CN111662096A - 一种陶瓷电容压力传感器芯片的封接方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法。该方法为：一、陶瓷基底表面打磨、清洗、烘干；二、在基底上丝网印刷玻璃浆料；三、烘干处理；四、加压烧结；五、侧面玻璃浆料涂刷；六、二次烧结成型。本发明制备的陶瓷电容式压力传感器芯片经过氟油和氦气密封性检测，密封性能好，压力弹片与陶瓷基底结合强度大于40MPa，陶瓷弹片与陶瓷基底间距可以控制在10μm～50μm。本发明具有工艺简单、密封效果好、粘接强度高、电容间距可控性好等优点。

Description

一种陶瓷电容压力传感器芯片的封接方法
技术领域
本发明涉及传感器领域，尤其涉及一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法。
背景技术
陶瓷电容式压力传感器最早是从二十世纪八十年代开始研究。经过十余年的持续发展，这种新型的压力传感器在九十年代后期产品趋于成熟，国外多家公司推出众多产品系列，迅速占据市场。陶瓷电容式压力传感器以其成本低、使用寿命长、测量重复性强等众多优势，在MEMS压力传感器快速发展的今天仍然牢牢占据着市场的大量份额，市场地位难以动摇。我国在九十年代中期开始在国家、省市项目的资助下进行陶瓷电容式压力传感器的研发工作，并且在中高压量程的压力传感器领域取得了一定进展，但是规模化产业生产方面还存在相当的距离。国内无论在制造技术还是材料工艺都相对落后，不能满足汽车工业技术需求。目前市场上每年数以亿计的车用压力传感器基本全部被国外产品所垄断。陶瓷电容式压力传感器集成了先进陶瓷薄片制造、精密尺寸控制、电极和真空封装、电子电路等，技术要求复杂，对性能指标，特别是重复性、稳定性、可靠性要求很高，目前国内不能满足要求。目前，陶瓷电容式压力传感器工艺存在一些缺陷：(1)电极间封装困难，间距难以控制，可靠性较差；(2)电容腔密封性差，陶瓷弹片与陶瓷基底结合性能较差，导致在传感器在循环应力作用下抗疲劳性能差等缺点。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，而提供一种工艺简单、密封效果好、粘接强度高、电容间距可控性好的陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
步骤一：采用陶瓷材料作为陶瓷电容式压力传感器芯片的基底，经过表面打磨、清洗、烘干后备用；
步骤二：采用玻璃浆料作为封接材料，采用丝网印刷方法将玻璃浆料印刷在步骤一处理好后，表面镀有电极的陶瓷表面；
步骤三：将步骤二中印刷好玻璃浆料的陶瓷基底置于烘箱内烘干；
步骤四：将步骤三中烘干处理后的陶瓷片作为基底，将表面镀有电极的陶瓷弹片压制在印刷好玻璃浆料的陶瓷基底上置于高温炉内进行加压烧结成型；
步骤五：将步骤四中出炉的传感器芯片侧面涂刷同步骤二中使用的玻璃浆料，再次经过步骤三中烘干处理步骤，然后置于高温炉内进行二次烧结成型，得到陶瓷电容式压力传感器芯片。
上述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤一中，所述表面打磨指采用抛光机将陶瓷表面打磨，经过抛光后的陶瓷面粗糙度控制在0.05μm～2.0μm；所述清洗是采用酒精或丙酮超声清洗20min-120min；所述烘干是在烘箱内烘干，烘干温度控制在75℃～120℃，烘干时间为0.5h～2.0h。
上述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤一中，所述的陶瓷材料为纯氧化物陶瓷或非氧化物系陶瓷，所述的纯氧化物陶瓷为Al2O3、ZrO2、MgO、CaO、BeO或ThO2；所述的非氧化物系陶瓷为碳化物、硼化物、氮化物和硅化物陶瓷中的一种。
上述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤二中，所述的玻璃浆料为硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和铝酸盐玻璃中的一种。所述的玻璃浆料粘度控制在80pa·s～400pa·s，丝网印刷次数为1-10次，网板目数为100目～500目，网板与陶瓷基底间距为1.0mm～30mm。
上述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤三中，所述的烘干温度控制在75℃～120℃，时间0.5h～2.0h。
上述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤四中，所述的陶瓷弹片为纯氧化物陶瓷或非氧化物系陶瓷，所述的如纯氧化物陶瓷为Al2O3、ZrO2、MgO、CaO、BeO或ThO2；所述的非氧化物系陶瓷，为碳化物、硼化物、氮化物和硅化物陶瓷中的一种。高温炉内加压烧结成型工艺为：烧结温度为350℃～1000℃，升温速度为5℃/min～30℃/min，保温时间0.5h～2.0h，自然降温，施加压力为5kPa～50kPa。
上述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤五中，所述的二次烧结工艺为烧结温度为350℃～1000℃，升温速度为5℃/min～30℃/min，保温时间0.5h～2.0h，自然降温。
采用本技术方案制备的陶瓷电容式压力传感器芯片，经过氟油和氦气密封性检测，密封性能好，陶瓷弹片与陶瓷基底结合强度大于40MPa，陶瓷弹片与陶瓷基底间距可以控制在10μm～50μm。本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明通过二次密封以及加压烧结成型技术，该封接技术提高了传感器芯片的密封性能以及陶瓷弹片与陶瓷基底之间的结合性能。
2、本发明所选用的陶瓷基底以及陶瓷弹片材料具有热稳定性强、耐酸碱腐蚀以及抗干扰能力强等优异性能。
附图说明
图1是本发明制备一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法的工艺流程框图。
具体实施方式
实施案例1
步骤一：采用Al2O3陶瓷材料作为陶瓷电容式压力传感器芯片的基底，经过抛光机将陶瓷表面打磨，经过抛光后的陶瓷面粗糙度控制在0.05μm。然后采用酒精超声清洗20min，在烘箱内烘干，温度控制在75℃，保温时间2.0h。
步骤二：采用硅酸盐玻璃浆料作为封接材料，浆料粘度控制在80pa·s，采用丝网印刷方法将玻璃浆料印刷在步骤一处理好后并经过表面镀有电极的陶瓷表面。丝网印刷次数为1次，网板目数为100目，网板与陶瓷基底间距为30mm。
步骤三：将步骤二中印刷好玻璃浆料的陶瓷基底置于烘箱内烘干，烘干温度控制在75℃，时间2.0h。
步骤四：将步骤三中烘干处理后的陶瓷片作为基底，将表面镀有电极的陶瓷弹片压制在印刷好玻璃浆料的陶瓷基底上置于高温炉内进行加压烧结成型，陶瓷弹片为氮化硅陶瓷材料，高温炉内烧结工艺为：烧结温度为350℃，升温速度为5℃/min，保温时间2.0h，自然降温，施加压力为50kPa。
步骤五：将步骤四中出炉的传感器芯片侧面涂刷如步骤二中使用的玻璃浆料，再次经过如步骤三中进行的烘干处理，然后置于高温炉内进行二次烧结成型，烧结工艺为烧结温度为1000℃，升温速度为30℃/min，保温时间0.5h，自然降温。
采用本实施例制备的陶瓷电容式压力传感器芯片，经过氟油和氦气密封性检测，密封性能好，陶瓷弹片与陶瓷基底结合强度为45MPa，陶瓷弹片与陶瓷基底间距控制在10μm。
实施案例2
步骤一：采用ZrO2陶瓷材料作为陶瓷电容式压力传感器芯片的基底，经过抛光机将陶瓷表面打磨，经过抛光后的陶瓷面粗糙度控制在1.0μm。然后采用丙酮超声清洗60min，在烘箱内烘干，温度控制在100℃，保温时间1.0h。
步骤二：采用硼酸盐玻璃浆料作为封接材料，浆料粘度控制在150pa·s，采用丝网印刷方法将玻璃浆料印刷在步骤一处理好后并经过表面镀有电极的陶瓷表面。丝网印刷次数为5次，网板目数为200目，网板与陶瓷基底间距为15mm。
步骤三：将步骤二中印刷好玻璃浆料的陶瓷基底置于烘箱内烘干，烘干温度控制在100℃，时间1.0h。
步骤四：将步骤三中烘干处理后的陶瓷片作为基底，将表面镀有电极的陶瓷弹片压制在印刷好玻璃浆料的陶瓷基底上置于高温炉内进行加压烧结成型，陶瓷弹片为Al2O3陶瓷材料，高温炉内烧结工艺为：烧结温度为750℃，升温速度为15℃/min，保温时间1.0h，自然降温，施加压力为20kPa。
步骤五：将步骤四中出炉的传感器芯片侧面涂刷如步骤二中使用的玻璃浆料，再次经过如步骤三中进行的烘干处理，然后置于高温炉内进行二次烧结成型，烧结工艺为烧结温度为600℃，升温速度为15℃/min，保温时间1.0h，自然降温。
采用本实施例制备的陶瓷电容式压力传感器芯片，经过氟油和氦气密封性检测，密封性能好，陶瓷弹片与陶瓷基底结合强度为55MPa，陶瓷弹片与陶瓷基底间距控制在25μm。
实施案例3
步骤一：采用碳化硅陶瓷材料作为陶瓷电容式压力传感器芯片的基底，经过抛光机将陶瓷表面打磨，经过抛光后的陶瓷面粗糙度控制在2.0μm。然后采用酒精超声清洗120min，在烘箱内烘干，温度控制在120℃，保温时间0.5h。
步骤二：采用铝盐玻璃浆料作为封接材料，浆料粘度控制在400pa·s，采用丝网印刷方法将玻璃浆料印刷在步骤一处理好后并经过表面镀有电极的陶瓷表面。丝网印刷次数为10次，网板目数为500目，网板与陶瓷基底间距为1.0mm。
步骤三：将步骤二中印刷好玻璃浆料的陶瓷基底置于烘箱内烘干，烘干温度控制在120℃，时间0.5h。
步骤四：将步骤三中烘干处理后的陶瓷片作为基底，将表面镀有电极的陶瓷弹片压制在印刷好玻璃浆料的陶瓷基底上置于高温炉内进行加压烧结成型，陶瓷弹片为ZrO2陶瓷材料，高温炉内烧结工艺为：烧结温度为1000℃，升温速度为30℃/min，保温时间0.5h，自然降温，施加压力为5kPa。
步骤五：将步骤四中出炉的传感器芯片侧面涂刷如步骤二中使用的玻璃浆料，再次经过如步骤三中进行的烘干处理，然后置于高温炉内进行二次烧结成型，烧结工艺为烧结温度为600℃，升温速度为15℃/min，保温时间1.0h，自然降温。
采用本实施例制备的陶瓷电容式压力传感器芯片，经过氟油和氦气密封性检测，密封性能好，陶瓷弹片与陶瓷基底结合强度为60MPa，陶瓷弹片与陶瓷基底间距控制在50μm。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (8)

1.一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一：采用陶瓷材料作为陶瓷电容式压力传感器芯片的基底，经过表面打磨、清洗、烘干后备用；
步骤二：采用玻璃浆料作为封接材料，采用丝网印刷方法将玻璃浆料印刷在步骤一处理好后，表面镀有电极的陶瓷表面；
步骤三：将步骤二中印刷好玻璃浆料的陶瓷基底置于烘箱内烘干；
步骤四：将步骤三中烘干处理后的陶瓷片作为基底，将表面镀有电极的陶瓷弹片压制在印刷好玻璃浆料的陶瓷基底上置于高温炉内进行加压烧结成型；
步骤五：将步骤四中出炉的传感器芯片侧面涂刷如同步骤二中使用的玻璃浆料，再次经过步骤三中烘干处理步骤，然后置于高温炉内进行二次烧结成型，得到陶瓷电容式压力传感器芯片。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤一中，所述表面打磨采用抛光机将陶瓷表面打磨，经过抛光后的陶瓷面粗糙度控制在0.05μm～2.0μm；所述清洗是酒精或丙酮超声清洗20min-120min；所述烘干是在烘箱内烘干，烘干温度控制在75℃～120℃，时间0.5h～2.0h。
3.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤一中，所述的陶瓷材料为纯氧化物陶瓷或非氧化物系陶瓷，所述的纯氧化物陶瓷为Al2O3、ZrO2、MgO、CaO、BeO或ThO2；所述的非氧化物系陶瓷为碳化物、硼化物、氮化物和硅化物陶瓷中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤二中，所述的玻璃浆料为硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃和铝酸盐玻璃中的一种；所述的玻璃浆料粘度控制在80pa·s～400pa·s，丝网印刷次数为1-10次，网板目数为100目～500目，网板与陶瓷基底间距为1.0mm～30mm。
5.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤三中，所述的烘干温度控制在75℃～120℃，时间0.5h～2.0h。
6.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤四中，所述的陶瓷弹片为纯氧化物陶瓷或非氧化物系陶瓷，所述的纯氧化物陶瓷为Al2O3、ZrO2、MgO、CaO、BeO或ThO2；所述的非氧化物系陶瓷，为碳化物、硼化物、氮化物和硅化物陶瓷中的一种；高温炉内加压烧结成型工艺为：烧结温度为350℃～1000℃，升温速度为5℃/min～30℃/min，保温时间0.5h～2.0h，自然降温，施加压力为5kPa～50kPa。
7.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，步骤五中，所述的二次烧结工艺为烧结温度为350℃～1000℃，升温速度为5℃/min～30℃/min，保温时间0.5h～2.0h，自然降温。
8.根据权利要求1所述的一种陶瓷电容式压力传感器芯片的封接方法，其特征在于，所述的陶瓷电容式压力传感器芯片，经过氟油和氦气密封性检测，密封性能好，陶瓷弹片与陶瓷基底结合强度大于40MPa，陶瓷弹片与陶瓷基底间距可以控制在10μm～50μm。
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Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6374680B1 (en) * 1999-03-24 2002-04-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor or capacitive differential pressure sensor
CN101063637A (zh) * 2006-04-28 2007-10-31 中国科学院合肥物质科学研究院 一种双电容厚膜陶瓷感压元件的制备方法
US20100255261A1 (en) * 2008-10-31 2010-10-07 Schwanke Dieter Ceramic substrate material, method for the production and use thereof, and antenna or antenna array
CN102034580A (zh) * 2010-11-02 2011-04-27 肇庆爱晟电子科技有限公司 表面贴装高精度大功率ntc热敏电阻及其制作方法
CN102276249A (zh) * 2011-05-12 2011-12-14 贵阳高新益舸电子有限公司 提高ZnO防雷芯片边缘工频耐受能力的方法
CN103047927A (zh) * 2012-12-18 2013-04-17 无锡莱顿电子有限公司 陶瓷基底压阻式应变片
CN104681273A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 北京有色金属研究总院 一种新型高压陶瓷电容器电极及制备方法
CN105067179A (zh) * 2015-07-30 2015-11-18 湖北美标中芯电子科技有限公司 一种陶瓷电容式压力传感器及其制造方法
CN106448974A (zh) * 2016-11-06 2017-02-22 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种防止铝电极层湿热老化失效的压敏电阻及其制备方法
CN107705946A (zh) * 2017-07-19 2018-02-16 国网湖南省电力公司 一种高通流氧化锌电阻片及其生产工艺
CN110143812A (zh) * 2019-06-09 2019-08-20 杭州电子科技大学 一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及制备方法
CN110285899A (zh) * 2019-03-25 2019-09-27 绍兴文理学院元培学院 一种陶瓷压力传感器的制备方法
CN110981549A (zh) * 2019-12-09 2020-04-10 浙江安力能源有限公司 一种氧化铝陶瓷生产工艺

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6374680B1 (en) * 1999-03-24 2002-04-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor or capacitive differential pressure sensor
CN101063637A (zh) * 2006-04-28 2007-10-31 中国科学院合肥物质科学研究院 一种双电容厚膜陶瓷感压元件的制备方法
US20100255261A1 (en) * 2008-10-31 2010-10-07 Schwanke Dieter Ceramic substrate material, method for the production and use thereof, and antenna or antenna array
CN102034580A (zh) * 2010-11-02 2011-04-27 肇庆爱晟电子科技有限公司 表面贴装高精度大功率ntc热敏电阻及其制作方法
CN102276249A (zh) * 2011-05-12 2011-12-14 贵阳高新益舸电子有限公司 提高ZnO防雷芯片边缘工频耐受能力的方法
CN103047927A (zh) * 2012-12-18 2013-04-17 无锡莱顿电子有限公司 陶瓷基底压阻式应变片
CN104681273A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 北京有色金属研究总院 一种新型高压陶瓷电容器电极及制备方法
CN105067179A (zh) * 2015-07-30 2015-11-18 湖北美标中芯电子科技有限公司 一种陶瓷电容式压力传感器及其制造方法
CN106448974A (zh) * 2016-11-06 2017-02-22 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种防止铝电极层湿热老化失效的压敏电阻及其制备方法
CN107705946A (zh) * 2017-07-19 2018-02-16 国网湖南省电力公司 一种高通流氧化锌电阻片及其生产工艺
CN110285899A (zh) * 2019-03-25 2019-09-27 绍兴文理学院元培学院 一种陶瓷压力传感器的制备方法
CN110143812A (zh) * 2019-06-09 2019-08-20 杭州电子科技大学 一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及制备方法
CN110981549A (zh) * 2019-12-09 2020-04-10 浙江安力能源有限公司 一种氧化铝陶瓷生产工艺

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AHMED SHARIF ET.AL: "Customized glass sealant for ceramic substrates for high temperature electronic application", 《MICROELECTRONICS RELIABILITY》 *
XING CHEN ET.AL: "A stainless-steel-based implantable pressure sensor chip and itsintegration by microwelding", 《SENSORS AND ACTUATORS A: PHYSICAL》 *
孙以材 等: "压力传感器芯片键合用低温玻璃焊料的研制", 《电子器件》 *
张如明 等: "《厚薄膜混合集成电路及应用》", 30 September 1986 *
张子鹤 等: "压力传感器的硅玻静电键合", 《世界科技研究与发展》 *

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