的聚合物膜。在聚合物膜的情况下，在膜表面侧出现的各个穿孔的直径与在后表面侧出现的直径不同。

此外，专利文献2(JP2017-221887)公开了一种加工过的膜，该加工过的膜以高密度系统地形成有多个通孔。

发明内容

顺便提及，在上述传统技术的情况下，滤波器由树脂膜制成。在这种情况下，对树脂膜进行冲孔加工，将通过冲孔加工制造的冲孔的树脂膜用于滤波器。

然而，例如，当用激光进行冲孔加工时，被激光照射蚀刻的部分变成碎屑(碎片)，碎屑可能粘附在冲孔的树脂膜的孔的内部。然后，孔的一部分被碎屑堵塞，从而降低了滤波器的滤波功能。此外，每个孔的尺寸由于碎屑的粘附而变得不均匀。因此，通过激光进行冲孔加工的冲孔的树脂膜不能用作滤波器。

另一方面，有时通过湿法蚀刻来进行冲孔加工。在这种情况下，当通过湿法蚀刻形成孔时，在每个孔的内部，内壁表面形成为光滑表面，不具有凹部和凸部。

当将冲孔的树脂膜用作滤波器时，气流沿着与孔的方向不同的方向在孔内流动。然后，将载荷施加到孔的内表面。因为孔的外围部分比冲孔的树脂膜中的其他部分薄弱，所以孔的外围部分易于损坏。因此，通过湿法蚀刻进行冲孔加工的冲孔的树脂膜耐久性低。

因此，为了解决上述问题而做出本发明，并且本发明目的在于提供一种具有孔径是固定的并且通过各孔的气流沿固定的方向流动的结构的薄膜滤波器、具有薄膜滤波器的薄膜滤波器基体、薄膜滤波器的制造方法、薄膜滤波器基体的制造方法、具有薄膜滤波器的MEMS麦克风以及MEMS麦克风的制造方法。

为了解决上述问题，本发明是一种薄膜滤波器，包括：薄膜部分，具有膜表面和布置在膜表面的后侧的后膜表面；多个通孔，形成为从膜表面到后膜表面穿透薄膜部分；以及条状内壁表面，具有沿与膜表面相交的方向形成的条形部分，条状内壁表面形成在各个通孔内部。

此外，在上述薄膜滤波器的情况下，优选的是，条形部分布置在各个通孔的几乎整个内表面上。

此外，优选的是，条形部分形成为在长度上比作为薄膜部分的厚度的膜厚度的80％长。

此外，优选的是，通孔在平面图中形成为圆形，薄膜滤波器包括分别具有通孔的第一通孔组和第二通孔组，第一通孔组具有第一通孔，该第一通孔布置在与薄膜部分的外周端部的间隔被设定为第一间隔的位置，并且该通孔以固定的间隔呈直线布置，第二通孔组具有第二通孔，该第二通孔布置在与外周端部的间隔被设定为与第一间隔不同的第二间隔的位置，并且该通孔以固定的间隔呈直线布置，在薄膜滤波器中，由第一通孔组形成的第一线和由第二通孔组形成的第二线交替布置。

此外，在薄膜滤波器中，包括第一通孔组中包括的通孔和第二通孔组中包括的通孔在内的相邻通孔被布置以形成以相邻通孔的中心为顶点的正三角形。

此外，本发明提供了一种薄膜滤波器基体，包括：具有底表面的底基体；形成在底基体的底表面上的薄膜滤波器。薄膜滤波器包括：薄膜部分，具有膜表面和布置在膜表面的后侧的后膜表面；多个通孔，形成为从膜表面到后膜表面穿透薄膜部分；以及条状内壁表面，具有沿与膜表面相交的相交方向形成的条形部分，条状内壁表面形成在各个通孔内部。

在上述薄膜滤波器基体的情况下，可以包括能够剥离的剥离粘合层，剥离粘合层形成在底表面上，薄膜滤波器形成在剥离粘合层上。

此外，底基体可以包括通过规则的布置形成的多个分离区域，薄膜滤波器包括根据各个分离区域形成的多个滤波器区域，在各个滤波器区域中形成有通孔和条状内壁表面。

此外，本发明提供一种薄膜滤波器的制造方法，包括：剥离粘合层形成步骤，在底基体上形成能够剥离的剥离粘合层；薄膜滤波器形成步骤，在剥离粘合层上形成薄膜滤波器；以及薄膜滤波器剥离步骤，从薄膜滤波器基体的剥离粘合层上剥离薄膜滤波器，该剥离粘合层和薄膜滤波器通过进行剥离粘合层形成步骤和薄膜滤波器形成步骤来形成，该薄膜滤波器形成步骤包括在底基体的剥离粘合层上形成树脂层的树脂层形成步骤和形成从树脂层的表面到树脂层的后表面穿透的通孔的通孔形成步骤，使得形成条状内壁表面，所述条状内壁表面具有沿着与树脂层的表面相交的相交方向形成的条形部分。

在上述薄膜滤波器的制造方法的情况下，薄膜滤波器形成步骤可以还包括：金属层形成步骤，在树脂层的表面上形成金属层；抗蚀剂图案形成步骤，在金属层上形成有多个孔部分的抗蚀剂图案；以及金属图案形成步骤，使用抗蚀剂图案作为掩模，通过在金属层上形成与孔部分相对应的相应的孔部分来形成金属图案。通孔形成步骤是通过使用金属图案作为掩模进行反应离子蚀刻来进行的以形成条状内壁表面。

然后，本发明提供了一种薄膜滤波器基体的制造方法，该薄膜滤波器形成在底基体上。该制造方法包括：剥离粘合层形成步骤，在底基体上形成能够剥离的剥离粘合层；以及薄膜滤波器形成步骤，在剥离粘合层上形成薄膜滤波器。该薄膜滤波器形成步骤包括在底基体的剥离粘合层上形成树脂层的树脂层形成步骤和形成从树脂层的表面到树脂层的后表面穿透的通孔的通孔形成步骤，使得形成条状内壁表面，所述条状内壁表面具有沿着与树脂层的表面相交的相交方向形成的条形部分。

此外，在上述薄膜滤波器基体的制造方法的情况下，薄膜滤波器形成步骤还可以包括：金属层形成步骤，在树脂层的表面上形成金属层；抗蚀剂图案形成步骤，在金属层上形成有多个孔部分抗蚀剂图案；以及金属图案形成步骤，使用抗蚀剂图案作为掩模，通过在金属层上形成与孔部分相对应的相应的孔部分来形成金属图案。通孔形成步骤是通过使用金属图案作为掩模进行反应离子蚀刻来进行的以形成条状内壁表面。

然后，本发明提供一种MEMS麦克风，包括：MEMS芯片；粘附有MEMS芯片的封装基体；以及形成在封装基体或MEMS芯片上的薄膜滤波器。薄膜滤波器包括：薄膜部分，具有膜表面和布置在该膜表面的后侧的后膜表面；多个通孔，形成为从膜表面到后膜表面穿透薄膜部分；以及条状内壁表面，具有沿与膜表面相交的相交方向形成的条形部分，条状内壁表面形成在各个通孔内部。

然后，本发明提供了一种使用MEMS芯片和粘附有MEMS芯片的封装基体来制造MEMS麦克风的方法。该方法包括：感光性粘合层形成步骤，在形成有多个用于制造封装基体的封装区域的封装面板的表面上形成由感光性粘合剂制成的感光性粘合层；薄膜滤波器剥离步骤，从薄膜滤波器基体的剥离粘合层剥离薄膜滤波器，其是通过在底基体上进行形成能够被剥离的剥离粘合层的剥离粘合层形成步骤和在所述剥离粘合层上形成薄膜滤波器的薄膜滤波器形成步骤来制造的；以及薄膜滤波器转录步骤，用于将通过薄膜滤波器剥离步骤剥离的薄膜滤波器转录到封装面板。薄膜滤波器形成步骤包括在底基体的剥离粘合层上形成树脂层的树脂层形成步骤和形成从树脂层的表面到树脂层的后表面穿透的通孔的通孔形成步骤，从而形成条状内壁表面，所述条状内壁表面具有沿着与树脂层的表面相交的相交方向形成的条形部分。

在上述制造MEMS麦克风的方法的情况下，薄膜滤波器形成步骤可以还包括：金属层形成步骤，在树脂层的表面上形成金属层；抗蚀剂图案形成步骤，在金属层上形成有多个孔部分的抗蚀剂图案；以及金属图案形成步骤，使用抗蚀剂图案作为掩模，通过在金属层上形成与孔部分相对应的相应的孔部分来形成金属图案。通孔形成步骤是通过使用金属图案作为掩模进行反应离子蚀刻来进行的以形成条状内壁表面。

通过以下给出的详细描述和附图将更全面地理解本发明，这些附图仅以说明的方式给出，因此不应认为是对本发明的限制。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施例的薄膜滤波器基体的立体图；

图2是薄膜滤波器基体的剖视图；

图3是薄膜滤波器的主体部分的放大的平面图；

图4是薄膜滤波器的包括多个通孔的部分的放大的平面图；

图5是与图3中的线5-5相对应的部分的剖视图；

图6是示出根据本发明的实施例的薄膜滤波器的主体部分的更加放大的平面图；

图7是示出与图6中的线7-7相对应的剖面的立体图；

图8是示出条形部分的主体部分的立体图；

图9是示出根据本发明的实施例的薄膜滤波器和薄膜滤波器基体的制造步骤的主体部分的剖视图；

图10是示出图9之后的制造步骤的主体部分的剖视图；

图11(a)是示出图10之后的制造步骤的主体部分的截面图；

图11(b)是示出图11(a)之后的制造步骤的主体部分的剖视图；

图12是根据变形例1的薄膜滤波器的主体部分的放大的平面图；

图13是根据变形例1的薄膜滤波器的包括多个通孔的部分的平面图；

图14是根据变形例2的薄膜滤波器的主体部分的放大的平面图；

图15是根据变形例2的薄膜滤波器的主体部分的更加放大的平面图；

图16是示出与图15中的线16-16相对应的剖面的立体图；

图17(a)是根据变形例3的薄膜滤波器基体的主体部分的平面图；

图17(b)是示出包括在薄膜滤波器基体和卷轴构件中的薄膜滤波器的立体图；

图18是与图5相对应的根据变形例4的薄膜滤波器的剖视图；

图19是与图7相对应的根据变形例5的薄膜滤波器的立体图；

图20是与示出根据本发明的实施例的MEMS麦克风的图22中的线20-20相对应的部分的剖视图；

图21是示出图20中的主体部分的放大的剖视图；

图22是示出根据本发明的实施例的去除盖部的MEMS麦克风的主体部分的平面图；

图23是根据变形例的MEMS麦克风的与图20相对应的剖视图；

图24是示出封装面板的立体图；

图25是示出薄膜滤波器基体的立体图；

图26是示出感光性粘合层形成步骤的主体部分的剖视图；

图27是示出薄膜滤波器剥离步骤的主体部分的剖视图；

图28是示出感光性粘合层形成步骤的另一主体部分的剖视图；

图29是示出薄膜滤波器转录步骤的剖视图；以及

图30是示出根据本发明的实施例的带芯片面板的立体图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图描述本发明的实施例。注意的是，相同的部件将用相同的数字或字母来表示，而省略其重复的描述。

(薄膜滤波器和薄膜滤波器基体的实施例)

首先，将主要参考图1至图8说明根据本发明的实施例的薄膜滤波器2、薄膜滤波器基体10的结构。在此，图1是示出根据本发明的实施例的薄膜滤波器基体10的立体图。图2是薄膜滤波器基体10的剖视图。图3是薄膜滤波器2的主体部分的放大的平面图。图4是薄膜滤波器2的包括多个通孔的部分的放大的剖视图。图5是与图3中的线5-5相对应的部分的剖视图。图6是示出薄膜滤波器2的主体部分的更加放大的平面图。图7是示出与图6中的线7-7相对应的剖面的立体图。图8是示出条形部分37的主体部分的立体图。

薄膜滤波器基体10具有作为底基体(能够使用由玻璃、石英等制成的基体)的硅片1、薄膜滤波器2以及剥离粘合层3。

硅片1具有底表面1a，该底表面1a是一侧的表面。如图2所示，在底表面1a上形成剥离粘合层3，在剥离粘合层3上形成薄膜滤波器2。

薄膜滤波器2是用于防止颗粒和水进入的滤波器。如图3所示，薄膜滤波器2具有由聚酰胺或聚酰亚胺膜形成的薄膜部分16。此外，在薄膜部分16上形成有多个通孔15，并且如图6、7所示，在各个通孔15的内部形成有条状内壁表面38。

如图2所示，薄膜部分16具有作为一侧的表面的膜表面16a和布置在膜表面16a的后侧的后膜表面16b。多个通孔15通过规则均匀的布置形成在薄膜部分16中。在图3、图4中，在膜表面16a中示出了点。

如图2所示，各个通孔15是从膜表面16a穿透到后膜表面16b的孔部分。各个通孔15从膜表面16a至后膜表面16b形成为固定的尺寸(直径)。通孔15还形成为使得相邻的通孔15的间隔为固定的尺寸。

此外，在平面图中各个通孔15形成为圆形。直径(在图5中示出为“R”)大约为约2μ至6μ)。此外，薄膜滤波器2的厚度(在图5中示出为“T”，对应于薄膜部分16的厚度的膜厚度)大约为约1μ至6μ。

然后，如图3详细所示，薄膜滤波器2具有第一通孔组15A和第二通孔组15B。在第一通孔组15A中包括多个通孔15，包括第一通孔15A1、通孔15A2，15A3……通孔15An。第一通孔15A1布置在与薄膜部分16的外周端部16e的间隔被设定为第一间隔d1的位置，并且在第一通孔组15A中所包括的通孔15中其布置在最靠近外周端部16e的位置。第一通孔15A1、通孔15A2、15A3……15An沿着与外周端部16e垂直相交的方向呈直线以固定的间隔布置，以形成第一线L1。

在第二通孔组15B中包括多个通孔15，多个通孔15包括第二通孔15B1、通孔15B2、通孔15Bn。第二通孔15B1布置在与外周端部16e的间隔为比第一间隔d1大的第二间隔d2的位置，并且在第二通孔组15B所包括的通孔15中其布置在最靠近外周端部16e的位置。第二通孔15B1、通孔15B2……15Bn在与外周端部16e垂直相交的方向上以固定的间隔布置，以形成第二线L2。

然后，在薄膜滤波器2中，第一线L1和第二线L2交替布置。

此外，薄膜滤波器2形成为使得第二通孔组15B中包括的通孔15(例如，图3中的通孔15B2)的中心布置在第一通孔组15A中包括的相邻的通孔15(例如，图3中的通孔15A2，通孔15A3)的中心之间。

通孔15成为空气通过的路径，因为相邻的通孔15之间的部分是薄膜部分16(图3、图4中带有点的部分)，所以该部分不会变成空气的路径。

然后，在薄膜滤波器2的情况下，如图4所示，三个相邻的通孔15a、15b、15c被认为是代表性的通孔。通孔15a、15b、15c的中心是a0、b0、c0，但是根据通孔15布置的规则性，以这些中心为顶点的三角形(图4中的三角形ABC)是正三角形。此外，薄膜滤波器2形成为使得薄膜部分16中的通孔15的布置密度可以尽可能地增加。在薄膜滤波器2的情况下，相邻通孔15之间的间隔变窄，使得不能在相邻三个通孔15之间的空间中形成另一通孔15(例如，不能在通孔15a、15b、15c之间的空间中形成另一通孔15，该结构也称为高密度结构。

然后，在薄膜滤波器2中，如图6、图7所示，在各个通孔15的内部形成有条状内壁表面38。条状内壁表面38具有多个条形部分37。在各个通孔15的几乎整个内表面中布置有多个条形部分37。在各个通孔15的几乎整个内表面中形成有条状内壁表面38。条形部分37紧密地形成，使得光滑部分不会保留在各个通孔15的内表面中。

条形部分37沿着与膜表面16a相交的相交方向形成，即，以最短距离将膜表面16a和后膜表面16b结合在一起的方向(在图7中示出为“d7”、“d8”的方向)。

各个条形部分37是沿相交方向大致呈直线形成在通孔15的内表面上的凸部或凹部。各个条形部分37均能够形成为凸部，并且它们能够形成为凹部。凸部和凹部能够被混合地包括作为条形部分37。

在图8中绘制了条形部分37，作为沿着相交方向的凹部。在图8中绘制的条形部分37具有第一条形部分37a和第二条形部分37b，第二条形部分37b宽度比第一条形部分37a的宽度宽。各条形部分37形成为在长度上比膜厚度T的80％长。各条形部分37的长度37L的尺寸大于膜厚T的80％。各条形部分37的长度可以如图8中所示的条形部分37一样是相同的。各条形部分37的长度可以不同(图中未示出)。

剥离粘合层3由能够剥离的粘合剂形成。例如，剥离粘合层3由通过加热剥离的由热发泡树脂制成的热发泡带或UV带形成。

(薄膜滤波器和薄膜滤波器基体的制造方法)

随后，将参考图9至图10说明具有上述结构的薄膜滤波器2和薄膜滤波器基体10的制造方法。在此，图9至图11(b)是示出薄膜滤波器2和薄膜滤波器基体10的制造步骤的主体部分的截面图。

通过进行以下薄膜滤波器基体制造步骤来制造薄膜滤波器基体10。薄膜滤波器2是通过对制造的薄膜滤波器基体10进行薄膜滤波器剥离步骤而制造的。

(薄膜滤波器基体的制造步骤)

然后，薄膜滤波器基体制造步骤具有剥离粘合层形成步骤和薄膜滤波器形成步骤。

在剥离粘合层形成步骤中，在硅片1上形成剥离粘合层3。在这种情况下，例如，在硅片1的底表面1a上施加热发泡带作为底基体。然后，如图9所示，形成剥离粘合层3。此外，将未示出的热发泡树脂施加在硅片1的底表面1a上，从而能够形成剥离粘合层3。

热发泡树脂中包括树脂和发泡剂。热发泡树脂通过加热产生气体，从而能够发泡。当施加热发泡树脂以形成热发泡树脂层时，该热发泡树脂层成为热剥离层，热剥离层通过加热而剥离，并且剥离粘合层3由热剥离层形成。此外，热发泡树脂被加工成片状形式的热发泡树脂片被施加以能够形成热发泡树脂层。在这种情况下，剥离粘合层3由热发泡树脂片形成。另外，剥离粘合层3可以由基于聚酰亚胺的粘合剂、基于环氧树脂的粘合剂形成。

接下来，进行薄膜滤波器形成步骤以在剥离粘合层3上形成薄膜滤波器2。在薄膜滤波器形成步骤中包括树脂层形成步骤、金属层形成步骤、抗蚀剂图案形成步骤、金属图案形成步骤以及通孔形成步骤。

首先，进行树脂层形成步骤。在树脂层形成步骤中，如图9所示，在剥离粘合层3上以聚酰胺或聚酰亚胺膜形成树脂层4。

接下来，进行金属层形成步骤。在金属层形成步骤中，如图10所示，在树脂层4的表面上用Titan(Ti)形成金属层5。除了Titan(Ti)，能够以SUS，Cr形成金属层5。

随后，进行抗蚀剂图案形成步骤。在抗蚀剂图案形成步骤中，在金属层5的表面上施加光刻胶。之后，使用未示出的光掩模进行曝光，然后进一步进行显影，从而形成具有多个孔部分6r的抗蚀剂图案6p。

接下来，进行金属图案形成步骤。在金属图案形成步骤中，以抗蚀剂图案6p为掩模，对金属层5进行Ar的铣削(能够进行反应离子蚀刻，也能够进行湿法蚀刻)。之后，去除抗蚀剂图案6p。然后，如图11(a)所示，去除金属层5的不需要的部分，以在金属层5上形成与抗蚀剂图案6p的孔部分6r相对应的对应的孔部分5h。由此形成金属图案5A。金属图案5A由与随后形成的薄膜滤波器2对应的图案形成。

随后，进行通孔形成步骤。在通孔形成步骤中，以金属图案5A为掩模，对树脂层4进行反应离子蚀刻(RIE)，从而形成条状内壁表面38。然后，如图11(b)所示，树脂层4中未被金属图案5A覆盖的部分作为不必要的部分根据金属图案5A被去除。在这种情况下，通孔15形成在去除了不必要部分的部分上。在这种情况下，在反应离子蚀刻的情况下，蚀刻通过离子的溅射操作和化学反应两者的作用而进行。因此，在反应离子蚀刻的情况下，很可能实现不具有底切的垂直形状。因此，在各个通孔15的内部形成多个条形部分37，从而形成条状内壁表面38。这样，能够从树脂层4得到具有薄膜部分16的薄膜滤波器2，然后进行反应离子蚀刻(RIE)。

在进行通孔形成步骤之后，如图2所示，有时去除金属图案5A，有时将金属图案5A留在薄膜部分16的表面(膜表面16a)上，如图11(b)所示，作为薄膜滤波器2。如上所述，制造了薄膜滤波器基体10。

接下来，进行薄膜滤波器剥离步骤。然后，制造薄膜滤波器2。当进行薄膜滤波器剥离步骤时，如图27所示，将薄膜滤波器2从薄膜滤波器基体10的剥离粘合层3上剥离(这将在后文进行描述)。从而制造薄膜滤波器2。

(薄膜滤波器和薄膜滤波器基体的操作和效果)

在上述薄膜滤波器2中，在各个通孔15的内部形成有条状内壁表面38。条状内壁表面38分别具有多个条形部分37，条形部分37沿相交方向形成。然后，当空气通过薄膜滤波器2时，空气流(通过的流)在沿着条形部分37的方向(在图7中的“d7”、“d8”所示的方向)上通过通孔15内部。也就是，条形部分37具有作为引导构件的功能，该引导构件调节在相交方向上穿过通孔15的通过的流的运动，没有形成与d7、d8所示方向不同的气流。因此，各个通孔15的外围部分几乎不受通过的流的影响，并且几乎不被损坏。因为薄膜滤波器2具有在固定方向上通过的流的结构，所以薄膜滤波器2的耐久性良好。

此外，在薄膜滤波器2中，通孔15的孔形成过程通过反应离子蚀刻进行。在反应离子蚀刻中，蚀刻通过离子的溅射操作和化学反应两者的作用而进行。在这种情况下，去除的材料(在薄膜滤波器2的情况下，聚酰亚胺等)变成挥发物，并进行包括其在内的真空排气。因此，从不发生碎屑的产生和碎屑的粘附。因此，各个通孔15的孔尺寸不会变得不均匀。因此，在薄膜滤波器2中，不会发生产生于制造过程的降低滤波功能的问题，薄膜滤波器2的耐久性也良好。

在薄膜滤波器2的情况下，由于在各个通孔15的几乎整个内表面上布置有条形部分37，因此，通孔15的几乎整个内表面为引导构件，薄膜滤波器2的耐久性良好。此外，由于条形部分37形成为在尺寸上大于膜厚度T的80％，所以不太可能发生通过的流的干扰，因此，条形部分37是良好的引导构件。

然后，在薄膜滤波器2中，在第二通孔组15B中包括的通孔15的中心布置在第一通孔组15A中包括的相邻通孔15的中心之间。因此，在薄膜滤波器2中，不浪费通孔15的布置。此外，有效地确保了空气的路径。此外，由于薄膜滤波器2具有高密度的结构，所以通孔15的布置更有效而没有浪费。

另一方面，因为薄膜滤波器2是主要具有由聚酰胺或聚酰亚胺制成的薄膜部分16的构件，所以难以单独处理薄膜滤波器2。然而，在薄膜滤波器基体10的情况下，其具有形成为平面形状的硅片1，对薄膜滤波器基体10的处理(诸如输运或存储等)容易进行。

另外，薄膜滤波器基体10具有剥离粘合层3，如果有必要，将薄膜滤波器2从硅片1上剥离，从而能够将薄膜滤波器2分离。薄膜滤波器2被附接到期望的产品，从而展现了产品所需要的滤波功能。因此，薄膜滤波器基体10非常方便。此外，在去除薄膜滤波器2之后，能够再次将硅片1用作形成薄膜滤波器2的底基体，从而减少了材料和资源的浪费。

(变形例1)

接着，参考图12、图13说明根据变形例1的薄膜滤波器32。图12是示出根据变形例1的薄膜滤波器32的主体部分的平面图。图13是示出薄膜滤波器32的包括代表性的通孔15a、15b、15c、15d的部分的平面图。

薄膜滤波器32的不同之处在于，与薄膜滤波器2相比，它具有第一通孔组15A，而没有第二通孔组15B。因为膜滤波器32不具有第二通孔组15B，布置了多条第一线L1。另外，每条第一线L1中包括的第一通孔15A1、通孔15A2、15A3……15An沿着与外周端部16e垂直相交的方向呈直线以固定的间隔布置。此外，每条第一线L1中包括的多个第一通孔15A1沿着外周端部16e呈直线以固定的间隔布置(类似于通孔15A2、15A3……15An)。第一通孔15A1与外周端部16e之间的所有间隔设定为具有固定的值的端部间隔d3。

在薄膜滤波器32的情况下，如图13所示，将相邻的四个通孔15a、15b、15c、15d设置为代表性通孔。通孔15a、15b、15c、15d的中心是a0、b0、c0、d0。

矩形ABCD是矩形，其中多个相邻的通孔15(15a、15b、15c、15d)的中心a0、b0、c0、d0包括在相邻的两个第一通孔组15A中，并且根据通孔15的布置规则性，矩形ABCD是正方形。

薄膜滤波器32具有与薄膜滤波器2类似的多个通孔15，并且薄膜滤波器32能够通过与薄膜滤波器2相同的制造方法来制造。类似于薄膜滤波器2，条状内壁表面38通过反应离子蚀刻(未在图12、图13中示出)形成在各个通孔15内。因此，薄膜滤波器32和具有代替薄膜滤波器2而形成的薄膜滤波器32的薄膜滤波器基体(未示出)具有与上述薄膜滤波器2、薄膜滤波器基体10相同的操作和效果。

(变形例2)

接下来，参考图14、图15、图16说明根据变形例2的薄膜滤波器34。图14是根据变形例2的薄壁滤波器34的主体部分的放大的平面图。图15是薄膜滤波器34的主体部分的更加放大的平面图。图16是示出与图15中的线16-16相对应的剖面的立体图。

薄膜滤波器34的不同之处在于，与薄膜滤波器2相比，薄膜滤波器34具有代替薄膜部分16的薄膜部分36，并且形成有代替通孔15的通孔35。与薄膜部分16相比，薄膜部分36的不同之处在于形成通孔35。

尽管上述通孔15在平面图中形成为圆形，但是通孔35在平面图中形成为正六边形。薄膜滤波器34具有第一通孔组35A和第二通孔组35B。在第一通孔组35A中包括多个通孔35，多个通孔35包括第一通孔35A1、通孔35A2、35A3……通孔35An。与第一通孔组15A相似，第一线L1由第一通孔35A1、通孔35A2、35A3……35An形成。

在第二通孔组35B中包括多个通孔35，多个通孔35包括第二通孔35B1、通孔35B2、35B3……通孔35Bn。与第二通孔组15B相似，第二线L2由第二通孔35B1、通孔35B2，……，35Bn形成。在薄膜滤波器34的情况下，根据通孔35的布置的规则性，相邻的三个通孔35(例如，通孔35A2、35A3、35B3)的中心形成的三角形为正三角形。

然后，在薄膜滤波器34的情况下，如图15、图16所示，在各个通孔35的内部形成条状内壁表面48。条状内壁表面48具有多个条形部分47。与多个条形部分37相同，在各个通孔35的几乎整个内表面上布置有多个条形部分47。在各个通孔35的内表面的几乎整个内表面上形成有条状内壁表面48。与条形部分37类似，条形部分47沿着相交方向形成。此外，各个条形部分47是沿相交方向大致呈直线形成在各个通孔35的内表面上的凸部或凹部。

薄膜滤波器34具有多个通孔35。分别类似于通孔15的条形部分37和条状内壁表面38，条形部分47和条状内壁表面48形成在各个通孔35中。因此，薄膜滤波器34和具有代替薄膜滤波器2而形成的薄膜滤波器34的薄膜滤波器基体(未示出)具有与上述薄膜滤波器2和薄膜滤波器基体10相同的操作和效果。

(变形例3)

接着，参考图17(a)和(b)说明根据变形例3的薄膜滤波器基体30。图17(a)是根据变形例3的薄膜滤波器基体30的主体部分的平面图。图17(b)是示出包括在薄膜滤波器基体30和卷轴构件199中的薄膜滤波器2A的立体图。

薄膜滤波器基体30具有作为底基体的滤波器面板1A、薄膜滤波器2A以及剥离粘合层3。

滤波器面板1A由玻璃制成，并且形成为矩形形状。剥离粘合层3形成在滤波器面板1A的一侧表面的底表面上，并且薄膜滤波器2A形成在剥离粘合层3上。

薄膜滤波器2A在形状上与薄膜滤波器2不同。薄膜滤波器2根据硅片1形成为圆形，但是薄膜滤波器2A根据滤波器面板1A形成为矩形形状。薄膜滤波器2A具有与薄膜滤波器2类似的薄膜部分16，通过规则的布置在薄膜部分16上均匀地形成有多个通孔15。与薄膜滤波器2类似，条状内壁表面38形成在各个通孔15的内部(图17(a)和(b)中未示出)。与薄膜滤波器2类似，薄膜滤波器2A的条状内壁表面38具有多个条形部分37。

由于与薄膜滤波器2相似，在薄膜滤波器2A中形成有通孔15、条状内壁表面38以及条形部分37，因此，薄膜滤波器2A具有与薄膜滤波器2相同的操作和作用。此外，当代替硅片1使用滤波器面板1A时，通过与薄膜滤波器基体10的制造方法相似的制造方法来制造薄膜滤波器基体30。另外，由于所制造的薄膜滤波器基体30具有剥离粘合层3，因此与薄膜滤波器2相似地将薄膜滤波器2A剥离，并且将薄膜滤波器2A转录成所需的产品，从而展现滤波功能。

另一方面，图17(b)示出了薄膜滤波器2A和具有圆柱形形状的卷轴构件199。然后，根据从薄膜过滤器基体30上剥离薄膜过滤器2A，使卷轴构件199旋转，从而能够将薄膜过滤器2A卷入到卷轴构件199中。剥离粘合层3预先形成在卷轴构件199上。

从薄膜滤波器基体30剥离的薄膜滤波器2A的处理虽然很困难，但是当薄膜滤波器2A卷在卷轴构件199中时，薄膜滤波器2A的处理是容易的。此外，在薄膜滤波器基体30的情况下，由于滤波器面板1A是形成为平面形状的构件，因此难以存储在竖立状态下的滤波器面板1A。在这一点上，因为卷轴构件199形成为圆柱形形状，所以卷轴构件199适合于存储在竖立状态下的薄膜滤波器2A。

(变形例4)

接着，参考图18说明根据变形例4的薄膜滤波器62。图18是与图5对应的根据变形例4的薄膜滤波器62的剖视图。

与薄膜滤波器2相比，薄膜滤波器62的不同之处在于，薄膜滤波器62具有代替通孔15的通孔65。在通孔15的情况下，通孔们从膜表面16a至后膜表面16b分别具有固定的尺寸直径。相反，在通孔65的情况下，从膜表面16a到后膜表面16b直径逐渐减小。由于与通孔15相似地，在各个通孔65上形成有条状内壁表面38(图18中未示出)，因此薄膜滤波器62具有与薄膜滤波器2相同的操作和效果。

(变形例5)

接下来，参考图19说明根据变形例5的薄膜滤波器72。图19是根据变形例5的薄膜滤波器72的立体图。

与薄膜滤波器2相比，薄膜滤波器72的不同之处在于，它具有代替通孔15的通孔73。此外，在薄膜滤波器72的情况下，在各个通孔73上形成有条状内壁表面74。

在上述条状内壁表面38的情况下，条形部分37被紧密地形成，使得光滑部分不会保留在各个通孔15的内表面中。相反，在条状内壁表面74的情况下，以间隔76d不连续地形成有条形凸部76，从而在各个通孔73的内表面上保留有平滑的部分。因此，条形凸部76是形成在通孔73的内表面中的凸部，并且它们沿着相交方向大致呈直线形成。因此，通过的流通过条状内壁表面74的条形凸部76沿固定方向通过，薄膜滤波器72具有与薄膜滤波器2相同的操作和效果。

(MEMS麦克风的实施例)

随后，将参考图20至图22说明MEMS麦克风的实施例。图20是与示出根据本发明的实施例的MEMS麦克风100的图22中的线20-20相对应的部分的剖视图。图21是示出图20中的主体部分的放大的剖视图。图22是示出去除盖部99的MEMS麦克风100的主体部分的平面图。

如图20所示，MEMS麦克风100具有MEMS封装31和盖部99。

MEMS封装31具有MEMS芯片19、粘附有MEMS芯片19的封装基体20、接合凸块44、薄膜滤波器29以及隔音罩6。此外，MEMS封装31具有ASIC(专用集成电路)封装91。

MEMS芯片19具有元件基体22，元件基体22上形成有作为可移动元件的隔膜33。MEMS芯片19用作电容型麦克风。如图22所示，在平面图中元件基体22是形成为矩形的基体，并且其由硅形成。在元件基体22的中心形成有孔部分22c。该孔部分22c从元件基体22的上表面22b(元件基体22的外表面)到相对表面22a(与封装基体20相对的表面)以圆柱形形状形成，并且隔膜33形成在孔部分22c的相对表面22a侧。注意的是，被称为背板(未示出)的两个薄膜布置在隔膜33的上侧和下侧。

如图20所示，接合凸块44是粘附在相对表面22a和封装基体20两者上的焊料凸块。如图22所示，四个接合凸块44分别布置在角部2D、2E、2F、2G附近。

隔膜33是形成为大致圆形的振动膜，并且其是由诸如SiO₂、SiN等的无机金属制成的薄膜。

接合凸块44是由焊料制成的焊料凸块。如图20所示，所有四个接合凸块44均粘附至MEMS芯片19和封装基体20两者。也就是说，四个接合凸块44均粘附至形成在相对表面22a中的电极焊盘7和形成在封装基体20的封装表面20a(封装基体20的MEMS芯片19侧的表面)中的电极焊盘21。四个接合凸块44将MEMS芯片19电连接并且固定到封装基体20。

在MEMS麦克风100中，薄膜滤波器29形成在封装基体20上，以封闭后述的音孔20b。薄膜滤波器29由上述薄膜滤波器2形成。如图22所示，薄膜滤波器29形成为去除了四个角部的变形后的矩形形状。在音孔20b的周围形成后述的感光性粘合层61。薄膜滤波器29通过感光性粘合层61粘附在封装基体20的封装表面20a上。

隔音罩6由硅树脂等制成。隔音孔罩6形成在MEMS芯片19与封装基体20之间，以包围MEMS芯片19。

封装基体20是由诸如硅、陶瓷等制成的板状构件(或PCB：印刷电路板)。电极焊盘21和电极焊盘12形成在封装基体20的封装表面20a上。MEMS芯片19安装在形成有电极焊盘21的封装表面20a的部分上，ASIC封装91安装在形成有电极焊盘12的部分上。此外，在安装有MEMS芯片19的封装基体20的部分上形成有音孔20b。音孔20b从封装表面20a到相对侧的底表面20c穿透封装基体20。

ASIC封装91具有ASIC 92和接合凸块93。ASIC 92例如是放大MEMS芯片19的输出信号的集成电路(输出电容的位移作为MEMS芯片19中的电压的位移的集成电路)。电极焊盘14形成在ASIC 92的下侧。电极焊盘14通过接合凸块93连接到封装表面20a的电极焊盘12。ASIC 92安装在封装基体20上。

盖部99覆盖MEMS封装31。盖部99用未示出的粘合剂(或通过焊接)粘附到封装表面20a。通过盖部99和封装基体20得到空间99A，MEMS封装31容纳在空间99A中。

(制造MEMS麦克风的方法)

随后，将参考图24至图29说明具有上述结构的MEMS麦克风100的制造方法。在此，图24是示出后述的封装面板40的立体图，图25是示出后述的薄膜滤波器基体10X的立体图。图26-29是示出各个感光性粘合层形成步骤、薄膜滤波器剥离步骤以及薄膜滤波器转录步骤的主体部分的剖视图。

在制造MEMS麦克风100的方法中，MEMS麦克风100利用上述MEMS芯片19、ASIC 92以及粘附有MEMS芯片19和ASIC 92的封装基体20来制造。在根据实施例的制造方法的情况下，使用具有矩形元件基体22的MEMS芯片19(矩形MEMS芯片)。在制造MEMS麦克风100的方法中，使用图24所示的封装面板40和图25所示的薄膜滤波器基体10X。在制造MEMS麦克风100的方法中，进行感光性粘合层形成步骤、薄膜滤波器剥离步骤以及薄膜滤波器转录步骤。

如图24所示，封装面板40是由PCB或陶瓷制成的具有矩形形状的板状构件，并且通过规则的布置在表面40a上形成多个封装区域41。当封装面板40沿着分割线42被分割时，由每个封装区域41制造封装基体20(每个封装面板40制造约600个封装基体20)。

如图25所示，薄膜滤波器基体10X具有硅片1(可以使用玻璃、石英制的基体)、薄膜滤波器2以及剥离粘合层3。通过进行上述薄膜滤波器基体制造步骤来制造薄膜滤波器基体10X。用于制造薄膜滤波器基体10X的薄膜滤波器基体制造步骤具有上述剥离粘合层形成步骤和薄膜滤波器形成步骤。

然后，薄膜滤波器基体10X具有特定用途，该薄膜滤波器基体10X用于MEMS麦克风100。因此，在薄膜滤波器基体10X的情况下，硅片1具有多个分离区域1X，并且薄膜滤波器2具有多个滤波器区域51。

多个分离区域1X根据封装面板40的封装区域41通过规则的布置形成。各个分离区域1X之间的部分为根据分割线42的分割线1y。此外，根据封装面板40的封装区域41，通过规则的布置还形成多个滤波器区域51。滤波器区域51根据分离区域1X形成。各个滤波器区域51之间的部分为根据分割线42的分割线52。当薄膜滤波器2沿着分割线52被分割时，形成多个滤波器区域51。因此，在相应的滤波器区域51中形成上述的多个通孔15和条状内壁表面38。

如图25所示，在各个滤波器区域51中布置滤波器部分58。各个滤波器部分58随后成为上述薄膜滤波器29。因此，根据薄膜滤波器29，各个滤波器部分58形成为变形的矩形形状。

然后，利用封装面板40和薄膜滤波器基体10X来制造MEMS麦克风100。MEMS麦克风100是通过进行后述的感光性粘合层形成步骤、薄膜滤波器剥离步骤以及薄膜滤波器转录步骤而制造的。

首先，进行感光性粘合层形成步骤。如图26所示，在感光性粘合层形成步骤中，在封装面板40的表面40a上形成感光性粘合层61。感光性粘合层61通过施加感光性聚酰亚胺粘接剂片等而形成。在这种情况下，如图28所示，感光性粘合层61形成为孔状结构。在该孔状结构中，稍后将形成音孔20b的部分被去除。

接下来，进行薄膜滤波器剥离步骤。在薄膜滤波器剥离步骤中，对薄膜滤波器基体10X进行加热。然后，如图27所示，通过该热量使剥离粘合层3发泡。因此，薄膜滤波器2(29)与金属图案5A一起从剥离粘合层3剥离。

随后，进行薄膜滤波器转录步骤。如上所述，由于在封装面板40的表面40a上形成有感光性粘合层61，因此，如图29所示，在从薄膜滤波器基体10X剥离的薄膜滤波器2(29)被层压在封装面板40上时，薄膜滤波器2(29)与金属图案5A一起覆盖在感光性粘合层61上。这样，薄膜滤波器2(29)被转录在封装面板40上。

然后，在封装面板40上形成多个封装区域41。在各个封装区域41中，通过激光处理去除薄膜滤波器2的不需要的部分。在这种情况下，在各个封装区域41中，薄膜滤波器2的用于薄膜滤波器29的部分被保留为滤波器部分58，其他部分被去除。这样，薄膜滤波器29形成以覆盖音孔20b。

之后，进行MEMS芯片安装步骤。在MEMS芯片安装步骤中，电极焊盘7形成在MEMS芯片19上，并且还形成焊料凸块。之后，在封装面板40中，MEMS芯片19通过与焊料凸块的倒装芯片接合分别安装在封装区域41上，以形成带芯片的面板40X(见图30)。带芯片的面板40X被放入未示出的加热回流炉中。然后，焊料凸块在熔化之后变成接合凸块44。之后，形成隔音罩6(有时在安装MEMS芯片19之前形成隔音罩6)。

之后，将ASIC 92安装在封装区域41上，并进而将盖部99粘附。注意的是，当将ASIC92安装在带芯片的面板40X上时，能够对MEMS芯片19和ASIC 92两者进行封装回流。

此外，进行面板切割步骤。在面板切割步骤中，将安装MEMS芯片19和ASIC 92并进而由盖部99覆盖的带芯片的面板40X沿分割线42被切断，以分割成各个封装区域41。然后，带芯片的面板40X被分为多个封装区域41。MEMS麦克风100与封装基体20一起由各个封装区域41制造。上述薄膜滤波器29形成在制造的封装基体20中。

因为在MEMS麦克风100中形成了薄膜滤波器29，所以能够通过薄膜滤波器29可靠地阻止颗粒和水进入。在薄膜滤波器29中形成有多个通孔15，在各个通孔15的内部形成有条状内壁表面38。通过反应离子蚀刻形成多个通孔15，以形成条状内壁表面38。因此，不会发生产生于制造过程的降低滤波功能，例如，碎屑的粘附导致的孔封闭。另外，薄膜滤波器29的耐久性也良好。

(变形例)

接下来，参考图23说明根据变形例的MEMS麦克风200。图23是MEMS麦克风200的与图20相对应的剖视图。

如图23所示，MEMS麦克风200具有MEMS封装101和盖部99。

在上述MEMS麦克风100(MEMS封装31)的情况下，通过倒装芯片接合将MEMS芯片19和ASIC 92安装在封装基体20上。

相反，在根据变形例的MEMS麦克风200的情况下，通过引线接合将MEMS芯片19和ASIC 92安装在封装基体20上。

然后，与MEMS封装31相比，MEMS封装101在以下a)、b)、c)中不同。

a)薄膜滤波器29形成在MEMS芯片10上。

b)MEMS封装101不具有接合凸块44、隔音罩6、电极焊盘7、21。

c)MEMS芯片19通过引线16B连接到ASIC 92。

在MEMS封装31的情况下，薄膜滤波器29形成在封装基体20上，但是在MEMS封装101的情况下，薄膜滤波器29形成在MEMS芯片19上。

ASIC 92通过引线17B而不是通过接合凸块93连接到封装基体20。

因为薄膜滤波器29也形成在MEMS麦克风200上，所以MEMS麦克风200具有与MEMS麦克风100相同的操作和效果。

在上述实施例中，在实施例中示例性地说明了类型“双背板”，其具有在隔膜33的上侧和下侧中布置的两个未示出的被称为背板的薄膜。本发明还适用于“单个背板”类型，其具有布置在隔膜33的一侧的一个背板。在这种情况下，形成两个接合凸块44就足够了。此外，作为在薄膜滤光器上形成的通孔的形状，可以使用在平面图中为圆形、六边形、矩形的形状。当使用由诸如玻璃、石英等的透明材料制成的基体作为底基体时，能够通过将UV胶带附着至底表面来使用剥离粘合层。

在上述实施例中，以MEMS麦克风为例进行了说明，尽管应用了根据该实施例的薄膜滤波器，但是薄膜滤波器可应用于除MEMS麦克风(例如MEMS传感器)之外的产品。

本发明不限于前述实施例，但是可以在不脱离本发明的范围的情况下对其组件进行各种改变和修改。此外，显然，可以基于前述说明来实现本发明的各种实施例和变形例。因此，本发明可以在与所附权利要求等同的范围内以除了上述最佳模式之外的其他模式来实现。

Claims (16)

1.一种薄膜滤波器，包括：

薄膜部分，具有膜表面和布置在所述膜表面的后侧的后膜表面，

多个通孔，形成为从所述膜表面到所述后膜表面穿透所述薄膜部分，以及

条状内壁表面，具有沿着与所述膜表面相交的相交方向形成的条形部分，所述条状内壁表面形成在各个通孔内部。

2.根据权利要求1所述的薄膜滤波器，

其中，所述条形部分布置在所述各个通孔的几乎整个内表面中。

3.根据权利要求1所述的薄膜滤波器，

其中，所述条形部分形成为在长度上比作为所述薄膜部分的厚度的膜厚度的80％长。

4.根据权利要求1所述的薄膜滤波器，

其中，所述通孔在平面图中形成为圆形，

其中，所述薄膜滤波器包括分别具有所述通孔的第一通孔组和第二通孔组，

其中，所述第一通孔组具有第一通孔，所述第一通孔布置在与所述薄膜部分的外周端部的间隔被设定为第一间隔的位置，并且所述通孔以固定的间隔呈直线布置，

其中，所述第二通孔组具有第二通孔，所述第二通孔布置在与所述外周端部的间隔被设置为不同于所述第一间隔的第二间隔的位置，并且所述通孔以固定的间隔呈直线布置，

其中，在所述薄膜滤波器中，由所述第一通孔组形成的第一线和由所述第二通孔组形成的第二线交替布置。

5.根据权利要求2所述的薄膜滤波器，

其中，所述通孔在平面图中形成为圆形，

其中，所述薄膜滤波器包括分别具有所述通孔的第一通孔组和第二通孔组，

其中，所述第一通孔组具有第一通孔，所述第一通孔布置在与所述薄膜部分的外周端部的间隔被设定为第一间隔的位置，并且所述通孔以固定的间隔呈直线布置，

其中，所述第二通孔组具有第二通孔，所述第二通孔布置在与所述外周端部的间隔被设置为不同于所述第一间隔的第二间隔的位置，并且所述通孔以固定的间隔呈直线布置，

其中，在薄膜滤波器中，由所述第一通孔组形成的第一线和由所述第二通孔组形成的第二线交替布置。

6.根据权利要求4所述的薄膜滤波器，

其中，在所述薄膜滤波器中，包括所述第一通孔组中包括的所述通孔和所述第二通孔组中包括的所述通孔的相邻通孔被布置以形成以所述相邻通孔的中心为顶点的正三角形。

7.一种薄膜滤波器基体，包括：

底基体，具有底表面；和

薄膜滤波器，形成在所述底基体的所述底表面上，

其中，所述薄膜滤波器包括：薄膜部分，具有膜表面和设置在所述膜表面后侧的后膜表面；多个通孔，形成为以从所述膜表面到所述后膜表面穿透所述薄膜部分；以及条状内壁表面，具有沿着与所述膜表面相交的相交方向形成的条形部分，所述条状内壁表面形成在各个通孔内部。

8.根据权利要求7所述的薄膜滤波器基体，还包括：

能够剥离的剥离粘合层，

其中，所述剥离粘合层形成在所述底表面上，

其中，所述薄膜滤波器形成在所述剥离粘合层上。

9.根据权利要求7或8所述的薄膜滤波器基体，

其中，所述底基体包括通过规则的布置形成的多个分离区域，

其中，所述薄膜滤波器包括根据各个分离区域形成的多个滤波器区域，

其中，所述通孔和所述条状内壁表面形成在各个滤波器区域中。

10.一种薄膜滤波器的制造方法，包括：

剥离粘合层形成步骤，在底基体上形成能够剥离的剥离粘合层；

薄膜滤波器形成步骤，在所述剥离粘合层上形成薄膜滤波器；以及

薄膜滤波器剥离步骤，从薄膜滤波器基体的所述剥离粘合层剥离所述薄膜滤波器，通过进行所述剥离粘合层形成步骤和所述薄膜滤波器形成步骤来形成所述剥离粘合层和所述薄膜滤波器，

其中，所述薄膜滤波器形成步骤包括在所述底基体的所述剥离粘合层上形成树脂层的树脂层形成步骤，以及形成从所述树脂层的表面到所述树脂层的背面穿透的通孔的通孔形成步骤，使得形成条状内壁表面，所述条状内壁表面具有沿着与所述树脂层的表面相交的相交方向形成的条形部分。

11.根据权利要求10所述的薄膜滤波器的制造方法，

其中，所述薄膜滤波器形成步骤还包括：金属层形成步骤，在所述树脂层的所述表面上形成金属层，

抗蚀剂图案形成步骤，在所述金属层上形成有多个孔部分的抗蚀剂图案，以及

金属图案形成步骤，使用所述抗蚀剂图案作为掩模，通过在所述金属层上形成与孔部分相对应的相应的所述孔部分来形成金属图案，

其中，所述通孔形成步骤是通过使用所述金属图案作为掩模进行反应离子蚀刻来进行的以形成所述条状内壁表面。

12.一种薄膜滤波器基体的制造方法，其中，在底基体上形成薄膜滤波器，所述方法包括：

剥离粘合层形成步骤，在所述底基体上形成能够剥离的剥离粘合层；和

薄膜滤波器形成步骤，在所述剥离粘合层上形成薄膜滤波器；

其中，所述薄膜滤波器形成步骤包括在所述底基体的所述剥离粘合层上形成树脂层的树脂层形成步骤，以及形成从所述树脂层的表面到所述树脂层的背面穿透的通孔的通孔形成步骤，使得形成条状内壁表面，所述条状内壁表面具有沿着与所述树脂层的表面相交的相交方向形成的条形部分。

13.根据权利要求12所述的薄膜滤波器基体的制造方法，

其中，所述薄膜滤波器形成步骤还包括：金属层形成步骤，在所述树脂层的所述表面上形成金属层，

抗蚀剂图案形成步骤，在所述金属层上形成有多个孔部分的抗蚀剂图案，以及

金属图案形成步骤，使用所述抗蚀剂图案作为掩模，通过在所述金属层上形成与孔部分相对应的相应的所述孔部分来形成金属图案，

其中，所述通孔形成步骤是通过使用所述金属图案作为掩模进行反应离子蚀刻来进行的以形成所述条状内壁表面。

14.一种MEMS麦克风，包括：

MEMS芯片；

粘附有所述MEMS芯片的封装基体；以及

形成在所述封装基体或所述MEMS芯片上的薄膜滤波器，

其中，所述薄膜滤波器包括：薄膜部分，具有膜表面和布置在所述膜表面的后侧的后膜表面，

多个通孔，形成为从所述膜表面到所述后膜表面穿透所述薄膜部分，以及

条状内壁表面，具有沿着与所述膜表面相交的相交方向形成的条形部分，所述条状内壁表面形成在各个通孔内部。

15.一种使用MEMS芯片和粘附有所述MEMS芯片的封装基体来制造MEMS麦克风的方法，所述方法包括：

感光性粘合层形成步骤，在形成有多个用于制造所述封装基体的封装区域的封装面板的表面上形成由感光性粘合剂制成的感光性粘合层；

薄膜滤波器剥离步骤，从薄膜滤波器基体的剥离粘合层剥离薄膜滤波器，其是通过在底基体上进行形成能够被剥离的所述剥离粘合层的剥离粘合层形成步骤和在所述所述剥离粘合层上形成所述薄膜滤波器的薄膜滤波器形成步骤来制造；以及

薄膜滤波器转录步骤，用于将通过所述薄膜滤波器剥离步骤剥离的所述薄膜滤波器转录到封装面板；

其中，所述薄膜滤波器形成步骤包括在所述底基体的所述剥离粘合层上形成树脂层的树脂层形成步骤和形成从所述树脂层的表面穿透到所述树脂层的后表面的通孔的通孔形成步骤，从而形成条状内壁表面，所述条状内壁表面具有沿着与所述树脂层的所述表面相交的相交方向形成的条形部分。

16.根据权利要求15所述的制造MEMS麦克风的方法，

其中，所述薄膜滤波器形成步骤还包括：金属层形成步骤，在所述树脂层的所述表面上形成金属层，

抗蚀剂图案形成步骤，在所述金属层上形成有多个孔部分的抗蚀剂图案，以及

金属图案形成步骤，使用抗蚀剂图案作为掩模，通过在所述金属层上形成与孔部分相对应的相应的所述孔部分来形成金属图案，

其中，所述通孔形成步骤是通过使用所述金属图案作为掩模进行反应离子蚀刻来进行的以形成所述条状内壁表面。

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