CN111665403A - 层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统 - Google Patents

层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统 Download PDF

Info

Publication number
CN111665403A
CN111665403A CN202010355856.6A CN202010355856A CN111665403A CN 111665403 A CN111665403 A CN 111665403A CN 202010355856 A CN202010355856 A CN 202010355856A CN 111665403 A CN111665403 A CN 111665403A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic component
laminated electronic
infrared image
infrared
failure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010355856.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111665403B (zh
Inventor
林道谭
夏星贤
石高明
莫富尧
冯丽婷
李伟利
邓晶
吴谋智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Original Assignee
China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute filed Critical China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Priority to CN202010355856.6A priority Critical patent/CN111665403B/zh
Publication of CN111665403A publication Critical patent/CN111665403A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111665403B publication Critical patent/CN111665403B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/003Environmental or reliability tests
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/0096Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for measuring wires, electrical contacts or electronic systems
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/48Thermography; Techniques using wholly visual means
    • G01J5/485Temperature profile
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J2005/0077Imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

本申请涉及一种层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统。在层叠型电子元件的失效点定位方法中,为失效的层叠型电子元件施加电信号,并通过红外热成像分析采集介质体的第一表面的红外图像,且采集介质体的第二表面的红外图像;其中,第一表面与第二表面是呈夹角连接的两个表面;进一步地,可根据两个表面的红外图像来确认异常热点的三维坐标,实现失效点的定位。基于此,通过相连接的两个表面的温度分布定位,能够有效提高层叠型电子元件的失效点定位的准确度,同时,不需要加热台辅助,节省失效分析时间且降低试验难度。

Description

层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统
技术领域
本申请涉及层叠型电子元件检测技术领域,特别是涉及一种层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统。
背景技术
伴随着电子产品不断向小、轻、薄的方向发展,与之匹配的电子元件也不断向叠层化发展,如多层片式陶瓷电容、多层片式压敏电阻等。层叠型电子元件主要由介质体、内层电极和端电极组成。
近年来,人们对产品可靠性的要求越来越高,对多层片式陶瓷电容、多层片式压敏电阻等层叠型电子元件提出了更高的要求。绝缘电阻降低或短路失效是层叠型电子元件的主要失效模式,对电子产品的可靠性构成极大威胁。为了提高层叠型电子元件的可靠性,需要针对其开展失效分析,明晰其失效机理,方能提出改进建议。
在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:对于层叠型电子元件,其失效点的定位较为困难。当前的主要分析方法为将失效样品固封,制成切片进行观察。由于机械研磨制作切片方法得到的剖面是不连续的,如果失效样品的失效点小于研磨的步长,则有可能造成失效点的定位失败,导致失效样品失效机理的无法确定。
发明内容
基于此,有必要针对传统技术对层叠型电子元件的失效点定位存在准确度低的问题,提供一种层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统。
为了实现上述目的,一方面,本申请实施例提供了一种层叠型电子元件的失效点定位方法,包括:
获取层叠型电子元件的第一红外图像;层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;第一红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
获取层叠型电子元件的第二红外图像;第二红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;第一表面与第二表面呈夹角设置;
根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
在其中一个实施例中,根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤包括:
从第一红外图像中获取异常热点的第一位置坐标;
从第二红外图像中获取异常热点的第二位置坐标;
根据第一位置坐标和第二位置坐标,得到三维坐标。
在其中一个实施例中,根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤之后,还包括:
根据三维坐标获取异常热点的形貌图;形貌图为根据三维坐标对层叠型电子元件进行切片及检测得到。
在其中一个实施例中,获取层叠型电子元件的第一红外图像的步骤之前,还包括:
对层叠型电子元件施加电信号;电信号为矩形波。
在其中一个实施例中,矩形波的周期的取值范围为100毫秒至500毫秒;
矩形波的峰值的取值范围为0.1伏至5伏。
在其中一个实施例中,失效电子元件为多层陶瓷电容器或叠层型压敏电阻器;介质体为陶瓷体。
另一方面,本申请实施例还提供了一种层叠型电子元件的失效点定位装置,包括:
第一红外图像获取模块,用于获取层叠型电子元件的第一红外图像;层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;第一红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
第二红外图像获取模块,用于获取层叠型电子元件的第二红外图像;第二红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;第一表面与第二表面呈夹角设置;
三维坐标确认模块,用于根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
在其中一个实施例中,提供了一种系统,包括:
样品台,用于放置层叠型电子元件;
电源,用于为层叠型电子元件施加电信号;
红外热成像仪探测系统,用于对层叠型电子元件进行红外热成像分析;
处理设备,与红外热成像仪探测系统通信连接;处理设备用于实现如上述的层叠型电子元件的失效点定位方法。
在其中一个实施例中,红外热成像仪探测系统包括:
光学模块;
红外热像仪探头,用于通过光学模块获取层叠型电子元件的图像信息;
处理器,分别与红外热像仪探头和处理设备通信连接;
显示器,与处理器电连接。
在其中一个实施例中,提供了一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现如上述的层叠型电子元件的失效点定位方法。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果:
为失效的层叠型电子元件施加电信号,并通过红外热成像分析采集介质体的第一表面的红外图像,且采集介质体的第二表面的红外图像;其中,第一表面与第二表面是呈夹角连接的两个表面;进一步地,可根据两个表面的红外图像来确认异常热点的三维坐标,实现失效点的定位。基于此,通过相连接的两个表面的温度分布定位,能够有效提高层叠型电子元件的失效点定位的准确度,同时,不需要加热台辅助,节省失效分析时间且降低试验难度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中层叠型电子元件的失效点定位方法的第一示意性流程图;
图2为一个实施例中层叠型电子元件的结构示意图;
图3为一个实施例中层叠型电子元件的失效点定位方法的第二示意性流程图;
图4为一个实施例中层叠型电子元件的失效点定位方法的第三示意性流程图;
图5为一个实施例中失效多层陶瓷电容器的典型模型图;
图6为一个实施例中失效电容的第一次红外热成像分析的结果示意图;
图7为一个实施例中失效电容的第二次红外热成像分析的结果示意图;
图8为一个实施例中失效电容的失效点的形貌示意图;其中,(a)为第一比例形貌图,(b)为第二比例形貌图,(c)为第三比例形貌图,(d)为第四比例形貌图;
图9为一个实施例中层叠型电子元件的失效点定位装置的示意图;
图10为一个实施例中系统的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。
可以理解,本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种部件,但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个部件与另一个部件区分。
空间关系术语例如“呈夹角设置”等,在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。
需要说明的是,当一个元件被认为是“连接”另一个元件时,它可以是直接连接到另一个元件,或者通过居中元件连接另一个元件。此外,以下实施例中的“连接”,如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递,则应理解为“电连接”、“通信连接”等。
在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是,术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时,在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
现有的失效点定位技术包括:
(1)机械研磨与显微观察相结合的失效分析方法,例如,陶瓷电容制成金相切片样品,在研磨过程中结合参数测试以及显微观察,以此来定位失效电容的失效点,该方法较为普遍,但对于相关技术人员的要求较高,主要取决于人员的工作经验及切片手艺,同时还有一定的随机性,当失效样品的失效点较小时,容易导致失效点的定位失败。并且,该方法需要慢工细磨,花费时间较长。
(2)红外热像探测结合样品台控温以及显微镜技术,从二维平面角度对电容器失效点进行定位。其定位的准确度有待进一步提高;同时,该方法是通过在失效电容器两端施加恒定电压对异常热点进行定位,随着加电时间的延长,一方面由于热斑扩大,引起定位精确度的降低,另一方面会对失效样品的异常点造成二次损失,有可能引入新的失效机理,导致失效原因的误判。此外,该方法法还需要对样品台进行控温,试验过程中需要等待加热台温度的稳定,延长了试验时间,同时试验过程中需要对样品均匀加热,对样品的要求较高,增加了试验难度。
基于以上原因,本申请实施例提供了一种基于红外热成像技术的层叠型电子元件失效定位方法,主要包括步骤:样品准备;第一次红外热成像分析(正面);第二次红外热成像分析(侧面);失效点三维定位。
在一个实施例中,提供了一种层叠型电子元件的失效点定位方法,如图1所示,包括:
步骤S110,获取层叠型电子元件的第一红外图像;层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;第一红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
步骤S120,获取层叠型电子元件的第二红外图像;第二红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;第一表面与第二表面呈夹角设置;
步骤S130,根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
具体而言,针对失效的层叠型电子元件样品,可先通过两端的电极对层叠型电子元件施加电信号。进一步地,可对施加电信号的层叠型电子元件进行红外热成像分析,获取层叠型电子元件的介质体的第一表面的温度分布图,即第一红外图像,还获取层叠型电子元件的介质体的第二表面的温度分布图,即第二红外图像;其中,第一表面与第二表面呈夹角设置,即属于两个相交的侧面,比如一个为介质体的顶面,另一个为介质体的侧面。基于介质体上两个相交的表面的红外图像,可确认层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。基于此,通过介质体上两个相交的表面的红外图像获取三维坐标,能够快速定位到失效点的位置,可避免通电时间延长造成的热斑扩大,进而引起定位精确度降低,以及对异常热点造成二次损失的问题。基于本申请实施例,能够增加定位的准确性、节省失效分析时间且降低试验难度。
需要说明的是,本申请实施例可通过检测设备或检测系统来执行,还可通过检测人员操纵相关的检测设备来实现,此处不做具体限定。层叠型电子元件例如多层片式陶瓷电容、多层片式压敏电阻等,此处不做具体限定。层叠型电子元件的结构可如图2所示,介质体相对的两端分别设有端电极,介质体内设有内层电极;其中,介质体可为陶瓷体或有机薄膜体等,此处不做具体限定。对层叠型电子元件施加的电信号可为方波信号、恒压信号、正弦波信号或锯齿波信号等,此处不做具体限定。
层叠型电子元件的介质体为多面体,其中两个表面用于与端电极电连接,还有两个相交的表面可用于红外热成像分析,实现快速确认异常热点的三维坐标;示例性地,第一表面与第二表面的夹角可为80°、85°、90°或100°等,此处不做具体限定。在一个示例中,介质体为长方体,第一表面可为介质体的顶面,第二表面可为介质体的侧面。
红外图像可通过红外热成像分析得到。红外热成像技术是一种通过探测目标物体发出的红外辐射,借助光电转换、电信号处理等技术手段,将被测物体的温度分布图像转换成可见光图像的无损检测技术。基于该技术做成的设备被称为红外热像仪;该仪器可对被测物体的表面温度和温度分布进行测量。基于一个表面的红外图像,可得到异常热点在该表面上的位置;根据异常热点在两个表面上的位置,以及两个表面之间的夹角,可确认异常热点的三维坐标,精确定位异常热点的位置。
本申请实施例提高了层叠型电子元件的失效点定位的准确度,同时,方案的实施不需要加热台,无需对样品台进行控温,提高了试验效率并降低了试验难度。
在一个实施例中,如图3所示,根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤包括:
步骤S132,从第一红外图像中获取异常热点的第一位置坐标。
步骤S134,从第二红外图像中获取异常热点的第二位置坐标。
步骤S136,根据第一位置坐标和第二位置坐标,得到三维坐标。
具体而言,可在获取到红外图像后,对红外图像进行温度分布分析,得到异常热点的二维位置坐标,并通过两个二维位置坐标,确定异常热点的三维坐标。本申请实施例可通过检测异常热点在两个相交表面上的位置坐标,进而确认异常热点在介质体中的位置,即三维坐标,能够有效降低定位时间、提高定位精度。
在一个实施例中,根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤之后,还包括:
根据三维坐标获取异常热点的形貌图;形貌图为根据三维坐标对层叠型电子元件进行切片及检测得到。
具体而言,根据获取到的三维坐标,可对层叠型电子元件进行精确切片及制样,得到形貌检测样品,进而能够对形貌检测样品进行形貌表征,以获取异常热点的形貌图,从而可分析异常热点的失效机制。应该注意的是,形貌表征的方式包括但不限于金相显微镜表征和电镜表征;相应地,可根据形貌表征的方式以及层叠型电子元件的材料属性,确认层叠型电子元件的制样手段,此处不做具体限定。本申请实施例可基于异常热点的三维坐标,采用多种表征方式来获取异常热点的形貌图,能够适用于多种的失效分析需求,适用性广。
在一个实施例中,如图4所示,获取层叠型电子元件的第一红外图像的步骤之前,还包括:
步骤S108,对层叠型电子元件施加电信号;电信号为矩形波。
具体而言,在进行红外热成像分析前,可先通过层叠型电子元件的两个端电极施加矩形波电信号。具体地,矩形波的频率和峰值可根据实际检测需求进行设置,此处不做具体限定。基于此,本申请实施例可采用低电压方波信号,减少信号干扰,同时不会对样品造成损伤,属于无损定位方法,进一步提高定位效率和准确度。
在一个实施例中,矩形波的周期的取值范围为100毫秒至500毫秒。
具体而言,矩形波的周期可为100毫秒、150毫秒、200毫秒、225毫秒、300毫秒、400或毫秒500毫秒等。
在一个实施例中,矩形波的峰值的取值范围为0.1伏至5伏。
具体而言,矩形波的峰值可为0.1伏、0.2伏、0.5伏、1伏、1.5伏、2伏、3伏、4伏或5伏等。
在一个实施例中,失效电子元件为多层陶瓷电容器或叠层型压敏电阻器。
具体而言,本申请实施例可对多层陶瓷电容器、叠层型压敏电阻器等层叠型电子元件进行快速、精确的失效点定位。
在一个实施例中,介质体为陶瓷体。
具体而言,层叠型电子元件的介质体可为陶瓷体。
在一个实施例中,失效样品为某型号多层陶瓷电容器,在使用过程中发现电容器绝缘电阻降低失效。
样品准备时,把失效电容放置在红外热像仪样品台,样品台不需要加热,失效电容两侧端头施加矩形波,例如周期200ms(毫秒)、峰值1V(伏)的直流方波。
多层陶瓷电容器外表面由端电极和陶瓷体组成。如图5定义的坐标系,电容器的陶瓷体的上下表面平行于XY平面,该平面定义为电容器正面;电容器的陶瓷体的前后表面平行于XZ平面,该平面定义为电容器侧面。
第一次红外热成像分析(正面)中,红外热像仪探头垂直于电容器正面,对失效电容通上一定频率的方波信号,结合红外热像仪获取失效电容器表面的温度分布(属于第一红外图像),得到失效电容器的异常热点二维平面坐标(x,y),如图6所示。
第二次红外热成像分析(侧面)中,红外热像仪探头垂直于电容器侧面,对失效电容通上一定频率的方波信号,结合红外热像仪获取失效电容器表面的温度分布(属于第二红外图像),得到失效电容器的异常热点二维平面坐标(x,z),如图7所示。
失效点的三维定位中,通过两次不同朝向的红外热像分析,综合所得的二维平面坐标,可获取失效电容器的异常热点的三维坐标(x,y,z),即为失效电容失效点的三维坐标位置,从而做到了失效点的精确定位。
进一步地,基于该定位,可将失效电容器制成金相切片样品,得到样品的失效点。如图8所示,通过(a)、(b)、(c)、(d)的定位以及比例的逐渐放大,可验证该失效点与红外热成像获取的位置完全一致。同时,形貌图可用于异常热点的失效分析。
应该理解的是,虽然图1、3和4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图1、3和4中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段,这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中,提供了一种层叠型电子元件的失效点定位装置,如图9所示,包括:
第一红外图像获取模块,用于获取层叠型电子元件的第一红外图像;层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;第一红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
第二红外图像获取模块,用于获取层叠型电子元件的第二红外图像;第二红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;第一表面与第二表面呈夹角设置;
三维坐标确认模块,用于根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
在一个实施例中,三维坐标确认模块包括:
第一位置获取单元,用于从第一红外图像中获取异常热点的第一位置坐标;
第二位置获取单元,用于从第二红外图像中获取异常热点的第二位置坐标;
三维坐标获取单元,用于根据第一位置坐标和第二位置坐标,得到三维坐标。
在一个实施例中,层叠型电子元件的失效点定位装置还包括:
形貌获取模块,用于根据三维坐标获取异常热点的形貌图;形貌图为根据三维坐标对层叠型电子元件进行切片及检测得到。
在一个实施例中,还包括:
电信号施加模块,用于对层叠型电子元件施加电信号;电信号为矩形波。
关于层叠型电子元件的失效点定位装置的具体限定可以参见上文中对于层叠型电子元件的失效点定位方法的限定,在此不再赘述。上述层叠型电子元件的失效点定位装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中,也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中,以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中,提供了一种系统,包括:
样品台,用于放置层叠型电子元件;
电源,用于为层叠型电子元件施加电信号;
红外热成像仪探测系统,用于对层叠型电子元件进行红外热成像分析;
处理设备,与红外热成像仪探测系统通信连接;处理设备用于实现如上述的层叠型电子元件的失效点定位方法。
具体而言,样品台无需控温;电源与红外热成像仪探测系统配合,实现对层叠型电子元件两个相交表面进行红外热成像分析,得到第一红外图像和第二红外图像;处理设备对得到的第一红外图像和第二红外图像进行处理,进而得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。基于此,本申请实施例提高了层叠型电子元件的失效点定位的准确度,同时,方案的实施无需样品台进行控温,提高了试验效率并降低了试验难度。
在一个实施例中,如图10所示,红外热成像仪探测系统包括:
光学模块;
红外热像仪探头,用于通过光学模块获取层叠型电子元件的图像信息;
处理器,分别与红外热像仪探头和处理设备通信连接;
显示器,与处理器电连接。
具体而言,光学模块与红外热像仪探头配合,实现对层叠型电子元件的图像信息采集及红外热成像分析,得到红外图像;处理器可将获取到红外图像传输到显示器进行展示,还可传输给处理设备进行异常热点的定位。
在一个实施例中,处理设备用于实现以下步骤:
获取层叠型电子元件的第一红外图像;层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;第一红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
获取层叠型电子元件的第二红外图像;第二红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;第一表面与第二表面呈夹角设置;
根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
在一个实施例中,处理设备实现根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤时,实现以下步骤:
从第一红外图像中获取异常热点的第一位置坐标;
从第二红外图像中获取异常热点的第二位置坐标;
根据第一位置坐标和第二位置坐标,得到三维坐标。
在一个实施例中,处理设备实现根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤之后,还实现以下步骤:
根据三维坐标获取异常热点的形貌图;形貌图为根据三维坐标对层叠型电子元件进行切片及检测得到。
在一个实施例中,处理设备实现获取层叠型电子元件的第一红外图像的步骤之前,还实现以下步骤:
对层叠型电子元件施加电信号;电信号为矩形波。
在一个实施例中,提供了一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现如下步骤:
获取层叠型电子元件的第一红外图像;层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;第一红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
获取层叠型电子元件的第二红外图像;第二红外图像为对层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;第一表面与第二表面呈夹角设置;
根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的时,还实现以下步骤:
从第一红外图像中获取异常热点的第一位置坐标;
从第二红外图像中获取异常热点的第二位置坐标;
根据第一位置坐标和第二位置坐标,得到三维坐标。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行根据第一红外图像和第二红外图像,得到层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤之后,还实现以下步骤:
根据三维坐标获取异常热点的形貌图;形貌图为根据三维坐标对层叠型电子元件进行切片及检测得到。
在一个实施例中,计算机程序被处理器执行获取层叠型电子元件的第一红外图像的步骤之前,还实现以下步骤:
对层叠型电子元件施加电信号;电信号为矩形波。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM可以是多种形式,比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本申请范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种层叠型电子元件的失效点定位方法,其特征在于,包括:
获取层叠型电子元件的第一红外图像;所述层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;所述第一红外图像为对所述层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
获取所述层叠型电子元件的第二红外图像;所述第二红外图像为对所述层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;所述第一表面与所述第二表面呈夹角设置;
根据所述第一红外图像和所述第二红外图像,得到所述层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
2.根据权利要求1所述的层叠型电子元件的失效点定位方法,其特征在于,所述根据所述第一红外图像和所述第二红外图像,得到所述层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤包括:
从所述第一红外图像中获取所述异常热点的第一位置坐标;
从所述第二红外图像中获取所述异常热点的第二位置坐标;
根据所述第一位置坐标和所述第二位置坐标,得到所述三维坐标。
3.根据权利要求1所述的层叠型电子元件的失效点定位方法,其特征在于,所述根据所述第一红外图像和所述第二红外图像,得到所述层叠型电子元件的异常热点的三维坐标的步骤之后,还包括:
根据所述三维坐标获取所述异常热点的形貌图;所述形貌图为根据所述三维坐标对所述层叠型电子元件进行切片及检测得到。
4.根据权利要求1所述的层叠型电子元件的失效点定位方法,其特征在于,所述获取层叠型电子元件的第一红外图像的步骤之前,还包括:
对所述层叠型电子元件施加所述电信号;所述电信号为矩形波。
5.根据权利要求4所述的层叠型电子元件的失效点定位方法,其特征在于,
所述矩形波的周期的取值范围为100毫秒至500毫秒;
所述矩形波的峰值的取值范围为0.1伏至5伏。
6.根据权利要求1至5任一项所述的层叠型电子元件的失效点定位方法,其特征在于,所述失效电子元件为多层陶瓷电容器或叠层型压敏电阻器;
所述介质体为陶瓷体。
7.一种层叠型电子元件的失效点定位装置,其特征在于,包括:
第一红外图像获取模块,用于获取层叠型电子元件的第一红外图像;所述层叠型电子元件为施加电信号的失效电子元件;所述第一红外图像为对所述层叠型电子元件的介质体的第一表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;
第二红外图像获取模块,用于获取所述层叠型电子元件的第二红外图像;所述第二红外图像为对所述层叠型电子元件的介质体的第二表面进行红外热成像分析得到的温度分布图;所述第一表面与所述第二表面呈夹角设置;
三维坐标确认模块,用于根据所述第一红外图像和所述第二红外图像,得到所述层叠型电子元件的异常热点的三维坐标。
8.一种系统,其特征在于,包括:
样品台,用于放置层叠型电子元件;
电源,用于为所述层叠型电子元件施加电信号;
红外热成像仪探测系统,用于对所述层叠型电子元件进行红外热成像分析;
处理设备,与所述红外热成像仪探测系统通信连接;所述处理设备用于实现如权利要求1至6任意一项所述的层叠型电子元件的失效点定位方法。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述红外热成像仪探测系统包括:
光学模块;
红外热像仪探头,用于通过所述光学模块获取所述层叠型电子元件的图像信息;
处理器,分别与所述红外热像仪探头和所述处理设备通信连接;
显示器,与所述处理器电连接。
10.一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任意一项所述的层叠型电子元件的失效点定位方法。
CN202010355856.6A 2020-04-29 2020-04-29 层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统 Active CN111665403B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010355856.6A CN111665403B (zh) 2020-04-29 2020-04-29 层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010355856.6A CN111665403B (zh) 2020-04-29 2020-04-29 层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111665403A true CN111665403A (zh) 2020-09-15
CN111665403B CN111665403B (zh) 2022-12-23

Family

ID=72383038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010355856.6A Active CN111665403B (zh) 2020-04-29 2020-04-29 层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111665403B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113109385A (zh) * 2021-03-30 2021-07-13 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式无源元件的缺陷检测方法、装置及系统
CN117129788A (zh) * 2023-10-13 2023-11-28 康希通信科技(上海)有限公司 电容失效检测方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309108A (en) * 1991-07-30 1994-05-03 Hitachi, Ltd. Method of inspecting thin film transistor liquid crystal substrate and apparatus therefor
JPH06207914A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と装置および赤外線検出方法と装置
US5844414A (en) * 1994-07-29 1998-12-01 Eriksson; Anders Method and a system for moving a measuring means above a test object
US20020029468A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-14 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Method of supplying electric component, and electric-component mounting system
EP1655570A1 (de) * 2004-11-08 2006-05-10 Matthias Franke Verfahren zur optisch-geometrischen Vermessung eines Innenraumes einer Thermoprozessanlage
AU2007200027A1 (en) * 2004-07-07 2007-01-25 Real Imaging Ltd. System and Method for Imaging
US20070075050A1 (en) * 2005-06-30 2007-04-05 Jon Heyl Semiconductor failure analysis tool
CN101008663A (zh) * 2007-01-31 2007-08-01 北京航空航天大学 检出电子器件漏电失效点的方法
CN101813638A (zh) * 2010-04-30 2010-08-25 华中科技大学 一种芯片焊点缺陷在线检测方法及装置
US20110297829A1 (en) * 2010-06-08 2011-12-08 Frank Altmann Three-dimensional hot spot localization
US20120256872A1 (en) * 2011-04-06 2012-10-11 Sony Corporation Coordinate detection apparatus and display apparatus
JP2013207292A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nec Networks & System Integration Corp 電子部品実装回路基板のショート検査方法
US20140062496A1 (en) * 2012-09-06 2014-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Test apparatus for semiconductor package
US20160202126A1 (en) * 2013-08-23 2016-07-14 Dcg Systems, Inc. Lock-in thermography method and system for hot spot localization
CN106356312A (zh) * 2016-09-12 2017-01-25 武汉新芯集成电路制造有限公司 对封装芯片进行测试及失效分析的方法
CN107544014A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 上海北京大学微电子研究院 一种功率器件的失效定位方法
JP2019032600A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 日本電気株式会社 三次元画像生成装置、三次元画像生成方法、および三次元画像生成プログラム
CN109632111A (zh) * 2019-01-31 2019-04-16 中国海洋大学 一种适用于密闭环境下的红外立体测温装置

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309108A (en) * 1991-07-30 1994-05-03 Hitachi, Ltd. Method of inspecting thin film transistor liquid crystal substrate and apparatus therefor
JPH06207914A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と装置および赤外線検出方法と装置
US5844414A (en) * 1994-07-29 1998-12-01 Eriksson; Anders Method and a system for moving a measuring means above a test object
US20020029468A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-14 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Method of supplying electric component, and electric-component mounting system
AU2007200027A1 (en) * 2004-07-07 2007-01-25 Real Imaging Ltd. System and Method for Imaging
EP1655570A1 (de) * 2004-11-08 2006-05-10 Matthias Franke Verfahren zur optisch-geometrischen Vermessung eines Innenraumes einer Thermoprozessanlage
US20070075050A1 (en) * 2005-06-30 2007-04-05 Jon Heyl Semiconductor failure analysis tool
CN101008663A (zh) * 2007-01-31 2007-08-01 北京航空航天大学 检出电子器件漏电失效点的方法
CN101813638A (zh) * 2010-04-30 2010-08-25 华中科技大学 一种芯片焊点缺陷在线检测方法及装置
US20110297829A1 (en) * 2010-06-08 2011-12-08 Frank Altmann Three-dimensional hot spot localization
US20120256872A1 (en) * 2011-04-06 2012-10-11 Sony Corporation Coordinate detection apparatus and display apparatus
JP2013207292A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nec Networks & System Integration Corp 電子部品実装回路基板のショート検査方法
US20140062496A1 (en) * 2012-09-06 2014-03-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Test apparatus for semiconductor package
US20160202126A1 (en) * 2013-08-23 2016-07-14 Dcg Systems, Inc. Lock-in thermography method and system for hot spot localization
CN107544014A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 上海北京大学微电子研究院 一种功率器件的失效定位方法
CN106356312A (zh) * 2016-09-12 2017-01-25 武汉新芯集成电路制造有限公司 对封装芯片进行测试及失效分析的方法
JP2019032600A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 日本電気株式会社 三次元画像生成装置、三次元画像生成方法、および三次元画像生成プログラム
CN109632111A (zh) * 2019-01-31 2019-04-16 中国海洋大学 一种适用于密闭环境下的红外立体测温装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘霞美等: "显微红外热成像技术在故障定位中的应用", 《计算机与数字工程》 *
林晓玲等: "3D叠层封装集成电路的缺陷定位方法", 《华南理工大学学报(自然科学版)》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113109385A (zh) * 2021-03-30 2021-07-13 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式无源元件的缺陷检测方法、装置及系统
CN117129788A (zh) * 2023-10-13 2023-11-28 康希通信科技(上海)有限公司 电容失效检测方法
CN117129788B (zh) * 2023-10-13 2024-09-24 康希通信科技(上海)有限公司 电容失效检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111665403B (zh) 2022-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111665403B (zh) 层叠型电子元件的失效点定位方法、装置和系统
CN114067212A (zh) 基于温度视觉的智能检测方法、装置及电子设备
JP2010169590A (ja) 熱変形測定方法及び装置
CN103901291B (zh) 一种变电设备内部绝缘缺陷的诊断方法
US20160203355A1 (en) Standard calibration target for contactless fingerprint scanners
CN108226237B (zh) 一种检测方法和装置
CN112881786B (zh) 一种漏电检测方法、装置和系统
CN109760107B (zh) 一种基于单目视觉的机器人定位精度评价方法
Maruo et al. Electromechanical impedance-based structural health monitoring instrumentation system applied to aircraft structures and employing a multiplexed sensor array
CN108267741A (zh) 一种超声波探头标定装置及标定超声波探头的方法
Eckhardt et al. Understanding the Impact of Microstructure on Charge Transport in Polycrystalline Materials Through Impedance Modelling
CN106771525B (zh) 电压检测方法、装置及电压测试仪
Kehayias et al. Measurement and simulation of the magnetic fields from a 555 timer integrated circuit using a quantum diamond microscope and finite-element analysis
CN109323765B (zh) 一种采用曲线轮廓法对电力设备准确测温的方法
BR112016013821A2 (pt) sistemas de monitoramento de integridade estrutural que emprega tecnologia de impedância eletromecânica
CN110618332A (zh) 基于热流测量的电容器温升测量方法及系统
CN114325274B (zh) 一种换流变阀侧套管局部放电检测系统及方法
CN113109385B (zh) 一种片式无源元件的缺陷检测方法、装置及系统
CN115389551A (zh) 一种薄膜材料散热特性测试系统及方法
CN114002278A (zh) 蜂巢结构平面电容传感器及薄层状物成像检测方法及装置
CN114993169A (zh) 天线阵面定位、校验方法、装置、系统和存储介质
Lyons et al. Simultaneous measurement of temperature and strain in electronic packages using multiframe super-resolution infrared thermography and digital image correlation
WO2017187791A1 (ja) 計測装置および計測方法
Weibo et al. Performance evaluation approach for image mosaicing algorithm
CN114325167A (zh) 微带装置、测量系统、确定方法、装置和存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant