CN111682020A - 光学模组的基板切割方法 - Google Patents

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CN111682020A CN202010540635.6A CN202010540635A CN111682020A CN 111682020 A CN111682020 A CN 111682020A CN 202010540635 A CN202010540635 A CN 202010540635A CN 111682020 A CN111682020 A CN 111682020A
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孙艳美
汪奎
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Abstract

本发明公开一种光学模组的基板切割方法，包括步骤：提供一装载有光学模组的基板，光学模组包括外壳和元器件，元器件通过灌封胶灌封在外壳内；在切割机的切削水内添加表面活性剂，对光学模组的胶面进行封膜处理，以使胶面上形成一层活性剂薄膜；调试切割机的切削参数，并在切削水浸湿基板后根据切削参数对基板进行切割，以分离基板上的各光学模组。本发明通过在切割机的切削水内添加表面活性剂，使得胶面上形成一层活性剂薄膜，并在待切削水完全浸湿基板后再对其进行切割，以确保在正式切割前切削水已在胶面形成活性剂薄膜，防止后续切割过程中产生的碎屑杂质粘黏到灌封胶表面，同时通过调试切割机的切削参数减少基板在切割过程中碎屑杂质的产生。

Description

光学模组的基板切割方法
技术领域
本发明涉及光学模组加工技术领域，特别涉及一种光学模组的基板切割方法。
背景技术
光学模组，比如心率模组是用来测量人体心率的装置，常用的光学模组是通过光电投射测量法对人体心率进行监测的，即通过LED灯照射皮肤，由于血液对特定波长的光有吸收作用，每次心脏泵血时，该波长都会被大量吸收，以此就可以确定心跳。在实际应用中，心率模组一般都是装在手环、手表等装置内部，跟随人体运动对心率进行监测的，然而，由于佩戴人的运动幅度有时较大，心率模组内的元器件，尤其是LED器件很容易出现掉落或者损害现象，因此，业内的心率产品或者LED产品需要灌封胶保护，即在元器件与外壳之间现充灌封胶，通过灌封胶保护光学模组内的器件。但是灌封胶材质本身的特性很容易粘黏异物，当灌封胶固化后的产品在基板切割时，基板产生的碎屑杂质很容易粘黏到灌封胶表面，造成异物残留，且不能有效去除，影响产品使用。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种光学模组的基板切割方法，旨在解决在光学模组的基板切割时灌胶表面容易粘黏碎屑杂质的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出一种光学模组的基板切割方法，所述光学模组的基板切割方法包括如下步骤：
提供一装载有光学模组的基板，所述光学模组包括外壳和元器件，所述元器件通过灌封胶灌封在所述外壳内；
在切割机的切削水内添加表面活性剂，对所述光学模组的胶面进行封膜处理，以使所述胶面上形成一层活性剂薄膜；
调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组。
优选地，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤包括：
调整所述切割机的切割程序，使所述切割机的切割刀空切；
在所述切割刀的空切次数达到预设空切次数后，根据所述切削参数对所述基板进行切割。
优选地，所述预设空切次数为3次以上。
优选地，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调整所述切割机的切割程序，使所述切割机的切割刀延迟切割；
在所述切割刀的延迟切割时长达到预设延迟时长后，根据所述切削参数对所述基板进行切割。
优选地，所述预设延迟时长为10～15s。
优选地，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调整所述切割机的切割程序，使得所述切割机在所述切割刀对所述基板进行切割之前对所述基板的表面提前喷洒所述切削水；
在所述切削水提前喷洒预设提前时长后，所述切割刀根据所述切削参数对所述基板进行切割。
优选地，所述预设提前时长为10～15s。
优选地，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调试所述切割机的X轴的切削速度为310～600mm/s，Y轴的切削速度为300～310mm/s，Z轴的切削速度为50～80mm/s。
优选地，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调试所述切削水的流量为3.0～6.0L/min，压力为0.3～0.5Mpa；调试所述表面活性剂加入所述切削水的冲程为30％～60％，频率为50％～80％，流量为1.95～3.6ml/min。
优选地，在所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤之后，还包括：
采用清洗水对切割分离后的所述光学模组进行清洗，以去除所述活性剂薄膜及切割处理过程掉落至所述活性剂薄膜上的异物杂质；其中，所述清洗水为去离子纯水和二氧化碳形成的混合泡沫水。
本发明光学模组的基板切割方法中，通过在切割机的切削水内添加表面活性剂，对光学模组的胶面进行封膜处理，使得胶面上形成一层活性剂薄膜，防止后续切割过程中产生的碎屑杂质粘黏到灌封胶表面。并且，在正式切割前调试切割机的切削参数，使其对基板的切割性能达到最优化，减少基板在切割过程中碎屑杂质的产生。另外，待切削水完全浸湿基板后再对其进行切割，以确保在正式切割前切削水已在胶面形成活性剂薄膜，保证后续切割过程中产生的碎屑杂质不会粘黏到灌封胶表面，进而保证产品的正常使用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一实施例光学模组的俯视示意图；
图2为本发明一实施例光学模组的未灌胶的截面示意图；
图3为本发明一实施例光学模组灌胶后的截面示意图；
图4为本发明一实施例基板及光学模组的俯视示意图；
图5为本发明光学模组的基板切割方法第一实施例的流程示意图；
图6为本发明光学模组的基板切割方法第二实施例的流程示意图；
图7为本发明光学模组的基板切割方法第三实施例的流程示意图；
图8为本发明光学模组的基板切割方法第四实施例的流程示意图；
图9为本发明光学模组的基板切割方法第五实施例的流程示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
100 光学模组 30 LED红灯组件
10 基板 40 模拟前端模块
20 外壳 50 光敏二极管
21 第一小槽 60 LED绿灯组件
22 第一大槽 70 电源管理模块
23 第二小槽 80 灌封胶
24 第二大槽
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种光学模组的基板切割方法。
参照图5，为本发明光学模组的基板切割方法第一实施例的流程示意图，该方法包括以下步骤：
步骤S100，提供一装载有光学模组的基板，所述光学模组包括外壳和元器件，所述元器件通过灌封胶灌封在所述外壳内；
参照图1至图4，本实施例的光学模组100可以是心率产品或LED产品，本实施例以光学模组100为心率模组为例进行说明，光学模组100所用灌封胶80材质丙烯酸酯、UV环氧树脂胶、AB混合甲基苯基硅胶和AB混合甲基硅胶等固化后在基板10切割过程中表面均有粘黏异物杂质的表现。目前心率产品所用灌胶型号一般有Dow Corning OE-7841、DowCorning OE-6370以及Panacol 1619，其中，灌胶型号为Dow Corning OE-7841的材质为甲基苯基硅胶，颜色透明，粘度为3200mPA·S，线性热膨胀系数为200ppm/K，硬度Shore D为48，固化条件为150℃烘烤120min；Dow Corning OE-6370的材质为甲基硅胶，颜色透明，粘度为3800mPA·S，线性热膨胀系数为200ppm/K；硬度Shore A为71，固化条件为150℃烘烤120min；Panacol 1619的材质为环氧树脂，颜色透明，粘度为3000～5000mPA·S，线性热膨胀系数为160ppm/K；硬度Shore D为60～80，固化条件为UV光辐射照度为600mW/cm2下照射60s以及在105℃烘烤30min。
心率模组包括固定在基板10上的外壳20，在外壳20内部开设有第一小槽21和第一大槽22，其中，在第一小槽21内部底端的中心线位置上安装有LED红灯组件30，在第一大槽22内部的底端的中心位置安装有模拟前端模块40，在模拟前端模块40的顶部堆叠安装有光敏二极管50；外壳20内部还开设有第二小槽23和第二大槽24，在第二小槽23内部底端的中心线位置安装有LED绿灯组件60，在第二大槽24内部的底端的中心位置安装有电源管理模块70，在电源管理模块70的顶部堆叠安装有光敏二极管50；需要说明的是，心率模组的各元器件相互配合使用，通过各元器件之间的配合实现心率模组对人体的心率测量。需要强调的是，由于本发明的创新点在于对光学模组100的基板10切割方法进行的改进，因此，这里仅介绍该光学模组100的内部结构，关于光学模组100的工作原理，已为现有技术，在此不再赘述。
光学模组100的灌胶过程为，在完成倒装、着晶、打线、划胶、贴壳等前期工序后，对灌封胶80进行回温处理。对于常用的灌封胶80而言，为延长其使用寿命，一般都需要将其存储在冷冻室内进行冷冻保存，因此，在实际使用之前需要对其进行回温处理，使其回温至室温，从而变成液态，便于点胶机点胶。
对于电磁阀而言，由于其控制点胶机的喷射范围、喷点角度，而点胶机的喷射范围、喷点角度直接影响最终的灌胶效果，因此，需要预先对其进行清洗，清洗掉里面的杂质。在进行点胶之前，还需要对点胶机及其参数进行调试，在实际应用中，一般选用NordsonAsymtekS2-900型号的点胶机，对于该型号的点胶机，主要调试点胶机平台的水平度、点胶高度以及针头大小等等，需要说明的是，点胶机各参数的设定与光学模组100的具体结构有关，并不是本发明的创新点，在此不在赘述。
当各灌胶工具均达到相应的灌胶条件后，即可将灌封胶80装入点胶机内部，并通过电磁阀控制点胶机对光学模组100进行一次灌胶，即向第一小槽21、第一大槽22、第二小槽23及第二大槽24内分别灌入一半容量的灌封胶80。通过静置一段时间，比如30s后，灌封胶80在各槽内分布均匀，并使得灌封胶80内部气泡自动排除后，再进行二次灌胶，即向第一小槽21、第一大槽22、第二小槽23及第二大槽24内分别灌入剩下一半容量的灌封胶80，进而完成对第一小槽21、第一大槽22、第二小槽23及第二大槽24内全部容量的灌胶。完成灌胶后，根据灌封胶80材质可选择先通过UV照射后再进行烘烤固化，或者也可直接进行烘烤固化，固化后再进行基板10切割，将基板10上的各所述光学模组100分离。
需要说明的是，在实际生产中，为了提高工作效率，一条基板10上设置有至少200个光学模组100，各所述光学模组100以外壳20为分界线，因此，在各所述光学模组100内的灌封胶80均充分固化后，即可对该基板10进行切板处理，通过切板的方式将各所述光学模组100分离开，从而应用于不同的装置内。
步骤S200，在切割机的切削水内添加表面活性剂，对所述光学模组的胶面进行封膜处理，以使所述胶面上形成一层活性剂薄膜；
本实施例的切割机选用带有精密切割刀片的切割设备，型号为ACCRETECH TSKAD3000plus。在刀片切割的过程中通常伴随有切削水进行清洗，以去除灌封胶80表面的杂质。本实施例中，切削水选用去离子纯水，在切割机释放去离子纯水的过程中，同时释放表面活性剂，以将表面活性剂添加进去离子纯水中，与去离子纯水进行混合喷洒到基板10上，从而对光学模组100的胶面进行封膜处理，使得胶面上形成一层活性剂薄膜，防止后续切割过程中产生的碎屑杂质粘黏到灌封胶80表面。
步骤S300，调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组。
在正式切割前调试切割机的切削参数，比如调试切割机的切割刀的切削速度、切削水的流量和压力以及表面活性剂的释放流量、冲程和频率等参数，以优化对基板10的切割性能，减少基板10在切割过程中碎屑杂质的产生。并且，由于切割机的切割刀启动切割时与切削水的释放同步进行，在切割刀开始切割时，切削水还未将基板10浸湿，使得光学模组100的灌封胶80表面在未封膜前就被切削基板10产生的碎屑杂质粘黏。因而本实施例中，待切削水完全浸湿基板10后再行切割，即，待喷洒在光学模组100的切削水在胶面完全成膜后，再由切割机根据调试后的切削参数对基板10进行切割，从而防止切削过程中产生的碎屑杂质粘黏到灌封胶80表面。
本实施例光学模组100的基板10切割方法中，通过在切割机的切削水内添加表面活性剂，对光学模组100的胶面进行封膜处理，使得胶面上形成一层活性剂薄膜，防止后续切割过程中产生的碎屑杂质粘黏到灌封胶80表面。并且，在正式切割前调试切割机的切削参数，使其对基板10的切割性能达到最优化，减少基板10在切割过程中碎屑杂质的产生。另外，待切削水完全浸湿基板10后再对其进行切割，以确保在正式切割前切削水已在胶面形成活性剂薄膜，保证后续切割过程中产生的碎屑杂质不会粘黏到灌封胶80表面，进而保证产品的正常使用。
进一步的，参照图6，为本发明光学模组的基板切割方法第二实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S300包括：
步骤S301，调整所述切割机的切割程序，使所述切割机的切割刀空切；
步骤S302，在所述切割刀的空切次数达到预设空切次数后，根据所述切削参数对所述基板进行切割。
可以理解地，切割机为数控切割机，切割机的切割过程按设定的切割程序进行。本实施例通过调整切割机的切割程序，使得切割刀在正式切割基板10前空切，由于切割机的切割刀启动切割时与切削水的释放同步进行，在切割刀空切的过程中，切削水会对基板10进行持续喷洒，直至切割刀的空切次数达到预设空切次数，即，切割刀的空切时长达到一定的时长，切削水利用切割刀的空切时长将基板10完全浸湿，使得光学模组100的灌封胶80表面完全成膜后，再由切割刀根据所述切割参数对基板10进行正式切割。
本实施例通过利用切割刀的空切时长，即，利用切割刀从启动到正式进行切削时的间隙，使得切削水在切割刀正式切割基板10前将基板10完全浸湿，进而确保在正式切割前切削水已在胶面形成活性剂薄膜，保证后续切割过程中产生的碎屑杂质不会粘黏到灌封胶80表面，进而保证产品的正常使用。
在一实施例中，所述预设空切次数为3次以上，即在所述切割刀的空切次数达到3次以上后，再由切割刀根据切削参数对基板10进行正式切割。参照图4，切割刀的前3次空切的入刀点均为两个相邻并横排的光学模组100之间，第1次切割入刀点为A点，第2次切割入刀点为D点，第3次切割入刀点为C点。
在优选的实施例中，所述预设空切次数设置为3～6，即，空切次数达到3次或4次或5次或6次后，再由所述切割刀根据所述切削参数对所述基板10进行正式切割。将所述预设空切次数设置为3～6，使得切割刀的空切时长可达到10～15s，足以使切削水在胶面完全成膜，提高成膜可靠性，同时，确保切割刀的空切时长不至于过长而拖慢切割进度，提高生产效率。
进一步的，参照图7，为本发明光学模组的基板切割方法第三实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S300还包括：
步骤S303，调整所述切割机的切割程序，使所述切割机的切割刀延迟切割；
步骤S304，在所述切割刀的延迟切割时长达到预设延迟时长后，根据所述切削参数对所述基板进行切割。
本实施例通过调整切割机的切割程序，使得切割机的切割刀延迟切割，即在切割机在启动后，其切割刀暂不进行切割，而切削水则会在切割机启动时立即释放，切割刀的初始切割动作滞后于切削水的初始释放动作。在切割刀正式切割前，切削水会对基板10进行持续喷洒，直至切割刀的延迟切割时长达到预设延迟时长后，切削水将基板10完全浸湿，使得光学模组100的灌封胶80表面完全成膜，再由切割刀根据所述切割参数对基板10进行正式切割。
本实施例通过利用切割刀的延迟切割，使得切削水可利用切割机从启动到切割刀正式进行切削时的间隙对基板10进行持续喷洒，以使切削水在切割刀正式切割基板10前将基板10完全浸湿，进而确保在正式切割前切削水已在胶面形成活性剂薄膜，保证后续切割过程中产生的碎屑杂质不会粘黏到灌封胶80表面，进而保证产品的正常使用。
在一实施例中，所述预设延迟时长为10～15s，即，在所述切割刀的延迟切割时长达到10～15s后，再由切割刀根据切削参数对基板10进行正式切割。将所述预设延迟时长设置为10～15s，使得切削水在切割刀正式切割前可以对基板10持续喷洒10～15s，足以使切削水在胶面完全成膜，提高成膜可靠性，同时，确保切割刀的延迟切割时长不至于过长而拖慢切割进度，提高生产效率。
进一步的，参照图8，为本发明光学模组的基板切割方法第四实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S300还包括：
步骤S305，调整所述切割机的切割程序，使得所述切割机在所述切割刀对所述基板进行切割之前对所述基板的表面提前喷洒所述切削水；
步骤S306，在所述切削水提前喷洒预设提前时长后，所述切割刀根据所述切削参数对所述基板进行切割。
本实施例通过调整切割机的切割程序，使得切割机在切割刀对基板10进行切割之前提前释放切削水，以对基板10的表面提前喷洒切削水。可以理解地，启动切割机后，切削水随着切割机的启动而立即释放，而切割刀则暂不进行切割动作，即切割刀的初始切割动作滞后于切削水的初始释放动作，切削水在切割刀进行切割前提前喷洒基板10，进而在切割到进行切割基板10前使得光学模组100的灌封胶80表面提前成膜。在切削水提前喷洒预设提前时长后，切削水将基板10完全浸湿，使得光学模组100的灌封胶80表面完全成膜后，再由切割刀根据所述切割参数对基板10进行正式切割。
本实施例通过利用切削水的提前喷洒，进而确保在切割刀正式切割前切削水已在胶面形成活性剂薄膜，保证后续切割过程中产生的碎屑杂质不会粘黏到灌封胶80表面，进而保证产品的正常使用。
在一实施例中，所述预设提前时长为10～15s，即，切削水在切割刀进行切割前提前喷洒基板10至10～15s后，再由切割刀根据切削参数对基板10进行正式切割。将所述预设提前时长设置为10～15s，使得切削水在切割刀正式切割前可以对基板10提前喷洒10～15s，足以使切削水在胶面完全成膜，提高成膜可靠性，同时，确保切割刀的正式切割时刻不至于过分滞后而拖慢切割进度，提高生产效率。
进一步的，所述步骤S300还包括：
步骤S307，调试所述切割机的X轴的切削速度为310～600mm/s，Y轴的切削速度为300～310mm/s，Z轴的切削速度为50～80mm/s。
可以理解地，切割机具有三个进给轴，分别为X轴、Y轴以及Z轴，在切割刀在切割的过程中，由X轴、Y轴以及Z轴共同控制。在切割刀启动前，调试切割机的程序，使得切割机的三个进给轴在合理的范围内，X轴的切削速度为310～600mm/s，Y轴的切削速度为300～310mm/s，Z轴的切削速度为50～80mm/s，进一步优化对基板10的切削性能，减少基板10在切割过程中碎屑杂质的产生。
进一步的，所述步骤S300还包括：
步骤S308，调试所述切削水的流量为3.0～6.0L/min，压力为0.3～0.5Mpa；调试所述表面活性剂加入所述切削水的冲程为30％～60％，频率为50％～80％，流量为1.95～3.6ml/min。
在切割机切割前，调试切削水和表面活性剂释放的参数在合理的范围内，其中，切削水的流量为3.0～6.0L/min，压力为0.3～0.5Mpa，表面活性剂加入切削水的冲程为30％～60％，频率为50％～80％，流量为1.95～3.6ml/min，使得切削水的流量和压力以及表面活性剂的释放流量、冲程和频率等参数的选择最优化，进一步优化对基板10的切削性能，减少基板10在切割过程中碎屑杂质的产生。
进一步的，参照图9，为本发明光学模组的基板切割方法第五实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，在所述步骤S300之后，还包括：
步骤S400，采用清洗水对切割分离后的所述光学模组进行清洗，以去除所述活性剂薄膜及切割处理过程掉落至所述活性剂薄膜上的异物杂质；其中，所述清洗水为去离子纯水和二氧化碳形成的混合泡沫水。
可以理解地，基板10在切割的过程中产生的碎屑灰尘等异物杂质可能会掉落到活性剂薄膜上，在光学模组100被切割分离后，采用清洗水对光学模组100进行清洗，以去除活性剂薄膜及切割处理过程掉落至活性剂薄膜上的异物杂质，防止灌封胶80表面粘黏异物杂质，保证产品的正常使用。
需要说明的是，表面活性剂是指加入少量即能使其溶液体系的界面状态发生明显变化的物质。具有固定的亲水亲油基团，在溶液的表面能定向排列。表面活性剂的分子结构具有两亲性：一端为亲水基团，另一端为疏水基团。因此，在清洗水清洗过程中，产生的异物杂质不管是亲水性的还是亲油性的，均会与表面活性剂一同被清水冲洗掉，从而防止灌封胶80表面粘黏异物杂质。
本实施例的清洗水为去离子纯水和二氧化碳形成的混合泡沫水，即，在去离子纯水中加入二氧化碳气体，使清洗水形成二流体泡沫，清洗效果及力度更好。采用清洗水对切割分离后的光学模组100清洗20～40s，可将活性剂薄膜及切割处理过程掉落至活性剂薄膜上的异物杂质全部去除，保证产品的正常使用。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述光学模组的基板切割方法包括如下步骤：
提供一装载有光学模组的基板，所述光学模组包括外壳和元器件，所述元器件通过灌封胶灌封在所述外壳内；
在切割机的切削水内添加表面活性剂，对所述光学模组的胶面进行封膜处理，以使所述胶面上形成一层活性剂薄膜；
调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组。
2.如权利要求1所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤包括：
调整所述切割机的切割程序，使所述切割机的切割刀空切；
在所述切割刀的空切次数达到预设空切次数后，根据所述切削参数对所述基板进行切割。
3.如权利要求2所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述预设空切次数为3次以上。
4.如权利要求1所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调整所述切割机的切割程序，使所述切割机的切割刀延迟切割；
在所述切割刀的延迟切割时长达到预设延迟时长后，根据所述切削参数对所述基板进行切割。
5.如权利要求4所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述预设延迟时长为10～15s。
6.如权利要求1所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调整所述切割机的切割程序，使得所述切割机在所述切割刀对所述基板进行切割之前对所述基板的表面提前喷洒所述切削水；
在所述切削水提前喷洒预设提前时长后，所述切割刀根据所述切削参数对所述基板进行切割。
7.如权利要求6所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述预设提前时长为10～15s。
8.如权利要求1-7中任一项所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调试所述切割机的X轴的切削速度为310～600mm/s，Y轴的切削速度为300～310mm/s，Z轴的切削速度为50～80mm/s。
9.如权利要求1-7中任一项所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤还包括：
调试所述切削水的流量为3.0～6.0L/min，压力为0.3～0.5Mpa；调试所述表面活性剂加入所述切削水的冲程为30％～60％，频率为50％～80％，流量为1.95～3.6ml/min。
10.如权利要求1-7中任一项所述的光学模组的基板切割方法，其特征在于，在所述调试所述切割机的切削参数，并在切削水浸湿所述基板后根据所述切削参数对所述基板进行切割，以分离所述基板上的各所述光学模组的步骤之后，还包括：
采用清洗水对切割分离后的所述光学模组进行清洗，以去除所述活性剂薄膜及切割处理过程掉落至所述活性剂薄膜上的异物杂质；其中，所述清洗水为去离子纯水和二氧化碳形成的混合泡沫水。
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